JPH01294564A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- JPH01294564A JPH01294564A JP63123638A JP12363888A JPH01294564A JP H01294564 A JPH01294564 A JP H01294564A JP 63123638 A JP63123638 A JP 63123638A JP 12363888 A JP12363888 A JP 12363888A JP H01294564 A JPH01294564 A JP H01294564A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、一定の温度で電気抵抗がゼロになるいわゆる
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すB1−4;r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造
方法に関する。
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すB1−4;r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造
方法に関する。
B0発明の概要
本発明は、各々酸素と化合した、ビスマス(Bi)。
ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)。
銅(Cu)の粉末の混合粉末の仮焼成時と、この仮焼成
物を粉砕した加工粉末を成形した成形体の本焼成時とに
おいて、内壁にビスマス層を設けた焼成容器を使用する
ことにより、ビスマスの飛散減少を防止した、B1−5
r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法であり、焼
結体が液体窒素温度以上(絶対温度77℃)以上で超電
導を示す超電導体の製造方法にある。
物を粉砕した加工粉末を成形した成形体の本焼成時とに
おいて、内壁にビスマス層を設けた焼成容器を使用する
ことにより、ビスマスの飛散減少を防止した、B1−5
r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法であり、焼
結体が液体窒素温度以上(絶対温度77℃)以上で超電
導を示す超電導体の製造方法にある。
C0従来の技術
1911年にカメリング・オンネスにより超電導現象が
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発が
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)が高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発が
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)が高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
最近、液体窒素の温度77に以上の温度にて超電導現象
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが105に程度を示
すB1−9r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが105に程度を示
すB1−9r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
D3発明が解決しようとする課題
前述のような材料は、液体窒素の温度以上の温度で超電
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
しかし、上述のようなり1−5r−Ca−Cu−O系の
超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)を含むために
、混合成形体等を焼成炉で直接に焼成すると、熱負荷に
よってBiか飛散し、出発混合時の組成と最終生成物の
組成との間で「ずれ」が生じる問題がある。
超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)を含むために
、混合成形体等を焼成炉で直接に焼成すると、熱負荷に
よってBiか飛散し、出発混合時の組成と最終生成物の
組成との間で「ずれ」が生じる問題がある。
発明者らの実験によれば、温度830〜880℃で数時
間焼成した場合に、ビスマスの含有型は混合時の量に対
して、7〜8%減少していることが判った。
間焼成した場合に、ビスマスの含有型は混合時の量に対
して、7〜8%減少していることが判った。
これを解決するには、ビスマスの飛散減少を見込んだ虫
のビスマスを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
のビスマスを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
また、所定の粉末を混合して直ちに焼成すると焼結体に
割れが生じたりして品質が不安定な場合があった。
割れが生じたりして品質が不安定な場合があった。
従って、ビスマスを含有した超電導体の場合にあっては
、超電導性能の低下、不安定を招来しやすく、量産化し
た場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
、超電導性能の低下、不安定を招来しやすく、量産化し
た場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
これらの点に鑑み、本発明は、品質の安定したB i−
9r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法を提供し
ようとするものである。
9r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法を提供し
ようとするものである。
E8課題を解決するための手段
本発明は、各々酸素と化合したビスマス、ス)・ロンヂ
ウム、カルシウム、銅の粉末を混合してまず仮焼成し、
この仮焼成物を粉砕し、この加工粉末を成形して成形体
を作り、これを本焼成して焼結体を作る。
ウム、カルシウム、銅の粉末を混合してまず仮焼成し、
この仮焼成物を粉砕し、この加工粉末を成形して成形体
を作り、これを本焼成して焼結体を作る。
更にこれら仮焼成時及び本焼成時において、内壁にビス
マス層を設けた容器を使用して超電導体を製造する方法
である。
マス層を設けた容器を使用して超電導体を製造する方法
である。
なお、
■焼成容器は、略閉鎖容器でよく、例えば自然に置いた
蓋を有する容器で差し支えない。
蓋を有する容器で差し支えない。
また、塗布物質と著しく反応しない材料(例えばアルミ
ナセラミックス)で形成する。
ナセラミックス)で形成する。
また、容器は緻密質より多孔質の材料にて形成するのが
表面積か大きく取れ、塗布物質を充分施せる点から好ま
しい。
表面積か大きく取れ、塗布物質を充分施せる点から好ま
しい。
■ビスマス層を設ける手段としては、
(イ)ペーストにして塗布する、
(ロ)スラリーにして塗布する、
(ハ)溶液にしてスプレー塗布する、
(ニ)スラリーをスプレー塗布する、
のいずれでもよい。
■施すビスマスの形態は、Bi単体、Biを含む溶液、
Bf化合物、のいずれであってもよい。またBi化合物
としては、 (イ)BiyO8の他、 (ロ)焼成温度で分解、酸化1反応してDirdsとな
るもの、 また、Bf分子種を放出するもの、 が該当する。
Bf化合物、のいずれであってもよい。またBi化合物
としては、 (イ)BiyO8の他、 (ロ)焼成温度で分解、酸化1反応してDirdsとな
るもの、 また、Bf分子種を放出するもの、 が該当する。
0本焼成の温度は、830〜880℃であり、また仮焼
成の温度は本焼成の温度以下で、例えば830℃以下で
ある。
成の温度は本焼成の温度以下で、例えば830℃以下で
ある。
■出発物質は、各々酸素と化合したBi、Sr。
Ca、Cuの粉末、
例えば、酸化物、炭酸化物、水酸化物、の様な化合物粉
末を用いる。
末を用いる。
例えば、ビスマス酸化物(BiyOs)、銅酸化物(C
ub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCOa)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)2)、カル
シウム炭酸化物(CaCOs)、 カルシウム酸化物(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(OH)y)、が該当する。
ub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCOa)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)2)、カル
シウム炭酸化物(CaCOs)、 カルシウム酸化物(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(OH)y)、が該当する。
■焼結体のBi、Sr、Ca、Cuの成分原子比の関係
を出発時(混合時)換算で、 同じアルカリ土類であるSr、Caの関係が、S r
: Ca= l : 0.3〜3゜他のBi、Cuの関
係が、 Bi :Cu=1 : 1.8〜4゜ そしてこれら両者の関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Cu)=1 : 1〜2゜の
範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ又は極
微小値)が生じる焼結体を得ることができる。
を出発時(混合時)換算で、 同じアルカリ土類であるSr、Caの関係が、S r
: Ca= l : 0.3〜3゜他のBi、Cuの関
係が、 Bi :Cu=1 : 1.8〜4゜ そしてこれら両者の関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Cu)=1 : 1〜2゜の
範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ又は極
微小値)が生じる焼結体を得ることができる。
F0作用
ビスマスを含む混合物を、内壁にビスマス層を設けた容
器内にて仮焼成、及び本焼成するので、焼成容器内はビ
スマスに富む雰囲気となり、この結果混合物からのビス
マスの飛散は抑制できる。
器内にて仮焼成、及び本焼成するので、焼成容器内はビ
スマスに富む雰囲気となり、この結果混合物からのビス
マスの飛散は抑制できる。
また、原料粉末を予め本焼成温度以下の温度で仮焼成し
たものを粉砕した加工粉末にて成形体を作り、これを本
焼成しているので、本焼成時の反応がゆるやかになり、
割れは防止できる。
たものを粉砕した加工粉末にて成形体を作り、これを本
焼成しているので、本焼成時の反応がゆるやかになり、
割れは防止できる。
G、実施例
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、焼成容器は第1図のように上部が開口したアルミ
ナセラミックスからなる仮焼成容器IA、本焼成容器1
Bと、後述する蓋6とで形成する。
ナセラミックスからなる仮焼成容器IA、本焼成容器1
Bと、後述する蓋6とで形成する。
そして、Bi*03に水を加え充分に混練してBjyO
3のペーストを作り、これを両焼成容器IA、IBの内
壁に塗布乾燥してビスマス層2を設ける。
3のペーストを作り、これを両焼成容器IA、IBの内
壁に塗布乾燥してビスマス層2を設ける。
次に、出発原料として粒径lOμ肩以下のビスマス酸化
物(BizO3)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(S
rCO3)の粉末、カルシウム炭酸化物(CaCO3)
の粉末、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11m
o1%、22.22m。
物(BizO3)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(S
rCO3)の粉末、カルシウム炭酸化物(CaCO3)
の粉末、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11m
o1%、22.22m。
1%、22.22mo 1%、44.44mo1%とな
るように秤量する。
るように秤量する。
次に、これらの粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
次に乾燥して得た混合粉末3を容器4に入れ、この容器
4をアルミナ板スペーサ5を介して前記仮焼成容器IA
内に収納し、そして蓋6で仮焼成容器IAの上部開口部
を略覆い、これを焼成炉にて、酸化性雰囲気中で且つ後
工程の本焼成の温度より低い温度(約830℃以下)で
約4時間加熱処理(いわゆる仮焼成)する。
4をアルミナ板スペーサ5を介して前記仮焼成容器IA
内に収納し、そして蓋6で仮焼成容器IAの上部開口部
を略覆い、これを焼成炉にて、酸化性雰囲気中で且つ後
工程の本焼成の温度より低い温度(約830℃以下)で
約4時間加熱処理(いわゆる仮焼成)する。
次に得られた焼成粉を充分に粉砕し微細化した加工粉末
を得る。
を得る。
次に、この加工粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
そして、バインダーとしてポリビニルアルコールを、原
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
そしてアルコールを更に加え充分に混練した後、乾燥し
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
次に、この造粒粉を金型に充填した後、1〜2T o
n /ax’程度の圧力で圧縮成形して、外径40xx
、厚み611Mの成形体7を作る。
n /ax’程度の圧力で圧縮成形して、外径40xx
、厚み611Mの成形体7を作る。
次に、前記成形体7を前記本焼成容器IB内にセットす
る際には、第3図のように、まずアルミナ板から成るス
ペーサ5を容器底部に置き、その上に前記成形体7と同
じ組成の粉末を敷粉8として薄く置く。そして、この敷
粉8の上に前記成形体7を載せる。
る際には、第3図のように、まずアルミナ板から成るス
ペーサ5を容器底部に置き、その上に前記成形体7と同
じ組成の粉末を敷粉8として薄く置く。そして、この敷
粉8の上に前記成形体7を載せる。
更に本焼成容器IBの開口部を塞ぐために、蓋6を載せ
、この状態の容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で
、且つ面記仮焼成時の温度より高い温度の830〜88
0℃の温度で数時間加熱して焼結体(セラミックス)を
得る。
、この状態の容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で
、且つ面記仮焼成時の温度より高い温度の830〜88
0℃の温度で数時間加熱して焼結体(セラミックス)を
得る。
上記の製造方法により得られた焼結体を、幅4屑!、厚
さ4R1,長さ40xxの形状に切り出して第4図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
さ4R1,長さ40xxの形状に切り出して第4図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
即ち第4図は、抵抗値を測定するための説明図で、焼結
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a’
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子a
、a’に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a’
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子a
、a’に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
その結果、絶対温度的110にで超電導現象が始まり約
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
また、焼成後のビスマス量を測定した結果、混合時の量
に対して2〜3%の減少に留どまっていた。
に対して2〜3%の減少に留どまっていた。
H1発明の効果
以上のように本発明による超電導体は、液体窒素温度(
77K)において超電導状態となる。
77K)において超電導状態となる。
しから、従来のイツトリウムを用いたものは、Tcが9
0に程度であったが、本発明のものにあっては、約10
5にであり、より高温度で超電導現象を生じることから
安定した超電導状態を維持できるものである。
0に程度であったが、本発明のものにあっては、約10
5にであり、より高温度で超電導現象を生じることから
安定した超電導状態を維持できるものである。
その上、原料粉末を予め本焼成温度以下の温度で加熱処
理したものを粉砕した加工粉末にて成形体を作り、これ
を本焼成しているので本焼成時の反応がゆるやかになり
、品質の安定した超電導体を得ることができる。
理したものを粉砕した加工粉末にて成形体を作り、これ
を本焼成しているので本焼成時の反応がゆるやかになり
、品質の安定した超電導体を得ることができる。
更に、仮焼成時、及び本焼成時において、混合粉末、及
び成形体を内壁にビスマス層を施した容器に入れて焼成
するので、容器内はビスマスに富む雰囲気となることか
ら、混合粉末、及び成形体からのビスマスの飛散は抑制
でき、ビスマスの減少は初期混合時の2〜3%の減少に
留どまり、組成が安定化し、結果として品質の安定した
超電導体を得ることができる。
び成形体を内壁にビスマス層を施した容器に入れて焼成
するので、容器内はビスマスに富む雰囲気となることか
ら、混合粉末、及び成形体からのビスマスの飛散は抑制
でき、ビスマスの減少は初期混合時の2〜3%の減少に
留どまり、組成が安定化し、結果として品質の安定した
超電導体を得ることができる。
しかも安価な原材料にて超電導体を形成でき、その上液
体窒素温度での冷却でよいことから、−層実用化に近付
き、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計
器素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能と
なる等極めて優れた効果を発揮する。
体窒素温度での冷却でよいことから、−層実用化に近付
き、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計
器素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能と
なる等極めて優れた効果を発揮する。
第1図は本発明で用いるビスマス層を内壁に設けた仮焼
成容器1本焼成容器の断面図、第2図は仮焼成時におい
て容器内に混合粉末をセットした説明図、第3図は本焼
成時において容器内に成形体をセットした説明図、第4
図は本発明の焼結体の抵抗値測定の方法を説明するため
の説明図である。 +A、IB・・・(仮、本)焼成容器、2・・・ビスマ
ス層、3・・・混合粉末、7・・・成形体、a、a’・
・・電流供給用端子、b、b’・・・電圧測定端子、S
・・・焼結体。 第1図 焼成容器の断面図 3・混合粉 7・・成形体 第2図 混合粉末をセットした説明図 成形体をセットした説明図
成容器1本焼成容器の断面図、第2図は仮焼成時におい
て容器内に混合粉末をセットした説明図、第3図は本焼
成時において容器内に成形体をセットした説明図、第4
図は本発明の焼結体の抵抗値測定の方法を説明するため
の説明図である。 +A、IB・・・(仮、本)焼成容器、2・・・ビスマ
ス層、3・・・混合粉末、7・・・成形体、a、a’・
・・電流供給用端子、b、b’・・・電圧測定端子、S
・・・焼結体。 第1図 焼成容器の断面図 3・混合粉 7・・成形体 第2図 混合粉末をセットした説明図 成形体をセットした説明図
Claims (1)
- (1)各々酸素と化合したビスマス,ストロンチウム,
カルシウム、及び銅の粉末を混合した混合粉末を容器に
収納する工程と、 内壁にビスマス層を設けた仮焼成容器内に、前記容器を
収納し、これら容器と混合粉末とを酸化性雰囲気中で且
つ後工程の本焼成の温度より低い温度にて仮焼成し、該
仮焼成物を粉砕して加工粉末を得ると共に造粒して造粒
粉を得る工程と、該造粒粉を加圧して成形体を得る工程
と、 内壁にビスマス層を設けた本焼成容器内に該成形体を収
納すると共に、これら容器と成形体を830〜880℃
の範囲の温度で本焼成して焼結体を得る工程、 とからなることを特徴とした超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123638A JP2556096B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123638A JP2556096B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294564A true JPH01294564A (ja) | 1989-11-28 |
| JP2556096B2 JP2556096B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=14865540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123638A Expired - Fee Related JP2556096B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556096B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123638A patent/JP2556096B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2556096B2 (ja) | 1996-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |