JPH01293543A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01293543A JPH01293543A JP12444488A JP12444488A JPH01293543A JP H01293543 A JPH01293543 A JP H01293543A JP 12444488 A JP12444488 A JP 12444488A JP 12444488 A JP12444488 A JP 12444488A JP H01293543 A JPH01293543 A JP H01293543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- cathode
- gate
- ring
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体エレメントの片面の外周域に形成さ
れたゲート電極にゲートリングを押し当て、ゲートリン
グを介して制御信号をゲート電極に伝達するように構成
された半導体装置に関するものである。
れたゲート電極にゲートリングを押し当て、ゲートリン
グを介して制御信号をゲート電極に伝達するように構成
された半導体装置に関するものである。
（従来の技術）
第２図は、この種の半導体装置の従来例の１つを示す縦
断面図である。図において、半導体エレメント１は円板
状をなし、導電材料からなり陽極電極を兼ねる補強板１
ａの上に半導体基板１ｂを適当なろう材で接着して構成
されている。半導体基板１ｂの上面は、適当な金属によ
って図示しないグー１−電極と陰極電極とを外周域と内
周域に分割して形成した陰極面とされ、補強板１ａの下
面は半導体エレメント１の陰極面とされている。この半
導体エレメント１の陰極面側には、導電材料からなり概
形が円板状の陰極導電体２が上記した陰極電極にのみ電
気的に接触するように押し付けられている。また半導体
エレメント１の陽極面側には、導電材料からなり概形が
円板状の陰極導電体３が上記したｌ！ｌｉｉ極電極に電
気的に接触するように押し付けられている。陰極導電体
２の外周には陰極７ランジ４が設（ｌられる一方、陽極
導電体３の外周にも陽極７ランジ５が設けられ、この陰
極フランジ４と陽極フランジ５とを絶縁筒体６で結合す
ることによって、陰極導電体２と陽橿導゛電体３とは電
気的な絶縁状態を保った状態で一体に連結されている。
断面図である。図において、半導体エレメント１は円板
状をなし、導電材料からなり陽極電極を兼ねる補強板１
ａの上に半導体基板１ｂを適当なろう材で接着して構成
されている。半導体基板１ｂの上面は、適当な金属によ
って図示しないグー１−電極と陰極電極とを外周域と内
周域に分割して形成した陰極面とされ、補強板１ａの下
面は半導体エレメント１の陰極面とされている。この半
導体エレメント１の陰極面側には、導電材料からなり概
形が円板状の陰極導電体２が上記した陰極電極にのみ電
気的に接触するように押し付けられている。また半導体
エレメント１の陽極面側には、導電材料からなり概形が
円板状の陰極導電体３が上記したｌ！ｌｉｉ極電極に電
気的に接触するように押し付けられている。陰極導電体
２の外周には陰極７ランジ４が設（ｌられる一方、陽極
導電体３の外周にも陽極７ランジ５が設けられ、この陰
極フランジ４と陽極フランジ５とを絶縁筒体６で結合す
ることによって、陰極導電体２と陽橿導゛電体３とは電
気的な絶縁状態を保った状態で一体に連結されている。
陰極導電体２の下半部外周には絶縁部材７を介して導電
材料からなるゲートリング８が外嵌めされている。この
ゲートリング８は、陰極導電体２の外周に設けられた平
座金９，１０で支持されているばね１１によって半導体
エレメント１の陰極面に押し付けられ、これによって陰
極面のゲート電極に対してゲートリング８が電気的接触
を保つように構成されている。平座金１０とゲートリン
グ８との間には絶縁部材１２が介挿されており、この絶
縁部材１２と上記した絶縁部材７とによってゲートリン
グ８と陰極導電体２との間が電気的に絶縁されている。
材料からなるゲートリング８が外嵌めされている。この
ゲートリング８は、陰極導電体２の外周に設けられた平
座金９，１０で支持されているばね１１によって半導体
エレメント１の陰極面に押し付けられ、これによって陰
極面のゲート電極に対してゲートリング８が電気的接触
を保つように構成されている。平座金１０とゲートリン
グ８との間には絶縁部材１２が介挿されており、この絶
縁部材１２と上記した絶縁部材７とによってゲートリン
グ８と陰極導電体２との間が電気的に絶縁されている。
またゲートリング８は、ゲートリード線１３を介して外
部のゲート端子１４に電気的に接続され、ゲート端子１
４に与えられる制御信号を、ゲートリード線１３゜ゲー
トリング８を通して半導体エレメント１のゲート電極に
伝達するように構成されている。さらに、陰極導電体２
の外周には絶縁材料からなるガイドリング１５が外嵌め
して固定されており、このガイドリング１５は同時に半
導体エレメント１に対しても外嵌めされ、これによって
半導体エレメント１を位置決めするように構成されてい
る。
部のゲート端子１４に電気的に接続され、ゲート端子１
４に与えられる制御信号を、ゲートリード線１３゜ゲー
トリング８を通して半導体エレメント１のゲート電極に
伝達するように構成されている。さらに、陰極導電体２
の外周には絶縁材料からなるガイドリング１５が外嵌め
して固定されており、このガイドリング１５は同時に半
導体エレメント１に対しても外嵌めされ、これによって
半導体エレメント１を位置決めするように構成されてい
る。
従来の半導体装置は上記のように構成され、陰極導電体
２を半導体エレメント１の陰極面に、また陽極導電体３
を半導体エレメント１の陰極面に所定の圧力で押し当て
て半導体エレメント１と電気的接触を保ち、陰極導電体
２と陽極導電体３の間に適当な電圧を印加した状態で、
ゲート端子１４からゲートリード線１３．ゲートリング
８を介して半導体エレメント１のゲート電極に制御信号
としてｆｔＩＩ制御電流を流すことによって、その制ｗ
Ｊ電流に応じて陰極導電体２と陽極導電体３の間に流れ
る電流が制御される。この動作が行われるためには、ゲ
ートリング８が半導体エレメント１のゲート電極に正し
く接触していなければならない。
２を半導体エレメント１の陰極面に、また陽極導電体３
を半導体エレメント１の陰極面に所定の圧力で押し当て
て半導体エレメント１と電気的接触を保ち、陰極導電体
２と陽極導電体３の間に適当な電圧を印加した状態で、
ゲート端子１４からゲートリード線１３．ゲートリング
８を介して半導体エレメント１のゲート電極に制御信号
としてｆｔＩＩ制御電流を流すことによって、その制ｗ
Ｊ電流に応じて陰極導電体２と陽極導電体３の間に流れ
る電流が制御される。この動作が行われるためには、ゲ
ートリング８が半導体エレメント１のゲート電極に正し
く接触していなければならない。
例えばゲートリング８が位置ずれして、半導体エレメン
ト１の陰極電極に接触しているものとすると、ゲート端
子１４から与えられる制御１１ｆ流はゲートリング８か
ら半導体エレメント１内に伝達されないで、半導体エレ
メント１の陰！ｆｉ電権を通して陰極導電体２に伝わり
、ゲート電極・陰極電極間短絡（以下ＧＫショートと呼
ぶ）を引き起し半導体装置は制御不能におちいる。この
半導体装置では、陰極導電体２に対する半導体エレメン
ト１の位Ｈ１係はガイドリンク１５によって固定される
一方、ゲートリング８は陰極導電体２の外周に絶縁部材
７を介して外嵌めされていることがら、ゲートリング８
とゲート電極の間が正しい位置関係に固定されることに
なる。
ト１の陰極電極に接触しているものとすると、ゲート端
子１４から与えられる制御１１ｆ流はゲートリング８か
ら半導体エレメント１内に伝達されないで、半導体エレ
メント１の陰！ｆｉ電権を通して陰極導電体２に伝わり
、ゲート電極・陰極電極間短絡（以下ＧＫショートと呼
ぶ）を引き起し半導体装置は制御不能におちいる。この
半導体装置では、陰極導電体２に対する半導体エレメン
ト１の位Ｈ１係はガイドリンク１５によって固定される
一方、ゲートリング８は陰極導電体２の外周に絶縁部材
７を介して外嵌めされていることがら、ゲートリング８
とゲート電極の間が正しい位置関係に固定されることに
なる。
第３図は、上記した半導体装置と基本的な構造が同じの
他の従来例（特開昭６２−１０１０７２号公報）を示す
縦断面図である。この半導体装置の場合、ゲートリング
８とゲート電極の接触を半導体エレメント１の陰極面の
中心と外周域の中間の領域で行わせている点が上記した
半導体装置と異なるのみで、その他の構成および動作に
ついては同様であるので、その説明は省略する。
他の従来例（特開昭６２−１０１０７２号公報）を示す
縦断面図である。この半導体装置の場合、ゲートリング
８とゲート電極の接触を半導体エレメント１の陰極面の
中心と外周域の中間の領域で行わせている点が上記した
半導体装置と異なるのみで、その他の構成および動作に
ついては同様であるので、その説明は省略する。
しかしなから、上記した従来の半導体装置では、陰極導
電体２を介して半導体エレメント１とゲートリング８の
位置合せが行われているため、半導体エレメント１とゲ
ートリング８の間に、ガイドリング１５．陰極導電体２
．絶縁部材７などの部品が介在し、これら各部品の製作
公差によって半導体エレメント１とゲートリング８の間
の位置関係に相当のずれが生じるおそれがあり、最悪の
場合にはＧＫショートを引き起すおそれがある。各部品
の製作公差を小さくすることによって、そのような最悪
の事態を回避することは可能であるが、そのためにはコ
ストが増大するという問題点があった。
電体２を介して半導体エレメント１とゲートリング８の
位置合せが行われているため、半導体エレメント１とゲ
ートリング８の間に、ガイドリング１５．陰極導電体２
．絶縁部材７などの部品が介在し、これら各部品の製作
公差によって半導体エレメント１とゲートリング８の間
の位置関係に相当のずれが生じるおそれがあり、最悪の
場合にはＧＫショートを引き起すおそれがある。各部品
の製作公差を小さくすることによって、そのような最悪
の事態を回避することは可能であるが、そのためにはコ
ストが増大するという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、コストを増大させることなく確実にＧＫショ
ートを防止することのできる半導体装置を得ることを目
的とする。
たもので、コストを増大させることなく確実にＧＫショ
ートを防止することのできる半導体装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る半導体装置は、片面がその外周域にゲー
ト電極を有し内周域に陰極電極を有する陰極面とされ、
他の片面が陽極電極を有する陽極面とされた半導体エレ
メントと、この半導体エレメントの陰極面側にその陰Ｆ
ｉ電極にのみ接触するように押し当てられる陰極導電体
と、この陰極導電体と絶縁体を介して一体化され、半導
体エレメントの陽極面側にその陽極電極に接触するよう
に押し当てられる陽極導電体と、ｌ！！穫導電導電体し
て電気的に絶縁した状態で外嵌めされ、半導体エレメン
トの陰極面側にそのゲート電極にのみ接触するように押
し当てられるゲートリングと、このゲートリングを介し
て半導体エレメントのゲート電極に制御信号を伝達する
制御信号伝達部材と、半導体エレメントに外嵌めされて
半導体エレメントを位置決めするカードリンクとを備え
た半導体装置であって、ガイドリングをゲートリングに
外嵌め固定している。
ト電極を有し内周域に陰極電極を有する陰極面とされ、
他の片面が陽極電極を有する陽極面とされた半導体エレ
メントと、この半導体エレメントの陰極面側にその陰Ｆ
ｉ電極にのみ接触するように押し当てられる陰極導電体
と、この陰極導電体と絶縁体を介して一体化され、半導
体エレメントの陽極面側にその陽極電極に接触するよう
に押し当てられる陽極導電体と、ｌ！！穫導電導電体し
て電気的に絶縁した状態で外嵌めされ、半導体エレメン
トの陰極面側にそのゲート電極にのみ接触するように押
し当てられるゲートリングと、このゲートリングを介し
て半導体エレメントのゲート電極に制御信号を伝達する
制御信号伝達部材と、半導体エレメントに外嵌めされて
半導体エレメントを位置決めするカードリンクとを備え
た半導体装置であって、ガイドリングをゲートリングに
外嵌め固定している。
この発明においては、半導体エレメントを位置決めする
ガイドリングがゲートリングに直接固定されているので
、半導体エレメントとゲートリングの中間に介在する部
品はガイドリンクだけとなり、中間に介在する部品が少
ない分だけ部品の製作公差に起因してゲートリングと半
導体エレメントの間の位置関係に生じるずれが小さく抑
えられる。
ガイドリングがゲートリングに直接固定されているので
、半導体エレメントとゲートリングの中間に介在する部
品はガイドリンクだけとなり、中間に介在する部品が少
ない分だけ部品の製作公差に起因してゲートリングと半
導体エレメントの間の位置関係に生じるずれが小さく抑
えられる。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す縦
断面図であり、１〜１４は上記従来装置と全く同一のも
のである。この半導体装置では、ガイドリング１５がゲ
ートリング８の外周に直接固定されている。ガイドリン
グ１５は同時に半導体エレメント１に外嵌めされて、半
導体エレメント１を位置決めする構成およびその他の部
品の構成も従来装置の場合と同じである。
断面図であり、１〜１４は上記従来装置と全く同一のも
のである。この半導体装置では、ガイドリング１５がゲ
ートリング８の外周に直接固定されている。ガイドリン
グ１５は同時に半導体エレメント１に外嵌めされて、半
導体エレメント１を位置決めする構成およびその他の部
品の構成も従来装置の場合と同じである。
この半導体装置では、半導体エレメント１を位置決めす
るガイドリング１５がゲートリング８に直接固定されて
いるので、半導体エレメント１とゲートリング８の間の
位置関係を固定するためにこれらの中間に介在する部品
はガイドリング１５だけとなり、したがって部品の製作
公差による半導体エレメント１とゲートリング８の間の
位置関係のずれはそれだけ小さく抑えられることになる
。
るガイドリング１５がゲートリング８に直接固定されて
いるので、半導体エレメント１とゲートリング８の間の
位置関係を固定するためにこれらの中間に介在する部品
はガイドリング１５だけとなり、したがって部品の製作
公差による半導体エレメント１とゲートリング８の間の
位置関係のずれはそれだけ小さく抑えられることになる
。
例えば、半導体エレメント１の外径公差を０．１、ゲー
トリング８の内径公差を０，１、ガイドリング１５の内
径公差を０．１とすると、半導体エレメント１とゲート
リング８の間の位置関係のずれは０．１＋ ０．１＋
０．１＝ ０．３となる。これに対し、先述した従来
装置において、半導体エレメント１の外径公差を０．１
、ガイドリンク１５の内径公差を０．１、陰極導電体２
の外径公差を０．１、絶縁部材７の厚み公差を０．トゲ
ートリング８の内径公差を０．１とすると、半導体エレ
メント１とゲートリング８の間の位置関係のずれは ０．１＋ ０．１＋ ０．１＋、 ０．１＋ ０．１
＝ ０．５となり、従来装置の場合に比べてこの実施例
の半導体装置の方が位置ずれが小さくなることがわかる
。すなわち、この実施例の半導体装置では、従来装置と
同じ加工精度で各部品を加工しても、従来装置の場合よ
り高精度な位置合せができることになる。
トリング８の内径公差を０，１、ガイドリング１５の内
径公差を０．１とすると、半導体エレメント１とゲート
リング８の間の位置関係のずれは０．１＋ ０．１＋
０．１＝ ０．３となる。これに対し、先述した従来
装置において、半導体エレメント１の外径公差を０．１
、ガイドリンク１５の内径公差を０．１、陰極導電体２
の外径公差を０．１、絶縁部材７の厚み公差を０．トゲ
ートリング８の内径公差を０．１とすると、半導体エレ
メント１とゲートリング８の間の位置関係のずれは ０．１＋ ０．１＋ ０．１＋、 ０．１＋ ０．１
＝ ０．５となり、従来装置の場合に比べてこの実施例
の半導体装置の方が位置ずれが小さくなることがわかる
。すなわち、この実施例の半導体装置では、従来装置と
同じ加工精度で各部品を加工しても、従来装置の場合よ
り高精度な位置合せができることになる。
なお、この実施例の半導体装置の動作は従来装置と同様
であるので、ここではその説明は省略する。
であるので、ここではその説明は省略する。
以上のように、この発明によれば、半導体エレメントを
位置決めするガイドリングをゲートリングに直接固定し
たので、半導体エレメントとゲートリングの中間に介在
する部品がガイドリングだけとなり、中間に介在する部
品が少ない分だけ部品の製作公差に起因してゲートリン
グと半導体エレメントの間の位置関係に生じるずれが小
さくなって、位置合せの精度が高＜ＧＫショートを確実
に防止できる半導体装置を安価に製作できる。
位置決めするガイドリングをゲートリングに直接固定し
たので、半導体エレメントとゲートリングの中間に介在
する部品がガイドリングだけとなり、中間に介在する部
品が少ない分だけ部品の製作公差に起因してゲートリン
グと半導体エレメントの間の位置関係に生じるずれが小
さくなって、位置合せの精度が高＜ＧＫショートを確実
に防止できる半導体装置を安価に製作できる。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す縦
断面図、第２図は従来の半導体装置の一例を示す縦断面
図、第３図は従来の半導体装置の他の例を示す縦断面図
である。 図において、１は半導体エレメント、２は陰極導電体、
３は陽極導電体、６は絶縁筒体、７は絶縁部材、８はゲ
ートリング、１３はゲートリード線、１５はガイドリン
グである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １ °手１１下エレメ〉ト ２：鵡纂電坏 ３：輌真電傑 ７：列間 ８：ケ°−トリ〉ゲ １３：ケ“−トリード機 １５：ｆイドリシゲ
断面図、第２図は従来の半導体装置の一例を示す縦断面
図、第３図は従来の半導体装置の他の例を示す縦断面図
である。 図において、１は半導体エレメント、２は陰極導電体、
３は陽極導電体、６は絶縁筒体、７は絶縁部材、８はゲ
ートリング、１３はゲートリード線、１５はガイドリン
グである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １ °手１１下エレメ〉ト ２：鵡纂電坏 ３：輌真電傑 ７：列間 ８：ケ°−トリ〉ゲ １３：ケ“−トリード機 １５：ｆイドリシゲ
Claims (1)
- （１）片面がその外周域にゲート電極を有し内周域に陰
極電極を有する陰極面とされ、他の片面が陽極電極を有
する陽極面とされた半導体エレメントと、この半導体エ
レメントの陰極面側にその陰極電極にのみ接触するよう
に押し当てられる陰極導電体と、この陰極導電体と絶縁
体を介して一体化され、前記半導体エレメントの陽極面
側にその陽極電極に接触するように押し当てられる陽極
導電体と、前記陰極導電体に対して電気的に絶縁した状
態で外嵌めされ、前記半導体エレメントの陰極面側にそ
のゲート電極にのみ接触するように押し当てられるゲー
トリングと、このゲートリングを介して前記半導体エレ
メントのゲート電極に制御信号を伝達する制御信号伝達
部材と、前記半導体エレメントに外嵌めされて半導体エ
レメントを位置決めするカードリンクとを備えた半導体
装置において、 前記ガイドリングを前記ゲートリングに外嵌め固定した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12444488A JPH01293543A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12444488A JPH01293543A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293543A true JPH01293543A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14885659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12444488A Pending JPH01293543A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293543A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543363A (en) * | 1992-04-28 | 1996-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for adhesively attaching a semiconductor device to an electrode plate |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12444488A patent/JPH01293543A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543363A (en) * | 1992-04-28 | 1996-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for adhesively attaching a semiconductor device to an electrode plate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002324636A (ja) | 同軸コネクタ | |
| EP0468475A1 (en) | Power semiconductor device suitable for automation of production | |
| JPH0828394B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR910009419B1 (ko) | 수지절연형 반도체장치 | |
| US4010488A (en) | Electronic apparatus with optional coupling | |
| JPH01293543A (ja) | 半導体装置 | |
| GB1245610A (en) | Improvements in and relating to semiconductor devices | |
| JP2001102520A (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| JPH0289351A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0324929B1 (en) | Pressure connection type semiconductor device | |
| US4953004A (en) | Housing for a gate turn-off power thyristor (GTO) | |
| JPH07221286A (ja) | 加圧組立半導体装置のためのゲート結合システム | |
| JP3125918B2 (ja) | アイソレータ | |
| JP3375812B2 (ja) | 圧接型半導体装置及び半導体素子 | |
| US20250324529A1 (en) | Electronic module | |
| US6633204B1 (en) | Nonreciprocal circuit device and communication apparatus | |
| JP2606885Y2 (ja) | サージ吸収素子 | |
| JPS6046038A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH027374A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH0436047Y2 (ja) | ||
| JPH02220452A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0235758A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6273750A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61260647A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| CN118872053A (zh) | 半导体模块、电力转换装置以及半导体模块的制造方法 |