JPH01293628A - ウエハステージ - Google Patents
ウエハステージInfo
- Publication number
- JPH01293628A JPH01293628A JP63125392A JP12539288A JPH01293628A JP H01293628 A JPH01293628 A JP H01293628A JP 63125392 A JP63125392 A JP 63125392A JP 12539288 A JP12539288 A JP 12539288A JP H01293628 A JPH01293628 A JP H01293628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- mounting surface
- stage block
- wafer stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置の半導体ウェハを搭載するウェ
ハステージに関するものである。
ハステージに関するものである。
第３図（ａ）は従来のウェハステージの概略図、第３図
（ｂ）は同側面図、第３図（ｃ）は第３図（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。従来、この種のウェハステージに
おいて、駆動部１上に搭載されたステージブロック２の
ウェハ搭載面４は、ウェハ３の裏面を大気に対して負の
気圧により吸着しウェハ３の反りを矯正するウェハ吸着
溝５を有しており、ステージブロック２のウェハ搭載面
４はウェハ吸着溝５を除いて平滑な平面となっている。
（ｂ）は同側面図、第３図（ｃ）は第３図（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。従来、この種のウェハステージに
おいて、駆動部１上に搭載されたステージブロック２の
ウェハ搭載面４は、ウェハ３の裏面を大気に対して負の
気圧により吸着しウェハ３の反りを矯正するウェハ吸着
溝５を有しており、ステージブロック２のウェハ搭載面
４はウェハ吸着溝５を除いて平滑な平面となっている。
上述した従来のウェハステージではステージブロック２
のウェハ吸着溝５以外の部分は均質一体の金属ブロック
により形成されているため、大口径ウェハ用のウェハス
テージではステージブロックがウェハに合わせて大口径
となり、ステージブロック自体の質量が大きくなる。一
般に半導体製造装置のウェハステージは被加工ウェハを
半導体製造装置内の定位置に正確に移動させる目的に用
いられており、半導体製造装置の処理能力向上のために
はウェハステージの高速動作が要求される。
のウェハ吸着溝５以外の部分は均質一体の金属ブロック
により形成されているため、大口径ウェハ用のウェハス
テージではステージブロックがウェハに合わせて大口径
となり、ステージブロック自体の質量が大きくなる。一
般に半導体製造装置のウェハステージは被加工ウェハを
半導体製造装置内の定位置に正確に移動させる目的に用
いられており、半導体製造装置の処理能力向上のために
はウェハステージの高速動作が要求される。
しかしながら、前述の如く大口径ウェハ用のウェハステ
ージではステージブロック自体の質量が大きくなるため
、ウェハステージの加速／減速／位置決めに小口径ウェ
ハ用のものと比較して時間を要することとなり、大口径
ウェハ用半導体加工装置の処理能力の低下となりうる欠
点をもっている。
ージではステージブロック自体の質量が大きくなるため
、ウェハステージの加速／減速／位置決めに小口径ウェ
ハ用のものと比較して時間を要することとなり、大口径
ウェハ用半導体加工装置の処理能力の低下となりうる欠
点をもっている。
本発明の目的は前記課題を解決したウエハステ−ジを提
供することにある。
供することにある。
上述した従来のウェハステージに対し、本発明はステー
ジブロックの不要な部分をなくすることにより、大口径
ウェハ用のステージブロックの質量を軽量化するという
相違点を有する。
ジブロックの不要な部分をなくすることにより、大口径
ウェハ用のステージブロックの質量を軽量化するという
相違点を有する。
（課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため１本発明は半導体製造装置の半
導体ウェハを搭載するウェハステージにおいて、半導体
ウェハの搭載に必要な最小限のウェハ搭載面を有するウ
ェハステージ本体を備えたものである。
導体ウェハを搭載するウェハステージにおいて、半導体
ウェハの搭載に必要な最小限のウェハ搭載面を有するウ
ェハステージ本体を備えたものである。
次に本発明について図面を参照して簡単に説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す平面図、第１図
（ｂ）は同側面図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。
（ｂ）は同側面図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。
図において、駆動部１上に搭載するステージブロック２
のウェハ搭載面４の中心上に、駆動部１上に連通ずる上
下方向の真空孔２ａを設け、該真空孔２ａを中心として
内外２重のリング状ウェハ吸着溝５，５をウェハ搭載面
４上に設け、各ウェハ吸着溝５，５と真空孔２ａとを放
射状の連通溝６にてそれぞれ連通する。さら°に、ウェ
ハ吸着溝５，５及び連通溝６を残してウェハ搭載面４に
上下に貫通する空腔７，７・・・を設けてステージブロ
ック２の重量の軽量化を図る。
のウェハ搭載面４の中心上に、駆動部１上に連通ずる上
下方向の真空孔２ａを設け、該真空孔２ａを中心として
内外２重のリング状ウェハ吸着溝５，５をウェハ搭載面
４上に設け、各ウェハ吸着溝５，５と真空孔２ａとを放
射状の連通溝６にてそれぞれ連通する。さら°に、ウェ
ハ吸着溝５，５及び連通溝６を残してウェハ搭載面４に
上下に貫通する空腔７，７・・・を設けてステージブロ
ック２の重量の軽量化を図る。
ウェハ３はウェハ吸着溝５の負圧によりウェハ搭載面４
に吸着される。ステージブロック２はウェハ吸着溝５と
必要最小限のウェハ搭載面４とでのみ構成されており、
その質量は従来の構造のものと比較して十分小さくなっ
ている。
に吸着される。ステージブロック２はウェハ吸着溝５と
必要最小限のウェハ搭載面４とでのみ構成されており、
その質量は従来の構造のものと比較して十分小さくなっ
ている。
（実施例２）
第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は本発明の第２
の実施例を示す図である。
の実施例を示す図である。
本実施例ではウェハ搭載面４の不要部分に複数の貫通孔
７′を開は従来の構造のものと比較して質量を小さくし
ている０本実施例においては従来のウェハブロックに貫
通孔７′を適宜設けるのみであるため、その製造は極め
て容易である。
７′を開は従来の構造のものと比較して質量を小さくし
ている０本実施例においては従来のウェハブロックに貫
通孔７′を適宜設けるのみであるため、その製造は極め
て容易である。
以上説明したように本発明はウェハステージのウェハブ
ロックの不要部分を削除しているため、ウェハブロック
自体の質量が小さく、大口径ウェハ用の半導体製造装置
においてもウェハステージの移動時間増大による処理能
力の低下を防止できる効果を有する。
ロックの不要部分を削除しているため、ウェハブロック
自体の質量が小さく、大口径ウェハ用の半導体製造装置
においてもウェハステージの移動時間増大による処理能
力の低下を防止できる効果を有する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す平面図。
第１図（ｂ）は同側面図、第１図（ｃ）は第１図ωのＡ
−Ａ’線断面図、第２図（ａ）は本発明の第２の実施例
を示す平面図、第２図（ｂ）は同側面図、第２図（ｃ）
は第２図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第３図（ａ）は従
来例を示す平面図、第３図（ｂ）は同側面図、第３図（
ｃ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・駆動部 ２・・・ステージブロッ
ク３・・・ウェハ ４・・・ウェハ搭載面
５・・・ウェハ吸着溝 ７・・・空腔７′・・・
貫通孔
−Ａ’線断面図、第２図（ａ）は本発明の第２の実施例
を示す平面図、第２図（ｂ）は同側面図、第２図（ｃ）
は第２図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第３図（ａ）は従
来例を示す平面図、第３図（ｂ）は同側面図、第３図（
ｃ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・駆動部 ２・・・ステージブロッ
ク３・・・ウェハ ４・・・ウェハ搭載面
５・・・ウェハ吸着溝 ７・・・空腔７′・・・
貫通孔
Claims (1)
- （１）半導体製造装置の半導体ウェハを搭載するウェハ
ステージにおいて、半導体ウェハの搭載に必要な最小限
のウェハ搭載面を有するウェハステージ本体を備えたこ
とを特徴とするウェハステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63125392A JPH01293628A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | ウエハステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63125392A JPH01293628A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | ウエハステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293628A true JPH01293628A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14909004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63125392A Pending JPH01293628A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | ウエハステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010232359A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Alone Co Ltd | 吸着盤 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP63125392A patent/JPH01293628A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010232359A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Alone Co Ltd | 吸着盤 |
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