JPH01295413A - プラズマ気相成長方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 半導体素子の微細化に必要とされる象、峻なドーピング
プロファイルを持つエピタキシャル基板を製造するのに
適したプラズマ気相成長方法及びその装置に関する。

〔従来技術〕

半導体シリコンのエピタキシャル成長法は砒素。

燐、アンチモン、硼素等の該半導体の電気特性を制御す
るためにシリコン中に添加される砒素、燐。

アンチモン、硼素等の微量不純物、所謂ドーパントの濃
度の高い基板、または局所的に電気特性を制御するため
にイオン打込法等によりドーパント濃度を高くした領域
、所謂埋込層の上に、ドーバント濃度の低い単結晶層を
形成する現在唯一の方法である。

現在、トランジスタ、ダイオード、キャパシタセル及び
その集積回路等のシリコン半導体素子の形成に用いられ
るエピタキシャル基板には、素子微細化に対応するため
に急峻なドーピングプロファイルをもつことが要求され
ている。

従来シリコンエピタキシャル基板の製造には熱ＣＶ　Ｄ
　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法が用いられてきた。熱ＣＶＤ法はシリコンの化
合物を原料とし、原料の分解、基板清浄化、エピタキシ
ャル成長反応等を熱エネルギによって進行させる方法で
あるが、基板を常圧乃至減圧（１０３〜１０’Ｐａ）雰
囲気中で高温処理（１０５０〜１１００°Ｃ）するため
、基板、或いは埋込層中に高濃度に含まれるドーパント
がエピタキシャル膜中に固相熱拡散し、或いは基板から
気相中に放出されたドーパントが基板周辺雰囲気の対流
にともなってエピタキシャル成長界面に再付着する、所
謂オートドーピング現象を生じ、ドーパントプロファイ
ルを急峻にできないという問題がある。

従って、熱ＣＶＤ法は微細半導体素子用のエピタキシャ
ル基板の製造法としては不十分であり、これに代わるエ
ピタキシャル成長法としてドーパントの熱拡散を抑制す
るためにより低い温度でエピタキシャル成長させ得る技
術が望まれている。

低温エピタキシャル成長法の従来技術の代表例としては
以下に掲げる３つの方法が知られている。

（１）　　Ｍ　Ｂ　Ｅ　（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａ
ｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ　：分子線エピタキシャル成長）法 超高真空（１０”’Ｐａ程度）中で基板を高温加熱し、
その表面を昇華させて清浄化した後、真空蒸着によって
エピタキシャル成長を行わせる方法である。

エピタキシャル成長開始前の基板表面の清浄化手段とし
ては通常基板を１１００″Ｃ以上で高温熱処理するか、
アルゴンイオンビームでスパッタする方法が採られてい
る。

この方法に依る場合の基板温度Ｔｅは４００°Ｃ（光高
温計による）、またドーパント濃度が１０１Ｂ→ＩＱＩ
Ｓａｔｏｍ／ｃｃに減少するのに対応する最少ドーピン
グプロファイル遷移幅ｔ。、は０，３μｍ（ドーパント
は砒素）、更に最低結晶欠陥密度Ｄｄは１００／ｃｉｊ
である。

従ってＭＢＥ法の結晶性はプラズマ法に比べて良好であ
るといえるが、従来法に比べ成長速度が極端に低いとい
う欠点がある。

成長速度を上げるためには基板結晶表面で吸着種が泳動
しやすい条件とすることが必要であるが、ＭＢＥ法では
成長反応系の構成材料がシリコンのみに限定され、基板
と吸着種の結合力（シリコン原子間の共有結合力）を弱
めるには基板の温度を高めるしか方法がない。

基板の低温化と膜の成長速度の向上、即ち生産性とは相
反するから工業的生産法としての性能向上には限界があ
り、この点からもＭＢＥ法は良好な低温エピタキシャル
成長手段とはいえない。

（２）プラズマエピタキシャル成長法 プラズマ中の電子イオンによる衝撃によって原料ガスを
分解し、この分解ガスを用いて基板に前処理を施し、ま
たエピタキシャル成長させる方法であり、プラズマから
のエネルギ供給分だけ基板温度を下げて処理できる。

これに属する方法としてプラズマ併用型減圧ＣＶＤエピ
タキシャル成長法がある（日経マイクロデバイス１９８
５年１０月号１）、１）、７９〜８７）。

第２図は上記従来のプラズマ気相成長装置の模式的縦断
面図であり、石英製の反応管２１の上端部には原料ガス
の供給系２２を、また下端部には排気系２３を設けると
共に、反応管２１内の中央部にはサセプタ２４を設けて
これに基板Ｓを装着し、また反応管２１の外周には、前
記サセプタ２４の上方に高周波電極２５を、更にサセプ
タ２４と対向する外周にランプ２６を配設して構成され
ている。

この方法では先ず基板Ｓに前処理を施した後、成膜が行
われる。

前処理は基板を過酸化水素＋硝酸混合溶液に１５分浸し
、水洗し、フッ化水素酸溶液に３０秒浸し、再度水洗し
、次いで過酸化水素＋塩酸混合溶液に１５分浸し、水洗
し、遠心乾燥を２０分施す。このようにして前処理を施
した基板をチャンバに入れ、圧力Ｉ　Ｘｌ０−’Ｐａま
で真空排気し、基板をエピタキシャル成長温度に加熱し
、高周波電力５０Ｗのアルゴンプラズマ中で３０分処理
する。

なおこの時接地電位に対し＋３００■の直流バイアス電
圧をサセプタ２４に印加する。アルゴン流量は２０ＳＣ
Ｇ）１．圧力は２．７Ｐａに設定される。

この方法に依る場合の基板温度Ｔｅは７００°Ｃ〜８０
０°Ｃ１また最少ドーピングプロファイル遷移幅は０．
２４μｍ〜０．１５μｍ（ドーパントは硼素、アンチモ
ン）、更に最低結晶欠陥密度Ｄｄは１．２　ＸＩＯ”／
ｃｊ以上である。

このプラズマエピタキシャル成長法では吸着種の泳動に
必要なパワー、反応ガス組成、圧力等のプラズマ変数を
温度と独立して制御できるため、ＭＢＥ法に比べて自由
度が大きい利点がある。

（３）水素プラズマ前処理減圧ＣＶＤエピタキシャル成
長法（Ｓｏｌｉｄ−５ｔａｔｅ　ＥＩｅｃｔｒｏｎｆｃ
ｓ、ｌ９７３．Ｖｏｌ、１６゜ｐｐ、３９−４２）。

この方法は前処理に水素の高周波プラズマを用いた低圧
熱ＣＶＤ法である。

この方法による前処理は基板を蟻酸＋過酸化水素混合液
に浸し、水洗し、次いで基板を反応管に入れて真空排気
し、反応管内に水素を供給し、圧力が約１３３Ｐａとな
るように水素流量を調整する。

更に水素流量を調整して圧力を３０〜８０Ｐａとし、放
電用電極に２７ＭＨｚ、　３５０Ｗの高周波を印加して
グロー放電させ、基板雰囲気に水素プラズマを発生させ
つつ数分間処理する。

この方法に依る場合の基板温度Ｔｅは８５０’Ｃ。

また最低結晶欠陥密度Ｄｄは４０／　Ｃ１１１以下であ
る。

（４）反応性イオンビームエピタキシャル成長法（ＲＩ
　Ｂ　Ｄ　：　Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｒｓ
　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）　。

（Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　
Ｍａｔｅｒｆａｌｓ、　Ｔｏｋｙｏ。

１９８５、　ｐｐ、３０５−３０８．　　特開昭６１−
５３７１９号公報）この方法は電子サイクロトロン共鳴
励起によってプラズマを生成させ、このプラズマを利用
して基板上に気相成長を行わせる方法である。

第１０図は上記従来の反応性イオンビームエピタキシャ
ル法の実施状態を示す模式的縦断面図であり、プラズマ
室３１の一端部にマイクロ波導波管３２を、また他端部
にプラズマ導入口３１ａに通じる球形の試料室３３を接
地すると共に、周囲には励磁コイル３４を配設し、また
試料室３３内にはヒータ内蔵のバイアス電圧印加機能を
備えた試料台３５を設けてこの上に基板Ｓを固定せしめ
である。

而してこのような装置にあっては先ず前処理は基板を硫
酸＋過酸化水素混合溶液により処理して、Ｓｉ０ｇパッ
シベーション膜を形成し、その後基板を試料室内に固定
した後、基板温度Ｔｅを４００〜８００°Ｃとし、イオ
ンエネルギ（バイアス電圧）６００〜１２００ｅＶでア
ルゴンイオン等を用いてＳｉ０ｇパッシベーション膜を
スパッタリングする。その後、所定の条件で気相成長を
開始する。

（５）　　ＥＣＲ−ＣＶＤエピタキシャル成長法（第４
８回応用物理学会学術講演会講演番号１９ｐ−に−１０
＞。

この方法における前処理は基板をフッ化水素酸溶液処理
後、塩酸と過酸化水素の沸騰した混合溶液に浸して表面
に薄い５ｉｆｔ膜を形成し、次いで真空中で基板温度ｉ
ｏｏ”ｃ、アルゴンイオンエネルギ（プラズマバイアス
電圧による）　１００ｅＶでスパッタリングし、引き続
き基板温度Ｔｅを６３０°Ｃにして３０分間熱処理する
。

ちなみに従来の一般的な熱ＣＶＤエピタキシャル成長法
（常圧法）に依る場合の基板温度Ｔｅは１０５０″Ｃ１
また最少ドーピングプロファイル遷移幅ｔ　ａｐｔは０
．５４μｍ（ドーパント：アンチモン）、又は２．５μ
ｍ（ドーパント：硼素）、更に最低結晶欠陥密度Ｄｄは
１０　／　ｃ４以下である。

このような事実から前述した各低温エピタキシャル成長
法はドーピング特性（Ｌｉｓｔ）の面では優れているも
のの、結晶性（Ｄｄ）では依然としてかなり劣っている
ことが解る。

有害不純物分子は、エピタキシャル成長開始までの基板
表面及び真空容器内壁各部に吸着しており、その量は系
の到達真空度と相関がある。

ちなみに？ｌＢＥ法では到達真空度が１Ｏ−ＩＩＰａ程
度の容器中で処理するため汚染は少ない。

プラズマエピタキシャル成長装置でも超高真空系を用い
ることは可能であるが、数１１０５ＣＣという大量のガ
スを注入するプラズマ反応に通した大排気速度を有し、
反応性ガス（可燃性であり、腐食、堆積を生じる）の排
気が可能で、しかも到達真空度が安定して１０−　”Ｐ
ａに維持し得る真空ポンプがない。

例えば、クライオポンプで原料ガス（モノシラン等）を
排気すると、排気速度が漸減し、操業度が低下する。こ
のため従来のプラズマ気相成長装置ではターボ分子ポン
プ等の低真空度・大排気速度のポンプを一基具備するも
のしかない。

例外として、ＲＩＢＤ装置では到達真空度を重視し、イ
オンポンプ及び、チタンサブリメーションポンプという
高真空度、低排気速度のポンプを具備しているが、良好
なエピタキシャル膜質は得られていない。この原因は排
気速度が小さいため成長時に注入するガス量が４５ＣＣ
Ｈに制限され、十分な成長速度が得られず膜中に高濃度
で混入した有害不純物が結晶欠陥を惹起しているのであ
る。

本発明者は容器内の到達真空度を高めるべく排気ポンプ
としてターボ分子ポンプ及びクライオポンプの両方を具
備したプラズマ気相成長装置を構成し、基板加熱時の到
達真空度を調査した結果、次の事実を知見した。

■　エピタキシャル膜中の不純物濃度はエピタキシャル
成長開始前の到達真空度が高いほど少ない。

■　またクライオポンプで排気した場合はターボ分子ポ
ンプ単体で排気した場合より到達真空度が約１桁向上す
る。

■　基板加熱開始前からクライオポンプで排気すると、
基板昇温後排気した場合に比べ到達真空度が悪くなる。

本発明はかかる知見に基づきなされたものであって、従
来からあるロードロック機構、基板加熱機構に加え、新
たにターボ分子ポンプ、クライオポンプの両方を具備し
た真空系の装置において、基板昇温後、プラズマ処理開
始前にクライオポンプで排気することにより到達真空度
を高め、膜中への有害不純物の混入を抑制し、結晶性の
良好なエピタキシャル膜を形成し得るプラズマ気相成長
法、及びその装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係るプラズマ気相成長方法は、容器内からター
ボ分子ポンプを用いて排気しつつ、基板を加熱昇温せし
める工程と、基板が所定温度にまで昇温した後はターボ
分子ポンプに代えクライオポンプを用いて排気する工程
と、容器内が所定値まで減圧された後はクライオポンプ
に代えてターボ分子ポンプを用いて排気し該容器に反応
ガスを注入しつつプラズマを発生させて気相成長する工
程とを含む。

本発明に係るプラズマ気相成長装置は、基板にプラズマ
処理を施す容器と、該容器室と弁を隔てて連接され、容
器に対して基板を導入し、またここから引出すロードロ
ック室と、前記容器内に導入された基板を加熱する手段
と、前記容器から排気ずべ（選択的に駆動されるターボ
分子ポンプ及びクライオポンプとを具備する。

〔作用〕

本発明にあってはこれによってプラズマ処理を施すべき
容器内の真空度を格段に高め得、それだけ有害不純物が
低減されることとなる。

〔実施例〕

以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明方法を実施するための気相成長
装置（以下本発明装置という）の縦断面図であり、図中
１はプラズマ生成室、２は導波管、３は試料Ｓを配置す
る試料室４は励磁コイルを示している。

プラズマ生成室１はステンレス鋼製であって、工業用周
波数２．４５Ｈｚのマイクロ波に対してＴＥ１１３モー
ドの定在波を形成する円筒型空洞共振器を構成するよう
形成されており、−側壁中央には石英ガラス板等で閉鎖
されたマイクロ波導入窓１ａを備え、また他側壁中央に
は前記マイクロ波導入窓１ａと対向する位置にプラズマ
の引出窓１ｂを備えている。前記マイクロ波導入窓１ａ
には導波管２の一端部が接続され、またプラズマ引出窓
１ｂにはこれに臨ませて試料室３が配設され、更に周囲
には同心状に励［５ｉコイル４が周設せしめられている
。

導波管２はその他端部は図示しない高周波発振器に接続
され、高周波発振器で発せられた工業用周波数２．４５
Ｈｚのマイクロ波をマイクロ波導入窓１ａを経てプラズ
マ生成室１内に導入するようにしである。

励磁コイル４は図示しない直流電源に接続されており、
直流電流の通流によってプラズマ生成室１内にマイクロ
波の導入により電子サイクロトロン共鳴励起条件を満足
する８、７５　Ｘ　１０−　”　Ｔの磁束密度を与える
と共に、試料室３側に向けて磁束密度が低くなる発散磁
界を形成し、プラズマ生成室１内に生成されたプラズマ
をプラズマ引出窓１ｂを通じて試料室３内に導入せしめ
るようになっている。

試料室３の一側壁にはゲート弁５ａを介在させて複合型
のターボ分子ポンプ５が、またその上方には同じくゲー
ト弁６ａを介在させてクライオポンプ６が連設されてい
る。ターボ分子ポンプ５は排気速度が１５０ＯＬ／秒の
複合型であり、そのゲート弁５ａのコンダクタンスは３
０００Ｌ／秒である。またクライオポンプ６の排気速度
は２４００Ｌ／秒であり、そのゲート弁６ａのコンダク
タンスは４６３０Ｌ／秒である。−方他側壁にはゲート
弁７ａを介在させてロードロック室７が配設されている
。ロードロック室７内には試料Ｓを試料室３内に配置し
、またここからロードロック室７内に取り出すための搬
送アーム７ｂが配設されている。

一方試料室３の内部には前記プラズマ引出窓１ｂと対向
させて試料台８が配設され、この試料台８上に石英製の
サセプタ９を介在させて前記プラズマ引出窓１ｂと対向
さセて基板Ｓが着脱可能に装着され、またサセプタ９の
下方にはヒータ１ｏを臨ませである。試料台８はリング
状に形成されており、その下面の周方向にて円筒８ａの
上端部に支持されている。円筒８ａの下端部には円筒ラ
ック８ｃ＠備えると共に、試料室３の底壁にスラストベ
アリング８ｂを用いて回転可能に支持されており、円筒
ランク８ｃに噛合させたピニオン８ｄを介してモータＭ
より回転せしめられるようになっている。　　ヒータ１
０は高純度タンタル線（直径０．７ｍｍ）３本をより合
わせて素線とし、これを高純度窒化珪素円板上に直径２
００　ｍｒｔｒの範囲で折り返し蛇行させて一様に配設
して構成しである。ヒータの電力容量は６Ｋｗ程度であ
る。

ヒータ１０の赤外線は一部がサセプタ９に吸収されるが
、大部分はこれを透過して基板Ｓを照射し、これを加熱
する。

ヒータ１０内には図示しない測温用熱電対があり、この
出力に基づき熱電対検出温度パターンを負帰還制御する
温度制御系が設けられている。

なお、基ＦｉＳの温度は試料室３の上部壁に設けた窓３
ａを通して光高温計１１により測定される。

１２は試料室３の上部壁に固定した四重極型の質量分析
器（ＱＭＳ：Ｑｕａｄｌｅｐｏｌｅ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅ
ｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）であり、試料室３内の残留ガス組
成を分析し得るようにしである。

１３、１４はいずれも原料ガスの供給系を示しており、
ガス供給系１３からはアルゴンと水素との混合ガスが、
またガス供給系１４からはモノシランガスが夫々供給さ
れるようになっている。

而してこのような本発明方法及びその装置にあっては次
の過程で試料室３内の排気を行う。

〔ターボ分子ポンプによる排気〕

基板Ｓを試料室３に導入するに先立って、予め試料室３
を１０−”Ｐａ程度にターボ分子ポンプ５を用いて真空
排気しておき、ロードロック室７に、図示しない配管か
ら窒素ガスを徐々に注入して内部を大気圧とし、図示し
ないゲート弁を開き搬送アーム７ｂ上に支持台８．サセ
プタ９と共に基板Ｓを載置する。

ゲート弁を閉じ、ロードロック室７内を図示しない油回
転ポンプを用いて１０Ｐａまで排気したのち、図示しな
いクライオポンプで１０−　”Ｐａまで排気し、ゲート
弁７ａを開く。このときの真空度は１Ｏ−５Ｐａである
。

搬送アーム７ｂを水平に移動させて基板Ｓ、サセプタ９
．サセプタ支持台８を円筒ラック８ｃ上部に載置し、搬
送アーム７ｂをロードロック室７内に引き戻してゲート
弁７ａを閉じる。

試料室３内は引き続きターボ分子ポンプ５で排気し、再
び１０−’Ｐａ程度の真空度に排気する。

モータＭを起動し、基板Ｓをプラズマ生成室１゜ヒータ
１０に対し回転させつつヒータ１０に通電し、基板を加
熱昇温する。昇温速度は１°Ｃ／秒である。

基板温度は観測窓３ａを介して、光高温計１１により測
定される。基板Ｓはヒータ１０に対し回転せしめられ円
周方向の基板温度を均一化される。

この間ゲート弁５ａを開き、ターボ分子ポンプ５は引き
続き運転を継続する。基板Ｓの温度が所定値、例えば８
００°Ｃに達した時点で昇温を停止し、基板Ｓをこの温
度に保つ。この時の試料室３の圧力はＩ　Ｘｌ０−’Ｐ
ａである。

〔クライオポンプによる排気〕

クライオポンプゲート弁６ａを閉じた状態で、クライオ
ポンプ６を予め起動しておき、クライオポンプ６内の真
空度を４　Ｘｌ０−’Ｐａ程度にしておく。

ゲート弁５ａを閉じると同時に弁６ａを開き、試料室３
内をクライオポンプ６で排気する。

〔ターボ分子ポンプによる排気〕

試料室３の真空度がＩ　Ｘｌ０−６Ｐａ以下になった時
点から１０分経過後、弁６ａを閉じると同時に弁５ａを
開いて再び試料室３をターボ分子ポンプ５で排気する。

この時の試料室３の圧力は５Ｘ１０−’Ｐａ、基板温度
は８００°Ｃである。

プラズマ生成室１に、図示しないガス供給配管からアル
ゴンガスを２５５ＣＣＭの流量で流し、ターボ分子ポン
プ５における入側の図示しないコンダクタンス弁の開度
を調節して試料室３の圧力を１×１０−’Ｐａに設定し
、またプラズマ生成室ｌにマイクロ波を供給し、ＥＣＲ
アルゴンプラズマを発生させる。

プラズマ生成室１からプラズマ引出窓１ｂを通して試料
室３に引き出されたアルゴンプラズマは、基板Ｓ上に照
射され、基板表面に残留する図示しない自然酸化膜を除
去する前処理を施す。

次いでプラズマを生成させつつガス供給系１３からプラ
ズマ生成室１へのアルゴンガス流量を減らすと同時に水
素ガスの供給を開始し、水素ガス流量を２０５ＣＣＨに
設定する。一方試料室３内にガス供給系１４からシラン
ガスを流量５５ＣＣＭで供給する。

供給する総ガス量に変化はない。このときターボ分子ポ
ンプ５の排気速度は一定であり、圧力の変化はない。

このシラン・水素プラズマにより基板Ｓの表面にシリコ
ン単結晶膜がエピタキシャル成長せしめられる。

次に本発明方法と従来方法及び比較例についての比較試
験結果について説明する。

比較のために同一の装置を使用して分子ターボポンプの
みを用いて排気を行い、その他は前記本発明方法と同様
にしてエピタキシャル成長した場合の結果を比較例とし
て示す。予備処理開始前の基板温度は８００°Ｃ１真空
度はＩ　Ｘｌ０−’Ｐａである。

また従来方法は第２図に示す方法及び装置に依ってエピ
タキシャル成長を行ったときの結果である。

結果は表１の通りである。

表　　　１ 表１から明らかなように、本発明方法によった場合には
Ｄｄが従来方法に比べて１桁以上減少しており、比較例
と比べてもＤｄが１１５．７であり、本発明による結晶
性の向上が顕著である。

従来方法に比べてドーピング特性は若干劣るが、熱ＣＶ
Ｄ法と比較してｔ、□は１／６であり、より急峻なドー
ピングプロファイルが得られていることが解る。

なお、本発明はシリコン以外の半導体膜（化合物半導体
）のエピタキシャル成長、あるいはエピタキシャル成長
以外であっても、これと同程度の清浄度が要求される薄
膜（素子パッシベーション用酸化珪素膜、窒化珪素膜）
形成反応にも適用可能であることは勿論である。

〔効果〕

以上のことより、本発明はより結晶性の良好な気相成長
膜を形成し得る優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法を実施するための本発明装置の模式
図、第２．第３図は従来方法及び装置の模式図である。 １・・・プラズマ生成室　２・・・マイクロ波導波管３
・・・試料室　４・・・励磁コイル　５・・・ターボ分
子ポンプ　６・・・クライオポンプ　７・・・ロードロ
ック室８・・・試料台　９・・・サセプタ　１０・・・
ヒータ１１・・・光高温計　１２・・・質量分析器　１
３．１４・・・原料ガス供給系 特　許　出願人　　住友金属工業株式会社代理人　弁理
士　　河　　野　　登　　火弟３図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空の容器内で加熱昇温した基板表面にプラズマを
   用いて気相成長を行わせるプラズマ気相成長方法におい
   て、 前記容器内からターボ分子ポンプを用いて 排気しつつ、基板を加熱昇温せしめる工程と、基板が所
   定温度にまで昇温した後はターボ 分子ポンプに代えクライオポンプを用いて排気する工程
   と、 容器内が所定値まで減圧された後はクライ オポンプに代えターボ分子ポンプを用いて排気し、該容
   器に反応ガスを注入しつつプラズマを発生させて気相成
   長する工程と を含むことを特徴とするプラズマ気相成長 方法。 ２、基板にプラズマ処理を施す容器と、該容器室と弁を
   隔てて連接され、容器に対して基板を導入し、またここ
   から引出すロードロック室と、前記容器内に導入された
   基板を加熱する手段と、前記容器から排気すべく選択的
   に駆動されるターボ分子ポンプ及びクライオポンプとを
   具備することを特徴とするプラズマ気相成長装置。