JPH0786616B2 - アクティブマトリクス表示装置の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置の製造方法Info
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- JPH0786616B2 JPH0786616B2 JP7782789A JP7782789A JPH0786616B2 JP H0786616 B2 JPH0786616 B2 JP H0786616B2 JP 7782789 A JP7782789 A JP 7782789A JP 7782789 A JP7782789 A JP 7782789A JP H0786616 B2 JPH0786616 B2 JP H0786616B2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置の
製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列し
て高密度表示を行う、アクティブマトリクス駆動方式の
表示装置の製造方法に関する。
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置の
製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列し
て高密度表示を行う、アクティブマトリクス駆動方式の
表示装置の製造方法に関する。
（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、EL表示装置、プラズマ表示装
置等に於いては、マトリクス状に配列された表示絵素を
選択することにより、画面上に表示パターンを形成して
いる。表示絵素の選択方式として、個々の独立した絵素
電極を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチング
素子を連結して表示駆動するアクティブマトリクス駆動
方式がある。この方式は、高コントラストの表示が可能
であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピ
ュータの端末表示装置等に実用化されている。絵素電極
を選択駆動するスイッチング素子としては、TFT（薄膜
トランジスタ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素
子、MOSトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に知られている。絵素電極とこれに対向する対向
電極との間に印加される電圧をスイッチングすることに
より、その間に介在する液晶、EL発光層或いはプラズマ
発光体等の表示媒体の光学的変調が行われる。この光学
的変調が表示パターンとして視認される。
置等に於いては、マトリクス状に配列された表示絵素を
選択することにより、画面上に表示パターンを形成して
いる。表示絵素の選択方式として、個々の独立した絵素
電極を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチング
素子を連結して表示駆動するアクティブマトリクス駆動
方式がある。この方式は、高コントラストの表示が可能
であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピ
ュータの端末表示装置等に実用化されている。絵素電極
を選択駆動するスイッチング素子としては、TFT（薄膜
トランジスタ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素
子、MOSトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に知られている。絵素電極とこれに対向する対向
電極との間に印加される電圧をスイッチングすることに
より、その間に介在する液晶、EL発光層或いはプラズマ
発光体等の表示媒体の光学的変調が行われる。この光学
的変調が表示パターンとして視認される。
（発明が解決しようとする課題） 絵素電極にスイッチング素子を連結して高密度の表示を
行う場合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子を
配列することが必要となる。しかしながら、スイッチン
グ素子は基板上に製作した時点で動作不良素子として形
成されることがある。このような不良素子に連結された
絵素電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることに
なる。この絵素欠陥の発生は、製造歩留りを大幅に低下
させるので、製造上大きな問題となる。そこで、発生し
た絵素欠陥を後に修正する技術の検討が行われている。
行う場合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子を
配列することが必要となる。しかしながら、スイッチン
グ素子は基板上に製作した時点で動作不良素子として形
成されることがある。このような不良素子に連結された
絵素電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることに
なる。この絵素欠陥の発生は、製造歩留りを大幅に低下
させるので、製造上大きな問題となる。そこで、発生し
た絵素欠陥を後に修正する技術の検討が行われている。
絵素欠陥を修復する技術としては、特開昭61−153619号
公報に示されているように、絵素電極１個当り複数個の
スイッチング素子を設け、一つのスイッチング素子のみ
を絵素電極と接続し、絵素電極と接続されたスイッチン
グ素子が不良の場合は、このスイッチング素子と絵素電
極とをレーザトリマ、超音波カッタ等により切断して、
他のスイッチング素子を絵素電極と接続する技術が提唱
されている。また、この場合のスイッチング素子と絵素
電極とを接続する手段として、微小な導体をディスペン
サ等で付着させる技術、基板上にAu、Al等を所定部位に
コートする技術が例示されている。更に、特開昭61−56
382号公報及び特開昭59−101693号公報には、レーザ光
を照射して金属を溶融させることにより、金属層相互間
を電気的に接続する技術が開示されている。
公報に示されているように、絵素電極１個当り複数個の
スイッチング素子を設け、一つのスイッチング素子のみ
を絵素電極と接続し、絵素電極と接続されたスイッチン
グ素子が不良の場合は、このスイッチング素子と絵素電
極とをレーザトリマ、超音波カッタ等により切断して、
他のスイッチング素子を絵素電極と接続する技術が提唱
されている。また、この場合のスイッチング素子と絵素
電極とを接続する手段として、微小な導体をディスペン
サ等で付着させる技術、基板上にAu、Al等を所定部位に
コートする技術が例示されている。更に、特開昭61−56
382号公報及び特開昭59−101693号公報には、レーザ光
を照射して金属を溶融させることにより、金属層相互間
を電気的に接続する技術が開示されている。
しかしながら、上記従来の欠陥修復技術は、欠陥を検出
した後、レーザ光照射により金属を蒸発再付着或いは局
部的に溶融して電気的に接続する方式である。即ち、表
示パネルを組み立てる前のアクティブマトリクス基板の
製作過程で利用しなければならないものである。その理
由は、表示パネルを完成した後では、レーザ光照射によ
って蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対向
電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、表
示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。従
って、上記従来の絵素欠陥修復技術に何れも表示パネル
組立前、即ち表示媒体挿入前のアクティブマトリクス基
板製作プロセスで適用されている。
した後、レーザ光照射により金属を蒸発再付着或いは局
部的に溶融して電気的に接続する方式である。即ち、表
示パネルを組み立てる前のアクティブマトリクス基板の
製作過程で利用しなければならないものである。その理
由は、表示パネルを完成した後では、レーザ光照射によ
って蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対向
電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、表
示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。従
って、上記従来の絵素欠陥修復技術に何れも表示パネル
組立前、即ち表示媒体挿入前のアクティブマトリクス基
板製作プロセスで適用されている。
ところが、この欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数が
10万個〜50万個以上もある大型パネルでは、全ての絵素
電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子を発
見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しなけれ
ばならない。このため、検査工程が繁雑となり、量産性
が阻害され、且つ、コスト高いなるという結果を招く。
従って、上述の技術は、絵素数の多い大型表示パネルに
は利用することができないというのが実情である。
段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数が
10万個〜50万個以上もある大型パネルでは、全ての絵素
電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子を発
見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しなけれ
ばならない。このため、検査工程が繁雑となり、量産性
が阻害され、且つ、コスト高いなるという結果を招く。
従って、上述の技術は、絵素数の多い大型表示パネルに
は利用することができないというのが実情である。
上記の問題点を解決するためには、第5A図に示すアクテ
ィブマトリクス基板を用いた表示装置が特願昭63−3082
31号として特許出願されている。この基板を用いて表示
装置を組み立てれば、表示装置の状態で絵素欠陥の発生
箇所を特定し、表示装置の状態で絵素欠陥を修正するこ
とができる。この基板を用いてアクティブマトリクス表
示装置を組み立てた場合の、第5A図のＢ−Ｂ線及びＣ−
Ｃ線に沿った断面図をそれぞれ第5B図及び第5C図に示
す。ガラス基板１上にベースコート膜２が全面に形成さ
れ、この上にゲートバス配線３及びソースバス配線４が
格子状に配列されている。ゲートバス配線３とソースバ
ス配線４との間には、後述するベース絶縁膜11が介在し
ている。ゲートバス配線３及びソースバス配線４に囲ま
れた矩形の領域には透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極５が配列され、マトリクス状のパターンを構成してい
る。絵素電極５の隅部付近にはTFT6が配置され、TFT6と
絵素電極５とはドレイン電極16によって電気的に接続さ
れている。また、絵素電極の他の隅部付近には予備TFT7
が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で対置
されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３上に
並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されて
いる。
ィブマトリクス基板を用いた表示装置が特願昭63−3082
31号として特許出願されている。この基板を用いて表示
装置を組み立てれば、表示装置の状態で絵素欠陥の発生
箇所を特定し、表示装置の状態で絵素欠陥を修正するこ
とができる。この基板を用いてアクティブマトリクス表
示装置を組み立てた場合の、第5A図のＢ−Ｂ線及びＣ−
Ｃ線に沿った断面図をそれぞれ第5B図及び第5C図に示
す。ガラス基板１上にベースコート膜２が全面に形成さ
れ、この上にゲートバス配線３及びソースバス配線４が
格子状に配列されている。ゲートバス配線３とソースバ
ス配線４との間には、後述するベース絶縁膜11が介在し
ている。ゲートバス配線３及びソースバス配線４に囲ま
れた矩形の領域には透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極５が配列され、マトリクス状のパターンを構成してい
る。絵素電極５の隅部付近にはTFT6が配置され、TFT6と
絵素電極５とはドレイン電極16によって電気的に接続さ
れている。また、絵素電極の他の隅部付近には予備TFT7
が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で対置
されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３上に
並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されて
いる。
TFT6付近の構成を第5B図に示す。ゲートバス配線３の一
部に形成されるゲート電極９、ゲート電極９の表面を陽
極酸化して得られるゲート絶縁膜10が形成されている。
この上から、ゲート絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11、ア
モルファスシリコン（ａ−Si）から成る真性半導体層1
2、真性半導体層12の上面を保護する半導体保護膜13、
ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタクトを
得るためのｎ−型半導体層14が順次積層されている。次
に、枝配線８と接続されたソース電極15、及び絵素電極
５と接続されたドレイン電極16が形成されている。TFT6
及び絵素電極５の上面を覆ってほぼ全面に保護膜17が被
覆され、さらにその上から配向層19が堆積されている。
部に形成されるゲート電極９、ゲート電極９の表面を陽
極酸化して得られるゲート絶縁膜10が形成されている。
この上から、ゲート絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11、ア
モルファスシリコン（ａ−Si）から成る真性半導体層1
2、真性半導体層12の上面を保護する半導体保護膜13、
ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタクトを
得るためのｎ−型半導体層14が順次積層されている。次
に、枝配線８と接続されたソース電極15、及び絵素電極
５と接続されたドレイン電極16が形成されている。TFT6
及び絵素電極５の上面を覆ってほぼ全面に保護膜17が被
覆され、さらにその上から配向層19が堆積されている。
ガラス基板１に対向する他方のガラス基板20の内面には
カラーフィルム層21、対向電極22、及び配向層23が重畳
形成されている。上記一対のガラス基板１、20の間には
表示媒体として、液晶分子18が封入されている。
カラーフィルム層21、対向電極22、及び配向層23が重畳
形成されている。上記一対のガラス基板１、20の間には
表示媒体として、液晶分子18が封入されている。
予備TFT7付近の構成を第5C図に示す。予備TFT7の構造
は、上記TFT6と同様である。ゲート電極９と所定の距離
だけ離れたベースコート膜２上に継手金属層24が島状に
形成されている。継手金属層24上には上述のベース絶縁
膜11が堆積され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の
延設端16aが裁置されている。また、絵素電極５の端部
は、継手金属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と
共に積層されている。従って、延設端16aと絵素電極５
とは非導通状態を維持している。ドレイン電極16の延設
端16aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって
完全に被覆されている。
は、上記TFT6と同様である。ゲート電極９と所定の距離
だけ離れたベースコート膜２上に継手金属層24が島状に
形成されている。継手金属層24上には上述のベース絶縁
膜11が堆積され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の
延設端16aが裁置されている。また、絵素電極５の端部
は、継手金属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と
共に積層されている。従って、延設端16aと絵素電極５
とは非導通状態を維持している。ドレイン電極16の延設
端16aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって
完全に被覆されている。
上記構成を有する液晶表示装置を全面駆動すれば、TFT6
が不良の場合、絵素欠陥が容易に視認される。このよう
な場合には、延設端16aと継手金属層24との重畳部分、
及び金属片25と継手金属層24との重畳部分にレーザ光等
が照射される。レーザ光によって延設端16a、ベース絶
縁膜11、及び継手金属層24は相互に溶融して層間絶縁層
が絶縁破壊され、導通状態となる。同様にして絵素電極
５側の金属片25と継手金属層24との間も導通状態とな
る。このようにして予備TFT7と絵素電極５とを電気的に
接続することができる。レーザ光は、ガラス基板１又は
20を介して照射される。このとき継手金属層24、延設端
16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入するこ
とはない。
が不良の場合、絵素欠陥が容易に視認される。このよう
な場合には、延設端16aと継手金属層24との重畳部分、
及び金属片25と継手金属層24との重畳部分にレーザ光等
が照射される。レーザ光によって延設端16a、ベース絶
縁膜11、及び継手金属層24は相互に溶融して層間絶縁層
が絶縁破壊され、導通状態となる。同様にして絵素電極
５側の金属片25と継手金属層24との間も導通状態とな
る。このようにして予備TFT7と絵素電極５とを電気的に
接続することができる。レーザ光は、ガラス基板１又は
20を介して照射される。このとき継手金属層24、延設端
16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入するこ
とはない。
このように予備TFT7を接続しても、TFT6が絶縁不良など
の場合にはTFT6を絵素電極５から切り離す必要が生じ
る。この切断はドレイン電極16にレーザ光などを照射
し、ドレイン電極16を切断することによって行われる。
第5A図のTFT6と絵素電極５とが接続される部分を拡大し
た図を第5D図に示す。レーザ光は第5D図のＳで示す領域
に照射され、ドレイン電極16が切断される。
の場合にはTFT6を絵素電極５から切り離す必要が生じ
る。この切断はドレイン電極16にレーザ光などを照射
し、ドレイン電極16を切断することによって行われる。
第5A図のTFT6と絵素電極５とが接続される部分を拡大し
た図を第5D図に示す。レーザ光は第5D図のＳで示す領域
に照射され、ドレイン電極16が切断される。
ところが、このようにレーザ光を照射しても、絵素電極
５とゲートバス配線３との距離Ｙが小さい場合には、溶
融し拡散した金属が絵素電極５やゲートバス配線３に付
着し、結果としてドレイン電極が電気的に切断されない
場合が生じる。このような場合には、絵素欠陥を修正す
ることはできない。このような状態を回避するために、
絵素電極５とゲートバス配線３との距離Ｙを大きくする
ことが考えられる。しかし距離Ｙを大きくすると、アク
ティブマトリクス基板の開口率が低下し、表示画面全体
が暗くなるという新たな問題が発生する。
５とゲートバス配線３との距離Ｙが小さい場合には、溶
融し拡散した金属が絵素電極５やゲートバス配線３に付
着し、結果としてドレイン電極が電気的に切断されない
場合が生じる。このような場合には、絵素欠陥を修正す
ることはできない。このような状態を回避するために、
絵素電極５とゲートバス配線３との距離Ｙを大きくする
ことが考えられる。しかし距離Ｙを大きくすると、アク
ティブマトリクス基板の開口率が低下し、表示画面全体
が暗くなるという新たな問題が発生する。
本発明はこのような問題点を解決するために為されたも
のであり、本発明の目的は、製造歩留りが高く、しかも
開口率の低下の少ないアクティブマトリクス表示装置の
製法方法を提供することにある。
のであり、本発明の目的は、製造歩留りが高く、しかも
開口率の低下の少ないアクティブマトリクス表示装置の
製法方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明に係るアクティブマトリクス表示装置の製造方法
は、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板の間に
挟持され、印加電圧に応答して光学的特性が変調される
表示媒体を備えたアクティブマトリクス表示装置の製造
方法において、該一対の基板の何れか一方の基板の内面
にマトリクス状に配された、切り欠き部を有する絵素電
極と、該切り欠き部近傍にて該絵素電極と電気的に接続
され、その切り欠き部内に位置する部分の幅が他の部分
より小さい接続端を有するスイッチング素子と、該絵素
電極とは非導通状態で近接配置された予備スイッチング
素子と、該予備スイッチング素子の延設部と該絵素電極
とが少なくとも絶縁層を介して対置する接続部と、を形
成する工程を含んでいる。また本製造方法は、該接続部
を絶縁保護膜によって被覆する工程、該一対の基板の他
方の基板に対向電極を形成する工程、該一対の基板間に
該表示媒体を挿入する工程、該絵素電極及び該対向電極
を介して駆動信号を該表示媒体を印加し、光学的に該ス
イッチング素子の欠陥を検出する工程、欠陥が検出され
た該スイッチング素子に接続された絵素電極と、該絵素
電極に近接する該予備スイッチング素子との該接続部
に、光エネルギーを照射して該絵素電極と該予備スイッ
チング素子とを電気的に接続する工程、及び欠陥が検出
された該スイッチング素子に接続された該絵素電極の該
切り欠き部にて、該接続端を光エネルギー照射によって
切断し、該絵素電極と該スイッチング素子とを電気的に
切り離す工程、を包含している。そのことにより上記目
的が達成される。
は、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板の間に
挟持され、印加電圧に応答して光学的特性が変調される
表示媒体を備えたアクティブマトリクス表示装置の製造
方法において、該一対の基板の何れか一方の基板の内面
にマトリクス状に配された、切り欠き部を有する絵素電
極と、該切り欠き部近傍にて該絵素電極と電気的に接続
され、その切り欠き部内に位置する部分の幅が他の部分
より小さい接続端を有するスイッチング素子と、該絵素
電極とは非導通状態で近接配置された予備スイッチング
素子と、該予備スイッチング素子の延設部と該絵素電極
とが少なくとも絶縁層を介して対置する接続部と、を形
成する工程を含んでいる。また本製造方法は、該接続部
を絶縁保護膜によって被覆する工程、該一対の基板の他
方の基板に対向電極を形成する工程、該一対の基板間に
該表示媒体を挿入する工程、該絵素電極及び該対向電極
を介して駆動信号を該表示媒体を印加し、光学的に該ス
イッチング素子の欠陥を検出する工程、欠陥が検出され
た該スイッチング素子に接続された絵素電極と、該絵素
電極に近接する該予備スイッチング素子との該接続部
に、光エネルギーを照射して該絵素電極と該予備スイッ
チング素子とを電気的に接続する工程、及び欠陥が検出
された該スイッチング素子に接続された該絵素電極の該
切り欠き部にて、該接続端を光エネルギー照射によって
切断し、該絵素電極と該スイッチング素子とを電気的に
切り離す工程、を包含している。そのことにより上記目
的が達成される。
（作用） この発明においては、絵素電極と電気的に接続されるス
イッチング素子に加えて、スイッチング素子とのつなぎ
替えが可能な予備スイッチング素子を形成し、該予備ス
イッチング素子と絵素電極とを接続するための接続部を
絶縁保護膜によって被覆するようにしているため、表示
パネルの組立後に上記接続部へのレーザ光照射により、
溶融した金属の液晶中への混入を招くことなく、絵素の
欠陥修復を行うことができ、表示装置の製造歩留まりを
向上することができる。
イッチング素子に加えて、スイッチング素子とのつなぎ
替えが可能な予備スイッチング素子を形成し、該予備ス
イッチング素子と絵素電極とを接続するための接続部を
絶縁保護膜によって被覆するようにしているため、表示
パネルの組立後に上記接続部へのレーザ光照射により、
溶融した金属の液晶中への混入を招くことなく、絵素の
欠陥修復を行うことができ、表示装置の製造歩留まりを
向上することができる。
また、絵素電極として、スイッチング素子の接続端が接
続される部分近傍に切り欠き部を有するものを形成して
いるため、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング
素子と絵素電極との溶断のために確保するスペースを小
さくでき、しかもスイッチング素子として、絵素電極と
の接続端の、絵素電極の切り欠き部内に位置する部分の
幅が、その他の部分の幅より小さいものを形成している
ため、絵素電極に形成する切り欠き部の開口幅を小さく
して、アクティブマトリクス基板の開口率の低下を抑え
ることができる。
続される部分近傍に切り欠き部を有するものを形成して
いるため、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング
素子と絵素電極との溶断のために確保するスペースを小
さくでき、しかもスイッチング素子として、絵素電極と
の接続端の、絵素電極の切り欠き部内に位置する部分の
幅が、その他の部分の幅より小さいものを形成している
ため、絵素電極に形成する切り欠き部の開口幅を小さく
して、アクティブマトリクス基板の開口率の低下を抑え
ることができる。
（実施例） 本発明は実施例について以下に説明する。第1A図に本発
明製造方法によって製造したアクティブマトリクス表示
装置の基板を示す。この表示装置の第1A図のｂ−ｂ線及
びｃ−ｃ線に沿った断面図の構成は、第5B図及び第5C図
に示された構成と同様であるので、以下の説明ではそれ
らの図面も参照して行う。ガラス基板上にTa2O5、Al
2O3、又はSi3N4等から成るベースコート膜２が厚さ3000
Å〜9000Åで形成され、この上に走査信号を供給するゲ
ートバス配線３と、データ信号を供給するソース配線４
とが格子状に配列されている。ゲートバス配線３は一般
にTa,Al、Ti、Ni、Mo等の単層又は多層金属で形成され
るが、本実施例ではTaを使用している。ソースバス配線
４も同様の金属で形成されるが、本実施例ではTiを使用
している。ゲートバス配線３とソースバス配線４の交差
位置には、後述するベース絶縁膜11を介在している。ゲ
ートバス配線３及びソースバス配線４で囲まれた矩形の
領域には、透明導電膜（ITO）から成る絵素電極５が配
置され、マトリクス状の絵素パターンを構成している。
絵素電極５の隅部付近にはTFT6が配置され、TFT6と絵素
電極５とはドレイン電極16によって電気的に接続されて
いる。ドレイン電極16と絵素電極５とが接続される部分
の拡大図を第1B図に示す。ドレイン電極16はゲート電極
９の上方から絵素電極５の方向に側方に引き出され、ゲ
ート電極９の上方から離れた部分では幅が狭くなってい
る。そして絵素電極５のドレイン電極に近接した部分に
は、矩形の切り欠き部5aが設けられている。上述のドレ
イン電極16の幅が狭くなった部分は、この切り欠き部5a
のTFT6から最も離れた辺の近傍に於て絵素電極５に接続
されている。また、絵素電極５の他の隅部付近には予備
TFT7が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で
対置されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３
上に並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続さ
れている。
明製造方法によって製造したアクティブマトリクス表示
装置の基板を示す。この表示装置の第1A図のｂ−ｂ線及
びｃ−ｃ線に沿った断面図の構成は、第5B図及び第5C図
に示された構成と同様であるので、以下の説明ではそれ
らの図面も参照して行う。ガラス基板上にTa2O5、Al
2O3、又はSi3N4等から成るベースコート膜２が厚さ3000
Å〜9000Åで形成され、この上に走査信号を供給するゲ
ートバス配線３と、データ信号を供給するソース配線４
とが格子状に配列されている。ゲートバス配線３は一般
にTa,Al、Ti、Ni、Mo等の単層又は多層金属で形成され
るが、本実施例ではTaを使用している。ソースバス配線
４も同様の金属で形成されるが、本実施例ではTiを使用
している。ゲートバス配線３とソースバス配線４の交差
位置には、後述するベース絶縁膜11を介在している。ゲ
ートバス配線３及びソースバス配線４で囲まれた矩形の
領域には、透明導電膜（ITO）から成る絵素電極５が配
置され、マトリクス状の絵素パターンを構成している。
絵素電極５の隅部付近にはTFT6が配置され、TFT6と絵素
電極５とはドレイン電極16によって電気的に接続されて
いる。ドレイン電極16と絵素電極５とが接続される部分
の拡大図を第1B図に示す。ドレイン電極16はゲート電極
９の上方から絵素電極５の方向に側方に引き出され、ゲ
ート電極９の上方から離れた部分では幅が狭くなってい
る。そして絵素電極５のドレイン電極に近接した部分に
は、矩形の切り欠き部5aが設けられている。上述のドレ
イン電極16の幅が狭くなった部分は、この切り欠き部5a
のTFT6から最も離れた辺の近傍に於て絵素電極５に接続
されている。また、絵素電極５の他の隅部付近には予備
TFT7が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で
対置されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３
上に並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続さ
れている。
ゲートバス配線３の一部に形成されるTaのゲート電極
９、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O5
から成るゲート絶縁膜10が形成されている。この上か
ら、ゲート絶縁膜としても機能しているSiNX（例えばSi
3N4）ベース絶縁膜11、ａ−Si真性半導体層12、真性半
導体層12の上面を保護するSiNxから成る半導体保護膜1
3、ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタク
トを得るための、ａ−Siから成るｎ型半導体層14が順次
積層されている。ｎ型半導体層14上には、枝配線８と接
続されたソース電極15、及び絵素電極５と接続されたド
レイン電極16が形成されている。ソース電極15及びドレ
イン電極16は、Ti、Ni、Al等から成る。ドレイン電極16
の端部と接続された絵素電極５は、ベース絶縁膜11上に
パターン形成される。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜
6000Å程度が適当であるが、本実施例では2000Å〜3500
Åに設定している。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って
ほぼ全面にSiNxから成る保護膜17が被覆され、この保護
膜17上に液晶分子18の配向を規制する配向層19が堆積さ
れている。配向層19はSiO2、ポリイミド系樹脂等から成
る。保護膜17の厚さは2000Å〜10000Å程度が適当であ
るが、本実施例で5000Å前後に設定している。尚、ベー
ス絶縁膜11及び保護膜17としてはSiNx以外に、SiOx、Ta
2O5、Al2O3等の酸化物や窒化物を用いることができる。
また、保護膜17は全面被覆する以外に、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
９、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O5
から成るゲート絶縁膜10が形成されている。この上か
ら、ゲート絶縁膜としても機能しているSiNX（例えばSi
3N4）ベース絶縁膜11、ａ−Si真性半導体層12、真性半
導体層12の上面を保護するSiNxから成る半導体保護膜1
3、ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタク
トを得るための、ａ−Siから成るｎ型半導体層14が順次
積層されている。ｎ型半導体層14上には、枝配線８と接
続されたソース電極15、及び絵素電極５と接続されたド
レイン電極16が形成されている。ソース電極15及びドレ
イン電極16は、Ti、Ni、Al等から成る。ドレイン電極16
の端部と接続された絵素電極５は、ベース絶縁膜11上に
パターン形成される。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜
6000Å程度が適当であるが、本実施例では2000Å〜3500
Åに設定している。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って
ほぼ全面にSiNxから成る保護膜17が被覆され、この保護
膜17上に液晶分子18の配向を規制する配向層19が堆積さ
れている。配向層19はSiO2、ポリイミド系樹脂等から成
る。保護膜17の厚さは2000Å〜10000Å程度が適当であ
るが、本実施例で5000Å前後に設定している。尚、ベー
ス絶縁膜11及び保護膜17としてはSiNx以外に、SiOx、Ta
2O5、Al2O3等の酸化物や窒化物を用いることができる。
また、保護膜17は全面被覆する以外に、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
絵素電極５の形成されたガラス基板１に対向する他方の
ガラス基板20の内面には、カラーフィルタ層21、絵素電
極５に対向する対向電極22、及び配向層23が重畳形成さ
れている。カラーフィルタ層21の周囲には必要に応じて
ブラックマトリクス（図示せず）が設けられる。
ガラス基板20の内面には、カラーフィルタ層21、絵素電
極５に対向する対向電極22、及び配向層23が重畳形成さ
れている。カラーフィルタ層21の周囲には必要に応じて
ブラックマトリクス（図示せず）が設けられる。
上記一対のガラス基板１、20の間には表示媒体として、
ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子18が封
入されて、絵素電極５と対向電極22との間の電圧印加に
応答して配向変換されることにより、光学的変調が行わ
れる。
ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子18が封
入されて、絵素電極５と対向電極22との間の電圧印加に
応答して配向変換されることにより、光学的変調が行わ
れる。
予備TFT7の構造は、上記TFT6と同様である。ゲート電極
９と所定の距離だけ離れたベースコート膜２上に継手金
属層24が島状に形成されている。この継手金属層24は、
ゲート電極と同様にTi、Ni、Al、又はTa等から成り、ゲ
ート電極９の形成時に同時にパターン形成することがで
きる。継手金属層24上には上述のベース絶縁膜11が堆積
され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の延設端16a
が載置されている。また、絵素電極５の端部は、継手金
属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と共に積層さ
れている。従って、延設端16aと絵素電極５とは離隔さ
れており、非導通状態を維持している。金属片25は、T
i、Al、Ni、又はTaから成る。ドレイン電極16の延設端1
6aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって完全
に被覆されている。継手金属層24とドレイン電極延設端
16a及び金属片25との間に位置するベース絶縁膜11は、
上下金属間の層間絶縁体として働き、その厚さは1000Å
〜7000Å程度が適当であるが、本実施例ではTFTのゲー
ト絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11を利用しているため、
2000Å〜3500Åに設定されている。また、ドレイン電極
延設端16a及び金属片25上の保護膜17は、表示媒体であ
る液晶分子と離隔した状態で双方間の電気的接続を行う
ためのものであり、1500Å〜15000Å程度が適当である
が、本実施例ではTFTの保護膜を利用しているため5000
Å前後に設定される。
９と所定の距離だけ離れたベースコート膜２上に継手金
属層24が島状に形成されている。この継手金属層24は、
ゲート電極と同様にTi、Ni、Al、又はTa等から成り、ゲ
ート電極９の形成時に同時にパターン形成することがで
きる。継手金属層24上には上述のベース絶縁膜11が堆積
され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の延設端16a
が載置されている。また、絵素電極５の端部は、継手金
属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と共に積層さ
れている。従って、延設端16aと絵素電極５とは離隔さ
れており、非導通状態を維持している。金属片25は、T
i、Al、Ni、又はTaから成る。ドレイン電極16の延設端1
6aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって完全
に被覆されている。継手金属層24とドレイン電極延設端
16a及び金属片25との間に位置するベース絶縁膜11は、
上下金属間の層間絶縁体として働き、その厚さは1000Å
〜7000Å程度が適当であるが、本実施例ではTFTのゲー
ト絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11を利用しているため、
2000Å〜3500Åに設定されている。また、ドレイン電極
延設端16a及び金属片25上の保護膜17は、表示媒体であ
る液晶分子と離隔した状態で双方間の電気的接続を行う
ためのものであり、1500Å〜15000Å程度が適当である
が、本実施例ではTFTの保護膜を利用しているため5000
Å前後に設定される。
上記構成を有する液晶表示装置のゲートバス配線３及び
ソースバス配線４の全ラインから全絵素電極５にTFT6を
介して駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動する。こ
のような表示装置の状態ではTFT6が不良の場合、絵素欠
陥が容易に視認される。検出された絵素欠陥部では、第
２図の矢印で示すように、下方のガラス基板１または上
方のガラス基板20を介して、外部よりレーザ光、赤外
線、電子ビームその他の熱線が継手金属層24に照射され
る。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ光が照
射されると延設端16a、ベース絶縁膜11、及び継手金属
層24は相互に溶融して層間絶縁層が絶縁破壊され、導通
状態となる。同様に、絵素電極５側の金属片25と継手金
属層24の間も、レーザ光が照射されると互いに溶融接触
して導通状態となる。このようにして予備TFT7と絵素電
極５とが電気的に接続される。このとき継手金属層24、
延設端16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されて
いるので、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入
することはない。保護膜17は透明絶縁体であり、レーザ
光を透過させる。そのため、レーザ光は金属材に吸収さ
れてこれを瞬時に加熱溶融させる。従って、レーザ光照
射に際して金属材とこれに挟まれた層間絶縁膜は互いに
溶融混合されるが、保護膜17が破壊されることはない。
また、レーザ光の照射された液晶層は照射部が白濁する
が、この白濁はやがて消失し、元の配向状態に復元され
ることが確かめられた。
ソースバス配線４の全ラインから全絵素電極５にTFT6を
介して駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動する。こ
のような表示装置の状態ではTFT6が不良の場合、絵素欠
陥が容易に視認される。検出された絵素欠陥部では、第
２図の矢印で示すように、下方のガラス基板１または上
方のガラス基板20を介して、外部よりレーザ光、赤外
線、電子ビームその他の熱線が継手金属層24に照射され
る。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ光が照
射されると延設端16a、ベース絶縁膜11、及び継手金属
層24は相互に溶融して層間絶縁層が絶縁破壊され、導通
状態となる。同様に、絵素電極５側の金属片25と継手金
属層24の間も、レーザ光が照射されると互いに溶融接触
して導通状態となる。このようにして予備TFT7と絵素電
極５とが電気的に接続される。このとき継手金属層24、
延設端16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されて
いるので、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入
することはない。保護膜17は透明絶縁体であり、レーザ
光を透過させる。そのため、レーザ光は金属材に吸収さ
れてこれを瞬時に加熱溶融させる。従って、レーザ光照
射に際して金属材とこれに挟まれた層間絶縁膜は互いに
溶融混合されるが、保護膜17が破壊されることはない。
また、レーザ光の照射された液晶層は照射部が白濁する
が、この白濁はやがて消失し、元の配向状態に復元され
ることが確かめられた。
TFT6の絶縁不良などにより、TFT6を絵素電極５から切り
離す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16をレー
ザ光などによって切断する必要が生じる。本実施例では
第1B図に示すような形状のドレイン電極16及び絵素電極
５の構成となっているので、Ｒの部分にレーザ光を照射
すれば容易にTFT6を絵素電極５から切り離すことができ
る。また、第1B図に示す絵素電極５とドレイン電極16と
の間の距離Ｘを５μｍ以上とすることにより、レーザ光
を照射した際にドレイン電極16と絵素電極５とを電気的
に完全に切断できることが確認された。
離す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16をレー
ザ光などによって切断する必要が生じる。本実施例では
第1B図に示すような形状のドレイン電極16及び絵素電極
５の構成となっているので、Ｒの部分にレーザ光を照射
すれば容易にTFT6を絵素電極５から切り離すことができ
る。また、第1B図に示す絵素電極５とドレイン電極16と
の間の距離Ｘを５μｍ以上とすることにより、レーザ光
を照射した際にドレイン電極16と絵素電極５とを電気的
に完全に切断できることが確認された。
予備TFT7と絵素電極５の配置構造は上記以外に第３図或
いは第４図に示す構造とすることもできる。第３図は予
めベース絶縁膜11にスルーホールを設け、継手金属層24
と金属片25を接続しておいて、TFT6の不良時に予備TFT7
のドレイン電極延設端16aと継手金属層24のみを光エネ
ルギーで電気的に接続するものである。また、第４図は
継手金属層24を設けず、予備TFT7のドレイン電極延設端
16aを金属片25の直下にベース絶縁膜11を介して配置
し、光エネルギー照射によって双方を直接溶融接続する
ものである。第３図及び第４図に於てドレイン電極延設
端16aと金属片25は互いに逆の関係で構成されても良い
ことは明らかである。更に、表示パネル基板としてはレ
ーザ照射を可能とするため、少なくとも一方の基板が透
光性を有する部材（ガラス、プラスチック等）を用いる
ことを要するが、ベースコート膜２は必ずしも必要では
なく、設けなくてもよい。このように本実施例では、絵
素電極５と電気的に接続されるTFT6に加えて、該TFT6と
のつなぎ替えが可能な予備TFT7を形成し、該予備TFT7と
絵素電極５とを接続するための接続部、つまり継手金属
層24、ドレイン電極延設端16a、金属片25を保護膜17に
よって被覆するようにしているため、表示パネルの組立
後に上記接続部へのレーザ光照射により、溶融した金属
の液晶中の混入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行う
ことができる。
いは第４図に示す構造とすることもできる。第３図は予
めベース絶縁膜11にスルーホールを設け、継手金属層24
と金属片25を接続しておいて、TFT6の不良時に予備TFT7
のドレイン電極延設端16aと継手金属層24のみを光エネ
ルギーで電気的に接続するものである。また、第４図は
継手金属層24を設けず、予備TFT7のドレイン電極延設端
16aを金属片25の直下にベース絶縁膜11を介して配置
し、光エネルギー照射によって双方を直接溶融接続する
ものである。第３図及び第４図に於てドレイン電極延設
端16aと金属片25は互いに逆の関係で構成されても良い
ことは明らかである。更に、表示パネル基板としてはレ
ーザ照射を可能とするため、少なくとも一方の基板が透
光性を有する部材（ガラス、プラスチック等）を用いる
ことを要するが、ベースコート膜２は必ずしも必要では
なく、設けなくてもよい。このように本実施例では、絵
素電極５と電気的に接続されるTFT6に加えて、該TFT6と
のつなぎ替えが可能な予備TFT7を形成し、該予備TFT7と
絵素電極５とを接続するための接続部、つまり継手金属
層24、ドレイン電極延設端16a、金属片25を保護膜17に
よって被覆するようにしているため、表示パネルの組立
後に上記接続部へのレーザ光照射により、溶融した金属
の液晶中の混入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行う
ことができる。
また、絵素電極５として、TFT6の接続端（ドレイン電
極）16が接続される部分近傍に切り欠き部5aを有するも
のを形成しているため、絵素電極５とゲートバス配線３
との間にTFT6と絵素電極５との溶断のために確保するス
ペースを小さくでき、しかもTFT6として、絵素電極との
接続端（ドレイン電極）16の絵素電極５の切り欠き部5a
内に位置する部分の幅が、その他の部分の幅より小さい
ものを形成しているため、絵素電極５に形成する切り欠
き部5aの開口幅を小さくして、アクティブマトリクス基
板の開口率の抵抗が少ない表示装置を得ることができ
る。
極）16が接続される部分近傍に切り欠き部5aを有するも
のを形成しているため、絵素電極５とゲートバス配線３
との間にTFT6と絵素電極５との溶断のために確保するス
ペースを小さくでき、しかもTFT6として、絵素電極との
接続端（ドレイン電極）16の絵素電極５の切り欠き部5a
内に位置する部分の幅が、その他の部分の幅より小さい
ものを形成しているため、絵素電極５に形成する切り欠
き部5aの開口幅を小さくして、アクティブマトリクス基
板の開口率の抵抗が少ない表示装置を得ることができ
る。
上記実施例ではアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、MIM素子、ダイオード、バリスタ等の
種々のスイッチング素子を用いて表示パターンを得る広
範囲の液晶表示素子の製造方法に適用可能である。ま
た、表示媒体として、薄膜発光層、分散型EL発光層、プ
ラズマ発光体等を用いた各種表示装置の製造方法に適用
することができる。
製造方法について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、MIM素子、ダイオード、バリスタ等の
種々のスイッチング素子を用いて表示パターンを得る広
範囲の液晶表示素子の製造方法に適用可能である。ま
た、表示媒体として、薄膜発光層、分散型EL発光層、プ
ラズマ発光体等を用いた各種表示装置の製造方法に適用
することができる。
（発明の効果） 以上のようにこの発明に係るアクティブマトリクス表示
装置の製造方法によれば、絵素電極と電気的に接続され
るスイッチング素子に加えて、スイッチング素子とのつ
なぎ替えが可能な予備スイッチング素子を形成し、該予
備スイッチング素子と絵素電極とを接続するための接続
部を絶縁保護膜によって被覆するようにしているので、
表示パネルの組立後に上記接続部へのレーザ光照射によ
り、溶融した金属の液晶中への混入を招くことなく、絵
素の欠陥修復を行うことができる。つまり、視覚的に絵
素欠陥箇所を容易に特定することができる表示装置の状
態で確実に絵素欠陥を修復でき、表示装置の製造歩留ま
りが向上し、量産性が確保され、表示装置としてのコス
ト低減を図ることができる。
装置の製造方法によれば、絵素電極と電気的に接続され
るスイッチング素子に加えて、スイッチング素子とのつ
なぎ替えが可能な予備スイッチング素子を形成し、該予
備スイッチング素子と絵素電極とを接続するための接続
部を絶縁保護膜によって被覆するようにしているので、
表示パネルの組立後に上記接続部へのレーザ光照射によ
り、溶融した金属の液晶中への混入を招くことなく、絵
素の欠陥修復を行うことができる。つまり、視覚的に絵
素欠陥箇所を容易に特定することができる表示装置の状
態で確実に絵素欠陥を修復でき、表示装置の製造歩留ま
りが向上し、量産性が確保され、表示装置としてのコス
ト低減を図ることができる。
また、絵素電極として、スイッチング素子の接続端が接
続される部分近傍に切り欠き部を有するものを形成して
いるため、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング
素子と絵素電極との溶断のために確保するスペースを小
さくでき、しかも、スイッチング素子として、絵素電極
との接続端の絵素電極の切り欠き部内に位置する部分の
幅が、その他の部分の幅より小さいものを形成している
ため、絵素電極の形成する切り欠き部の開口幅を小さく
して、アクティブマトリクス基板の開口率の低下が少な
い表示装置を得ることができる。
続される部分近傍に切り欠き部を有するものを形成して
いるため、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング
素子と絵素電極との溶断のために確保するスペースを小
さくでき、しかも、スイッチング素子として、絵素電極
との接続端の絵素電極の切り欠き部内に位置する部分の
幅が、その他の部分の幅より小さいものを形成している
ため、絵素電極の形成する切り欠き部の開口幅を小さく
して、アクティブマトリクス基板の開口率の低下が少な
い表示装置を得ることができる。
第1A図は本発明の製造方法によって製造したアクティブ
マトリクス基板の一例の平面図、第１図Ｂ図は第1A図の
TFT6近傍の拡大図、第２図は絵素電極５とドレイン電極
延設端16aとをレザー光によって、電気的に接続した様
子を示す断面図、第３図及び第４図は予備TFT7と絵素電
極５との配置構造の他の例を示す断面図、第5A図は表示
装置を組み立てた状態で絵素欠陥を修正できる構成を有
するアクティブアトリクス基板の例を示す断面図、第5B
図及び第5C図は第5A図のアクティブマトリクス基板を用
いて表示装置を組み立て、それぞれ第5A図のＢ−Ｂ線及
びＣ−Ｃ線に沿った面で切断した断面図、第5D図は第5A
図のTFT6近傍の拡大図である。 1,20……ガラス基板、６……TFT、７……予備TFT、９…
…ゲート電極、11……ベース絶縁膜、15……ソース電
極、16……ドレイン電極、17……保護膜、18……液晶分
子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、22……
対向電極。
マトリクス基板の一例の平面図、第１図Ｂ図は第1A図の
TFT6近傍の拡大図、第２図は絵素電極５とドレイン電極
延設端16aとをレザー光によって、電気的に接続した様
子を示す断面図、第３図及び第４図は予備TFT7と絵素電
極５との配置構造の他の例を示す断面図、第5A図は表示
装置を組み立てた状態で絵素欠陥を修正できる構成を有
するアクティブアトリクス基板の例を示す断面図、第5B
図及び第5C図は第5A図のアクティブマトリクス基板を用
いて表示装置を組み立て、それぞれ第5A図のＢ−Ｂ線及
びＣ−Ｃ線に沿った面で切断した断面図、第5D図は第5A
図のTFT6近傍の拡大図である。 1,20……ガラス基板、６……TFT、７……予備TFT、９…
…ゲート電極、11……ベース絶縁膜、15……ソース電
極、16……ドレイン電極、17……保護膜、18……液晶分
子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、22……
対向電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 博章 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−35483（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−54417（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の基
板の間に挟持され、印加電圧に応答して光学的特性が変
調される表示媒体を備えたアクティブマトリクス表示装
置の製造方法において、 該一対の基板の何れか一方の基板の内面にマトリクス状
に配された、切り欠き部を有する絵素電極と、該切り欠
き部近傍にて該絵素電極と電気的に接続され、その切り
欠き部内に位置する部分の幅が他の部分より小さい接続
端を有するスイッチング素子と、該絵素電極とは非導通
状態で近接配置された予備スイッチング素子と、該予備
スイッチング素子の延設部と該絵素電極とが少なくとも
絶縁層を介して対置する接続部と、を形成する工程、 該接続部を絶縁保護膜によって被覆する工程、 該一対の基板の他方の基板に対向電極を形成する工程、 該一対の基板間に該表示媒体を挿入する工程、 該絵素電極及び該対向電極を介して駆動信号を該表示媒
体に印加し、光学的に該スイッチング素子の欠陥を検出
する工程、 欠陥が検出された該スイッチング素子に接続された絵素
電極と、該絵素電極に近接する該予備スイッチング素子
との該接続部に、光エネルギーを照射して該絵素電極と
該予備スイッチング素子とを電気的に接続する工程、及
び 欠陥が検出された該スイッチング素子に接続された該絵
素電極の該切り欠き部にて、該接続端を光エネルギー照
射によって切断し、該絵素電極と該スイッチング素子と
を電気的に切り離す工程、 を包含するアクティブマトリクス表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782789A JPH0786616B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
| US07/467,648 US5102361A (en) | 1989-01-23 | 1990-01-19 | Method for the manufacture of active matrix display apparatuses |
| EP90300626A EP0380265B1 (en) | 1989-01-23 | 1990-01-22 | A method of manufacturing active matrix display apparatuses |
| DE69010701T DE69010701T2 (de) | 1989-01-23 | 1990-01-22 | Methode zur Herstellung von aktiven Matrixanzeigevorrichtungen. |
| KR1019900000775A KR940001904B1 (ko) | 1989-01-23 | 1990-01-23 | 액티브 매트릭스 표시장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782789A JPH0786616B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254422A JPH02254422A (ja) | 1990-10-15 |
| JPH0786616B2 true JPH0786616B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=13644874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP7782789A Expired - Fee Related JPH0786616B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786616B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0717303B1 (en) * | 1990-05-11 | 2003-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | An active matrix display device, a method of manufacturing the same and a method to treat defective pixels |
| JP5072227B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| CN1822385B (zh) | 2005-01-31 | 2013-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及含有其的电子设备 |
| JP2010281972A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4666252A (en) * | 1984-06-29 | 1987-05-19 | Energy Conversion Devices, Inc. | High yield liquid crystal display and method of making same |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7782789A patent/JPH0786616B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02254422A (ja) | 1990-10-15 |
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