JPS6046038A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JPS6046038A
JPS6046038A JP58153869A JP15386983A JPS6046038A JP S6046038 A JPS6046038 A JP S6046038A JP 58153869 A JP58153869 A JP 58153869A JP 15386983 A JP15386983 A JP 15386983A JP S6046038 A JPS6046038 A JP S6046038A
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JP
Japan
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pad
terminal
external lead
integrated circuit
sputtering
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JP58153869A
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English (en)
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Kazutoshi Kamibayashi
和利 上林
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路装置に係シ、特にそのリード接続の構
造に関する。
従来技術を第１図に示す。樹脂封止型集積回路（以下モ
ールドＩＣと称す）はペースリボンのアイランド部１へ
電気的に良品であるペレット２をマウント材３で熱圧着
し、ペレットの電極部４（以下パッドと称す）〔従来技
術では化学的に活性だが加工しやすいアルミニウム（以
下アルミｔ−多用している〕から細い金属細線７（通常
は２０〜５０μφ程度の金線）でベースリボンの外部リ
ード端子６へと結線している。その後樹脂で封止しモー
ルドＩＣを形成している。
この従来技術ではパッド部のアルミが直接モールドと接
触しているため、モールドが吸湿したシするとこのパッ
ドが腐食し電気的に切断され、ＩＣが動作不能に陥るこ
とがある。また耐湿性試験等を行うと他の個所よシ先に
パッド部が腐食するとともある。即ちパッド以外は全て
保護用の誘電体膜５に覆われていることによるものであ
る。
更にモールドＩＣはこれ自体静電気に帯電しやすく、取
シ扱いにより静電破壊を起こし、ＩＣが動作不能になる
こともある。特に高速で動作せねばならぬ入力端子等は
静電破壊対策の保護回路挿入もできぬこともちシモール
ドＩＣ製造上重大な困難゛を有している。
本発明性上記困難を解決するためになされたものである
。
本発明の特徴は、集積回路のチップ上の一部の端子が外
部リード端子と直流的には絶縁されておシ、かつこれら
の入力端子と外部リード端子とが容量接合されている集
積回路装置にある。
まず実施例の第２図について説明する。
本発明の特徴はパッド部の金属電極部が直接露出してい
ないことが特徴である。即ち、パッド部１１の上にも、
陽極化成あるいはスパッタ等のアルミナ膜１２、もしく
はスパッタあるいはＣＶＤによる誘電体膜１３を０．２
μ〜３μ程度形成し、その上から金線１４等でベースリ
ボンのリード部１５へ結線することである。このパッド
部の保護膜１３によシ他の個所と同様に耐湿性等が向上
する。
なお、本発明の適用が可能碌パッドは電源ラインは不可
能でＤＣ的には外部リードと離れていてもパッド部１１
と金線１４が容量接合で信号が伝搬する端子に限定され
る。対象となる端が常に高速で動作する場合は保護膜１
３が厚くても良く、低速で動作する端子はそれよシも薄
くする必要がある。
高速動作を必要とする端子等には静電破壊保護用の回路
を挿入するのが難しいが、本発明の特徴としてバット部
の上に誘電体膜１３を形成するためとの模膜が１μ程度
あると約ＩＫＶ程度までの静電気に耐えるため静電破壊
の保護回路も不要となる。特に高速動作を必要とすれば
する程保護膜１３は厚くでき、静電破壊防止にはよシ有
利となる。
なお、この発明は七−ルドｉＣだけでなく、ＩＣ全般に
も適用可能である、。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術によるモールドＩＣで樹脂封止前の状
態の部分断面図、第２図は本発明実施例の樹脂封止前の
部分断面図、である。 なお図において、１・・・・・・ベースリボンのアイラ
ンド、２・・・・・・ペレット、３・・・・・・マウン
ト材、４・・・・・・パッド、５・・・・・・誘電体保
護膜、６・・・・・・ベースリボンのリード端子、７・
・・・・・金線、８・・・・・・ベースリボンのアイラ
ンド、９・・・・・・ペレット、１０・・・・・・マウ
ント拐、１１・・・・・・パッド、１２・・・・・・誘
電体保護膜、１３・・・・・・バンド部の誘電体保護膜
、１４・・・・・・金線、１５・・・・・・ベースリボ
ンのリード端子、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 集積回路チップに複数の電極が設けられ、該複数の電極
    の内の一部の電極が外部リード端子と容量結合されてい
    ることを特徴とする集積回路装置。
JP58153869A 1983-08-23 1983-08-23 集積回路装置 Pending JPS6046038A (ja)

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JP58153869A JPS6046038A (ja) 1983-08-23 1983-08-23 集積回路装置

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JP58153869A JPS6046038A (ja) 1983-08-23 1983-08-23 集積回路装置

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JPS6046038A true JPS6046038A (ja) 1985-03-12

Family

ID=15571880

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JP58153869A Pending JPS6046038A (ja) 1983-08-23 1983-08-23 集積回路装置

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JP (1) JPS6046038A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4974052A (en) * 1988-10-14 1990-11-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plastic packaged semiconductor device
JP2008004598A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Sanyo Electric Co Ltd ダイシング装置，ダイシング方法，半導体装置，及び半導体装置の製造方法
WO2009096254A1 (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の実装構造および半導体集積回路装置の製造方法
JPWO2015194590A1 (ja) * 2014-06-18 2017-04-20 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4974052A (en) * 1988-10-14 1990-11-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plastic packaged semiconductor device
JP2008004598A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Sanyo Electric Co Ltd ダイシング装置，ダイシング方法，半導体装置，及び半導体装置の製造方法
WO2009096254A1 (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の実装構造および半導体集積回路装置の製造方法
JP4458307B2 (ja) * 2008-01-28 2010-04-28 株式会社村田製作所 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の実装構造および半導体集積回路装置の製造方法
JPWO2009096254A1 (ja) * 2008-01-28 2011-05-26 株式会社村田製作所 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の実装構造および半導体集積回路装置の製造方法
US8212359B2 (en) 2008-01-28 2012-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device, mounting structure of semiconductor integrated circuit device, and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
JPWO2015194590A1 (ja) * 2014-06-18 2017-04-20 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US10050133B2 (en) 2014-06-18 2018-08-14 Fuji Electric Co., Ltd. Application of thin insulating film layer in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

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