JPH01294568A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- JPH01294568A JPH01294568A JP63123642A JP12364288A JPH01294568A JP H01294568 A JPH01294568 A JP H01294568A JP 63123642 A JP63123642 A JP 63123642A JP 12364288 A JP12364288 A JP 12364288A JP H01294568 A JPH01294568 A JP H01294568A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、一定の温度で電気抵抗がゼロになるいわゆる
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すB i−S r−Ca−Gu−0系の超電導体の製
造方法に関する。
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すB i−S r−Ca−Gu−0系の超電導体の製
造方法に関する。
B1発明の概要
本発明は、各々酸素と化合した、ビスマス(Bi)。
ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)。
銅(Cu)の粉末を出発原料とし、これら粉末の混合粉
末を仮焼成し、更に仮焼成後の粉末の成形体を仮焼成し
、最後の本焼成を閉鎖容器にて行うこと1こより、ビス
マスの飛散減少を防止した、B t−S r−Ca−C
u−0系の超電導体の製造方法であり、焼結体が液体窒
素温度以上(絶対温度77℃)以上で超電導を示す超電
導体の製造方法にある。
末を仮焼成し、更に仮焼成後の粉末の成形体を仮焼成し
、最後の本焼成を閉鎖容器にて行うこと1こより、ビス
マスの飛散減少を防止した、B t−S r−Ca−C
u−0系の超電導体の製造方法であり、焼結体が液体窒
素温度以上(絶対温度77℃)以上で超電導を示す超電
導体の製造方法にある。
C1従来の技術
1911年にカメリング・オンネスにより超電導現象が
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発か
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)か高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発か
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)か高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
最近、液体窒素の温度77に以上の温度にて超電導現象
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが!05に程度を示
すB1−5r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが!05に程度を示
すB1−5r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
D1発明が解決しようとする課題
前述のような材料は、液体窒素の温度以上の温度で超電
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
しかし、上述のようなり i−9r−Ca−Cu−0系
の超電導体は、出発物質にビスマス(13i)を含むた
めに、混合成形体等を焼成炉で直接に焼成すると、熱負
荷によってBiが飛散し、出発混合時の組成と最終生成
物の組成との間で1ずれ」が生じる問題がある。
の超電導体は、出発物質にビスマス(13i)を含むた
めに、混合成形体等を焼成炉で直接に焼成すると、熱負
荷によってBiが飛散し、出発混合時の組成と最終生成
物の組成との間で1ずれ」が生じる問題がある。
発明者らの実験によれば、温度830〜880℃で数時
間焼成した場合に、ビスマスの含有量は混合時の量に対
して、7〜8%減少していることが判った。
間焼成した場合に、ビスマスの含有量は混合時の量に対
して、7〜8%減少していることが判った。
これを解決するには、ビスマスの飛散減少を見込んだ量
のビスマスを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
のビスマスを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
また、所定の粉末を混合して直ちに焼成すると焼結体に
割れが生じたりして品質が不安定な場合があった。
割れが生じたりして品質が不安定な場合があった。
従って、ビスマスを含有した超電導体の場合にあっては
、超電導性能の低下、不安定を招来しやすく、量産化し
た場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
、超電導性能の低下、不安定を招来しやすく、量産化し
た場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
これらの点に鑑み、本発明は、品質の安定したB1−3
r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法を提供しよ
うとするものである。
r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法を提供しよ
うとするものである。
E1課題を解決するための手段
本発明は、各々酸素と化合したビスマス、ストロンチウ
ム、カルシウム、銅の化合物粉末を混合した混合粉末を
作り、これをビスマス化合物の融点以下の温度で仮焼成
し、この仮焼成物を粉砕して加工粉末を作り、そして造
粒して造粒粉を得る。
ム、カルシウム、銅の化合物粉末を混合した混合粉末を
作り、これをビスマス化合物の融点以下の温度で仮焼成
し、この仮焼成物を粉砕して加工粉末を作り、そして造
粒して造粒粉を得る。
この造粒粉を加圧して成形体を作り、そして含有するビ
スマス化合物の融点以下の温度で仮焼成し、この仮焼成
後の成形体を閉鎖容器に収納して、これら容器と成形体
とを酸化性雰囲気中で且つ830〜880℃の範囲の温
度で本焼成して焼結体、すなわち超電導体を得るもので
ある。
スマス化合物の融点以下の温度で仮焼成し、この仮焼成
後の成形体を閉鎖容器に収納して、これら容器と成形体
とを酸化性雰囲気中で且つ830〜880℃の範囲の温
度で本焼成して焼結体、すなわち超電導体を得るもので
ある。
なお、
■混合粉体の時点での焼成は、焼結体(超電導体)に悪
影響を及ぼす、反応1分解によって発生するガス(例え
ばco!ガス)を除去するものであり、例えば800〜
900°Cの温度で焼成する。
影響を及ぼす、反応1分解によって発生するガス(例え
ばco!ガス)を除去するものであり、例えば800〜
900°Cの温度で焼成する。
ただ、含有するビスマスの飛散を極力防止するためには
、含有するビスマス化合物の融点以下の温度にて焼成す
るのが好ましい。例えば、ビスマスをBi、03の形で
使用する場合は、これの融点(約820℃)以下の80
0〜820℃で焼成する。
、含有するビスマス化合物の融点以下の温度にて焼成す
るのが好ましい。例えば、ビスマスをBi、03の形で
使用する場合は、これの融点(約820℃)以下の80
0〜820℃で焼成する。
また、焼成はガス放出の点から周囲が開放された状態で
行う。
行う。
例えば、混合粉末を容器に入れて焼成する場合は、蓋は
しないか、又は隙間を置いて蓋をする。
しないか、又は隙間を置いて蓋をする。
■成形体の焼成は、含まれるバイダ等の有機物の反応9
分解によって発生するガスを除去するものであり、上記
の■の場合と同様な条件で焼成する。ただし、組成成分
に起因する発生ガスは除去しているので温度は低温(例
えば約600℃)であっても差し支えない。
分解によって発生するガスを除去するものであり、上記
の■の場合と同様な条件で焼成する。ただし、組成成分
に起因する発生ガスは除去しているので温度は低温(例
えば約600℃)であっても差し支えない。
■閉鎖容器は、略閉鎖容器でよく、例えば自然に置いた
蓋を有する容器で差し支えない。また、アルミナセラミ
ックスで形成する。
蓋を有する容器で差し支えない。また、アルミナセラミ
ックスで形成する。
■出発物質は、各々酸素と化合したBi、Sr。
Ca、Cuの粉末、例えば、酸化物、炭酸化物、水酸化
物、の様な化合物粉末を用いる。
物、の様な化合物粉末を用いる。
例えば、ビスマス酸化物(B i to 3)、銅酸化
物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCO3)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)y)、カル
シウム炭酸化物(Ca CO3)、カルシウム酸化物(
Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(014)t)、が該当する
。
物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCO3)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)y)、カル
シウム炭酸化物(Ca CO3)、カルシウム酸化物(
Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(014)t)、が該当する
。
■焼結体のBi、Sr、Ca、Cuの成分原子比の関係
を出発時(混合時)換算で、 同じアルカリ土類であるSr、Caの関係が、S r
: Ca= 1 : 0.3〜3゜他のBi、Cuの関
係が、 B i : Cu= 1 + 1.8〜4゜そしてこれ
ら両者の関係が、 (Sr+Ca)+(Bi+Cu)−1: l〜2゜の範
囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ又は極微
小値)が生じる焼結体を得ることができる。
を出発時(混合時)換算で、 同じアルカリ土類であるSr、Caの関係が、S r
: Ca= 1 : 0.3〜3゜他のBi、Cuの関
係が、 B i : Cu= 1 + 1.8〜4゜そしてこれ
ら両者の関係が、 (Sr+Ca)+(Bi+Cu)−1: l〜2゜の範
囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ又は極微
小値)が生じる焼結体を得ることができる。
F9作用
ビスマスを含む原料を、初期の混合粉末の時点と、成形
体の時点の2回仮焼成しているので、反応1分解により
発生するガスは、この時点で殆ど除去され、本焼成の際
のガスの発生は僅かである。
体の時点の2回仮焼成しているので、反応1分解により
発生するガスは、この時点で殆ど除去され、本焼成の際
のガスの発生は僅かである。
従って、本焼成は、成形体を閉鎖容器内に収納して行う
ことができるので、ビスマスの飛散は抑制できる。
ことができるので、ビスマスの飛散は抑制できる。
G、実施例
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、混合粉末の生成について説明する。
出発原料として粒径10μR以下のビスマス酸化物(B
iyOs)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(SrCO
s)の粉末、カルシウム炭酸化物(CaC03)の粉末
、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11mo 1
%、22.22mo1%、22.22mo1%、44.
44mo1%となるように秤量する。
iyOs)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(SrCO
s)の粉末、カルシウム炭酸化物(CaC03)の粉末
、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11mo 1
%、22.22mo1%、22.22mo1%、44.
44mo1%となるように秤量する。
次に、これらの粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥し
て混合粉末を得る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥し
て混合粉末を得る。
次に、この混合粉末Iを、第1図に示す上部が開口した
アルミナセラミックスからなる容器2に入れ、約800
°Cで2時間の条件で焼成(仮焼成)する。この際に、
例えば混合成分のSrCO3゜Ca COsに含まれる
CO,ガス等が発生放出する。
アルミナセラミックスからなる容器2に入れ、約800
°Cで2時間の条件で焼成(仮焼成)する。この際に、
例えば混合成分のSrCO3゜Ca COsに含まれる
CO,ガス等が発生放出する。
次に、得られた焼成粉を充分に粉砕し微細化した加工粉
末を得る。
末を得る。
次に、この加工粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
そして、バインダーとしてポリビニルアルコールを、原
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
更にアルコールを加え充分に混練した後、乾燥し5、ふ
るいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得る。
るいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得る。
次に、この造粒粉を金型に充填した後、1〜2Ton/
cm″程度の圧力で圧縮成形して、外径40■、厚み約
6M11の成形体3を作る。
cm″程度の圧力で圧縮成形して、外径40■、厚み約
6M11の成形体3を作る。
次に、この成形体3を容器2にセットする際には、第2
図のように、まずアルミナ板から成るスペーサ4を容器
底部に置き、その上にこの成形体3と同じ組成の粉末を
敷粉5として薄く置く。そして、この敷粉5の上に成形
体3を載せる。
図のように、まずアルミナ板から成るスペーサ4を容器
底部に置き、その上にこの成形体3と同じ組成の粉末を
敷粉5として薄く置く。そして、この敷粉5の上に成形
体3を載せる。
この状態において、約600℃で2時間の条件で成形体
3を焼成(仮焼成)する。この際に、成形体3に残存し
ている有機物のバインダが分解ガスとなって放出される
。
3を焼成(仮焼成)する。この際に、成形体3に残存し
ている有機物のバインダが分解ガスとなって放出される
。
次に、仮焼成した成形体6を、第3図に示すように容器
2内に(前述の第2図の場合と同様にして)収納し、容
器2の開口部を塞ぐために、M7を載せ、この状態の閉
鎖容器を焼成炉内に設置して、酸化性雰囲気で、且つ8
30〜880℃の温度で数時間加熱して焼結体(セラミ
ックス)を得る。
2内に(前述の第2図の場合と同様にして)収納し、容
器2の開口部を塞ぐために、M7を載せ、この状態の閉
鎖容器を焼成炉内に設置して、酸化性雰囲気で、且つ8
30〜880℃の温度で数時間加熱して焼結体(セラミ
ックス)を得る。
上記の製造方法により得られた焼結体を、幅4肩肩、厚
さ4m肩、長さ40肩貢の形状に切り出して第4図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
さ4m肩、長さ40肩貢の形状に切り出して第4図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
即ち第4図は、抵抗値を測定するための説明図で、焼結
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子 、a/
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子a
、a’に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子 、a/
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子a
、a’に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
その結果、絶対温度的110にで超電導現象が始まり約
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
また、焼成後のビスマス量を測定した結果、混合時の量
に対して2〜3%の減少に留どまっていた。
に対して2〜3%の減少に留どまっていた。
H0発明の効果
以上のように本発明による超電導体は、液体窒素温度(
77K)において超電導状態となる。
77K)において超電導状態となる。
しかも、従来のイツトリウムを用いたものは、Tcが9
0に程度であったが、本発明のものにあっては、約10
5にであり、より高温度で超電導現象を生じることから
安定した超電導状態を維持できるものである。
0に程度であったが、本発明のものにあっては、約10
5にであり、より高温度で超電導現象を生じることから
安定した超電導状態を維持できるものである。
その上、原料の混合粉末を予め焼成(仮焼成)してガス
を放出させており、更に成形体を焼成して残存する有機
物を除去した後に、これを本焼成しているので、 ■焼結体に残存する不純物は極めて少なくなる。
を放出させており、更に成形体を焼成して残存する有機
物を除去した後に、これを本焼成しているので、 ■焼結体に残存する不純物は極めて少なくなる。
■仮焼成を行った原料を使用するので本焼成時の反応が
ゆるやかになる。
ゆるやかになる。
■成形体の本焼成を閉鎖容器内で行えるので、含有する
ビスマスの飛散を防止でき、ビスマスの減少は初期混合
時の2〜3%の減少に留どまる。
ビスマスの飛散を防止でき、ビスマスの減少は初期混合
時の2〜3%の減少に留どまる。
といった効果があり、この結果、組成が安定化し、品質
の安定した超電導体を得ることができる。
の安定した超電導体を得ることができる。
しかも安価な原材料にて超電導体を形成でき、その上液
体窒素温度での冷却でよいことから、−層実用化に近付
き、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計
器素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能と
なる等極めて侵れた効果を発揮する。
体窒素温度での冷却でよいことから、−層実用化に近付
き、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計
器素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能と
なる等極めて侵れた効果を発揮する。
第1図は本発明における混合粉末の仮焼成の説明図、第
2図は本発明における成形体の仮焼成の説明図、第3図
は本発明における本焼成の説明図、第4図は本発明の焼
結体の抵抗値測定の方法を説明するための説明図である
。 ■・・・混合粉末、2・・・容器、3・・・成形体、6
・・・仮焼成した成形体、7・・・蓋、a、a’中電流
供給用端子、b、b’・・・電圧測定端子、S・・・焼
結体。 第1図 混合粉末の仮焼成の説明図 3・成形体 6・・仮焼成した成形体 成形体の仮焼成の説明図 第3図 本焼成の説明図
2図は本発明における成形体の仮焼成の説明図、第3図
は本発明における本焼成の説明図、第4図は本発明の焼
結体の抵抗値測定の方法を説明するための説明図である
。 ■・・・混合粉末、2・・・容器、3・・・成形体、6
・・・仮焼成した成形体、7・・・蓋、a、a’中電流
供給用端子、b、b’・・・電圧測定端子、S・・・焼
結体。 第1図 混合粉末の仮焼成の説明図 3・成形体 6・・仮焼成した成形体 成形体の仮焼成の説明図 第3図 本焼成の説明図
Claims (1)
- (1)各々酸素と化合したビスマス,ストロンチウム,
カルシウム、及び銅の化合物粉末を混合した混合粉末を
得る工程と、 該混合粉末を(ビスマス化合物の融点以下の温度で)仮
焼成してガス放出させる工程と、 該仮焼成物を粉砕して加工粉末を得ると共に造粒して造
粒粉を得ると共に該造粒粉を加圧して成形体を得る工程
と、 該成形体を後工程の本焼成温度以下の温度で仮焼成する
工程と、 該仮焼成後の成形体を閉鎖容器に収納すると共に、これ
ら容器と成形体とを830〜880℃の範囲の温度で本
焼成して焼結体を得る工程と、からなることを特徴とし
た超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123642A JPH01294568A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123642A JPH01294568A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294568A true JPH01294568A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14865647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123642A Pending JPH01294568A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01294568A (ja) |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123642A patent/JPH01294568A/ja active Pending
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