JPH01295472A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH01295472A JPH01295472A JP12636588A JP12636588A JPH01295472A JP H01295472 A JPH01295472 A JP H01295472A JP 12636588 A JP12636588 A JP 12636588A JP 12636588 A JP12636588 A JP 12636588A JP H01295472 A JPH01295472 A JP H01295472A
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- layer
- light emitting
- stripe
- emitting device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
活性層を含む多層の半導体積層構造にウェットエツチン
グによりメサストライプを形成し、スライドボート法に
より該メサストライプの両脇に埋め込み層を成長する工
程を含んでなる半導体発光装置の製造方法に関し、 上記埋め込み層の成長が的確に行われるようにすること
を目的とし、 上記積層構造の上に設けて上記エツチングに用いるスト
ライプマスクの断面形状を凸字形にし、該エツチングに
より上記メサストライプに対して庇状になる該マスクの
側端部をエツチング液で除去し、該メサストライプ上に
残された該マスクを有した状態で、上記埋め込み層の成
長を行うように構成する。
グによりメサストライプを形成し、スライドボート法に
より該メサストライプの両脇に埋め込み層を成長する工
程を含んでなる半導体発光装置の製造方法に関し、 上記埋め込み層の成長が的確に行われるようにすること
を目的とし、 上記積層構造の上に設けて上記エツチングに用いるスト
ライプマスクの断面形状を凸字形にし、該エツチングに
より上記メサストライプに対して庇状になる該マスクの
側端部をエツチング液で除去し、該メサストライプ上に
残された該マスクを有した状態で、上記埋め込み層の成
長を行うように構成する。
本発明は、半導体発光装置の製造方法に係り、特に、活
性層を含む多層の半導体積層構造にウエットエッチング
によりメサストライプを形成し、スライドボート法によ
り該メサストライプの両脇に埋め込み層を成長する工程
を含む場合の製造方法に関する。
性層を含む多層の半導体積層構造にウエットエッチング
によりメサストライプを形成し、スライドボート法によ
り該メサストライプの両脇に埋め込み層を成長する工程
を含む場合の製造方法に関する。
半導体発光装置の製造、特に、発光部となる活性層を埋
め込んだ埋め込み型半導体発光装置の製造では、多くの
場合上記の工程を採用している。
め込んだ埋め込み型半導体発光装置の製造では、多くの
場合上記の工程を採用している。
その場合、上記埋め込み層の成長が的確に行われるよう
にすることが重要である。
にすることが重要である。
第２図は埋め込み型半導体発光装置−例の要部側断面図
である。
である。
同図において、１はｎ型ＴｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰバ
ッファ層、３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、４はｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、５はｐ型１ｎＰ埋め込み層、６はｎ型１
ｎＰ埋め込み層、７はｐ型１ｎＰクラッド層、８はｐ型
１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層、であり、これらで半導
体結晶部分を構成する。電極その他は図示を省略しであ
る。
ッファ層、３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、４はｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、５はｐ型１ｎＰ埋め込み層、６はｎ型１
ｎＰ埋め込み層、７はｐ型１ｎＰクラッド層、８はｐ型
１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層、であり、これらで半導
体結晶部分を構成する。電極その他は図示を省略しであ
る。
この発光装置は、コンタクト層８側から基板１側に向け
て電流を流すと、主として埋め込み層５と６の間の逆方
向ｐｎ接合により、電流が活性層３に集中して発光し、
しきい値電流以上でレーザ発振を起こす。従って埋め込
み層５及び６は、活性層３を迂回して発光に対し無効と
なるリーク電流を抑えて、発光効率を高めると共にしき
い値電流を低める役割を担っている。
て電流を流すと、主として埋め込み層５と６の間の逆方
向ｐｎ接合により、電流が活性層３に集中して発光し、
しきい値電流以上でレーザ発振を起こす。従って埋め込
み層５及び６は、活性層３を迂回して発光に対し無効と
なるリーク電流を抑えて、発光効率を高めると共にしき
い値電流を低める役割を担っている。
さて、この結晶部分を製造する従来の方法は次のようで
ある。
ある。
即ち、先ず第３図（ａｌを参照して、スライドボート法
即ちスライドボートを用いた液相成長により、基板ｌの
上にバッファ層２、活性層３、クラッド層４及びキャッ
プ層９を成長して半導体積層構造１０を形成する。キャ
ップＮ９は、ＩｎＧａＡｓ Ｐであり、後述のように工
程の途中で結晶部分から除去される。
即ちスライドボートを用いた液相成長により、基板ｌの
上にバッファ層２、活性層３、クラッド層４及びキャッ
プ層９を成長して半導体積層構造１０を形成する。キャ
ップＮ９は、ＩｎＧａＡｓ Ｐであり、後述のように工
程の途中で結晶部分から除去される。
次いで第３図（ｂ）を参照して、通常のホトリソグラフ
ィ技術によりキャップ層９上に平板帯状のＳｉＯ２スト
ライプマスク２１を形成する。
ィ技術によりキャップ層９上に平板帯状のＳｉＯ２スト
ライプマスク２１を形成する。
次いで第３図（Ｃ）を参照して、マスク２１をマスクに
したウェットエツチングにより、マスク２１下部の積層
構造ＩＯにメサストライプ１１を形成する。その際上記
エツチングにサイドエツチングを伴うことから、マスク
２１の側端部は、メサストライプ１１に対して庇状にな
る。
したウェットエツチングにより、マスク２１下部の積層
構造ＩＯにメサストライプ１１を形成する。その際上記
エツチングにサイドエツチングを伴うことから、マスク
２１の側端部は、メサストライプ１１に対して庇状にな
る。
次いで第３図（ｄ）を参照して、メサストライプ１１上
にマスク２１を有した状態で、スライドボート法により
埋め込み層５及び６を成長する。埋め込み層５及び６は
、マスク２１によりメサストライプｌｌ上の成長が抑え
られて、メサストライプ１１の両脇を選択的に埋める。
にマスク２１を有した状態で、スライドボート法により
埋め込み層５及び６を成長する。埋め込み層５及び６は
、マスク２１によりメサストライプｌｌ上の成長が抑え
られて、メサストライプ１１の両脇を選択的に埋める。
次いで第２図を参照して、マスク２１及びキャップ層９
を除去した後、スライドボート法によりクラッド層７及
びコンタクト層８を成長して結晶部分を完成する。
を除去した後、スライドボート法によりクラッド層７及
びコンタクト層８を成長して結晶部分を完成する。
しかしながら、この製造方法では、第３図（ｄｌに示す
埋め込み層５及び６の成長がスライドボート法によるこ
とから、マスク２１の上記庇状となった側端部がスライ
ドボートのスライドの際に成長メルトに煽られて、マス
ク２１がメサストライプ１１から剥がれたり、マスク２
１の側端部が折れてメサストライプ１１の側面に付着し
たりすることが起こる。
埋め込み層５及び６の成長がスライドボート法によるこ
とから、マスク２１の上記庇状となった側端部がスライ
ドボートのスライドの際に成長メルトに煽られて、マス
ク２１がメサストライプ１１から剥がれたり、マスク２
１の側端部が折れてメサストライプ１１の側面に付着し
たりすることが起こる。
そしてそのようになると、埋め込み層５．＆び６の成長
が的確に行われなくなり、製造歩留りを低下させる問題
となる。
が的確に行われなくなり、製造歩留りを低下させる問題
となる。
この問題に対処するため、埋め込み層５及び６の成長に
先立ち、ストライプマスク２１の庇状になった側端部を
エツチング液で除去しておく方法があるが、マスク２１
の厚さにむらがあって左右の側端部の間で厚さに差があ
ると、一方の側端部が除去されないうちに他方でメサス
トライプ１１の上面が大きく露出するという不都合が発
生して、充分な解決になり得ない。
先立ち、ストライプマスク２１の庇状になった側端部を
エツチング液で除去しておく方法があるが、マスク２１
の厚さにむらがあって左右の側端部の間で厚さに差があ
ると、一方の側端部が除去されないうちに他方でメサス
トライプ１１の上面が大きく露出するという不都合が発
生して、充分な解決になり得ない。
そこで本発明は、活性層を含む多層の半導体積層構造に
ウェットエツチングによりメサストライプを形成し、ス
ライドボート法により該メサストライプの両脇に埋め込
み層を成長する工程を含んで半導体発光装置を製造する
方法において、上記埋め込み層の成長が的確に行われる
ようにすることを目的とする。
ウェットエツチングによりメサストライプを形成し、ス
ライドボート法により該メサストライプの両脇に埋め込
み層を成長する工程を含んで半導体発光装置を製造する
方法において、上記埋め込み層の成長が的確に行われる
ようにすることを目的とする。
上記目的は、上記積層構造の上に設けて上記エツチング
のマスクにするストライプマスクの断面形状を凸字形に
し、該エツチングにより上記メサストライプに対して庇
状になる該マスクの側端部をエツチング液で除去し、該
メサストライプ上に残された該マスクを有した状態で、
上記埋め込み層の成長を行う本発明の製造方法によって
解決される。
のマスクにするストライプマスクの断面形状を凸字形に
し、該エツチングにより上記メサストライプに対して庇
状になる該マスクの側端部をエツチング液で除去し、該
メサストライプ上に残された該マスクを有した状態で、
上記埋め込み層の成長を行う本発明の製造方法によって
解決される。
本発明は、先に述べた、埋め込み層５及び６の成長に先
立ちストライプマスク２１の庇状になった側端部をエツ
チング液で除去しておく方法において、左右の側端部が
充分に除去されるまで進めても、メサストライプ上にス
トライプマスクが確実に残るように該マスクに工夫を加
えたものである。
立ちストライプマスク２１の庇状になった側端部をエツ
チング液で除去しておく方法において、左右の側端部が
充分に除去されるまで進めても、メサストライプ上にス
トライプマスクが確実に残るように該マスクに工夫を加
えたものである。
即ち、ストライプマスクの断面形状を凸字形にすること
により、庇状になる側端部が相対的に薄くなって優先的
に除去されるので、凸字形の凸部に対応する部分がメサ
ストライプ上に確実に残るようになる。
により、庇状になる側端部が相対的に薄くなって優先的
に除去されるので、凸字形の凸部に対応する部分がメサ
ストライプ上に確実に残るようになる。
このことから先に述べた不都合が解消されて、埋め込み
層の成長が的確に行われるようになる。
層の成長が的確に行われるようになる。
以下本発明の実施例について第１図（ａｌ〜（ｆ）の側
断面図及び第２図を用いて説明する。企図を通じ同一符
号は同一対象物を示す。
断面図及び第２図を用いて説明する。企図を通じ同一符
号は同一対象物を示す。
この実施例は、第２図に示す半導体発光装置を製造する
場合である。
場合である。
先ず第１図（ａ）を参照して、従来の場合と同様に、ス
ライドボート法により、基板ｌの上にバッファ層２、活
性層３、クラッド層４及びキャップ層９を成長して半導
体積層構造１０を形成し、通常のホトリソグラフィ技術
によりキャップ層９上に平板帯状のＳｉＯ２ストライプ
マスク２２を形成する。バッファ層２、活性層３、クラ
ッド層４及びキャンプ層９の厚さは、それぞれ、１μｍ
、０．１５μｍ、０．５μ鴎及び０．１５μ翔であり
、マスク２２の厚さ及び幅は、それぞれ、０．２μｌ及
び３μｍである。
ライドボート法により、基板ｌの上にバッファ層２、活
性層３、クラッド層４及びキャップ層９を成長して半導
体積層構造１０を形成し、通常のホトリソグラフィ技術
によりキャップ層９上に平板帯状のＳｉＯ２ストライプ
マスク２２を形成する。バッファ層２、活性層３、クラ
ッド層４及びキャンプ層９の厚さは、それぞれ、１μｍ
、０．１５μｍ、０．５μ鴎及び０．１５μ翔であり
、マスク２２の厚さ及び幅は、それぞれ、０．２μｌ及
び３μｍである。
次いで第１図（ｂ）を参照して、全面に厚さ０．１μｍ
のＳｉＯ２膜２３Ａを被着し、その上にマスク２２と芯
合わせした幅１μ傾のレジストマスク３１を形成する。
のＳｉＯ２膜２３Ａを被着し、その上にマスク２２と芯
合わせした幅１μ傾のレジストマスク３１を形成する。
次いで第１図（Ｃ）を参照して、バンファード弗酸液に
よりＳｉＯ２膜２３Ａをエツチングして、マスク２２の
両脇にキャップ層９を露出させる。その際、マスク２２
の両脇にはＳｉＯ２膜２３八が残らないようにする。さ
すれば、ＳｉＯ２膜２３Ａの残り部分であるストライプ
マスク２３とその下のマスク２２とが一体になって断面
形状が凸字形である５ｉ０２ストライブマスク２４とな
り、マスク２４がキャップ層９の上に形成された状態に
なる。マスク２４ができた後にレジストマスク３１を除
去する。
よりＳｉＯ２膜２３Ａをエツチングして、マスク２２の
両脇にキャップ層９を露出させる。その際、マスク２２
の両脇にはＳｉＯ２膜２３八が残らないようにする。さ
すれば、ＳｉＯ２膜２３Ａの残り部分であるストライプ
マスク２３とその下のマスク２２とが一体になって断面
形状が凸字形である５ｉ０２ストライブマスク２４とな
り、マスク２４がキャップ層９の上に形成された状態に
なる。マスク２４ができた後にレジストマスク３１を除
去する。
次いで第１図（ｄ）を参照して、（ＨＢｒ＋ｆ（２０２
＋Ｈ２０）をエツチング液にしマスク２４をマスクにし
たウェットエツチングにより、マスク２４下部の積層構
造１０にメサストライプ１１を形成する。この工程は従
来の第３図（Ｃ）の工程に該当し、マスク２４の側端部
はメサストライプ１１に対して庇状になる。
＋Ｈ２０）をエツチング液にしマスク２４をマスクにし
たウェットエツチングにより、マスク２４下部の積層構
造１０にメサストライプ１１を形成する。この工程は従
来の第３図（Ｃ）の工程に該当し、マスク２４の側端部
はメサストライプ１１に対して庇状になる。
次いで第１図（ｅ）を参照して、バソファード弗酸液に
浸してマスク２４側端部の庇状となった部分が消失する
まで側端部を除去する。その際左右の側端部の間で厚さ
に差があっても、マスク２４にはマスク２２が形成する
凸部を有するため、少なくともその凸部に対応する部分
がメサストライプｌｌ上に残り、メサストライプ１１の
上面が大きく露出するという不都合は発生しない。
浸してマスク２４側端部の庇状となった部分が消失する
まで側端部を除去する。その際左右の側端部の間で厚さ
に差があっても、マスク２４にはマスク２２が形成する
凸部を有するため、少なくともその凸部に対応する部分
がメサストライプｌｌ上に残り、メサストライプ１１の
上面が大きく露出するという不都合は発生しない。
ついで第１図（ｒ）を参照して、従来の第３図（ｄ）の
工程と同様に、メサストライプ１１上にマスク２４を有
した状態で、スライドボート法により埋め込み層５及び
６を成長する。埋め込み層５及び６の成長は、マスク２
４が従来の場合のマスク２１のように剥がれたり折れた
りすることがないので、所望の状態に的確に行われる。
工程と同様に、メサストライプ１１上にマスク２４を有
した状態で、スライドボート法により埋め込み層５及び
６を成長する。埋め込み層５及び６の成長は、マスク２
４が従来の場合のマスク２１のように剥がれたり折れた
りすることがないので、所望の状態に的確に行われる。
次いで第２図を参照して、マスク２１及びキャップ層９
を除去した後、スライドボート法によりクラッド層７及
びコンタクト層８を成長して結晶部分を歩留り良く完成
する。
を除去した後、スライドボート法によりクラッド層７及
びコンタクト層８を成長して結晶部分を歩留り良く完成
する。
この後は不図示の電極の形成などを行って発光装置を完
成させるが、結晶部分の歩留りが良いため発光装置の製
造歩留りも良くなる。
成させるが、結晶部分の歩留りが良いため発光装置の製
造歩留りも良くなる。
なお、実施例は結晶部分の材料にＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐを用いストライブマスク２４の材料にＳｉＯ２を用
いた場合を例にとって説明したが、これらの材料が上記
に限定されないことはいうまでもない。
Ｐを用いストライブマスク２４の材料にＳｉＯ２を用
いた場合を例にとって説明したが、これらの材料が上記
に限定されないことはいうまでもない。
また、各部の寸法も実施例に限定されるものではない。
以上説明したように本発明の構成によれば、活性層を含
む多層の半導体積層構造にウェットエツチングによりメ
サストライプを形成し、スライドボート法により該メサ
ストライプの両脇に埋め込み層を成長する工程を含んで
半導体発光装置を製造する方法において、上記埋め込み
層の成長が的確に行われるようにすることができて、当
該発光装置の製造歩留り向上を可能にさせる効果がある
。
む多層の半導体積層構造にウェットエツチングによりメ
サストライプを形成し、スライドボート法により該メサ
ストライプの両脇に埋め込み層を成長する工程を含んで
半導体発光装置を製造する方法において、上記埋め込み
層の成長が的確に行われるようにすることができて、当
該発光装置の製造歩留り向上を可能にさせる効果がある
。
第１図（ａ）〜（ｆ）は実施例を説明する側断面図、第
２図は埋め込み型半導体発光装置−例の要部側断面図、 第３図（ａ）〜（ｄｌは従来方法を説明する側断面図、
である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ基板、 ２はｎ型１ｎＰバッファ層、 ３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 ４はｐ型１ｎＰクランド層、 ５はｐ型１ｎＰ埋め込み層、 ６はｎ型１ｎＰ埋め込み層、 ７はｐ型１ｎＰクランド層、 ８はｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層、９はＩｎＧａ
Ａｓ Ｐキ’ｔｐｙブ層、１０は半導体積層構造、 １１はメサストライプ、 ２１．２２．２３はストライブマスク、２４は断面凸形
のストライブマスク、 である。 実方己例Σ言先日月するイ甲り１１ａ凸 図第 １ 図
２図は埋め込み型半導体発光装置−例の要部側断面図、 第３図（ａ）〜（ｄｌは従来方法を説明する側断面図、
である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ基板、 ２はｎ型１ｎＰバッファ層、 ３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 ４はｐ型１ｎＰクランド層、 ５はｐ型１ｎＰ埋め込み層、 ６はｎ型１ｎＰ埋め込み層、 ７はｐ型１ｎＰクランド層、 ８はｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層、９はＩｎＧａ
Ａｓ Ｐキ’ｔｐｙブ層、１０は半導体積層構造、 １１はメサストライプ、 ２１．２２．２３はストライブマスク、２４は断面凸形
のストライブマスク、 である。 実方己例Σ言先日月するイ甲り１１ａ凸 図第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層を含む多層の半導体積層構造にウェットエッチン
グによりメサストライプを形成し、スライドボートを用
いた液相成長により該メサストライプの両脇に埋め込み
層を成長する工程を含んで半導体発光装置を製造する方
法において、 上記積層構造の上に設けて上記エッチングのマスクにす
るストライプマスクの断面形状を凸字形にし、該エッチ
ングにより上記メサストライプに対して庇状になる該マ
スクの側端部をエッチング液で除去し、該メサストライ
プ上に残された該マスクを有した状態で、上記埋め込み
層の成長を行うことを特徴とする半導体発光装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12636588A JPH01295472A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12636588A JPH01295472A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01295472A true JPH01295472A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14933382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12636588A Pending JPH01295472A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01295472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419286B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-02-18 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP12636588A patent/JPH01295472A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419286B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-02-18 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
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