JPH01294234A - アクチュエータ - Google Patents
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- JPH01294234A JPH01294234A JP63211637A JP21163788A JPH01294234A JP H01294234 A JPH01294234 A JP H01294234A JP 63211637 A JP63211637 A JP 63211637A JP 21163788 A JP21163788 A JP 21163788A JP H01294234 A JPH01294234 A JP H01294234A
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は磁石可動型の2改元(軸の回り(θ)と軸方向
(2)、以下θ−2と記す。)アクチュエータに関する
。
(2)、以下θ−2と記す。)アクチュエータに関する
。
[従来の技術]
従来、例えば光メモリ装置における光学ヘッドの対物レ
ンズを駆動するθ−2のアクチュエータは、特開昭57
−210456号公報等に記載されているようにコイル
可動型であるものが多かった。また磁石可動型の対物レ
ンズアクチュエータとしては、特開昭63−37830
号公報等があ[発明が解決しようとする課題] しかし従来技術では、コイル可動型アクチュエータの場
合、可動コイルへの給電線の断線が起こり易い。また、
給電線の接続処理は複雑で手間のかかるもので、給電方
式によっては給電線そのものが可動部の高速での動作に
悪影響を及ぼすという問題点を有する。またコイル形状
のばらつきのため可動部質量のアンバランスが生じ易く
、それにより高次共振が発生するなど高速動作の妨げに
なる。従って光メモリ装置の場合には、光ディスクの回
転数が上げられずデータの転送速度が制限されることに
なる。更にコイル仕様(巻数、線径等)の変更が可動部
の質量変化につながることから、コイルの最適仕様を捜
すためにアクチュエータの設計変更を伴うカットアンド
トライの繰り返しが必要となる。
ンズを駆動するθ−2のアクチュエータは、特開昭57
−210456号公報等に記載されているようにコイル
可動型であるものが多かった。また磁石可動型の対物レ
ンズアクチュエータとしては、特開昭63−37830
号公報等があ[発明が解決しようとする課題] しかし従来技術では、コイル可動型アクチュエータの場
合、可動コイルへの給電線の断線が起こり易い。また、
給電線の接続処理は複雑で手間のかかるもので、給電方
式によっては給電線そのものが可動部の高速での動作に
悪影響を及ぼすという問題点を有する。またコイル形状
のばらつきのため可動部質量のアンバランスが生じ易く
、それにより高次共振が発生するなど高速動作の妨げに
なる。従って光メモリ装置の場合には、光ディスクの回
転数が上げられずデータの転送速度が制限されることに
なる。更にコイル仕様(巻数、線径等)の変更が可動部
の質量変化につながることから、コイルの最適仕様を捜
すためにアクチュエータの設計変更を伴うカットアンド
トライの繰り返しが必要となる。
一方磁石可動型アクチュエータの場合には、二次元の動
作を実現するために磁石や磁気回路が複数個必要になる
など構造が複雑化する。そのため可動部の質量アンバラ
ンスが生じ易く、それに加えて可動部の重量化が高速応
答性に悪影響を及ぼし、更にコストが高くなるといった
問題点を有する。
作を実現するために磁石や磁気回路が複数個必要になる
など構造が複雑化する。そのため可動部の質量アンバラ
ンスが生じ易く、それに加えて可動部の重量化が高速応
答性に悪影響を及ぼし、更にコストが高くなるといった
問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは、可動部の質量バランスが
良く、可動部へ給電する必要のない構造とすることによ
り、高速動作性が優れたアクチュエータを提供するとこ
ろにある。このアクチュエータを例えば対物レンズアク
チュエータに2用することにより、信頼性が高く、デー
タ転送速度の速い光メモリ装置の実現が可能となる。
で、その目的とするところは、可動部の質量バランスが
良く、可動部へ給電する必要のない構造とすることによ
り、高速動作性が優れたアクチュエータを提供するとこ
ろにある。このアクチュエータを例えば対物レンズアク
チュエータに2用することにより、信頼性が高く、デー
タ転送速度の速い光メモリ装置の実現が可能となる。
[課題を解決するための手段]
本発明のアクチュエータは、
支持シャフトの回りに回動自在かつ該支持シャフトの軸
方向に直動自在なアクチュエータにおいて、(a)ラジ
アル方向に多極着磁が施され、かつ周方向と軸方向に着
磁境界を有する円筒形状の磁石、(b)前記着磁境界に
対向した面を有するヨーク及び該ヨークの前記面に前記
磁石の円筒側面に対向して張り付けられたコイルとを備
えたことを特徴とする。
方向に直動自在なアクチュエータにおいて、(a)ラジ
アル方向に多極着磁が施され、かつ周方向と軸方向に着
磁境界を有する円筒形状の磁石、(b)前記着磁境界に
対向した面を有するヨーク及び該ヨークの前記面に前記
磁石の円筒側面に対向して張り付けられたコイルとを備
えたことを特徴とする。
この多極着磁を施した円筒形状の磁石は可動部となるた
め、肉厚が薄い程軽量化されるため、生産性・加工性の
良い樹脂結合型磁石を用いることが大変有効で、高い性
能を持つSm−Co系樹脂結合型磁石が特に有効である
。なおSmの一部をNd、Ce及びPrを主体とした軽
希土類金属の少なくとも一種で置換したものやR−Fe
−B系樹脂結合型磁石でも充分な磁気特性が得られ、原
料供給面・価格面から有利である。
め、肉厚が薄い程軽量化されるため、生産性・加工性の
良い樹脂結合型磁石を用いることが大変有効で、高い性
能を持つSm−Co系樹脂結合型磁石が特に有効である
。なおSmの一部をNd、Ce及びPrを主体とした軽
希土類金属の少なくとも一種で置換したものやR−Fe
−B系樹脂結合型磁石でも充分な磁気特性が得られ、原
料供給面・価格面から有利である。
また、高性能なR−Fe−B系磁石を用いることにより
、アクチュエータの駆動特性が改善される。更にR,F
e、 B、 Zrを基本組成とする焼結磁石でも充
分な磁気特性が得られ、原料供給面・価格面から有利で
ある。
、アクチュエータの駆動特性が改善される。更にR,F
e、 B、 Zrを基本組成とする焼結磁石でも充
分な磁気特性が得られ、原料供給面・価格面から有利で
ある。
また、R−M−X系鋳造磁石を用いると、低価格で高性
能なアクチュエータを構成することができる。
能なアクチュエータを構成することができる。
本発明のアクチュエータはθ−Zの高速動作性に優れ、
小型化・薄型化も容易であるため、光メモリ装置におい
て、フォーカシング動作及びトラッキング動作を行なう
対物レンズアクチュエータに非常に適している。また、
半導体集積回路の製造における精密位置決め装置等にも
応用できる。
小型化・薄型化も容易であるため、光メモリ装置におい
て、フォーカシング動作及びトラッキング動作を行なう
対物レンズアクチュエータに非常に適している。また、
半導体集積回路の製造における精密位置決め装置等にも
応用できる。
[作用]
本発明のアクチュエータは、ラジアル方向に多極着磁を
施した円筒形状の磁石とその周方向の着磁境界に対向す
るヨークの面上に発生する磁極(以下、磁石の着磁境界
に対向するヨーク面上の磁極の発生する部分のことを単
に磁極と呼ぶことにする)との引力及び斥力により支持
シャフトの軸方向に磁石を直動させる。また、前記磁石
とその軸方向の着磁境界に対向するヨークの磁極との引
力及び斥力により支持シャフトの回りに磁石を回動させ
る。このようにして、−個の磁石でθ−2の二次元に駆
動することができる。
施した円筒形状の磁石とその周方向の着磁境界に対向す
るヨークの面上に発生する磁極(以下、磁石の着磁境界
に対向するヨーク面上の磁極の発生する部分のことを単
に磁極と呼ぶことにする)との引力及び斥力により支持
シャフトの軸方向に磁石を直動させる。また、前記磁石
とその軸方向の着磁境界に対向するヨークの磁極との引
力及び斥力により支持シャフトの回りに磁石を回動させ
る。このようにして、−個の磁石でθ−2の二次元に駆
動することができる。
[実施例コ
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
(実施例−1)
第1図(a)、 (b)、 (C)は本発明の一実施例
によるアクチュエータを対物レンズアクチュエータとし
た場合の概略構成図で、 (a)は平面図、 (b)は
正面図、 (C)は断面図である。磁石1は円筒形状で
ある。磁石の寸法(内径、外径、高さ)については、後
に述べる。磁石の内側には、プラスチック製のレンズフ
レーム2が固定されていて、その中心が軸受は部になっ
ている。尚、第2図に示すように別部品のプラスチック
スリーブ11を軸受けとすることも可能である。磁石1
とレンズフレーム2の間には、第3図に示すように継鉄
リング12をバックヨークとして入れてもよい。対物レ
ンズ3はレンズフレーム2の対物レンズ取り付は部に固
定され、ベース4に立てられた支持シャフト5の回りに
回動、支持シャフト軸方向に直動してレーザービームの
焦点が二次元に移動することが可能となっている。第4
図は、磁石の着磁バタンを示す磁石の展開図である。着
磁方法の詳細については後で述べる。円筒ラジアル方向
に多極着磁が施され、磁石表面に第4図に示すようにN
極、S極が現れる。その面積比については、着磁の容易
性などによりほぼ同比率となるようにしたが、これに限
られるわけではなく、着磁境界にコイルが貼り付けられ
るべきヨークの面が対向していればよい。図中の記号W
、 X、 y、 Zは第1図(a)の記号に対応
しており、それぞれの磁極の対向位置を示している。磁
極Wと磁極yはヨーク6、磁極Xと磁極2はヨーク7の
終端になっている。同一ヨークの2個の磁極に磁石1の
同一極が対向しようとすると反発力が生じるために、着
磁境界が磁極に対向する位置が最も安定し、可動部の中
立保持が可能で、中立保持用のバネが不要になる。磁極
の幅は、第1図(a)に示すようにXとZが、Wとyよ
りも狭くなっていて、対物レンズ3を第1図のように磁
極Wまたはyに対向する位置に設定すると、フォーカシ
ング用磁極(w、y)とトラッキング用磁極(x、z)
の間にレーザビームの通過可能な空間が充分得られ、反
射ミラー8を第1図のように設置することにより、薄型
の構造になる。コイル9.10は、第1図に示すように
それぞれヨーク6.7に貼り付けられている。第1図(
b)に示すように、ヨーク6に貼り付けられたコイル9
はフォーカシング制御用(トラッキング制御用のコイル
10は図示せず)、第1図(C)に示すように、ヨーク
7に貼り付けられたコイル10はトラッキング制御用で
(フォーカシング制御用のコイル9は図示せず)、同一
ヨークの2個の磁極に同極(N極とN極またはS極とS
極)が発生するように制御電流を流すと、磁石が中立位
置付近で微少に変位する。
によるアクチュエータを対物レンズアクチュエータとし
た場合の概略構成図で、 (a)は平面図、 (b)は
正面図、 (C)は断面図である。磁石1は円筒形状で
ある。磁石の寸法(内径、外径、高さ)については、後
に述べる。磁石の内側には、プラスチック製のレンズフ
レーム2が固定されていて、その中心が軸受は部になっ
ている。尚、第2図に示すように別部品のプラスチック
スリーブ11を軸受けとすることも可能である。磁石1
とレンズフレーム2の間には、第3図に示すように継鉄
リング12をバックヨークとして入れてもよい。対物レ
ンズ3はレンズフレーム2の対物レンズ取り付は部に固
定され、ベース4に立てられた支持シャフト5の回りに
回動、支持シャフト軸方向に直動してレーザービームの
焦点が二次元に移動することが可能となっている。第4
図は、磁石の着磁バタンを示す磁石の展開図である。着
磁方法の詳細については後で述べる。円筒ラジアル方向
に多極着磁が施され、磁石表面に第4図に示すようにN
極、S極が現れる。その面積比については、着磁の容易
性などによりほぼ同比率となるようにしたが、これに限
られるわけではなく、着磁境界にコイルが貼り付けられ
るべきヨークの面が対向していればよい。図中の記号W
、 X、 y、 Zは第1図(a)の記号に対応
しており、それぞれの磁極の対向位置を示している。磁
極Wと磁極yはヨーク6、磁極Xと磁極2はヨーク7の
終端になっている。同一ヨークの2個の磁極に磁石1の
同一極が対向しようとすると反発力が生じるために、着
磁境界が磁極に対向する位置が最も安定し、可動部の中
立保持が可能で、中立保持用のバネが不要になる。磁極
の幅は、第1図(a)に示すようにXとZが、Wとyよ
りも狭くなっていて、対物レンズ3を第1図のように磁
極Wまたはyに対向する位置に設定すると、フォーカシ
ング用磁極(w、y)とトラッキング用磁極(x、z)
の間にレーザビームの通過可能な空間が充分得られ、反
射ミラー8を第1図のように設置することにより、薄型
の構造になる。コイル9.10は、第1図に示すように
それぞれヨーク6.7に貼り付けられている。第1図(
b)に示すように、ヨーク6に貼り付けられたコイル9
はフォーカシング制御用(トラッキング制御用のコイル
10は図示せず)、第1図(C)に示すように、ヨーク
7に貼り付けられたコイル10はトラッキング制御用で
(フォーカシング制御用のコイル9は図示せず)、同一
ヨークの2個の磁極に同極(N極とN極またはS極とS
極)が発生するように制御電流を流すと、磁石が中立位
置付近で微少に変位する。
尚、本実施例における貼り付は用のコイルは、基板に耐
熱性のあるポリイミド樹脂、コイル材料にはメツキ法に
よって形成した銅を用い、コイルピッチはホトリソグラ
フィーの手法でパターニングした。この方法によりコイ
ル幅およびコイルピッチを小さくできるので容易にター
ン数を稼げた。
熱性のあるポリイミド樹脂、コイル材料にはメツキ法に
よって形成した銅を用い、コイルピッチはホトリソグラ
フィーの手法でパターニングした。この方法によりコイ
ル幅およびコイルピッチを小さくできるので容易にター
ン数を稼げた。
また設計に応じてコイルを多層化することも容易にでき
る。また本実施例ではコイルの保護および絶縁処理とし
てエポキシ系樹脂を塗布した。
る。また本実施例ではコイルの保護および絶縁処理とし
てエポキシ系樹脂を塗布した。
このようにして得られたコイルはインダクタンスが小さ
くなるために高周波側においても感度が減少しない。従
ってこのコイルを用いることにより高速アクチュエータ
が作製でき、例えば高速回転仕様の光メモリ用の光学ヘ
ッドにも充分使える。
くなるために高周波側においても感度が減少しない。従
ってこのコイルを用いることにより高速アクチュエータ
が作製でき、例えば高速回転仕様の光メモリ用の光学ヘ
ッドにも充分使える。
またこのコイルはその製法にホトリソグラフィーの手法
を用いたため生産性が高く、品質のばらつきも非常に小
さく抑えることができる。尚、この場合のコイル材料で
あるが銅の他にアルミニウム、アルミニウムー調合金等
の材料も考えられ、その製造方法も本実施例のメツキ法
に限らず、スパッタ法などの乾式の方法も可能である。
を用いたため生産性が高く、品質のばらつきも非常に小
さく抑えることができる。尚、この場合のコイル材料で
あるが銅の他にアルミニウム、アルミニウムー調合金等
の材料も考えられ、その製造方法も本実施例のメツキ法
に限らず、スパッタ法などの乾式の方法も可能である。
本実施例は、可動部の中立保持にバネなどの支持部材を
用いないため組立が容易で、また従来のアクチュエータ
で問題となっていた支持部材の高次共振が避けられる。
用いないため組立が容易で、また従来のアクチュエータ
で問題となっていた支持部材の高次共振が避けられる。
更に可動部は、設計時に質量分布が正確に把握でき、質
量バランスの良い構造が実現され、安定した高速動作が
得られる。従来のコイル可動型アクチュエータでは、コ
イル形状のばらつきが可動部の質量アンバランスの原因
となり、不要な寄生振動や軸受摺動面のスティックスリ
ップを起こしていたが、本実施例ではそれらの問題点を
回避している。
量バランスの良い構造が実現され、安定した高速動作が
得られる。従来のコイル可動型アクチュエータでは、コ
イル形状のばらつきが可動部の質量アンバランスの原因
となり、不要な寄生振動や軸受摺動面のスティックスリ
ップを起こしていたが、本実施例ではそれらの問題点を
回避している。
また、従来の磁石可動型アクチュエータは、複数の磁石
を組み合わせる必要があり、構造が複雑なため組立が困
難であったが、本実施例のアクチュエータは組立が容易
である。
を組み合わせる必要があり、構造が複雑なため組立が困
難であったが、本実施例のアクチュエータは組立が容易
である。
本実施例で用いる磁石は、軽量で高性能なものが望まし
く、適当な磁石に関して、その製法を含めて後に詳細に
記述する。
く、適当な磁石に関して、その製法を含めて後に詳細に
記述する。
(実施例−2)
次に、別構造の実施例に関して説明する。
磁気回路の構造は、 (実施例−1)に限らず様々な例
が考えられるが、各磁極毎に独立した磁気回路構成とし
た場合の概略斜視図を第5図に示す。
が考えられるが、各磁極毎に独立した磁気回路構成とし
た場合の概略斜視図を第5図に示す。
各磁気回路の構造は、第6図(a)に示すように磁石1
の内側と外側に磁極を有しヨーク13が一体となってい
るもの、第6図(b)に示すようにヨークが一体でなく
分離しているもの、第6図(C)に示すように外側のみ
に磁極があるものが考えられる。いずれの構成も可動部
の中立保持のための適当なバネ、ダンパ等(図示せず)
を設けている。尚、全ての磁気回路の磁極を、第6図(
C)に示すように、磁石の外側のみに設ける場合は、第
3図に示すように磁石の内側に継鉄リングを固定するこ
とで効率の向上が図れる。磁石の着磁パタンは第4図に
示した例の他に第7図(a)、 (b)に示すようなバ
タンも可能である。
の内側と外側に磁極を有しヨーク13が一体となってい
るもの、第6図(b)に示すようにヨークが一体でなく
分離しているもの、第6図(C)に示すように外側のみ
に磁極があるものが考えられる。いずれの構成も可動部
の中立保持のための適当なバネ、ダンパ等(図示せず)
を設けている。尚、全ての磁気回路の磁極を、第6図(
C)に示すように、磁石の外側のみに設ける場合は、第
3図に示すように磁石の内側に継鉄リングを固定するこ
とで効率の向上が図れる。磁石の着磁パタンは第4図に
示した例の他に第7図(a)、 (b)に示すようなバ
タンも可能である。
以上、実施例−1,2共に可動部への給電線が不要で、
断線の心配がなく、給電線の接続処理も不要なため組立
も容易である。
断線の心配がなく、給電線の接続処理も不要なため組立
も容易である。
実施例−1,2に用いられた、多極着磁を施された円筒
形状の磁石の製造方法を以下に示す。尚、本実施例中に
示す希土類金属(R)の原料は、トータルのRが99.
8%以上、主とするRが99%以上の純度であるものを
使用した。
形状の磁石の製造方法を以下に示す。尚、本実施例中に
示す希土類金属(R)の原料は、トータルのRが99.
8%以上、主とするRが99%以上の純度であるものを
使用した。
第8図は、Sm−Co系樹脂結合型磁石の製造工程図で
ある。圧縮成形法(a)、射出成形法(b)、押出成形
法(C)により円筒形状とした。
ある。圧縮成形法(a)、射出成形法(b)、押出成形
法(C)により円筒形状とした。
本発明の構成要素である円筒形状の磁石は、ラジアル方
向に多極着磁を施すためにラジアル異方性化させること
が望ましい。従って、ラジアル異方性磁石が生産性よく
製造できるSm−Co系樹脂結合型磁石が、非常に有利
である。また、その高い磁気性能から可動部の小型・軽
量化が図られる。
向に多極着磁を施すためにラジアル異方性化させること
が望ましい。従って、ラジアル異方性磁石が生産性よく
製造できるSm−Co系樹脂結合型磁石が、非常に有利
である。また、その高い磁気性能から可動部の小型・軽
量化が図られる。
更に、高い寸法精度が容易に出せるため磁石表面と磁極
とのギャップをつめることができる。まず、組成がSm
(Cos、av2Cua、ssF ea、22Z r
e、1I2s) s、ssとなるように原料を誘導炉で
溶解し、そのインゴットをArガス雰囲気中で1120
〜1180’Cで5時間溶体化処理を行ない、更に85
0°Cで4時間時効処理を行なった。このようにして得
られた2−17系希土類金属間合金を、平均粒径が20
μm(フィッシャーサブシーブサイダーによる)となる
ように粉砕し、この粉末98重1%に熱硬化性である2
液性工ポキシ樹脂2ffii%を結合材として加え混合
した磁石組成物を、粉末成形磁場プレス装置で磁場中で
ラジアル配向させ円筒形状に成形した後、キュア処理を
行なった(第8図・(a)、磁石A)。この圧縮成形磁
石を用いることにより、高速応答性に優れた対物しンズ
アクチュエータが容易にできる。また、上記と同様の方
法により得られた2−17系希土類金属間合金を平均粒
径が20μmとなるように粉砕し、この粉末60体積%
に40体積%のナイロン−12を結合材として加え混合
した磁石組成物を、射出成形装置で磁場中でラジアル配
向させ円筒形状に成形した後、アニール処理を行なった
(第8図・ (b)、磁石B)。また、上記と同様の方
法により得られた2−17系希土類金属間合金を平均粒
径が20μmとなるように粉砕し、この磁性粉末92重
量%とナイロン−12が8重1%からなる磁石組成物を
、200℃にて混練した後、外径が3〜6mmに造粒さ
れた原料コンパウンドを、押出成形装置を用いて磁場中
でラジアル配向させ円筒形状に成形した(第8図・ (
C)、磁石C)。
とのギャップをつめることができる。まず、組成がSm
(Cos、av2Cua、ssF ea、22Z r
e、1I2s) s、ssとなるように原料を誘導炉で
溶解し、そのインゴットをArガス雰囲気中で1120
〜1180’Cで5時間溶体化処理を行ない、更に85
0°Cで4時間時効処理を行なった。このようにして得
られた2−17系希土類金属間合金を、平均粒径が20
μm(フィッシャーサブシーブサイダーによる)となる
ように粉砕し、この粉末98重1%に熱硬化性である2
液性工ポキシ樹脂2ffii%を結合材として加え混合
した磁石組成物を、粉末成形磁場プレス装置で磁場中で
ラジアル配向させ円筒形状に成形した後、キュア処理を
行なった(第8図・(a)、磁石A)。この圧縮成形磁
石を用いることにより、高速応答性に優れた対物しンズ
アクチュエータが容易にできる。また、上記と同様の方
法により得られた2−17系希土類金属間合金を平均粒
径が20μmとなるように粉砕し、この粉末60体積%
に40体積%のナイロン−12を結合材として加え混合
した磁石組成物を、射出成形装置で磁場中でラジアル配
向させ円筒形状に成形した後、アニール処理を行なった
(第8図・ (b)、磁石B)。また、上記と同様の方
法により得られた2−17系希土類金属間合金を平均粒
径が20μmとなるように粉砕し、この磁性粉末92重
量%とナイロン−12が8重1%からなる磁石組成物を
、200℃にて混練した後、外径が3〜6mmに造粒さ
れた原料コンパウンドを、押出成形装置を用いて磁場中
でラジアル配向させ円筒形状に成形した(第8図・ (
C)、磁石C)。
この射出成形磁石、押出成形磁石は、圧縮成形磁石に比
べ磁気性能は多少低いが生産性が高い。特に押出成形磁
石は、極めて薄肉の円筒形状が非常に容易に得られる。
べ磁気性能は多少低いが生産性が高い。特に押出成形磁
石は、極めて薄肉の円筒形状が非常に容易に得られる。
この射出成形磁石、押出成形磁石を用いた対物レンズア
クチュエータは、読み出し専用や光デイスク回転数が低
い光メモリ装置などに充分応用できる。
クチュエータは、読み出し専用や光デイスク回転数が低
い光メモリ装置などに充分応用できる。
Nd−Ce置換Sm−Co系樹脂結合型磁石を第8図の
圧縮成形と同様の方法で成形した。組成が、 Sma、
sN da、4c es、I (Coe、572c u
ll、9t+F e 11.222 r s、s2g)
11.35である2−17系希土類金属間合金を平均
粒径が80μmとなるように粉砕した。この粉末98重
量%に熱硬化性である2液性工ポキシ樹脂2重量%を結
合材として加え混合した。この磁石組成物を粉末成形磁
場プレス装置で、磁場中でラジアル配向させ円筒形状に
成形した後、キュア処理を行なった(磁石D)。このN
d−Ce置換Sm−Co系樹脂結合型磁石は、Nd、C
eで置換しないものに比べ磁気性能は多少低いが、原料
供給面・価格面が有利である。また、PrでSmの一部
を置換した場合(磁石E)にも充分な磁気特性が得られ
、これもまた原料供給面・価格面で有利となる。この磁
石(D、E)を用いた場合にも充分な高速動作が確認で
きた。
圧縮成形と同様の方法で成形した。組成が、 Sma、
sN da、4c es、I (Coe、572c u
ll、9t+F e 11.222 r s、s2g)
11.35である2−17系希土類金属間合金を平均
粒径が80μmとなるように粉砕した。この粉末98重
量%に熱硬化性である2液性工ポキシ樹脂2重量%を結
合材として加え混合した。この磁石組成物を粉末成形磁
場プレス装置で、磁場中でラジアル配向させ円筒形状に
成形した後、キュア処理を行なった(磁石D)。このN
d−Ce置換Sm−Co系樹脂結合型磁石は、Nd、C
eで置換しないものに比べ磁気性能は多少低いが、原料
供給面・価格面が有利である。また、PrでSmの一部
を置換した場合(磁石E)にも充分な磁気特性が得られ
、これもまた原料供給面・価格面で有利となる。この磁
石(D、E)を用いた場合にも充分な高速動作が確認で
きた。
第9図は、Nd−Fe−B系樹脂結合型磁石の製造工程
図である。N d +3F e 82.?E a、sの
組成の合金をメルトスパン法を用い、結晶とアモルファ
スの混合状態のリボンを作成し、これを粉砕して得られ
た磁性粉末をエポキシ樹脂と混合・混練したものを、円
筒形状に加圧成形した後キユア処理を行なった(磁石F
)。このNd−Fe−B系樹脂結合型磁石は加工性良く
製造できるため、これを本発明のアクチュエータに用い
ることは価格面・原料併給面で有利となる。
図である。N d +3F e 82.?E a、sの
組成の合金をメルトスパン法を用い、結晶とアモルファ
スの混合状態のリボンを作成し、これを粉砕して得られ
た磁性粉末をエポキシ樹脂と混合・混練したものを、円
筒形状に加圧成形した後キユア処理を行なった(磁石F
)。このNd−Fe−B系樹脂結合型磁石は加工性良く
製造できるため、これを本発明のアクチュエータに用い
ることは価格面・原料併給面で有利となる。
第10図は、Nd−Fe−B系磁石の製造工程図である
。N d 13F 882.7B 4.3の組成の合金
をメルトスパン法を用い、結晶とアモルファスの混合状
態のリボンを作成し、これを粉砕して得られた磁性粉末
を円筒状金型に入れ熱間圧密処理を行なった(第10図
・ (a)、磁石G)。この磁石は、上記のNd−Fe
−B系樹脂結合型磁石に比べ磁性粉末の充填密度が高い
ため優れた磁気性能が得られる。更に、 (a)の工程
の後に加熱しながら円筒ラジアル方向に加圧し成形する
(第10図・(b)、磁石H)ことによりラジアル異方
性磁石が得られ、Nd−Fe−B系の磁石が持つ本来の
高い磁気特性を充分に引き出すことができる。このよう
にして得られたNd−Fe−B系磁石(G、H)を用い
ることにより、高速応答性に優れたアクチュエータがで
きる。
。N d 13F 882.7B 4.3の組成の合金
をメルトスパン法を用い、結晶とアモルファスの混合状
態のリボンを作成し、これを粉砕して得られた磁性粉末
を円筒状金型に入れ熱間圧密処理を行なった(第10図
・ (a)、磁石G)。この磁石は、上記のNd−Fe
−B系樹脂結合型磁石に比べ磁性粉末の充填密度が高い
ため優れた磁気性能が得られる。更に、 (a)の工程
の後に加熱しながら円筒ラジアル方向に加圧し成形する
(第10図・(b)、磁石H)ことによりラジアル異方
性磁石が得られ、Nd−Fe−B系の磁石が持つ本来の
高い磁気特性を充分に引き出すことができる。このよう
にして得られたNd−Fe−B系磁石(G、H)を用い
ることにより、高速応答性に優れたアクチュエータがで
きる。
第11図は、R,Fe、 B、 Zrを基本組成と
した焼結磁石の製造工程図である。Zr2.5(Ce1
1.2P r 12N d 1.S) +2.5F e
etc o sB vとなる磁石原料を高周波溶解炉
を用いArガス雰囲気下で溶解・鋳造し、スタンプミル
・ボールミルで平均粒径が3〜5μmとなるように粉砕
して得た粉末を、円筒状金型に充填し、15kOeの磁
場でラジアル配向させ、15〜20kg/mm2の成形
圧で加圧成形を行ない、その後Arガス雲四囲気中10
00−1250°Cの最適温度で焼結し、必要に応じて
400〜1250’Cの最適温度で熱処理を行なって焼
結磁石を成形した(1i1石工)。このようにして得ら
れたラジアル異方性焼結磁石は、高い磁気性能を示す。
した焼結磁石の製造工程図である。Zr2.5(Ce1
1.2P r 12N d 1.S) +2.5F e
etc o sB vとなる磁石原料を高周波溶解炉
を用いArガス雰囲気下で溶解・鋳造し、スタンプミル
・ボールミルで平均粒径が3〜5μmとなるように粉砕
して得た粉末を、円筒状金型に充填し、15kOeの磁
場でラジアル配向させ、15〜20kg/mm2の成形
圧で加圧成形を行ない、その後Arガス雲四囲気中10
00−1250°Cの最適温度で焼結し、必要に応じて
400〜1250’Cの最適温度で熱処理を行なって焼
結磁石を成形した(1i1石工)。このようにして得ら
れたラジアル異方性焼結磁石は、高い磁気性能を示す。
更に価格面・原料供給面からも有利であるため、高速応
答性に優れた対物しンズアクチュエータが経済性良くで
きる。
答性に優れた対物しンズアクチュエータが経済性良くで
きる。
最後にR−M−X系鋳造磁石の製造方法を詳細に説明す
る。第12図は、R−M−X系鋳造磁石の製造工程図で
ある。磁石組成のうち希土類金属(R)としては、Y、
La、 Ce、 Pr、 Nd、Sm、、E
u、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 E
r、Tm、Yb、Luが候補として挙げられ、これらの
うち1種類、あるいは2種類以上を組み合わせて用いる
ことが可能である。最も高い磁気特性は、Prで得られ
る。遷移金属(M)としてはFe、Ni、Cu等が候補
として挙げられ、これらのうち1種類、あるいは2種類
以上を組み合わせて用いることが可能である。III
b族元素としては、B、A1、Ga等が候補として挙げ
られ、これらのうち1種類、あるいは2種類以上を組み
合わせて用いることが可能である。また、小量の添加元
素、例えば重希土類のDys ’rb等や、Si、C
o、MO等は保磁力の向上に有効である。まず、Pr1
7Fe7acu2Bsの組成となるように原料を秤量し
、誘導炉で溶解鋳造し、円筒形状の鋳造インゴットを得
た。その際、一方向凝固法により円筒形状の軸方向に柱
状晶を発達させた0次に、第13図に示すように鋳造イ
ンゴット14を軟鋼型のカプセル15に入れ、脱気し、
密封した。このカプセルは、鋳造インゴットに適合する
形状であり、中央にマンドレルホール16を有している
。次に第14図に示すように鋳造インゴットを入れたカ
プセルを850℃で熱間押出した。17はコンテナ、1
8は押盤、19はマンドレル、20はダイスである。マ
ンドレルはカプセルのマンドレルホールに挿入されてい
る。第15図に示すように、押出時に鋳造インゴットは
マンドレルとダイスによりラジアル方向に加圧されラジ
アル方向に配向する。カプセルを除去した後に1000
℃×24hの熱処理を施して円筒形状の磁石を得た(磁
石J)。また、組成がPr+vFevsGa2A1+B
sとなる磁石も同様の方法で製造した(磁石K)。この
ようにして得られた磁石(J、K)は、鋳造、熱間加工
により製造され、粉砕工程を経ないので磁石中の酸素濃
度が極めて低く耐環境性に優れ、また高い磁気性能を示
し、更に機械的強度も高く、製造コストも低いため高性
能でかつ安価なアクチュエータを実現でき、様々な形態
の光デイスクメモリに応用が可能である。
る。第12図は、R−M−X系鋳造磁石の製造工程図で
ある。磁石組成のうち希土類金属(R)としては、Y、
La、 Ce、 Pr、 Nd、Sm、、E
u、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 E
r、Tm、Yb、Luが候補として挙げられ、これらの
うち1種類、あるいは2種類以上を組み合わせて用いる
ことが可能である。最も高い磁気特性は、Prで得られ
る。遷移金属(M)としてはFe、Ni、Cu等が候補
として挙げられ、これらのうち1種類、あるいは2種類
以上を組み合わせて用いることが可能である。III
b族元素としては、B、A1、Ga等が候補として挙げ
られ、これらのうち1種類、あるいは2種類以上を組み
合わせて用いることが可能である。また、小量の添加元
素、例えば重希土類のDys ’rb等や、Si、C
o、MO等は保磁力の向上に有効である。まず、Pr1
7Fe7acu2Bsの組成となるように原料を秤量し
、誘導炉で溶解鋳造し、円筒形状の鋳造インゴットを得
た。その際、一方向凝固法により円筒形状の軸方向に柱
状晶を発達させた0次に、第13図に示すように鋳造イ
ンゴット14を軟鋼型のカプセル15に入れ、脱気し、
密封した。このカプセルは、鋳造インゴットに適合する
形状であり、中央にマンドレルホール16を有している
。次に第14図に示すように鋳造インゴットを入れたカ
プセルを850℃で熱間押出した。17はコンテナ、1
8は押盤、19はマンドレル、20はダイスである。マ
ンドレルはカプセルのマンドレルホールに挿入されてい
る。第15図に示すように、押出時に鋳造インゴットは
マンドレルとダイスによりラジアル方向に加圧されラジ
アル方向に配向する。カプセルを除去した後に1000
℃×24hの熱処理を施して円筒形状の磁石を得た(磁
石J)。また、組成がPr+vFevsGa2A1+B
sとなる磁石も同様の方法で製造した(磁石K)。この
ようにして得られた磁石(J、K)は、鋳造、熱間加工
により製造され、粉砕工程を経ないので磁石中の酸素濃
度が極めて低く耐環境性に優れ、また高い磁気性能を示
し、更に機械的強度も高く、製造コストも低いため高性
能でかつ安価なアクチュエータを実現でき、様々な形態
の光デイスクメモリに応用が可能である。
第1表に、各々の磁石の組成と製造工程図の番号をまと
めた。また、第2表に各々の磁石の磁気特性((BH)
max)、コスト(原料及び製造コスト)、薄肉化の容
易性をまとめた。表中コストの項の△O@の記号は、そ
の順番にコストが安価になることを示し、薄肉化の項の
@印は薄肉化が極めて容易である、○印はNK化が容易
である、Δ印は薄力化が可能であることを示している。
めた。また、第2表に各々の磁石の磁気特性((BH)
max)、コスト(原料及び製造コスト)、薄肉化の容
易性をまとめた。表中コストの項の△O@の記号は、そ
の順番にコストが安価になることを示し、薄肉化の項の
@印は薄肉化が極めて容易である、○印はNK化が容易
である、Δ印は薄力化が可能であることを示している。
第1表
第 2 表
次に、磁石の着磁について述べる。第16図に示すよう
に円筒形の着磁ヨーク21と、コンデンサ充電式のパル
ス電源22を用いた。このとき、印加磁場は磁石の保磁
力の2.5〜3倍となるようにした。第17図(a)(
b)は着磁ヨークの内側を表わした展開図で、 (a)
に示すように溝23が設けられている。尚、材質は純鉄
を用いている。この溝には、電線24が実線、破線で示
すように巻かれていて、図中矢印で示すように電流を流
した。この例のようにすると、着磁ヨークのアキシャル
方向の磁場がキャンセルされるため、着磁のバランスが
良い。
に円筒形の着磁ヨーク21と、コンデンサ充電式のパル
ス電源22を用いた。このとき、印加磁場は磁石の保磁
力の2.5〜3倍となるようにした。第17図(a)(
b)は着磁ヨークの内側を表わした展開図で、 (a)
に示すように溝23が設けられている。尚、材質は純鉄
を用いている。この溝には、電線24が実線、破線で示
すように巻かれていて、図中矢印で示すように電流を流
した。この例のようにすると、着磁ヨークのアキシャル
方向の磁場がキャンセルされるため、着磁のバランスが
良い。
第3−1・2表に、実施例−1の対物レンズアクチュエ
ータの磁石に上記の方法で着磁された第2表の磁石A−
Kを用い、その寸法(内径、外径)を変えた場合のアク
チュエータの高速応答性をまとめた。対物レンズアクチ
ュエータの場合、フォーカシング方向(軸方向)の駆動
可能範囲は±1mmあれば充分であるため円筒形状の磁
石の高さはそれを考慮して5mmとした。他の応用で駆
動可能範囲が異なる場合には、それに合わせて高さを変
更すればよい。表中@印は高速応答性が極めて良い、O
印は良い、Δ印は高速動作が可能であることを示してい
る。また、−印は円筒形状の磁石の製造が困難であるこ
とを示す。
ータの磁石に上記の方法で着磁された第2表の磁石A−
Kを用い、その寸法(内径、外径)を変えた場合のアク
チュエータの高速応答性をまとめた。対物レンズアクチ
ュエータの場合、フォーカシング方向(軸方向)の駆動
可能範囲は±1mmあれば充分であるため円筒形状の磁
石の高さはそれを考慮して5mmとした。他の応用で駆
動可能範囲が異なる場合には、それに合わせて高さを変
更すればよい。表中@印は高速応答性が極めて良い、O
印は良い、Δ印は高速動作が可能であることを示してい
る。また、−印は円筒形状の磁石の製造が困難であるこ
とを示す。
第3−1表
第3−2表
(実施例−3)
第18図は、本発明によるアクチュエータを光学ヘッド
に応用した実施例を示す図であり、読み出し専用の光メ
モリおよび相変化型の書換え可能な光メモリに適用でき
る。ヘッド全体がモータ(ズには示してない)の動きと
呼応して第18図の27の支持部に支えられて動くが、
この動作が粗アクセスになる。フォーカシングは支持シ
ャフト5の長さ方向の動きによって、トラッキングは支
持シャフト5を回転中心にして回転することによって行
なう。いま、第18図に示した例はいわゆるステップモ
ータによって駆動されるものであるが、これをリニアモ
ータ方式に置き換えることによってさらに高速のアクセ
スに対応できる。
に応用した実施例を示す図であり、読み出し専用の光メ
モリおよび相変化型の書換え可能な光メモリに適用でき
る。ヘッド全体がモータ(ズには示してない)の動きと
呼応して第18図の27の支持部に支えられて動くが、
この動作が粗アクセスになる。フォーカシングは支持シ
ャフト5の長さ方向の動きによって、トラッキングは支
持シャフト5を回転中心にして回転することによって行
なう。いま、第18図に示した例はいわゆるステップモ
ータによって駆動されるものであるが、これをリニアモ
ータ方式に置き換えることによってさらに高速のアクセ
スに対応できる。
また、光磁気型の書換え可能な光メモリに応用するには
第18図の光学系の部分を例えば第19図の様に変更す
ることによって対応することができる。
第18図の光学系の部分を例えば第19図の様に変更す
ることによって対応することができる。
以上、本実施例に示した機構と、その可動磁石として高
性能希土類磁石(但し上記実施例の磁石原料組成、製造
条件、磁石寸法はこれに制限されるものではない。)を
用いることによりアクチュエータの高性能化または小型
化・低コスト化が可能となり、これな対物レンズアクチ
ュエータとすることにより様々な光メモリ装置に応用で
きる。
性能希土類磁石(但し上記実施例の磁石原料組成、製造
条件、磁石寸法はこれに制限されるものではない。)を
用いることによりアクチュエータの高性能化または小型
化・低コスト化が可能となり、これな対物レンズアクチ
ュエータとすることにより様々な光メモリ装置に応用で
きる。
また、貼り付けるコイルをホトリソグラフィーの手法を
用いて製造したことによって以下のような利点を生じる
。
用いて製造したことによって以下のような利点を生じる
。
(1)コイル重量、抵抗等の性能のばらつきが非常に小
さく、生産性が高くなる。
さく、生産性が高くなる。
(2)インダクタンスが小さいため高周波側での感度が
減少せず、高速アクチュエータに適している。
減少せず、高速アクチュエータに適している。
(3)コイル厚さが精度良く作れるので、磁石とのギャ
ップ管理が比較的容易にできる。
ップ管理が比較的容易にできる。
[発明の効果]
以上示したように本発明によれば、ラジアル方向に多極
着磁を施した円筒形状の磁石を可動部に用いたことによ
り以下のような利点を生ずる。
着磁を施した円筒形状の磁石を可動部に用いたことによ
り以下のような利点を生ずる。
(1)給電線の断線が無い。
(2)給電線の接続処理が無いので組立が容易である。
(3)可動部の質量バランスが良い。
以上のような理由から高性能で信頼性が高い安価なアク
チュエータが得られるようになる。特に、実施例−1に
示す構造とした場合には支持バネが無いため高次共振が
起こらず高速応答性に優れたアクチュエータが得られ、
更に組立が容易になる。
チュエータが得られるようになる。特に、実施例−1に
示す構造とした場合には支持バネが無いため高次共振が
起こらず高速応答性に優れたアクチュエータが得られ、
更に組立が容易になる。
本発明のアクチュエータは、対物レンズアクチュエータ
とすることによりコンピュータメモリ、光デイスクファ
イル、CD、CD−ROM、LVDなどの光メモリ装置
に応用することが可能で、装置の高性能化や低コスト化
などの多大な効果を有するものである。また、半導体集
積回路の製造における精密位置決め装置等にも応用でき
る。
とすることによりコンピュータメモリ、光デイスクファ
イル、CD、CD−ROM、LVDなどの光メモリ装置
に応用することが可能で、装置の高性能化や低コスト化
などの多大な効果を有するものである。また、半導体集
積回路の製造における精密位置決め装置等にも応用でき
る。
第1図は、本発明による対物レンズアクチュエータの一
実施例を示す構成概略図で、 (a)図は平面図、 (
b)図は正面図、 (C)図は断面図。 第2図は、軸受は説明図。 第3図は、継鉄リング説明図。 第4図は、磁石の着磁パタンの展開図。 第5図は、本発明による一実施例を示す側構造の対物レ
ンズアクチュエータの概略斜視図。 第6図(a)(b)(c)は、磁気回路の構造を示す図
。 第7図(a)(b)は、磁石の着磁パタンの展工程図。 第9図は、Nd−Fe−B系樹脂結合型磁石の図。 第11図は、R,Fe、 B、 Zrを基本組成と
した焼結磁石の製造工程図。 第12図は、R−M−X系鋳造磁石の製造工程図。 第13図は、鋳造インゴットとカプセルの説明第14図
は、鋳造インゴットの熱間押出加工の説明図。 第15図は、熱間押出加工の加圧部の説明図。 第16図は、着磁方法の説明図。 第17図(a)(b)は、着磁ヨークの説明図。 第18図は、本発明によるアクチュエータを利用した光
学ヘッドを用いた光メモリ装置の機構図。 第19図は、光磁気メモリ装置用の光学へ:ソドの光学
系構成図。 1 ・・・・・ 磁石 2 ・・・・・ レンズフレーム 3 ・・・・・ 対物レンズ 4 ・・・・・ ベース 5 ・・・・・ 支持シャフト 6 ・・・・・ フォーカシング用ヨーク7 ・・
・・・ トラッキング用ヨーク8 ・・・・・ 反射
ミラー 9 * + + + 1 フォーカシング用コイ
ル10 ・・・・・ トラッキング用コイル11
・・・・・ プラスチックスリーブ12 ・・・・・
継鉄リング(バックヨーク) 13 ・・・・・ ヨーク 14 ・・・・・ 鋳造インゴット 15 ・・・・・ カプセル 16 ・・・・・ マンドレルホール17 ・・・
・・ コンテナ 18 ・・・・・ 押盤 19 ・・・・・ マンドレル 20 ・・・・・ ダイス 21 ・・・・・ 着磁ヨーク 22 ・・・・・ パルス電源 23 ・・・・・溝 24 ・・・・・ 電線 25 ・ ・ ・ ・ ・ ディスク26 ・・
・・・ ビット 27 ・・・・・ 支持部 28 ・・・・・ スピンドルモータ29 ・・・
・・ 1/4波長板 30 ・・・・・ 偏光ビームスプリッタ31 ・
・・・・ ホトダイオード 32 ・・、・・・ コリメータレンズ33 ・・
・・・ 半導体レーザ 34 ・・・・・ ビームスプリッタ35 ・・
・・・ プリズム 36 ・・・・・ シリンドリカルレンズ37 ・
・・・・ フォーカシング用ホトダイオード 38 ・・・・・ トラッキング用ホトダイオード 39 ・・・・・ 1/2波長板 40 ・・・・・ レンズ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 上柳雅誉 化1名 19、磁石 (b〕 第1図 第4図 第3図 第5図 ta) (′bン 第6図 (久) 第7図 第8図 第9図 第]○図 第12図 第15図 (+2) 第17図 第18図 手続補正書(方式) 平成 1年5月19日 1、事件の表示 昭和63年 特許層 第211637 2、発明の名称 ア り チエ エ − タ 3、補正する者 (236)セイコーエプソン株式会社 代表取締役 中 村 恒 也 連絡先ff 348−8531内線300〜3025、
補正命令の日付 平成 1年 4月25日
実施例を示す構成概略図で、 (a)図は平面図、 (
b)図は正面図、 (C)図は断面図。 第2図は、軸受は説明図。 第3図は、継鉄リング説明図。 第4図は、磁石の着磁パタンの展開図。 第5図は、本発明による一実施例を示す側構造の対物レ
ンズアクチュエータの概略斜視図。 第6図(a)(b)(c)は、磁気回路の構造を示す図
。 第7図(a)(b)は、磁石の着磁パタンの展工程図。 第9図は、Nd−Fe−B系樹脂結合型磁石の図。 第11図は、R,Fe、 B、 Zrを基本組成と
した焼結磁石の製造工程図。 第12図は、R−M−X系鋳造磁石の製造工程図。 第13図は、鋳造インゴットとカプセルの説明第14図
は、鋳造インゴットの熱間押出加工の説明図。 第15図は、熱間押出加工の加圧部の説明図。 第16図は、着磁方法の説明図。 第17図(a)(b)は、着磁ヨークの説明図。 第18図は、本発明によるアクチュエータを利用した光
学ヘッドを用いた光メモリ装置の機構図。 第19図は、光磁気メモリ装置用の光学へ:ソドの光学
系構成図。 1 ・・・・・ 磁石 2 ・・・・・ レンズフレーム 3 ・・・・・ 対物レンズ 4 ・・・・・ ベース 5 ・・・・・ 支持シャフト 6 ・・・・・ フォーカシング用ヨーク7 ・・
・・・ トラッキング用ヨーク8 ・・・・・ 反射
ミラー 9 * + + + 1 フォーカシング用コイ
ル10 ・・・・・ トラッキング用コイル11
・・・・・ プラスチックスリーブ12 ・・・・・
継鉄リング(バックヨーク) 13 ・・・・・ ヨーク 14 ・・・・・ 鋳造インゴット 15 ・・・・・ カプセル 16 ・・・・・ マンドレルホール17 ・・・
・・ コンテナ 18 ・・・・・ 押盤 19 ・・・・・ マンドレル 20 ・・・・・ ダイス 21 ・・・・・ 着磁ヨーク 22 ・・・・・ パルス電源 23 ・・・・・溝 24 ・・・・・ 電線 25 ・ ・ ・ ・ ・ ディスク26 ・・
・・・ ビット 27 ・・・・・ 支持部 28 ・・・・・ スピンドルモータ29 ・・・
・・ 1/4波長板 30 ・・・・・ 偏光ビームスプリッタ31 ・
・・・・ ホトダイオード 32 ・・、・・・ コリメータレンズ33 ・・
・・・ 半導体レーザ 34 ・・・・・ ビームスプリッタ35 ・・
・・・ プリズム 36 ・・・・・ シリンドリカルレンズ37 ・
・・・・ フォーカシング用ホトダイオード 38 ・・・・・ トラッキング用ホトダイオード 39 ・・・・・ 1/2波長板 40 ・・・・・ レンズ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 上柳雅誉 化1名 19、磁石 (b〕 第1図 第4図 第3図 第5図 ta) (′bン 第6図 (久) 第7図 第8図 第9図 第]○図 第12図 第15図 (+2) 第17図 第18図 手続補正書(方式) 平成 1年5月19日 1、事件の表示 昭和63年 特許層 第211637 2、発明の名称 ア り チエ エ − タ 3、補正する者 (236)セイコーエプソン株式会社 代表取締役 中 村 恒 也 連絡先ff 348−8531内線300〜3025、
補正命令の日付 平成 1年 4月25日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)支持シャフトの回りに回動自在かつ該支持シャフ
トの軸方向に直動自在なアクチュエータにおいて、 (a)ラジアル方向に多極着磁が施され、かつ周方向と
軸方向に着磁境界を有する円筒形状の磁石、 (b)前記着磁境界に対向した面を有するヨーク及び該
ヨークの前記面に前記磁石の円筒側面に対向して貼り付
けられたコイルとを備えたことを特徴とするアクチュエ
ータ。 (2)前記磁石が、サマリウム(Sm)及びコバルト(
Co)を基本組成とする合金を粉砕した磁性粉末を、樹
脂と混合・混練し、圧縮成形、射出成形または押出成形
を行なったSm−Co系樹脂結合型磁石である請求項1
記載のアクチュエータ。 (3)前記Smの一部をネオジム(Nd)、セリウム(
Ce)及びプラセオジム(Pr)を主体とした軽希土類
金属の少なくとも一種で置換した請求項2記載のアクチ
ュエータ。(4)前記磁石が、希土類金属(R)、鉄(
Fe)及びホウ素(B)を基本組成とする合金を、メル
トスパン法により結晶とアモルファスの混合状態にし粉
砕した磁性粉末を樹脂と混合・混練し、加圧成形後キュ
ア処理したR−Fe−B系樹脂結合型磁石である請求項
1記載のアクチュエータ。 (5)前記磁石が、R、Fe及びBを基本組成とする合
金を、メルトスパン法により結晶とアモルファスの混合
状態にし粉砕した磁性粉末を円筒形の型に入れ熱間圧密
処理を行なったR−Fe−B系磁石である請求項1記載
のアクチュエータ。 (6)前記R−Fe−B系磁石を円筒ラジアル方向に熱
間加圧した請求項5記載のアクチュエータ。 (7)前記磁石が、R、Fe、B及びジルコニウム(Z
r)を基本組成とした焼結磁石である請求項1記載のア
クチュエータ。 (8)前記永久磁石が、R、M(但しMは遷移金属のう
ち少なくとも一種)およびX(但しXはIIIb族元素の
うち少なくとも一種)を基本組成とし、鋳造、熱間加工
行なったR−M−X系鋳造磁石である請求項1記載のア
クチュエータ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182418A JP2699426B2 (ja) | 1987-07-27 | 1988-07-21 | アクチュエータ |
| JP63211637A JP2699438B2 (ja) | 1987-08-27 | 1988-08-26 | アクチュエータ |
| FR8900589A FR2640828A1 (fr) | 1988-07-21 | 1989-01-19 | Actionneur electromagnetique |
| NL8900188A NL8900188A (nl) | 1988-07-21 | 1989-01-26 | Actuator. |
| US07/303,602 US5062095A (en) | 1988-07-21 | 1989-01-27 | Actuator and method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (16)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21392687 | 1987-08-27 | ||
| JP62-222606 | 1987-09-17 | ||
| JP62-222609 | 1987-09-17 | ||
| JP62-222604 | 1987-09-17 | ||
| JP62-213926 | 1987-09-17 | ||
| JP62-222608 | 1987-09-17 | ||
| JP62-223631 | 1987-09-17 | ||
| JP62-222605 | 1987-09-17 | ||
| JP62-220589 | 1987-09-17 | ||
| JP62-232777 | 1987-09-17 | ||
| JP62-223632 | 1987-09-17 | ||
| JP62-222603 | 1987-09-17 | ||
| JP62-223630 | 1987-09-17 | ||
| JP62-220593 | 1987-09-17 | ||
| JP63182418A JP2699426B2 (ja) | 1987-07-27 | 1988-07-21 | アクチュエータ |
| JP63211637A JP2699438B2 (ja) | 1987-08-27 | 1988-08-26 | アクチュエータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294234A true JPH01294234A (ja) | 1989-11-28 |
| JP2699438B2 JP2699438B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=27325157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63211637A Expired - Lifetime JP2699438B2 (ja) | 1987-07-27 | 1988-08-26 | アクチュエータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699438B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015035003A (ja) * | 2009-08-21 | 2015-02-19 | ミツミ電機株式会社 | カメラの手振れ補正装置 |
Citations (16)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS50121798A (ja) * | 1974-03-14 | 1975-09-23 | ||
| JPS50143705A (ja) * | 1974-05-09 | 1975-11-19 | ||
| JPS54121999A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-21 | Toshiba Corp | Manufacture of permanent magnet |
| JPS5599703A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of anisotropic resin magnet |
| JPS5782446A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-22 | Seiko Epson Corp | Rare earth element-cobalt permanent magnet |
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| JPS61114503A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 樹脂磁石用サマリウム−コバルト系磁石粉末の製造方法 |
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| JPS62177146A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-04 | Daido Steel Co Ltd | 永久磁石材料の製造方法 |
| JPS62177158A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-04 | Daido Steel Co Ltd | 永久磁石材料およびその製造方法 |
| JPS62177101A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-04 | Daido Steel Co Ltd | 永久磁石材料の製造方法 |
| JPS648518A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Seiko Epson Corp | Actuator for optical head |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63211637A patent/JP2699438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (16)
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|---|---|---|---|---|
| JPS49111816A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-24 | ||
| JPS50121798A (ja) * | 1974-03-14 | 1975-09-23 | ||
| JPS50143705A (ja) * | 1974-05-09 | 1975-11-19 | ||
| JPS54121999A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-21 | Toshiba Corp | Manufacture of permanent magnet |
| JPS5599703A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of anisotropic resin magnet |
| JPS5782446A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-22 | Seiko Epson Corp | Rare earth element-cobalt permanent magnet |
| JPS58218051A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Ricoh Co Ltd | 光ピツクアツプ |
| JPS59140335A (ja) * | 1983-01-29 | 1984-08-11 | Hitachi Metals Ltd | 希土類コバルト系異形焼結磁石の製造方法 |
| JPS60221549A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Seiko Epson Corp | 希土類永久磁石 |
| JPS61114503A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 樹脂磁石用サマリウム−コバルト系磁石粉末の製造方法 |
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| JPS61266502A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 永久磁石用原料粉体の製造方法 |
| JPS62177146A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-04 | Daido Steel Co Ltd | 永久磁石材料の製造方法 |
| JPS62177158A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-04 | Daido Steel Co Ltd | 永久磁石材料およびその製造方法 |
| JPS62177101A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-04 | Daido Steel Co Ltd | 永久磁石材料の製造方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015035003A (ja) * | 2009-08-21 | 2015-02-19 | ミツミ電機株式会社 | カメラの手振れ補正装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2699438B2 (ja) | 1998-01-19 |
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