JPH0833558B2 - アクティブマトリックスアレイ - Google Patents
アクティブマトリックスアレイInfo
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- JPH0833558B2 JPH0833558B2 JP13344889A JP13344889A JPH0833558B2 JP H0833558 B2 JPH0833558 B2 JP H0833558B2 JP 13344889 A JP13344889 A JP 13344889A JP 13344889 A JP13344889 A JP 13344889A JP H0833558 B2 JPH0833558 B2 JP H0833558B2
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は透過型アクティブマトリックスアレイ型液晶
パネルに用いるアクティブマトリックスアレイに関する
ものである。
パネルに用いるアクティブマトリックスアレイに関する
ものである。
従来の技術 近年、液晶表示装置の絵素数増大に伴って、走査線数
が増え、従来から用いられている単純マトリックス型液
晶表示装置では表示コントラストや応答速度が低下する
ことから、各絵素にスイッチング素子を配置したアクテ
ィブマトリックス型液晶パネルが利用されつつある。し
かしながら前記アクティブマトリックス型液晶パネルに
用いるアクティブマトリックスアレイは一枚の基板上に
数万個以上の薄膜トランジスタ（以後、TFTと呼ぶ）を
無欠陥に製造しなければならず、したがってこの製造歩
留りが非常に大きな課題となる。高い歩留りにてアクテ
ィブマトリックスアレイを製造するためには、クリーン
度の高いIC製造ライン並にて製造する必要があるが、万
一１〜２個の欠陥が発生した場合には、これを修正する
方法も確立しておかなければならない。以下、欠陥修正
が可能なアクティブマトリックスアレイの１例について
図面を参照しながら説明する。
が増え、従来から用いられている単純マトリックス型液
晶表示装置では表示コントラストや応答速度が低下する
ことから、各絵素にスイッチング素子を配置したアクテ
ィブマトリックス型液晶パネルが利用されつつある。し
かしながら前記アクティブマトリックス型液晶パネルに
用いるアクティブマトリックスアレイは一枚の基板上に
数万個以上の薄膜トランジスタ（以後、TFTと呼ぶ）を
無欠陥に製造しなければならず、したがってこの製造歩
留りが非常に大きな課題となる。高い歩留りにてアクテ
ィブマトリックスアレイを製造するためには、クリーン
度の高いIC製造ライン並にて製造する必要があるが、万
一１〜２個の欠陥が発生した場合には、これを修正する
方法も確立しておかなければならない。以下、欠陥修正
が可能なアクティブマトリックスアレイの１例について
図面を参照しながら説明する。
第７図（ａ）は従来のアクティブマトリックスアレイ
の一部拡大平面図である。ただし説明が不用な箇所は省
略してある。また、図面において拡大あるいは縮小した
部分が存在する。以上のことは以下の図面に対しても同
様である。第７図（ａ）において、1a・1b・1cおよび1d
は絵素電極、11・71は絶縁体膜、12はゲート信号線、13
はソース信号線、14はドレイン端子、72は金属薄膜であ
る。第７図（ｂ）は第７図（ａ）のCC′線による断面図
である。第７図（ｂ）において73はガラス基板、74は電
気的接続用パターン、75はコンタクトホールである。第
７図（ｂ）に示すようにガラス基板73上に電気的接続用
パターン74を形成し、その上に絶縁体膜71を形成し、コ
ンタクトホール75を形成したのち絵素電極1aおよび1cを
形成する。さらに絶縁体膜71と絵素電極1cと重なる部分
上には金属薄膜72を形成している。以下、同一番号ある
いは同一記号を付したものは同一あるいは同様の構成ま
たは同様の機能のものである。
の一部拡大平面図である。ただし説明が不用な箇所は省
略してある。また、図面において拡大あるいは縮小した
部分が存在する。以上のことは以下の図面に対しても同
様である。第７図（ａ）において、1a・1b・1cおよび1d
は絵素電極、11・71は絶縁体膜、12はゲート信号線、13
はソース信号線、14はドレイン端子、72は金属薄膜であ
る。第７図（ｂ）は第７図（ａ）のCC′線による断面図
である。第７図（ｂ）において73はガラス基板、74は電
気的接続用パターン、75はコンタクトホールである。第
７図（ｂ）に示すようにガラス基板73上に電気的接続用
パターン74を形成し、その上に絶縁体膜71を形成し、コ
ンタクトホール75を形成したのち絵素電極1aおよび1cを
形成する。さらに絶縁体膜71と絵素電極1cと重なる部分
上には金属薄膜72を形成している。以下、同一番号ある
いは同一記号を付したものは同一あるいは同様の構成ま
たは同様の機能のものである。
以上のように構成されたアクティブマトリックスアレ
イについて、その修正方法を第８図を参照しながら説明
する。第８図はアクティブマトリックスアレイの一部拡
大平面図である。第８図においては81はTFTのソース・
ドレイン間の短絡欠陥である。先にも述べたようにアク
ティブマトリックスアレイには少なくとも数万個以上の
TFTを作製する必要がある。しかし前記数万個以上のTFT
がすべて良品となる確率は低い。したがって歩留まりを
向上させるためには不良TFTが駆動する絵素に修正を加
え、正常に点燈させる必要がある。前述の欠陥モードと
しては、たとえば第８図のようにTFTのソースとドレイ
ン間の短絡欠陥が発生した場合はたえずソース信号線13
に印加されている信号が絵素電極1aに流れ込み、常に点
燈状態（以後、白欠陥と呼ぶ）になる。また以後TFTの
ゲートとドレイン間の短絡欠陥などが発生したときにお
こる常に非点燈状態となる欠陥を黒欠陥と呼ぶ。前述の
TFTのソースとドレイン間短絡欠陥の場合はまず絵素電
極1aに信号が入力されないようにDD′線の箇所をレーザ
光などにより切断する。次にａ点にレーザ光を照射し、
金属薄膜72を溶解し、第10図に示すように金属薄膜72を
介して絵素電極1cと電気的接続パターン74を電気的に接
続する。したがって絵素電極1aは電気的接続パターン74
を介して絵素電極1cと接続され、絵素電極1cを駆動する
TFTにより駆動されるようになり、疑似的に正常点燈に
なる。前記点燈状態は絵素電極1aと1cは同一表示を行う
ことになるがテレビ映像信号を表示する場合は視覚的に
なんら正常点燈とかわらない。（例えば特開昭56-10169
3号公報） 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のようなアクティブマトリックスア
レイの構成では、レーザ光を照射し金属薄膜72を溶解さ
せることにより絵素電極と電気的接続パターン74を電気
的に接続している。
イについて、その修正方法を第８図を参照しながら説明
する。第８図はアクティブマトリックスアレイの一部拡
大平面図である。第８図においては81はTFTのソース・
ドレイン間の短絡欠陥である。先にも述べたようにアク
ティブマトリックスアレイには少なくとも数万個以上の
TFTを作製する必要がある。しかし前記数万個以上のTFT
がすべて良品となる確率は低い。したがって歩留まりを
向上させるためには不良TFTが駆動する絵素に修正を加
え、正常に点燈させる必要がある。前述の欠陥モードと
しては、たとえば第８図のようにTFTのソースとドレイ
ン間の短絡欠陥が発生した場合はたえずソース信号線13
に印加されている信号が絵素電極1aに流れ込み、常に点
燈状態（以後、白欠陥と呼ぶ）になる。また以後TFTの
ゲートとドレイン間の短絡欠陥などが発生したときにお
こる常に非点燈状態となる欠陥を黒欠陥と呼ぶ。前述の
TFTのソースとドレイン間短絡欠陥の場合はまず絵素電
極1aに信号が入力されないようにDD′線の箇所をレーザ
光などにより切断する。次にａ点にレーザ光を照射し、
金属薄膜72を溶解し、第10図に示すように金属薄膜72を
介して絵素電極1cと電気的接続パターン74を電気的に接
続する。したがって絵素電極1aは電気的接続パターン74
を介して絵素電極1cと接続され、絵素電極1cを駆動する
TFTにより駆動されるようになり、疑似的に正常点燈に
なる。前記点燈状態は絵素電極1aと1cは同一表示を行う
ことになるがテレビ映像信号を表示する場合は視覚的に
なんら正常点燈とかわらない。（例えば特開昭56-10169
3号公報） 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のようなアクティブマトリックスア
レイの構成では、レーザ光を照射し金属薄膜72を溶解さ
せることにより絵素電極と電気的接続パターン74を電気
的に接続している。
金属薄膜72は熱伝導性のわるい絶縁体膜71上に形成さ
れ、かつその面積は微小である。したがってレーザ光を
金属薄膜72に照射すると金属薄膜72は溶解せず蒸発して
しまいやすい。したがって、金属薄膜72を溶解させるレ
ーザパワー・照射時間などのレーザ条件設定は非常に困
難であるゆえに、接続不良をおこす。つまり、絵素欠陥
の修正が困難である。なお、特開昭59-101693号公報で
は金属薄膜72は必要ないとも書かれているが絵素電極1c
および、絶縁体膜71は透過色で、通常レーザ光を透過し
やすい。したがって、金属薄膜72が形成されない状態で
はレーザ光は直接電気的接続パターン74を加熱すること
になり、前記加熱により絶縁体膜71に穴をあけかつ、絵
素電極の構成物質を溶解させ電気的に接続することは不
可能に近い。
れ、かつその面積は微小である。したがってレーザ光を
金属薄膜72に照射すると金属薄膜72は溶解せず蒸発して
しまいやすい。したがって、金属薄膜72を溶解させるレ
ーザパワー・照射時間などのレーザ条件設定は非常に困
難であるゆえに、接続不良をおこす。つまり、絵素欠陥
の修正が困難である。なお、特開昭59-101693号公報で
は金属薄膜72は必要ないとも書かれているが絵素電極1c
および、絶縁体膜71は透過色で、通常レーザ光を透過し
やすい。したがって、金属薄膜72が形成されない状態で
はレーザ光は直接電気的接続パターン74を加熱すること
になり、前記加熱により絶縁体膜71に穴をあけかつ、絵
素電極の構成物質を溶解させ電気的に接続することは不
可能に近い。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、第１の本発明のアクティブ
マトリックスアレイは、第１の画素電極と第２の画素電
極間に信号線が配置され、前記第１の画素電極上で、か
つ、前記信号線の近傍に形成された第１の金属薄膜と、
前記信号線上および前記第１の金属薄膜上を被覆する第
１の絶縁体膜と、一端が第２の画素電極と電気的に接続
され、かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの上
方から見たとき前記第１の金属薄膜と重なるように形成
された金属からなる接続配線と、前記接続配線上を被覆
する第２の絶縁体膜と、一端が前記第１の画素電極と接
続され、かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの
上方から見たとき前記第１の金属薄膜と重なるように形
成された第２の金属薄膜が形成されたことを特徴とする
ものであり、 また、第２の本発明のアクティブマトリックスアレイ
は、第１の画素電極と第２の画素電極間に信号線が配置
され、前記第１の画素電極上で、かつ、前記信号線の近
傍に形成された第１の金属薄膜と、前記第２の画素電極
上で、かつ、前記信号線の近傍に形成された第３の金属
薄膜と、前記信号線上および前記第１の金属薄膜上およ
び前記第３の金属薄膜上を被覆する第１の絶縁体膜と、
一端がアクティブマトリックスアレイの上方から見たと
き前記第１の金属薄膜と重なるように形成され、かつ、
他端が前記第３の金属薄膜と重なるように形成された金
属からなる接続配線と、前記接続配線上を被覆する第２
の絶縁体膜と、一端が前記第１の画素電極と接続され、
かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの上方から
見たとき前記第１の金属薄膜と重なるように形成された
第４の金属薄膜と、一端が前記第２の画素電極と接続さ
れ、かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの上方
から見たとき前記第３の金属薄膜と重なるように形成さ
れた第５の金属薄膜とが形成されたものである。
マトリックスアレイは、第１の画素電極と第２の画素電
極間に信号線が配置され、前記第１の画素電極上で、か
つ、前記信号線の近傍に形成された第１の金属薄膜と、
前記信号線上および前記第１の金属薄膜上を被覆する第
１の絶縁体膜と、一端が第２の画素電極と電気的に接続
され、かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの上
方から見たとき前記第１の金属薄膜と重なるように形成
された金属からなる接続配線と、前記接続配線上を被覆
する第２の絶縁体膜と、一端が前記第１の画素電極と接
続され、かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの
上方から見たとき前記第１の金属薄膜と重なるように形
成された第２の金属薄膜が形成されたことを特徴とする
ものであり、 また、第２の本発明のアクティブマトリックスアレイ
は、第１の画素電極と第２の画素電極間に信号線が配置
され、前記第１の画素電極上で、かつ、前記信号線の近
傍に形成された第１の金属薄膜と、前記第２の画素電極
上で、かつ、前記信号線の近傍に形成された第３の金属
薄膜と、前記信号線上および前記第１の金属薄膜上およ
び前記第３の金属薄膜上を被覆する第１の絶縁体膜と、
一端がアクティブマトリックスアレイの上方から見たと
き前記第１の金属薄膜と重なるように形成され、かつ、
他端が前記第３の金属薄膜と重なるように形成された金
属からなる接続配線と、前記接続配線上を被覆する第２
の絶縁体膜と、一端が前記第１の画素電極と接続され、
かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの上方から
見たとき前記第１の金属薄膜と重なるように形成された
第４の金属薄膜と、一端が前記第２の画素電極と接続さ
れ、かつ、他端がアクティブマトリックスアレイの上方
から見たとき前記第３の金属薄膜と重なるように形成さ
れた第５の金属薄膜とが形成されたものである。
作用 配線は第１および、第２の金属薄膜と絶縁状態に形成
している。第２の金属薄膜に光を照射することにより、
前記、金属薄膜および配線は加熱・溶解し、また下層の
第１および、第２の絶縁体膜は破壊される。したがっ
て、第１の金属薄膜と配線または第２の金属薄膜と配線
間のうち少なくとも一方が電気的に接続される。
している。第２の金属薄膜に光を照射することにより、
前記、金属薄膜および配線は加熱・溶解し、また下層の
第１および、第２の絶縁体膜は破壊される。したがっ
て、第１の金属薄膜と配線または第２の金属薄膜と配線
間のうち少なくとも一方が電気的に接続される。
実施例 以下、本発明のアクティブマトリックスアレイの一実
施例について図面を参照しながら説明する。
施例について図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるアクティブマ
トリックスアレイの一部拡大平面図である。第１図にお
いて15は接続配線形成部である。第２図（ａ）は第１図
の接続配線形成部の拡大平面図である。また、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）のAA′線での断面図である。第１
図で明らかなように接続配線形成部はソース信号線13上
に形成される。前記形成部は、少なくとも１つの隣り合
う絵素電極間に形成される。また、第２図（ａ）（ｂ）
から明らかなように、絵素電極の所定部位には金属薄膜
22a、22b（以後、第１金属薄膜と呼ぶ）が形成される。
前記、薄膜の形成面積は10μ２ｍ以上、好ましくは100
μ２ｍ以上の大きさに形成する。形成面積が大きいほど
以後に示す接続条件の範囲は広くなる。また、膜厚は50
0Å以上、好ましくは1000Å以上に形成する。構成物質
としてはCr・Alなどが好ましい。前記、第１金属薄膜22
a・22bおよびソース信号線13a上には絶縁体膜21（以
後、第１絶縁体膜と呼ぶ）が形成される。前記、第１絶
縁体膜の構成物質としてはSiNX・SiO2などの無機物質が
用いられる。好ましくは、ち密・硬質に形成されたSiNX
膜を用いる。また、その膜厚は１μｍ以下に好ましくは
2000Å以下に形成する。前記、第１絶縁体膜上には第１
金属薄膜22aの形成領域に重なるように接続配線23を形
成する。前記、接続配線23の一端はソース信号線13の上
層部を通り、隣接した絵素電極に形成された第１金属薄
膜22bの形成領域上に形成される。接続配線23の構成物
質としては、融点と沸点が離れているAlなどが好まし
く、その膜厚は1000Å以上に、好ましくは2000Å以上に
形成される。前記、接続配線23上には第２の絶縁体膜24
（以後、第２絶縁体膜と呼ぶ）が形成される。構成物質
としては、第１絶縁体膜21と同一物質で構成される。膜
厚は第１絶縁体膜21より薄く形成される。これは第１絶
縁体膜の膜厚は、ピンホールにより接続配線23とソース
信号線13との短絡が発生することを防止するために比較
的厚く形成されるためである。第２絶縁体膜24上には、
第１金属薄膜22a・22bと重なるように第２の金属薄膜25
a・25b（以後、第２金属薄膜と呼ぶ）を形成し、かつ前
記金属薄膜25a・25bは絵素電極1aおよび、1Cと電気的に
接続される。前記、金属薄膜の膜厚は1000Å以上、好ま
しくは2000Å以上に形成される。また、構成物質として
は、比較的光吸収率のよいCrなどが用いられる。前記、
金属薄膜21a・25bは良好に絵素電極1a・1bと接続をとる
ために、第２図（ａ）（ｂ）では図示していないが、接
続配線23を形成する際に同時に絵素電極上に金属薄膜を
形成しておき、絶縁体膜21・24などによる段差を軽減
し、段差切れを防止する。
トリックスアレイの一部拡大平面図である。第１図にお
いて15は接続配線形成部である。第２図（ａ）は第１図
の接続配線形成部の拡大平面図である。また、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）のAA′線での断面図である。第１
図で明らかなように接続配線形成部はソース信号線13上
に形成される。前記形成部は、少なくとも１つの隣り合
う絵素電極間に形成される。また、第２図（ａ）（ｂ）
から明らかなように、絵素電極の所定部位には金属薄膜
22a、22b（以後、第１金属薄膜と呼ぶ）が形成される。
前記、薄膜の形成面積は10μ２ｍ以上、好ましくは100
μ２ｍ以上の大きさに形成する。形成面積が大きいほど
以後に示す接続条件の範囲は広くなる。また、膜厚は50
0Å以上、好ましくは1000Å以上に形成する。構成物質
としてはCr・Alなどが好ましい。前記、第１金属薄膜22
a・22bおよびソース信号線13a上には絶縁体膜21（以
後、第１絶縁体膜と呼ぶ）が形成される。前記、第１絶
縁体膜の構成物質としてはSiNX・SiO2などの無機物質が
用いられる。好ましくは、ち密・硬質に形成されたSiNX
膜を用いる。また、その膜厚は１μｍ以下に好ましくは
2000Å以下に形成する。前記、第１絶縁体膜上には第１
金属薄膜22aの形成領域に重なるように接続配線23を形
成する。前記、接続配線23の一端はソース信号線13の上
層部を通り、隣接した絵素電極に形成された第１金属薄
膜22bの形成領域上に形成される。接続配線23の構成物
質としては、融点と沸点が離れているAlなどが好まし
く、その膜厚は1000Å以上に、好ましくは2000Å以上に
形成される。前記、接続配線23上には第２の絶縁体膜24
（以後、第２絶縁体膜と呼ぶ）が形成される。構成物質
としては、第１絶縁体膜21と同一物質で構成される。膜
厚は第１絶縁体膜21より薄く形成される。これは第１絶
縁体膜の膜厚は、ピンホールにより接続配線23とソース
信号線13との短絡が発生することを防止するために比較
的厚く形成されるためである。第２絶縁体膜24上には、
第１金属薄膜22a・22bと重なるように第２の金属薄膜25
a・25b（以後、第２金属薄膜と呼ぶ）を形成し、かつ前
記金属薄膜25a・25bは絵素電極1aおよび、1Cと電気的に
接続される。前記、金属薄膜の膜厚は1000Å以上、好ま
しくは2000Å以上に形成される。また、構成物質として
は、比較的光吸収率のよいCrなどが用いられる。前記、
金属薄膜21a・25bは良好に絵素電極1a・1bと接続をとる
ために、第２図（ａ）（ｂ）では図示していないが、接
続配線23を形成する際に同時に絵素電極上に金属薄膜を
形成しておき、絶縁体膜21・24などによる段差を軽減
し、段差切れを防止する。
以下、本発明のアクティブマトリックスアレイについ
て、その修正方法を第１図および、第３図を用いて説明
する。第３図において31は光線の軌跡である。TFTのド
レイン端子を絵素電極1aから切り離すことは従来のアク
ティブマトリックスアレイと同様である。次にｂ点およ
び、ｃ点に光を照射する。前記、光としては第２金属薄
膜25a・25bに吸収のよい波長のものが好ましく、通常有
視波長のものを用いる。具体的にはキセノンランプの集
束光などが用いられる。前記光源はレーザなどと比較す
ると、照射電力にバラツキが生じるが、装置コストが安
く、比較的制御も容易である。加熱条件は、集光部の電
力密度は比較的低くし、複数回の光パルスを照射する。
第３図はｂ・ｃ点に光を照射し、接続処理を終了したと
きの接続配線形成部の断面図である。第３図においてｂ
点では第２金属薄膜25aおよび、第２絶縁体膜24がやぶ
れ、蒸発し、接続配線23と第１金属薄膜が接続されてい
る。また、ｃ点では第２金属薄膜と接続配線が接続され
ている。前記接続状態としては、絶縁体膜にクラックが
生じ、前記、クラックを介して溶触した金属薄膜が流れ
こむことにより電気的接続がとれる。また、同一電力で
も出力光電力にはバラツキが生じ、ｂ点のように上層の
第２金属薄膜などが蒸発してしまう恐れがある。しか
し、接続配線23は第１および第２金属薄膜によりはさま
れている。したがって、上下どちらかの金属薄膜と電気
的接続がとれる。ゆえに光照射条件の範囲は非常に広
い。また、第１絶縁体膜のピンポールにより、接続配線
23とソース信号線13および、接続配線23と第１金属薄膜
間に短絡が生じると、絵素電極にはたえずソース信号線
13に印加されている信号が印加される。したがって、白
点欠陥となるが、その確率は極めて小さい。
て、その修正方法を第１図および、第３図を用いて説明
する。第３図において31は光線の軌跡である。TFTのド
レイン端子を絵素電極1aから切り離すことは従来のアク
ティブマトリックスアレイと同様である。次にｂ点およ
び、ｃ点に光を照射する。前記、光としては第２金属薄
膜25a・25bに吸収のよい波長のものが好ましく、通常有
視波長のものを用いる。具体的にはキセノンランプの集
束光などが用いられる。前記光源はレーザなどと比較す
ると、照射電力にバラツキが生じるが、装置コストが安
く、比較的制御も容易である。加熱条件は、集光部の電
力密度は比較的低くし、複数回の光パルスを照射する。
第３図はｂ・ｃ点に光を照射し、接続処理を終了したと
きの接続配線形成部の断面図である。第３図においてｂ
点では第２金属薄膜25aおよび、第２絶縁体膜24がやぶ
れ、蒸発し、接続配線23と第１金属薄膜が接続されてい
る。また、ｃ点では第２金属薄膜と接続配線が接続され
ている。前記接続状態としては、絶縁体膜にクラックが
生じ、前記、クラックを介して溶触した金属薄膜が流れ
こむことにより電気的接続がとれる。また、同一電力で
も出力光電力にはバラツキが生じ、ｂ点のように上層の
第２金属薄膜などが蒸発してしまう恐れがある。しか
し、接続配線23は第１および第２金属薄膜によりはさま
れている。したがって、上下どちらかの金属薄膜と電気
的接続がとれる。ゆえに光照射条件の範囲は非常に広
い。また、第１絶縁体膜のピンポールにより、接続配線
23とソース信号線13および、接続配線23と第１金属薄膜
間に短絡が生じると、絵素電極にはたえずソース信号線
13に印加されている信号が印加される。したがって、白
点欠陥となるが、その確率は極めて小さい。
なお、光線の照射方向は、光線を基板20に透過させ、
第１金属薄膜22a・22bを直接加熱をしておこなってもよ
い。また、アクティブマトリックス形成後でなくとも、
液晶パネルに組み立て、液晶パネルを表示させ、欠陥を
検出して、当該絵素の接続配線形成部に光線を照射して
もよい。液晶パネル形成後はブラックマトリックスがア
クティブマトリックス上に形成されているため、表面か
ら光線を入射させ、欠陥修正をおこなうことができない
ことが多い。
第１金属薄膜22a・22bを直接加熱をしておこなってもよ
い。また、アクティブマトリックス形成後でなくとも、
液晶パネルに組み立て、液晶パネルを表示させ、欠陥を
検出して、当該絵素の接続配線形成部に光線を照射して
もよい。液晶パネル形成後はブラックマトリックスがア
クティブマトリックス上に形成されているため、表面か
ら光線を入射させ、欠陥修正をおこなうことができない
ことが多い。
以下、本発明の第２の実施例について説明する。第４
図（ａ）は本発明のアクティブマトリックスアレイにお
ける接続配線形成部15の一部拡大平面図である。また、
第４図（ｂ）は第４図（ａ）のBB′線での断面図であ
る。第４図（ｂ）において41は絶縁体膜である。本発明
の第２の実施例と第１の実施例の相違点は第１金属薄膜
22b上に第１絶縁体膜21を形成しなかったことにある。
したがって、接続配線23と絵素電極1cとは電気的接続が
とれている。その他の構成物質および膜厚は第１の実施
例と同様である。本発明の第２の実施例では第４図
（ａ）のｄ点に光線を照射するだけで、絵素電極1aと1c
を電気的に接続を取ることができる。第５図は前述の接
続をとったときの接続配線形成部15の断面図である。
図（ａ）は本発明のアクティブマトリックスアレイにお
ける接続配線形成部15の一部拡大平面図である。また、
第４図（ｂ）は第４図（ａ）のBB′線での断面図であ
る。第４図（ｂ）において41は絶縁体膜である。本発明
の第２の実施例と第１の実施例の相違点は第１金属薄膜
22b上に第１絶縁体膜21を形成しなかったことにある。
したがって、接続配線23と絵素電極1cとは電気的接続が
とれている。その他の構成物質および膜厚は第１の実施
例と同様である。本発明の第２の実施例では第４図
（ａ）のｄ点に光線を照射するだけで、絵素電極1aと1c
を電気的に接続を取ることができる。第５図は前述の接
続をとったときの接続配線形成部15の断面図である。
なお、本実施例において第１絶縁体膜21は絶縁体膜11
と異種の物質であるかのように表現したが、同一の物質
であってもよいことは明らかである。
と異種の物質であるかのように表現したが、同一の物質
であってもよいことは明らかである。
また、第１および第２絶縁体膜21・24は信号線の一部
のみに形成すると表現したがこれに限るものではなく、
信号線全体を被覆するものであってもよいことは明らか
である。
のみに形成すると表現したがこれに限るものではなく、
信号線全体を被覆するものであってもよいことは明らか
である。
また、本発明の第２の実施例において接続配線21と絵
素電極1cとは、第１金属薄膜22bを介して電気的接続を
おこなっているように図示したが、これに限定するもの
ではなく、第１金属薄膜22bがなくとも同様の効果をあ
げられることは明らかである。
素電極1cとは、第１金属薄膜22bを介して電気的接続を
おこなっているように図示したが、これに限定するもの
ではなく、第１金属薄膜22bがなくとも同様の効果をあ
げられることは明らかである。
また、本発明の実施例において、接続配線形成部15は
ソース信号線13上に形成するとしたが、これに限定する
ものではなく、第６図に示すようにゲート信号線12上に
形成しても同様の効果が得られることは明らかである。
ソース信号線13上に形成するとしたが、これに限定する
ものではなく、第６図に示すようにゲート信号線12上に
形成しても同様の効果が得られることは明らかである。
また、接続にはキセノン光の集束光を用いるとしたが
これに限定するものではない。
これに限定するものではない。
発明の効果 本発明のアクティブマトリックスアレイは接続配線23
の上下に絶縁体膜を介して金属薄膜を形成したものであ
る。したがって、光線の照射により、容易に金属薄膜と
接続配線との電気的接続をとることができ、ゆえに確実
に隣接絵素電極間を電気的に接続することができ、アク
ティブマトリックスアレイ液晶パネルの大幅な歩留まり
の向上に起与できる。また、光線の照射条件の範囲が非
常に広くとることができるため、高価なレーザ装置を用
いる必要がない。また、光線を基板を透過させ、第１の
金属薄膜を加熱することにより、接続配線と接続するこ
とができる。したがって、液晶パネル化した後でも、欠
陥を修正することができる。以上のことよりその効果は
大である。
の上下に絶縁体膜を介して金属薄膜を形成したものであ
る。したがって、光線の照射により、容易に金属薄膜と
接続配線との電気的接続をとることができ、ゆえに確実
に隣接絵素電極間を電気的に接続することができ、アク
ティブマトリックスアレイ液晶パネルの大幅な歩留まり
の向上に起与できる。また、光線の照射条件の範囲が非
常に広くとることができるため、高価なレーザ装置を用
いる必要がない。また、光線を基板を透過させ、第１の
金属薄膜を加熱することにより、接続配線と接続するこ
とができる。したがって、液晶パネル化した後でも、欠
陥を修正することができる。以上のことよりその効果は
大である。
第１図は本発明の第１の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大平面図、第２図（ａ）（ｂ）
は接続配線形成部の拡大平面図および断面図、第３図・
第５図は接続配線形成部の断面図、第４図（ａ）（ｂ）
は本発明の第２の実施例におけるアクティブマトリック
スアレイの接続配線形成部の拡大平面図および断面図、
第６図は本発明の他の実施例におけるアクティブマトリ
ックスアレイの一部拡大平面図、第７図（ａ）・第８図
は従来のアクティブマトリックスアレイの一部拡大平面
図、第７図（ｂ）・第９図は電気的接続用パターン部の
断面図である。 1a,1b,1c,1d……絵素電極、11……絶縁体膜、12……ゲ
ート信号線、13……ソース信号線、14……ドレイン端
子、15……接続配線形成部、20……基板、21……第１絶
縁体膜、22a,22b……第１金属薄膜、23……接続配線、2
4……第２絶縁体膜、25a,25b……第２金属薄膜、31……
光線の軌跡、41,71……絶縁体膜、72……金属薄膜、73
……ガラス基板、74……電気的接続用パターン、75……
コンタクトホール、81……短絡欠陥。
リックスアレイの一部拡大平面図、第２図（ａ）（ｂ）
は接続配線形成部の拡大平面図および断面図、第３図・
第５図は接続配線形成部の断面図、第４図（ａ）（ｂ）
は本発明の第２の実施例におけるアクティブマトリック
スアレイの接続配線形成部の拡大平面図および断面図、
第６図は本発明の他の実施例におけるアクティブマトリ
ックスアレイの一部拡大平面図、第７図（ａ）・第８図
は従来のアクティブマトリックスアレイの一部拡大平面
図、第７図（ｂ）・第９図は電気的接続用パターン部の
断面図である。 1a,1b,1c,1d……絵素電極、11……絶縁体膜、12……ゲ
ート信号線、13……ソース信号線、14……ドレイン端
子、15……接続配線形成部、20……基板、21……第１絶
縁体膜、22a,22b……第１金属薄膜、23……接続配線、2
4……第２絶縁体膜、25a,25b……第２金属薄膜、31……
光線の軌跡、41,71……絶縁体膜、72……金属薄膜、73
……ガラス基板、74……電気的接続用パターン、75……
コンタクトホール、81……短絡欠陥。
Claims (3)
- 【請求項１】液晶パネルに用いるアクティブマトリック
スアレイであって、 第１の画素電極と第２の画素電極間に信号線が配置さ
れ、 前記第１の画素電極上で、かつ、前記信号線の近傍に形
成された第１の金属薄膜と、 前記信号線上および前記第１の金属薄膜上を被覆する第
１の絶縁体膜と、 一端が第２の画素電極と電気的に接続され、かつ、他端
がアクティブマトリックスアレイの上方から見たとき前
記第１の金属薄膜と重なるように形成された金属からな
る接続配線と、 前記接続配線上を被覆する第２の絶縁体膜と、 一端が前記第１の画素電極と接続され、かつ、他端がア
クティブマトリックスアレイの上方から見たとき前記第
１の金属薄膜と重なるように形成された第２の金属薄膜
が形成されたことを特徴とするアクティブマトリックス
アレイ。 - 【請求項２】液晶パネルに用いるアクティブマトリック
スアレイであって、 第１の画素電極と第２の画素電極間に信号線が配置さ
れ、 前記第１の画素電極上で、かつ、前記信号線の近傍に形
成された第１の金属薄膜と、 前記第２の画素電極上で、かつ、前記信号線の近傍に形
成された第３の金属薄膜と、 前記信号線上および前記第１の金属薄膜上および前記第
３の金属薄膜上を被覆する第１の絶縁体膜と、 一端がアクティブマトリックスアレイの上方から見たと
き前記第１の金属薄膜と重なるように形成され、かつ、
前記一端の他端が前記第３の金属薄膜と重なるように形
成された金属からなる接続配線と、 前記接続配線上を被覆する第２の絶縁体膜と、 一端が前記第１の画素電極と接続され、かつ、他端がア
クティブマトリックスアレイの上方から見たとき前記第
１の金属薄膜と重なるように形成された第４の金属薄膜
と、 一端が前記第２の画素電極と接続され、かつ、他端がア
クティブマトリックスアレイの上方から見たとき前記第
３の金属薄膜と重なるように形成された第５の金属薄膜
とが形成されたことを特徴とするアクティブマトリック
スアレイ。 - 【請求項３】第１の絶縁体膜の膜厚は、１μｍ以下であ
り、接続配線は1000オングストローム以上のアルミニウ
ムで形成されていることを特徴とすることを特徴とする
アクティブマトリックスアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13344889A JPH0833558B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | アクティブマトリックスアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13344889A JPH0833558B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | アクティブマトリックスアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310537A JPH02310537A (ja) | 1990-12-26 |
| JPH0833558B2 true JPH0833558B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=15105013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13344889A Expired - Fee Related JPH0833558B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | アクティブマトリックスアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833558B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH055902A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JP4497641B2 (ja) | 2000-03-29 | 2010-07-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその欠陥修復方法 |
| KR100796749B1 (ko) * | 2001-05-16 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59101693A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示装置の画像欠陥救済方法 |
| JPS63276032A (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクテイブマトリツクスアレイ |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13344889A patent/JPH0833558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02310537A (ja) | 1990-12-26 |
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