JPH01294567A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- JPH01294567A JPH01294567A JP63123641A JP12364188A JPH01294567A JP H01294567 A JPH01294567 A JP H01294567A JP 63123641 A JP63123641 A JP 63123641A JP 12364188 A JP12364188 A JP 12364188A JP H01294567 A JPH01294567 A JP H01294567A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、一定の温度で電気抵抗がゼロになるいわゆる
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すビスマスを含有する超電導体の製造方法に関する。
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すビスマスを含有する超電導体の製造方法に関する。
B1発明の概要
本発明は、ビスマス(Bi)を含有する超電導体、例え
ば、ビスマス(Bi)、ストロンチウム(Sr)、カル
シウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B1−9r−Ca
−Cu−0系の超電導体、の製造方法であり、焼成時に
ビスマスが飛散減少するのを防止するために、超電導体
原料とビスマスを含有した抑制体とを同じ容器に入れて
焼成するものである。
ば、ビスマス(Bi)、ストロンチウム(Sr)、カル
シウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B1−9r−Ca
−Cu−0系の超電導体、の製造方法であり、焼成時に
ビスマスが飛散減少するのを防止するために、超電導体
原料とビスマスを含有した抑制体とを同じ容器に入れて
焼成するものである。
C1従来の技術
1911年にカメリング・オンネスにより超電導現象が
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発が
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)が高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発が
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)が高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
最近、液体窒素の温度77に以上の温度にて超電導現象
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが105に程度を示
すB1−9r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが105に程度を示
すB1−9r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
D1発明が解決しようとする課題
萌述のような材料は、液体窒素の温度以上の温度で超電
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
しかし、上述のようなり 1−8r−Ca−Cu−O系
の超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)を含むため
に、原料を焼成炉で直接に焼成すると、熱負荷によって
Biが飛散し、出発混合時の組成と最終生成物の組成と
の間で「ずれ」が生じる問題がある。
の超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)を含むため
に、原料を焼成炉で直接に焼成すると、熱負荷によって
Biが飛散し、出発混合時の組成と最終生成物の組成と
の間で「ずれ」が生じる問題がある。
発明者らの実験によれば、温度830〜880℃で数時
間焼成した場合に、ビスマスの含有量は混合時の量に対
して、7〜8%減少していることが判った。
間焼成した場合に、ビスマスの含有量は混合時の量に対
して、7〜8%減少していることが判った。
これを解決するには、ビスマスの飛散減少を見込んだ贋
のビスマスを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
のビスマスを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
従って、ビスマスを含有した超電導体の場合にあっては
、超電導性能の低下、不安定を(召来しやすく、量産化
した場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
、超電導性能の低下、不安定を(召来しやすく、量産化
した場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
これらの点に鑑み、本発明は、品質の安定したBi金含
有超電導体、例えば、B1−8r−Ca−Cu−0系の
超電導体の製造方法を提供しようとするものである。
有超電導体、例えば、B1−8r−Ca−Cu−0系の
超電導体の製造方法を提供しようとするものである。
E1課題を解決するための手段
本発明は、ビスマス(Bi)を含有する超電導体の原料
(例えば、各々酸素と化合したビスマス。
(例えば、各々酸素と化合したビスマス。
ストロンチウム、カルシウム、及び銅の粉末を混合した
混合物)と、ビスマスを含有する抑制体とを同じ焼成用
の容器に収納し、これを焼成炉にて焼成することにより
焼結体、すなわち超電導体を得るものである。
混合物)と、ビスマスを含有する抑制体とを同じ焼成用
の容器に収納し、これを焼成炉にて焼成することにより
焼結体、すなわち超電導体を得るものである。
なお、
■容器本体、蓋は、ビスマスと著しく反応しない材料(
例えばアルミナセラミックス)で形成する。
例えばアルミナセラミックス)で形成する。
■ビスマスを含有する抑制体は、Biを含む化合物であ
り、 (イ)酸素と化合したビスマス、例えばBizO3゜ (ロ)焼成温度で分解、酸化1反応してBttO3とな
るもの。
り、 (イ)酸素と化合したビスマス、例えばBizO3゜ (ロ)焼成温度で分解、酸化1反応してBttO3とな
るもの。
(ハ)焼成する超電導体と同じ組成の粉体、または加圧
した成形体。
した成形体。
なお、加圧した成形体の場合には、
超電導体用の成形体よりも低い圧力
で加圧したもの。
(ニ)超電導体用の原料におけるビスマス成分よりビス
マス量を2倍程度多く したもの。
マス量を2倍程度多く したもの。
(ホ)ビスマスを含有する化合物で、超電導体を形成す
る成分のストロンチウ ム、カルシウム、及び銅の内の1種 類以上の成分を含むもの、例えば、 B 12CuO4゜ (へ)ビスマス含有物をスラリー状にして、これを有機
物からなる多孔質物質に 吸収させて乾燥したもの。
る成分のストロンチウ ム、カルシウム、及び銅の内の1種 類以上の成分を含むもの、例えば、 B 12CuO4゜ (へ)ビスマス含有物をスラリー状にして、これを有機
物からなる多孔質物質に 吸収させて乾燥したもの。
(ト)(へ)項のものを加熱(例えば600℃)して有
機物を分解し、ビスマス物質 の多孔質体に形成したもの。
機物を分解し、ビスマス物質 の多孔質体に形成したもの。
(チ)ビスマスを含む物質を無機質のセラミックス多孔
質体に含浸乾燥したも の。
質体に含浸乾燥したも の。
が該当する。
■抑制体の形態は、
(イ)粉体の状態で設ける。
(ロ)加圧成形したブロックで設ける。
この場合は、超電導体用の成形体よ
りも低い圧力で加圧する。
(ハ)ビスマスを多孔質体に含浸したもの、または多孔
質のビスマス含有体に加 工したものを設ける。
質のビスマス含有体に加 工したものを設ける。
が該当し、設置箇所数は複数とするのが望ましい。
■焼成の温度は、830〜880℃とするのが好ましい
。
。
また原料を仮焼成する場合には、後工程の焼成温度以下
の、例えば830℃以下で仮焼成する。
の、例えば830℃以下で仮焼成する。
■超電導体の原料は、各々酸素と化合したBi。
Sr、Ca、 Cuの粉末、
例えば、酸化物、炭酸化物、水酸化物、の様な化合物粉
末を用いる。
末を用いる。
例えば、ビスマス酸化物(Bi203)、銅酸化物(C
ub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCO:+)、ストロンチ
ウム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)り、カルシ
ウム炭酸化物(Ca CO3)、カルシウム酸化物(C
ab)、 カルシウム水酸化物(Ca (OH)z)、が該当する
。
ub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCO:+)、ストロンチ
ウム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)り、カルシ
ウム炭酸化物(Ca CO3)、カルシウム酸化物(C
ab)、 カルシウム水酸化物(Ca (OH)z)、が該当する
。
■超電導体のBf、Sr、Ca、Cuの成分原子比の関
係は出発時(混合時)換算で、同じアルカリ土類である
Sr、Caの関係が、Sr :Ca=1 + 0.3〜
3゜ 他のBi、Cuの関係が、 B i : Cu=1 +1.8〜4゜そしてこれら両
者の関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Cu)=I : 1〜2゜の
範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ又は極
微小値)が生じる焼結体を得ることができる。
係は出発時(混合時)換算で、同じアルカリ土類である
Sr、Caの関係が、Sr :Ca=1 + 0.3〜
3゜ 他のBi、Cuの関係が、 B i : Cu=1 +1.8〜4゜そしてこれら両
者の関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Cu)=I : 1〜2゜の
範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ又は極
微小値)が生じる焼結体を得ることができる。
F1作用
超電導体用の原料と抑制体とを同じ容器内に収納して焼
成するので、容器内をビスマスに富む雰囲気とすること
ができ、この結果原料からのビスマスの飛散は抑制でき
る。
成するので、容器内をビスマスに富む雰囲気とすること
ができ、この結果原料からのビスマスの飛散は抑制でき
る。
G、実施例
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、超電導体の原料である成形体1について説明する
。
。
出発原料として粒径lOμl以下のビスマス酸化物(B
itOa)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(SrCO
*)の粉末、カルンウム炭酸化物(CaC03)の粉末
、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11mo1%
、22.22mo1%、22.22moL%、44.4
4mo1%となるように秤虫する。
itOa)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(SrCO
*)の粉末、カルンウム炭酸化物(CaC03)の粉末
、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11mo1%
、22.22mo1%、22.22moL%、44.4
4mo1%となるように秤虫する。
次に、これらの粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
そし2て、バインダーとしてポリビニルアルコールを、
原料粉末に対して1MM%となるようにポリビニルアル
コール溶液の形で添加する。
原料粉末に対して1MM%となるようにポリビニルアル
コール溶液の形で添加する。
そしてアルコールを更に加え充分に混練した後、乾燥し
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
次に、この造粒粉を金型に充填した後、1〜2Ton/
cm”程度の圧力で圧縮成形して、ダ径40■、厚み6
jIffの成形体1を作る。
cm”程度の圧力で圧縮成形して、ダ径40■、厚み6
jIffの成形体1を作る。
次に、ビスマスを含有する抑制体2は、前記成形体lと
同じ組成成分の造粒粉を用いて、前記成形体lの加圧力
より低い圧力の約300 ky/ cR″で加圧成形し
形成する。
同じ組成成分の造粒粉を用いて、前記成形体lの加圧力
より低い圧力の約300 ky/ cR″で加圧成形し
形成する。
次に、この成形体lを焼成する場合について説明する。
焼成に使用する容器は、第1図のように上部か開口した
アルミナセラミックスからなる容器本体3と、同材料か
らなるこの容器の開口部を閉鎖する蓋4とからなる。
アルミナセラミックスからなる容器本体3と、同材料か
らなるこの容器の開口部を閉鎖する蓋4とからなる。
まず、成形体lを容器本体3内にセットする際には、ま
ずアルミ大板から成るスペーサ5を容器底部に置き、そ
の上に前記成形体1と同じ組成の粉末を敷粉6として薄
く置く。そして、この敷粉6の上に前記成形体Iを載せ
る。
ずアルミ大板から成るスペーサ5を容器底部に置き、そ
の上に前記成形体1と同じ組成の粉末を敷粉6として薄
く置く。そして、この敷粉6の上に前記成形体Iを載せ
る。
一方、抑制体2の容器内への設置は、複数個の抑制体2
を用意し、まず前記成形体lの周囲で且つ容器底部に複
数個アルミナ板から成るスペーサ7を置き、その旧に前
記成形体1と同じ組成の粉末を敷粉8として薄く置く。
を用意し、まず前記成形体lの周囲で且つ容器底部に複
数個アルミナ板から成るスペーサ7を置き、その旧に前
記成形体1と同じ組成の粉末を敷粉8として薄く置く。
そして、この敷粉8の上に各々抑制体2を載せる。
次に、容器本体3の開口部を塞ぐために、蓋4を載せ、
この状態の容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で、
且つ830〜880°Cの温度で数時間加熱して成形体
lを焼成して焼結体(セラミックス)を得る。
この状態の容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で、
且つ830〜880°Cの温度で数時間加熱して成形体
lを焼成して焼結体(セラミックス)を得る。
焼成時にあっては、ビスマスを含有する抑制体2の存在
、及び容器本体3が蓋4で略閉鎖されていることから、
容器内はビスマスに富む雰囲気となる。
、及び容器本体3が蓋4で略閉鎖されていることから、
容器内はビスマスに富む雰囲気となる。
上記の製造方法により得られた焼結体を、幅4■、厚さ
4 mm、長さ40mxの形状に切り出して第2図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
4 mm、長さ40mxの形状に切り出して第2図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
即ち第2図は、抵抗値を測定するための説明図で、焼結
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a’
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子&
、λ′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a’
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子&
、λ′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
その結果、絶対温度的110にで超電導現象が始まり約
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
また、焼成後のビスマス遣を測定した結果、混合時の量
に対して2〜3%の減少に留どまっていH9発明の効果 以上のように本発明による製造方法によれば、略閉鎖し
た容器本体内に、超電導体の原料と、ビスマスを含有す
る抑制体とを一緒に入れて焼成しているので、容器内の
超電導体の原料はビスマスに富む雰囲気にて焼成される
ことになり、原料からのビスマスの飛散は効果的に抑制
でき、ビスマスの減少は初期混合時の2〜3%の減少に
留どめることかできる。
に対して2〜3%の減少に留どまっていH9発明の効果 以上のように本発明による製造方法によれば、略閉鎖し
た容器本体内に、超電導体の原料と、ビスマスを含有す
る抑制体とを一緒に入れて焼成しているので、容器内の
超電導体の原料はビスマスに富む雰囲気にて焼成される
ことになり、原料からのビスマスの飛散は効果的に抑制
でき、ビスマスの減少は初期混合時の2〜3%の減少に
留どめることかできる。
よって組成が安定化し、結果として品質の安定した超電
導体を得ることができる。
導体を得ることができる。
また、ビスマス(Bi)、ストロンチウム(Sr)。
カルシウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B1−5r−
Ca−Cu−0系の超電導体、にあっては、液体窒素温
度(77K)において超電導状態となる。
Ca−Cu−0系の超電導体、にあっては、液体窒素温
度(77K)において超電導状態となる。
しかも、従来のイツトリウムを用いたものは、Tcが9
0に程度であったが、本発明のものにあっては、約10
5にであり、より高温度で超電導現象1を生じることか
ら安定した超電導状態を維持できるものである。
0に程度であったが、本発明のものにあっては、約10
5にであり、より高温度で超電導現象1を生じることか
ら安定した超電導状態を維持できるものである。
従って安価な原材料にて超電導体を形成でき、その上液
体窒素温度での冷却でよいことから、−層実用化に近付
き、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計
器素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能と
なる等極めて優れた効果を発揮する。
体窒素温度での冷却でよいことから、−層実用化に近付
き、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計
器素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能と
なる等極めて優れた効果を発揮する。
第1図は本発明における方法の説明断面図、第2図は本
発明の焼結体の抵抗値測定の方法を説明するだめの説明
図である。 1・・・成形体、2・・・抑制体、3・・・容器本体、
4・・・蓋、a、a’・・・電流供給用端子、b、b’
・・・電圧測定端子、S・・・焼結体。
発明の焼結体の抵抗値測定の方法を説明するだめの説明
図である。 1・・・成形体、2・・・抑制体、3・・・容器本体、
4・・・蓋、a、a’・・・電流供給用端子、b、b’
・・・電圧測定端子、S・・・焼結体。
Claims (2)
- (1)開口部を有する容器本体内に、酸素と化合したビ
スマスを含有する超電導体原料と、ビスマスを含有する
抑制体とを収納し、容器本体の開口部を蓋で覆い、これ
を焼成炉にて焼成することにより超電導体を得ることを
特徴とする超電導体の製造方法。 - (2)各々酸素と化合したビスマス,ストロンチウム,
カルシウム、及び銅の粉末を混合した超電導体原料と、
ビスマスを含有する抑制体とを収納し、容器本体の開口
部を蓋で覆い、これを焼成炉にて焼成することにより超
電導体を得ることを特徴とする超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123641A JP2699407B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123641A JP2699407B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294567A true JPH01294567A (ja) | 1989-11-28 |
| JP2699407B2 JP2699407B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=14865620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123641A Expired - Fee Related JP2699407B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699407B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239051A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Fujitsu Ltd | 超伝導セラミックスの製造方法 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123641A patent/JP2699407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239051A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Fujitsu Ltd | 超伝導セラミックスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2699407B2 (ja) | 1998-01-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |