JPH01297627A - 反射型アクティブマトリックスアレイとその修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置に用い
るアクティブマトリックスアレイおよびその修正方法に
関するものである。

従来の技術 近年、型液晶表示装置の絵素数増大に伴って、走査線数
が増え、従来から用いられている単純マトリックス液晶
表示装置では表示コントラストや応答速度が低下するた
め、各絵素にスイッチング素子を配置したアクティブマ
トリックスアレイ梨型液晶表示装置が利用されつつある
。また、前記アクティブマトリックス液晶表示装置には
光を透過して表示をおこなう透過型と反射して表示をお
こなう反射型の２種類がある。透過型アクティブマトリ
ックス液晶表示装置には透過型アクティブマトリックス
アレイが、反射型アクティブマトリックスアレイ液晶表
示装置には反射型アクティブマトリックスアレイが用い
られる。しかしながら、アクティブマトリックスアレイ
には一枚の基板上に数万個以上の絵素駆動用のスイッチ
ング素子、たとえば薄膜トランジスタ（以後、ＴＰＴと
呼ぶ、）を形成する必要がある。したがってすべてのＴ
ＰＴを無欠陥で形成することは困難である。そこで作製
されたアクティブマトリックスアレイに修正を加え、歩
留まりをあげることのできるアレイおよび修正方法が待
ち望まれていた。

次にＴＰＴの欠陥について説明する。ここではＴＰＴの
ドレイン端子が反射電極に接続されているものとして説
明する。ＴＰＴの欠陥には３種類ある。第１番目はＴＰ
Ｔのソース・ゲート間短絡欠陥であり、表示としては線
欠陥と呼ばれる表示モードになる。第２番目はＴＰＴの
ゲート・ドレイン間短絡欠陥であり、表示としては黒欠
陥とよばれる絵素欠陥になる。最後はＴＰＴのソース・
ドレイン間短絡欠陥であり、表示としては白欠陥とよば
れる絵素欠陥になる。前述の欠陥は、型液晶表示装置の
表示品位を低下させるため、修正をおこなう必要がある
。

以下、従来の反射型アクティブマトリックスアレイにつ
いて説明する。第１６図は従来の反射型アクティブマト
リックスアレイの平面図である。

また第１７図（ａｌは第１６図のＪＪ’線による断面図
、第１７図（ト））は第１６図のＫＫ”線での断面図で
ある。第１６図および第１７図（ａｌ、　（ｂ）におい
て１　ａ　＋　１　ｂ　＋　１　ｃは、ソース信号線、
２ａ−２ｃはゲート信号線、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄは
ＴＦＴのソース端子、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄはＴＦＴ
のゲート端子、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄはＴＦＴのドレ
イン端子、７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは反射電極とドレイ
ン端子とを接続するためのコンタクトホール、８ａ、８
ｂ、８ｃ、８ｄは反射電極、１１は絶縁基板、１２は絶
縁体膜である。ここで反射型アクティブマトリックスア
レイの図面において拡大あるいは縮小した部分が存在す
る。また反射電極の形成された面を表面、絶縁基板の方
を裏面と呼ぶことにする０以上のことは以下の図面にお
いても同様である。

従来の反射型アクティブマトリックスアレイではソース
信号線に接続されたソース端子とゲート信号線に接続さ
れたゲート端子およびドレイン端子でＴＰＴが構成され
、前記ドレイン端子はコンタクトホールを通じて反射電
極に接続されている。

ゲート信号線およびソース信号線に印加する信号により
ＴＰＴは制御され、所定の電圧を反射電極に印加する。

第１８図は従来の反射型アクティブマトリックスアレイ
の等価回路図である。第１８図においてＧ、〜Ｇ、はゲ
ート信号線、Ｓ、〜Ｓ３ソース信号線、ＴＩＩ〜Ｔ４Ｓ
はＴＦＴ、Ｐ、、〜Ｐ４３は反射電極である。また第１
９図は反射型アクティブマトリックスアレイに対向電極
基板などを取り付け、液晶表示装置として組みたてた後
の断面図である。第１９図において、２７は反射電極の
表面に形成された配向膜、２８は液晶、３１はガラスな
どの透明基板、３０は透明基板３１上に形成されたＩＴ
Ｏからなる透明電極、２９は透明電挽３０上に形成され
た配向膜である。動作としては、反射電極に印加された
電圧により液晶２８は変化する。ガラス基板３１から入
射した光は前記液晶２８により偏光され、反射電極で反
射される。前記反射された光により映像が写しだされる
。

次に従来のアクティブマトリックスアレイの修正方法に
ついて説明する。ＴＰＴに欠陥が発生した場合、比較的
めだちにくい黒欠陥にする方法がとられていた。前記修
正方法としてはＴＰＴにレーザーなどを照射し、ＴＰＴ
を破かいすることにより行われていた。

発明が解決しようとする課題 しかしながら従来のアクティブマトリックスプレイおよ
びその修正方法では、線欠陥および白欠陥を黒欠陥にす
ることしかできなかった。前記黒欠陥は当然のことなが
ら欠陥は欠陥であり、表示品質を著しく悪化させる。ま
たＴＰＴ全体を破かいするため、レーザーなどによりＴ
ＰＴの構成物質が剥離し、上層の反射電極と短絡する危
険性が非常に高い。前述の短絡が発生すれば、はとんど
の場合線欠陥となり、アレイを救さいする方法はない、
またレーザーの照射状態によってはＴＰＴのゲートがフ
ローティングとなり、レーザー照射前の状態よりも悪化
させることも多い。したがって、従来の反射型アクティ
ブマトリックスアレイでは修正はほとんどおこなわれて
いないのが現状であった。ゆえに非常に歩留りが悪（、
高コストになり、また絵素数が数万個以上になると、ま
ず１枚のアレイ上のＴＰＴをすべて無欠陥に製造するこ
とは不可能である。

本発明は上記問題点に鑑み、映像を表示した際、視覚に
は全く無欠陥とみられるように修正することのできる反
射型アクティブマトリックスアレイとその修正方法を提
供するものである。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明の反射型アクティブマ
トリックスアレイはスイッチング素子の一端子と反射電
極とを接続する第１の配線と、前記反射電極に隣接した
反射電極の下層に絶縁体膜を介して形成された接続電極
と、前記第１の配線と前記接続電極とを電気的に接続す
る第２の配線とを具備したものである。

また本発明の反射型アクティブマトリックスアレイの修
正方法は、光学的と熱的手段のうち少なくとも１つの加
工手段を用いて、スイッチング素子の端子または第１の
配線を電気的に切断し、加工手段を用いて、前記第１の
配線に接続されていた反射電極の下層に形成されている
接続電極の構成物質を溶解または気化させることにより
第２の配線と前記反射電極とを電気的に接続するもので
ある。

作用 本発明の反射型アクティブマトリックスプレイは、従来
の反射型アクティブマトリックスプレイにも形成されて
いるスイッチング素子のドレイン端子と反射電極とを接
続している第１の配線と、隣接した反射電極の下層に前
記反射電極に電気的に接続がないように形成された接続
電極と前記ドレイン端子とを接続する第２の配線を有し
ている。

スイッチング素子が不良の場合、まず前記スイッチング
素子が駆動している反射電極に電圧が印加されないよう
に第１の配線またはスイッチング素子の端子を切断する
。つぎに前記切りはなされた反射電極の下層に形成され
ている接続電極にレーザーなどを照射し、接続電極と反
射電極を接続する。すると、前記反射電極は前記反射電
極に隣接した反射電極を駆動するスイッチング素子によ
り電圧が印加されるようになる。つまり１つのスイッチ
ング素子が２つの反射電極に電圧を印加するようになる
。表示状態は前記２つの反射電極に位置する絵素は図−
表示をおこなうことになるが、テレビ映像などの動画の
場合、隣接した絵素とはほとんどで色・輝度が同一のた
め、視覚的には正常点燈にみえる。また、通常スイッチ
ング素子の駆動能力は大きめに設計されるので、１スイ
ツチング素子は２つの反射電極も十分駆動できる。

実施例 以下、本発明の一実地例のアクティブマトリックスアレ
イについて図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明の反射型アクティブマトリックスアレイ
の表面からみたときの平面図である。また第２図（ａ）
は第１図のＡＡ’線での断面図であり、第２図（ｂ）は
第１図のＢＢ“線での断面図である。

第１図および第２図（ａ）、　（ｂ）において１１はガ
ラスなどの絶縁基板、１ａ〜１ｃはソース信号線、２ａ
〜２ｂはソース信号線、３ａ〜３ｄはＴＦＴのソース端
子、４ａ〜４ｄはＴＦＴのゲート端子、５ａ〜５ｄはＴ
ＦＴのドレイン端子、６ａ〜６ｄはＴＦＴのドレイン端
子と反射電極とを接続するための配線（以後、反射電極
配線と呼ぶ、）、７３〜７ｄはコンタクトホール、８ａ
〜８ｆは反射電極、１０ａ〜１０ｄは隣接した反射電極
の下層に形成された電極（以後、接続電極と呼ぶ。）、
９ａ〜９ｄは前記接続電極１０ａ　〜１０ｄとＴＰＴの
ドレイン端子などと電気的に接続された配線（以後、接
続配線と呼ぶ。）１２はＳ、Ｎｘなどで形成された絶縁
体膜である。

第１図および第２図（ａ）、　（ｂ）で明らかなように
、ＴＰＴのドレイン端子は反射電極端子により反射電極
に接続されており、また接続配線により接続電極に接続
されている。前記接続電極は　Ｔ１　・Ａ２・Ｃｒなど
の金属薄膜で形成され、その膜厚は５００Å以上必要で
あり、好ましくは２０００Å以上であることが望ましい
。またＴＰＴのゲート・ソース端子および反射電極端子
にはくびれを形成している。また前記くびれは加工手段
による切断性をよくするためのもので、加工手段がレー
ザーなどの場合、そのビーム径よりも狭く形成するのが
好ましい。

本発明の反射型アクティブマトリックスアレイの製造方
法としては絶縁基板１１上にＴＦＴおよび接続配線など
を形成後、５ＩＮｘなどの絶縁体膜を形成する。次にコ
ンタクトホールの穴あけ加工をおこない、その後、反射
電極を形成するため、主としてＡｌからなる薄膜を形成
する。最後に反射Ｎ、極をエツチングにより、隣接絵素
と分離し完成する。

第３図は本発明の第１の実施例における反射型アクティ
ブマトリックスアレイの等価回路図である。第３図にお
いて、１３はＴＦＴ、１４はソース信号線、１５はゲー
ト信号線、１６は接続配線、１日は接続電極である。

各Ｔ’ＦＴ１３は反射電極１７に接続され、また前記反
射電極の下方に隣接した反射電極の下層に形成された接
続電極に接続されている。なお、反射電極配線を形成す
るとしたが、これは、ＴＰＴのドレイン端子を含めたも
のと考えてもよい。

次に本発明の反射型アクティブマトリックスアレイの修
正方法について説明する。まず第４図は、第１図のＢＢ
’線での断面図である。第４図において、１９はＹＡＥ
などのレーザー光あるいはキセノンランプなどの光源か
ら光を集束させた光の軌跡（以後、光線と呼ぶ）である
０本発明の反射型アクティブマトリックスアレイの修正
をおこなうために、加工手段（図示せず）が発生する光
線を絶縁基板１１を透過させ、加工位置の構成物質を加
熱することによりおこなう。第５図は反射型アクティブ
マトリックスアレイの平面図を示している。第５図にお
いて、２０および２１は光線の照射位置く以後、照射位
置とよぶ）、１３ａおよび１３ｄはＴＦＴである。なお
、第５図ではＴＰＴ１３ｄにソース・ドレイン間短絡欠
陥（以後、白欠陥と呼ぶ）またはゲート・ドレイン間短
絡欠陥（以後、黒欠陥と呼ぶ）が発生した場合に修整を
おこなったところを示している。

まず欠陥が発生したＴＦＴ１３ｄから反射電極８ｄに電
圧が印加されないように、反射電極配線６ｄを照射位置
２１で切断する。前記切断のさい、上層に形成されてい
る反射電極８ｄに短絡させないように、光線のパワーを
極力低くし、複数回にわけて同一箇所に照射する。前記
加工手段にレーザーを用いる場合、反射電極配線の精成
物質に吸収されにくい波長のものが好ましく、ＹＡＧレ
ーザーなどが最適である。また、パルス数は２パルス以
上照射位置２１に照射して切断するのがよく、好ましく
は５パルス以上で切断できるようにレーザーパワーを調
整するのがよい。

次に照射位置２０にレーザー光を照射し、接続？？を極
１０ａと上層に形成された反射電極８ｄとを接続する。

前記加工にレーザーを用いる場合、接続電極の精成物質
に吸収されやすい波長のものが好ましく、ＹＡＧレーザ
ーの第２高波波などが最適である。また、レーザーパワ
ーは１パルスあたりのエネルギーを強くし、極力パルス
を少なくする方が良好に接続することができる。また、
ＹＡＧレーザーの１．０６μｍのものを用いてもよいが
、その際には前記照射位置２１に印加したレーザーパル
スの２倍程度のレーザーパワーを印加すればよい。

つまり、照射位置２１を加工する際は前記位置の構成物
質を極力蒸発させるように弱いレーザーパワーを複数回
にわけて照射し、照射位置２０を加工する際は強いレー
ザーパワーを印加し、構成物質を蒸発させ、接続電極の
！、り離などにより反射電極と接続させる。

第７図（ａ）、　（ｂ）は修正が終了したときの反射型
アクティブマトリックスアレイの断面図である。なお、
第７図（ａ）は、第５図のＣＣ゛線での断面図、第７図
■）は第５図ＤＤ’線での断面図である。第７図（ａ）
、■）であきらかなように加工位置２１は電気的に接続
されており、照射位置２０は絶縁体膜２０を破かいし、
５層の反射電極８ｄと接続されている。

なお、照射位置２１を加工し、つぎに照射位置２０を加
工するとしたが、前記工程の順序が逆でもよいことはい
うまでもない。また、ＴＦＴ１３ｄにゲート・ソース間
短絡欠陥（以後、線欠陥と呼ぶ。）が発生している場合
は、ＴＦＴ１３ｄのソース端子３ｄとゲート端子４ｄま
たはドレイン端子５ｄを切断する。

以上の修正方法は、以下の発明の反射型アクティブマト
リックスアレイにおいても同様である。

以下、本発明の第２の実施例の反射型アクティブマトリ
ンクスアレイついて説明する。第８図は本発明の第２の
実施例における反射型アクティブマトリックスアレイの
平面図である。第２の実地例では、接続電極１０ａ−１
０ｂ上に前記電極材料と異なる沸点をもつ金属からなる
薄膜　２２ａ〜２２ｄ（以後、金属薄膜と呼ぶ。）を形
成している。好ましくはＡ２からなる薄膜を形成する。

第９図は第８図のＥＥ’線での断面図である。前記薄膜
は接続電極の薄膜以上の膜厚を形成する。

以下、本発明の第２の実施例の反射型アクティブマトリ
ックスアレイの修正方法を説明する。反射電極配線およ
び接続電極に加工をおこなう方法は第１の実施例と同様
である。接続電極がＣｒまたはＴ、の薄膜で形成され、
金Ｂ薄膜がＡ２で形成さている場合、接続電極にレーザ
ー光を照射するとまず接続電極が熱せられ気化・膨張ま
た剥離する０次にＡ２が融解するが、Ａｆｆｉは融点と
沸点が比較的大きくはなれているため、溶解状態のまま
、剥離した接続電極とともに絶縁体膜１２をやふり、反
射電極に切断される。

以上のように接続電極上に沸点の異なる金属薄膜を形成
することにより、レーザーなどに熱せられたさいの、接
続電極と金属薄膜の気化・熔解状態が異なり、一方が溶
解状態のまま反射電極に接続される。したがって良好な
切接をおこなうことができる。特に金属薄膜にＡｌを用
いることにより、特に良好な接続が得られる。

以下本発明の第３の実施例の反射型アクティブマトリッ
クスアレイについて説明する。第１Ｏ図は本発明の第３
の実施例の反射型アクティブマトリックスアレイの平面
図である。第１０図において２３および２４は加工位置
である。第１１図（ａ）は第１０図のＦＦ’線での断面
図、第１１図（ｂ）は第１０図ＣＧ’の断面図である。

第３の実施例では反射電極配線およびＴＰＴのゲート端
子の上層に反射電極が形成されていない。したがって、
加工位置２４またはゲート端子にレーザー光などを照射
し切断する際、切断部の絶縁体膜１２にピンホ−ルなど
が生じていてもまたレーザーパワーの調整を誤っても、
端子または配線が上層の反射電極と短絡するおそれがな
い。ゆえに、レーザーパワーの調整に精度を必要とせず
、またアレイの修整の際不良品を生じさせるという問題
点がなくなる。

なお、第１２図は本発明の第３の実施例における反射型
アクティブマトリックスアレイの等価回路図である。

以下、本発明の第４の実施例の反射型アクティブマトリ
ックスアレイについて説明する。第１３図は本発明の第
４の実施例におけるアクティブマトリックスアレイの平
面図である。また第１４図（ａ）は第１３図のＨＨ“線
での断面図、第１４図（ｂ）は第１３図の■ビ線での断
面図、第１５図は本発明の第４の実施例の反射型アクテ
ィブマトリックスアレイの等価回路図である。第１３図
、第１４図（ａ）、　（ｂ）および第１５図において　
２６・２７は照射位置であり、２５はソース信号線上に
形成された絶縁体膜であり、接続配線９ａ−９ｄがソー
ス信号線と電気的に接続されないように形成され第１３
図から明らかなように、反射電極はソース信号線とゲー
ト信号線の上層部には形成されていない、また形成して
も、極力少なくなるように形成する０以上のように反射
型アクティブマトリックスアレイを形成することにより
、絶縁体膜１２のピンホールにより反射電極とゲート・
ソース信号線と直接接続されて欠陥を発生させることお
よび前記信号線と反射電極の容量結合し表示品質を低下
させることをなくすることができる。修正は前記の実施
例と同様に照射位置２６と２７を加工することにより行
うことができる。

なお、本発明の実施例において、スイッチング素子はＴ
ＰＴとしたがこれに限るものではなく、たとえばダイオ
ードなどの２端子でもよい。

発明の効果 本発明の反射型アクティブマトリックスアレイは、スイ
ッチング素子の端子のうち１端子以上を切断できるよう
に構成し、また各反射電極の下層には隣接した反射電極
を駆動するスイッチング素子のドレイン端子に接続され
た接続電極を形成したものである。したがって本発明の
反射型アクテ　　ノイブマトリックスアレイの修正方法
は、まず、不良スイッチング素子の端子を切断し、前記
スイッチング素子が反射電極に信号を印加しないように
する。次に、前記反射電極の下層に形成されている接続
電極にレーザー光などを照射し、接続電極と反射電極を
接続する。以上の方法により、不良スイッチング素子が
接続されていた反射電極は隣接したスイッチング素子に
より正常に駆動されるようになる。以上の反射型アクテ
ィブマトリックスアレイおよびその修正方法により、は
ぼすべてのスイッチング素子の大曳を救さいできること
になり、前記アレイの歩留まりは、１００％近くに上昇
する。したがって反射型アクティブマトリックスアレイ
の製造コストを大幅に低減させるこことができる。この
ことは、−アレイ上に形成する絵素数が増大するに絶大
になり、いままで、良品が一枚も製造できなかったよう
な数１ｏ万絵素のものでも容易に製造できるようになる
という太きな効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図、第５図は本発明の第１の実施例における反射型
アクティブマトリックスアレイの平面図、第２図（ａ）
、　（ｂ）、第４図は第１図の断面図、第３図。 第６図は本発明の第１の実施例における反射型アクティ
ブマトリックスアレイの等価回路図、第７図（ａ）、　
（ｂ）は第５図の断面図、第８図は本発明の第２の実施
例における反射型アクティブマトリックスアレイの平面
図、第９図は第８図の断面図、第１０図は本発明の第３
の実施例における反射型アクティブマトリックスアレイ
の平面図、第１１図（ａ）、　（ｂ）は第１０図の断面
図、第１２図は本発明の第３の実施例における反射型ア
クティブマトリックスアレイの等価回路図、第１３図は
本発明の第４の実施例における反射型マトリックスアレ
イの平面図、第１４図（ａ）、　（ｂ）は第１３図の断
面図、第１５図は本発明の第４の実施例における反射型
マトリックスアレイの等価回路図、第１６図は従来の反
射型アクティブマトリックスアレイの平面図、第１７図
（ａ）、■）は第１６図の断面図、第１８図は従来の反
射型アクティブマトリックスアレイの等価回路図、第１
９図は型液晶表示装置の断面図である。 １ａ〜ＩＣ・・・・・・ソース信号線、２ａ〜２Ｃ・・
・・・・ゲート信号線、３ａ〜３ｄ・・・・・・ソース
端子、４ａ〜４ｄ・・・・・・ゲート端子、５ａ〜５ｄ
・・・・・・ドレイン端子、６ａ〜６ｄ・・・・・・反
射電極配線、７ａ〜７ｄ・・・・・・コンタクトホール
、８ａ〜８ｒ・・・・・・反射電極、９ａ〜９ｄ・・・
・・・接続配線、１０ａ〜１０ｄ・・・・・・接続電極
、１１・・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・絶縁体
膜、１３、　１３　ａ　１３　ｂ−−−・・−ＴＦＴ、
　　１４−ソース信号線、１５・・・・・・ゲート信号
線、１６・・・・・・接続配線、１７・・・・・・反射
電極、１日・・・・・・接続電極、１９・・・・・・光
線の軌跡、２０，２１，２２，２３，２４゜２６．２７
．・・・・・・照射位置、２２ａ〜２２ｄ・・・・・・
金属薄膜、２５・・・・・・絶縁体膜、０１〜Ｇ４・・
・・・・ゲート信号線、Ｓ１〜Ｓ８・・・・・・ソース
信号線、ＴＩＩ〜Ｔ　４ｆｆ・・・・・・Ｔ　Ｆ　Ｔ　
、Ｐ　１１　””　Ｐ　４３・・・・・・反射電極、２
７゜２９・・・・・・配向膜、２８・・・・・・液晶、
３０・・・・・・透明電極、３１・・・・・・対向電極
。 代理人の氏名　弁理人　中尾敏男　はか１名１／−一一
舅ｌ孟１４叉 （ｂ） １３−　　丁ＦＴ １４−−−ソースイ３号、線 １５−　　ゲ′−ト賄号庶 ｌ乙−１Ｅ悦配珠 １７−　　及紺電攻 第３図　　　　　／δ−撞ハ宅祢 第６図 第７図 ？３．２４−−−駁隼泣！ 第１０図 第１１図 第１２図 ２６．２７−−−照射徨置 （α） 第１５図 第１６図 に′ 第１７図 （α） （ｂ） Ｇｔ　−Ｇａ　−−−”’　−）　４　’ｉｙ　ｈａΣ
ｌ〜δ、？　−ゾーヌ店号珠 第１８図　　　　　　　　　　７′／１〜で−７ＦＴＰ
ｔ＋〜〜−一一及射電称

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）反射型アクティブマトリックスアレイであって、
   スイッチング素子の一端子と反射電極とを接続する第１
   の配線と、前記反射電極に隣接した反射電極の下層に絶
   縁体膜を介して形成された接続電極と、前記第１の配線
   と前記接続電極とを、電気的に接続する第２の配線とを
   具備することを特徴とする反射型アクティブマトリック
   スアレイ。
2. （２）接続電極は金属で形成され、接続電極上に前記接
   続電極の金属と沸点が異なる金属薄膜が形成されたこと
   を特徴とする請求項（１）記載の反射型アクティブマト
   リックスアレイ。
3. （３）スイッチング素子は２端子素子あるいは３端子で
   あり、前記素子が有する端子のうち少なくとも一端子を
   反射電極または信号線から電気的に切り離せる切断部位
   を具備することを特徴とする請求項（１）記載の反射型
   マトリックスアレイ。
4. （４）接続電極または接続電極と前記電極上に形成され
   た金属薄膜を加えた膜厚は、切断部位の膜厚よりも厚く
   形成されていることを特徴とする請求項（３）記載の反
   射型アクティブマトリックスアレイ。
5. （５）少なくとも１つの切断部位上に反射電極が形成さ
   れていないことを特徴する請求項（３）記載のの反射型
   アクティブマトリックスアレイ。
6. （６）光学的と熱的手段のうち少なくとも１つの加工手
   段を用いてスイッチング素子の端子または第１の配線を
   切断し、前記スイッチング素子から反射電極に信号が印
   加されないようにし、加工手段を用いて、前記第１の配
   線に接続されていた反射電極の下層に形成されている接
   続電極の構成物質を溶解または気化させることにより第
   ２の配線と前記反射電極とを電気的に接続することを特
   徴とする反射型アクティブマトリックスアレイの修正方
   法。
7. （７）加工手段はレーザーまたはキセノンランプの光を
   集光したものであることを特徴とする請求項（６）記載
   の反射型アクティブマトリックスアレイの修正方法。
8. （８）加工手段はアクティブマトリックスアレイが形成
   された基板を透過し、切断部位または接続電極を加工す
   ることを特徴とする請求項（６）記載の反射型アクティ
   ブマトリックスアレイの修正方法。
9. （９）切断部位は複数パルスのレーザーまたはキセノン
   ランプの光の集光を印加し、接続電極には１パルス以上
   の前記光を印加することとを特徴とする請求項（６）記
   載の反射型マトリックスアレイの修正方法。