JPH01293694A - プリント配線基板の製造方法 - Google Patents
プリント配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01293694A JPH01293694A JP12612288A JP12612288A JPH01293694A JP H01293694 A JPH01293694 A JP H01293694A JP 12612288 A JP12612288 A JP 12612288A JP 12612288 A JP12612288 A JP 12612288A JP H01293694 A JPH01293694 A JP H01293694A
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- JP
- Japan
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- film
- plating
- resist
- resist film
- plating film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、大電流信号回路の実装に適したプリント配線
基板の製造方法に係り、詳しくは、基板上の導体パター
ンの形成方法に関する。
基板の製造方法に係り、詳しくは、基板上の導体パター
ンの形成方法に関する。
〈従来の技術〉
従来、基板に所要の導体パターンを形成する方法として
はサブトラクティブ法がある。
はサブトラクティブ法がある。
このサブトラクティブ法は、基板表面に設けられた銅箔
等の導体層の各部分のうち、不要部分を薬品で溶解除去
する方法で、導体層を化学的に腐食させるので、エツチ
ング法とも呼ばれる。
等の導体層の各部分のうち、不要部分を薬品で溶解除去
する方法で、導体層を化学的に腐食させるので、エツチ
ング法とも呼ばれる。
サブトラクティブ法には、大きく分けて、テンティング
方式と、金属レジスト方式との2通りの方式がある。
方式と、金属レジスト方式との2通りの方式がある。
第3図(A)〜(D)はテンティング方式の各工程を示
している。このテンティング方式では、まず、第3図(
A)に示すように、銅張りの積層基板lを用意する。こ
の基板1には、スルーホールもしくはバイアホールのよ
うな導通孔2が穿設されている。3は基板本体上の銅箔
である。次いで、第3図(B)に示すように、導通孔2
を通じての電気的導通を図るために、無電解銅メッキと
電気銅メッキとにより銅のメッキ膜4を形成する。その
後、メッキ膜4の表面と裏面とに全面にわたってエツチ
ングレジストとなる感光性レジストをラミネートシ、こ
の感光性レジスト膜5に対して露光と現像とを行い、第
3図(C)に示すように、導体パターンが必要とする個
所にのみ感光性レジスト膜5が残るようにする。そして
、このように残存した感光性レジスト膜5を利用してエ
ツチングを行い、その後、感光性レジスト膜5を取り除
く。これによって、第3図(D)に示すように、感光性
レジスト@5が存在しなかった個所のメッキ膜4と銅箔
3とが除去されるとともに、感光性レジスト膜5の下側
にあった銅箔3とメッキ膜4とが残存し、この残存した
銅箔3とメッキ膜4とにより所要の導体パターンが形成
される。
している。このテンティング方式では、まず、第3図(
A)に示すように、銅張りの積層基板lを用意する。こ
の基板1には、スルーホールもしくはバイアホールのよ
うな導通孔2が穿設されている。3は基板本体上の銅箔
である。次いで、第3図(B)に示すように、導通孔2
を通じての電気的導通を図るために、無電解銅メッキと
電気銅メッキとにより銅のメッキ膜4を形成する。その
後、メッキ膜4の表面と裏面とに全面にわたってエツチ
ングレジストとなる感光性レジストをラミネートシ、こ
の感光性レジスト膜5に対して露光と現像とを行い、第
3図(C)に示すように、導体パターンが必要とする個
所にのみ感光性レジスト膜5が残るようにする。そして
、このように残存した感光性レジスト膜5を利用してエ
ツチングを行い、その後、感光性レジスト膜5を取り除
く。これによって、第3図(D)に示すように、感光性
レジスト@5が存在しなかった個所のメッキ膜4と銅箔
3とが除去されるとともに、感光性レジスト膜5の下側
にあった銅箔3とメッキ膜4とが残存し、この残存した
銅箔3とメッキ膜4とにより所要の導体パターンが形成
される。
第4図(A)〜(E)は金属レジスト方式の各工程を示
している。この金属レジスト方式では、まず、第4図(
A)に示すように、銅張りの積層基板!を用意し、次い
で、第4図(B)に示すように、導通孔2を通じての電
気的導通を図るために、無電解鋼メッキと電気銅メッキ
とにより銅のメッキ膜4を形成する。これまでの工程は
、テンティング方式と同様である。なお、この方式では
、銅のメッキH4の上にさらにメッキ膜が積層されるの
で、この銅のメッキ膜4が第1のメッキ膜となる。
している。この金属レジスト方式では、まず、第4図(
A)に示すように、銅張りの積層基板!を用意し、次い
で、第4図(B)に示すように、導通孔2を通じての電
気的導通を図るために、無電解鋼メッキと電気銅メッキ
とにより銅のメッキ膜4を形成する。これまでの工程は
、テンティング方式と同様である。なお、この方式では
、銅のメッキH4の上にさらにメッキ膜が積層されるの
で、この銅のメッキ膜4が第1のメッキ膜となる。
その後、第1メッキ膜4の表面と裏面とに全面にわたっ
てメッキレジストとなる感光性レジストをラミネートし
、この感光性レジスト膜6に対して露光と現像とを行い
、第4図CG”)に示すように、導体パターンが不要で
ある個所にのみ感光性レジスト膜6が残るようにする。
てメッキレジストとなる感光性レジストをラミネートし
、この感光性レジスト膜6に対して露光と現像とを行い
、第4図CG”)に示すように、導体パターンが不要で
ある個所にのみ感光性レジスト膜6が残るようにする。
そして、導体パターンが必要個所である感光性レジスト
膜6の欠如部分には、第4図(D)に示すように、電気
銅メッキによる第2のメッキ膜7と、同じく電気メッキ
によるエツチングレジスト用の金属メッキ膜8とを形成
する。その後、感光性レジスト膜6を取り除き、金属メ
ッキ膜8をエツチングレジストとしてエツチングを行い
、感光性レジスト膜6が存在した個所の第1メッキ膜4
と銅箔3とを除去する。
膜6の欠如部分には、第4図(D)に示すように、電気
銅メッキによる第2のメッキ膜7と、同じく電気メッキ
によるエツチングレジスト用の金属メッキ膜8とを形成
する。その後、感光性レジスト膜6を取り除き、金属メ
ッキ膜8をエツチングレジストとしてエツチングを行い
、感光性レジスト膜6が存在した個所の第1メッキ膜4
と銅箔3とを除去する。
金属メッキ膜8が存在する個所では、第4図(E)に示
すように、銅箔3と第1メッキ膜4と第2メッキ膜7と
金属メッキ膜8とが残存し、これらの残存した導体層と
により所要の導体パターンが形成される。
すように、銅箔3と第1メッキ膜4と第2メッキ膜7と
金属メッキ膜8とが残存し、これらの残存した導体層と
により所要の導体パターンが形成される。
〈発明が解決しようとする課題〉
一般に、プリント配線基板を大電流信号回路の実装に用
いるには、その導体パターンの許容電流値を増大させる
必要があるが、上記従来のいずれの製造方法でも、導体
パターンを厚くすることが困難で、許容電流値の増大を
図るのが難しい、という問題がある。
いるには、その導体パターンの許容電流値を増大させる
必要があるが、上記従来のいずれの製造方法でも、導体
パターンを厚くすることが困難で、許容電流値の増大を
図るのが難しい、という問題がある。
すなわち、テンティング方式の場合、導体パターンの厚
さを厚くするには、メッキ膜4の膜厚を厚くする必要が
あるが、メッキ膜4の膜厚を厚くすると、エツチングに
時間がかかるほか、エツチングの際、感光性レジスト膜
5の下側にあるメッキ膜4部分がエツチングの薬剤によ
り深く侵食されて導体7(ターンの形状が縮小し、所望
の導体パターンが得られなくなる。
さを厚くするには、メッキ膜4の膜厚を厚くする必要が
あるが、メッキ膜4の膜厚を厚くすると、エツチングに
時間がかかるほか、エツチングの際、感光性レジスト膜
5の下側にあるメッキ膜4部分がエツチングの薬剤によ
り深く侵食されて導体7(ターンの形状が縮小し、所望
の導体パターンが得られなくなる。
金属レジスト方式の場合は、導体パターンの厚みの大部
分は、第1メッキ膜4と第2メッキ膜7とで占められて
いる。したがって、導体パターンの膜厚を厚くする場合
、エツチングされる第1メッキ模4の膜厚を特に厚くし
なくても、第2メッキ膜7の膜厚を厚くすればよい。そ
のため、テンティング方式におけるような問題は生じな
い。
分は、第1メッキ膜4と第2メッキ膜7とで占められて
いる。したがって、導体パターンの膜厚を厚くする場合
、エツチングされる第1メッキ模4の膜厚を特に厚くし
なくても、第2メッキ膜7の膜厚を厚くすればよい。そ
のため、テンティング方式におけるような問題は生じな
い。
しかしながら、この金属レジスト方式では、第2メッキ
膜7の膜厚は、第1メッキ膜4上の感光性レジスト膜6
の膜厚で決まるのであるが、従来、この感光性レジスト
膜6は、感光性の薄膜、いわゆるドライフィルムを接着
して形成しているから、50〜75μm程度の膜厚にし
か得られない。したがって、第2メッキ膜7は、感光性
レジスト膜6に対応しても同程度の薄膜となるので、導
体パターン全体の厚さを充分に厚くすることができない
。
膜7の膜厚は、第1メッキ膜4上の感光性レジスト膜6
の膜厚で決まるのであるが、従来、この感光性レジスト
膜6は、感光性の薄膜、いわゆるドライフィルムを接着
して形成しているから、50〜75μm程度の膜厚にし
か得られない。したがって、第2メッキ膜7は、感光性
レジスト膜6に対応しても同程度の薄膜となるので、導
体パターン全体の厚さを充分に厚くすることができない
。
これに対しては、もちろん、導体パターンの幅を広げて
、許容電流値の増大に対応することが考えられるが、こ
の対策は、多くの導体パターンを設ける基板では、スペ
ース的に余裕がなく、採用することができない。
、許容電流値の増大に対応することが考えられるが、こ
の対策は、多くの導体パターンを設ける基板では、スペ
ース的に余裕がなく、採用することができない。
このように、従来の製法では、導体パターンの許容電流
値が大きいプリント配線基板を製作することが極めて困
難で、そのため、大電流信号回路は、ジャンパー線処理
、あるいはブスバ一方式により組み立てられており、組
立工数が多く、生産効率が低かった。
値が大きいプリント配線基板を製作することが極めて困
難で、そのため、大電流信号回路は、ジャンパー線処理
、あるいはブスバ一方式により組み立てられており、組
立工数が多く、生産効率が低かった。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、前記した金属レジスト方式の製造方法に改良を加える
ことで、導体パターンの厚さの増大を図り、許容電流値
が大きなプリント配線基板が得られるようにすることを
課題とする。
、前記した金属レジスト方式の製造方法に改良を加える
ことで、導体パターンの厚さの増大を図り、許容電流値
が大きなプリント配線基板が得られるようにすることを
課題とする。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、上記の目的を達成するために、金属レジスト
方式の製造方法、すなわち、基板上に形成された第1の
導体メッキ膜の各部のうち、導体パターンの不要個所に
メッキレジスト膜を形成する工程と、メッキレジスト膜
の欠如部分に第2の導体メッキ膜とエツチングレジスト
となる金属メッキ膜とを積層して形成する工程と、前記
メッキレジスト膜を取り除き、前記金属メッキ膜をエツ
チングレジストとしてエツチングを行う工程とを含むプ
リント配線基板の製造方法において、前記メッキレジス
ト膜を湿式により厚膜に形成し、このメッキレジスト膜
の欠如部分に形成する第2の導体メッキ膜の膜厚を前記
メッキレジスト膜と同程度の厚膜にするようにした。
方式の製造方法、すなわち、基板上に形成された第1の
導体メッキ膜の各部のうち、導体パターンの不要個所に
メッキレジスト膜を形成する工程と、メッキレジスト膜
の欠如部分に第2の導体メッキ膜とエツチングレジスト
となる金属メッキ膜とを積層して形成する工程と、前記
メッキレジスト膜を取り除き、前記金属メッキ膜をエツ
チングレジストとしてエツチングを行う工程とを含むプ
リント配線基板の製造方法において、前記メッキレジス
ト膜を湿式により厚膜に形成し、このメッキレジスト膜
の欠如部分に形成する第2の導体メッキ膜の膜厚を前記
メッキレジスト膜と同程度の厚膜にするようにした。
く作用〉
上記の製法によれば、第1の導体メッキ膜上のメッキレ
ジスト膜が1〜2mm程度の厚膜に形成され、これに対
応して、第2の導体メッキ膜の膜厚も同程度の厚さとな
る。したがって、第1の導体メッキ膜と第2の導体メッ
キ膜とで構成される導体パターンの厚さは、従来のもの
に比べて、大幅に増大するので、その許容電流値も著し
く増大する。
ジスト膜が1〜2mm程度の厚膜に形成され、これに対
応して、第2の導体メッキ膜の膜厚も同程度の厚さとな
る。したがって、第1の導体メッキ膜と第2の導体メッ
キ膜とで構成される導体パターンの厚さは、従来のもの
に比べて、大幅に増大するので、その許容電流値も著し
く増大する。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。第1図は、本発明の製造方法により得られたプリ
ント配線基板の一部の断面図、第2図(A)〜(D)は
、本発明の製造方法の各工程における基板の断面図であ
る。
する。第1図は、本発明の製造方法により得られたプリ
ント配線基板の一部の断面図、第2図(A)〜(D)は
、本発明の製造方法の各工程における基板の断面図であ
る。
本発明の製法により得られたプリント配線基板は、従来
の益属レジスト方式の製法により得られたものと同様に
、積層基板lの所要個所に、銅箔3と、第1のメッキ膜
4と、第2のメッキ膜7と、エツチングレジストとなる
金属メッキ膜8とが順次積層形成されたもので、これら
銅箔3、第1メッキ膜4、第2メッキ膜7および金属メ
ッキ膜8とで導体パターンが構成されている。
の益属レジスト方式の製法により得られたものと同様に
、積層基板lの所要個所に、銅箔3と、第1のメッキ膜
4と、第2のメッキ膜7と、エツチングレジストとなる
金属メッキ膜8とが順次積層形成されたもので、これら
銅箔3、第1メッキ膜4、第2メッキ膜7および金属メ
ッキ膜8とで導体パターンが構成されている。
従来の金属レジスト方式のものと異なる点は、第2メッ
キ[17の膜厚dが1〜2ms程度の厚膜となっている
ことである。
キ[17の膜厚dが1〜2ms程度の厚膜となっている
ことである。
次の本発明の製造方法の各工程を第2図の(A)〜(D
)に基づいて説明する。
)に基づいて説明する。
■ まず、第2図(A)に示すように、銅張りの積層基
板Iを用意する。この基板Iには、スルーホールもしく
はバイアホールのような導通孔2が穿設されている。
板Iを用意する。この基板Iには、スルーホールもしく
はバイアホールのような導通孔2が穿設されている。
■ 次いで、第2図(B)に示すように、導通孔2を通
じての電気的導通を図るために、無電解銅メッキと電気
鋼メッキとにより第1のメッキ膜4を形成する。
じての電気的導通を図るために、無電解銅メッキと電気
鋼メッキとにより第1のメッキ膜4を形成する。
これまでの工程は、従来の金属レジスト方式と同様であ
る。
る。
■ その後、湿式により所要部にメッキレジストとなる
感光性レジスト膜6を形成する。すなわち、第1メッキ
膜4の表面と裏面とに全面にわたって感光剤を塗布して
から、導体パターンが不要である個所だけ露光し、次い
で現像、定着を行って、第2図(C)に示すように、導
体パターンが不要である個所にのみ感光性レジスト膜6
が残るようにする。
感光性レジスト膜6を形成する。すなわち、第1メッキ
膜4の表面と裏面とに全面にわたって感光剤を塗布して
から、導体パターンが不要である個所だけ露光し、次い
で現像、定着を行って、第2図(C)に示すように、導
体パターンが不要である個所にのみ感光性レジスト膜6
が残るようにする。
ここで、感光性レジスト膜6は湿式により形成されるか
ら、その膜厚eは1〜2mm程度にすることができる。
ら、その膜厚eは1〜2mm程度にすることができる。
■ そして、導体パターンの必要個所である感光性レジ
スト膜6の欠如部分には、第2図(D)に示すように、
電気銅メッキによる第2のメッキM7と、同じく電気メ
ッキによるエツチングレジスト用の金属メッキ膜8とを
形成する。
スト膜6の欠如部分には、第2図(D)に示すように、
電気銅メッキによる第2のメッキM7と、同じく電気メ
ッキによるエツチングレジスト用の金属メッキ膜8とを
形成する。
この場合、第2メッキ膜7の膜厚dは、はぼ感光性レジ
スト膜6の膜厚eに対応するので、該膜厚dは1〜2烏
鵬程度となる。
スト膜6の膜厚eに対応するので、該膜厚dは1〜2烏
鵬程度となる。
■ その後、感光性レジスト膜6を取り除く。
■ そして、金属メッキ膜8をエツチングレジストとし
、エツチングを行い、感光性レジスト膜6が存在した個
所の第1メッキ模4と銅箔3とを除去する。金属メッキ
膜8が存在する個所では、第2メッキ膜7と第1メッキ
膜4と銅箔3とが残存し、この残存した銅箔3と第1メ
ッキ膜4と第2メッキ膜7と金属メッキ膜8とにより導
体パターンが形成される。
、エツチングを行い、感光性レジスト膜6が存在した個
所の第1メッキ模4と銅箔3とを除去する。金属メッキ
膜8が存在する個所では、第2メッキ膜7と第1メッキ
膜4と銅箔3とが残存し、この残存した銅箔3と第1メ
ッキ膜4と第2メッキ膜7と金属メッキ膜8とにより導
体パターンが形成される。
これによって、第1図に示したようなプリント配線基板
が得られる。
が得られる。
なお、厚膜のレジスト膜6を構成する感光性レジストに
代えて、耐酸、耐アルカリのメッキレジストを用いても
よい。また、実施例では、エツチングレジストとなる金
属メッキ膜8を導体パターンの一部として残したが、エ
ッヂング処理後に除去してもよい。このほか、金属メッ
キ膜8を設けないで、第1メッキ膜4と第2メッキ膜7
との膜厚の差を利用して、エツチングを行うこともでき
る。
代えて、耐酸、耐アルカリのメッキレジストを用いても
よい。また、実施例では、エツチングレジストとなる金
属メッキ膜8を導体パターンの一部として残したが、エ
ッヂング処理後に除去してもよい。このほか、金属メッ
キ膜8を設けないで、第1メッキ膜4と第2メッキ膜7
との膜厚の差を利用して、エツチングを行うこともでき
る。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明によれば、導体パターンの厚さが
従来のものに比べ、大幅に厚くなり、導体パターンの許
容電流値が著しく増大する。したがって、本発明の製造
方法により得られたプリント配線基板には、ジャンパー
線処理やブスバ一方式によらずに、大電流信号回路を実
装することができる。
従来のものに比べ、大幅に厚くなり、導体パターンの許
容電流値が著しく増大する。したがって、本発明の製造
方法により得られたプリント配線基板には、ジャンパー
線処理やブスバ一方式によらずに、大電流信号回路を実
装することができる。
第1図は、本発明の製造方法により得られたプリント配
線基板の一部の断面図、第2図(A)〜(D)は、本発
明の製造方法の各工程における基板の断面図である。 第3図および第4図はいずれも従来例に係り、第3図(
A)〜(D)は従来の製造方法の各工程における基板の
断面図、第4図(A)〜(E)は他の従来の製造方法に
おける各工程の基板の断面図である。 I・・・積層基板、3・・・銅箔、4・・・第1メッキ
膜、6・・・感光性レジスト膜(メッキレジスト膜)、
7・・・第2メッキ膜、8・・・金属メッキ膜。
線基板の一部の断面図、第2図(A)〜(D)は、本発
明の製造方法の各工程における基板の断面図である。 第3図および第4図はいずれも従来例に係り、第3図(
A)〜(D)は従来の製造方法の各工程における基板の
断面図、第4図(A)〜(E)は他の従来の製造方法に
おける各工程の基板の断面図である。 I・・・積層基板、3・・・銅箔、4・・・第1メッキ
膜、6・・・感光性レジスト膜(メッキレジスト膜)、
7・・・第2メッキ膜、8・・・金属メッキ膜。
Claims (1)
- (1)基板上に形成された第1の導体メッキ膜の各部の
うち、導体パターンの不要個所にメッキレジスト膜を形
成する工程と、メッキレジスト膜の欠如部分に第2の導
体メッキ膜とエッチングレジストとなる金属メッキ膜と
を積層して形成する工程と、前記メッキレジスト膜を取
り除いて前記金属メッキ膜をエッチングレジストとして
エッチングを行う工程とを含むプリント配線基板の製造
方法において、 前記メッキレジスト膜を湿式により厚膜に形成し、この
メッキレジスト膜の欠如部分に形成する第2の導体メッ
キ膜の膜厚を前記メッキレジスト膜と同程度の厚膜にす
ることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12612288A JPH01293694A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | プリント配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12612288A JPH01293694A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | プリント配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293694A true JPH01293694A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14927195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12612288A Pending JPH01293694A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | プリント配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293694A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710594A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Remote control originating device |
| JPS63500837A (ja) * | 1985-08-08 | 1988-03-24 | マツクダ−ミツド インコ−ポレ−テツド | プリント回路基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP12612288A patent/JPH01293694A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710594A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Remote control originating device |
| JPS63500837A (ja) * | 1985-08-08 | 1988-03-24 | マツクダ−ミツド インコ−ポレ−テツド | プリント回路基板の製造方法 |
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