JPH01300547A - 耐放射線性パッケージ - Google Patents
耐放射線性パッケージInfo
- Publication number
- JPH01300547A JPH01300547A JP63130934A JP13093488A JPH01300547A JP H01300547 A JPH01300547 A JP H01300547A JP 63130934 A JP63130934 A JP 63130934A JP 13093488 A JP13093488 A JP 13093488A JP H01300547 A JPH01300547 A JP H01300547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- molding material
- plastic molding
- semiconductor device
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、宇宙環境等の放射線環境下において使用され
る半導体装置のパッケージに関し、特に放射線による影
響を抑制した耐放射線性パッケージに関する。
る半導体装置のパッケージに関し、特に放射線による影
響を抑制した耐放射線性パッケージに関する。
従来、半導体装置のパッケージは、セラミック封止とプ
ラスチックモールド封止が主なものである。第３図はプ
ラスチックモールド封止を示す。
ラスチックモールド封止が主なものである。第３図はプ
ラスチックモールド封止を示す。
集積回路チップ１をプラスチックモールド材７（エポキ
シ樹脂）により被覆している。第３図の２はボンディン
グワイア、３はパッケージリードを示す。
シ樹脂）により被覆している。第３図の２はボンディン
グワイア、３はパッケージリードを示す。
上述した従来の半導体装置のパッケージを、高エネルギ
ーの電子線、宇宙船、γ線等の存在する放射線環境下で
使用する場合、パッケージのプラスチックモールド材７
を通して放射線が集積回路チップ１に照射され、半導体
装置を劣化させる現象が生じる。またプラスチックモー
ルド材７により、２次放射線が発生し、これにより半導
体装置が劣化する。つまり、通常のプラスチックモール
ド材７においては、放射線照射により半導体装置が劣化
するという欠点がある。
ーの電子線、宇宙船、γ線等の存在する放射線環境下で
使用する場合、パッケージのプラスチックモールド材７
を通して放射線が集積回路チップ１に照射され、半導体
装置を劣化させる現象が生じる。またプラスチックモー
ルド材７により、２次放射線が発生し、これにより半導
体装置が劣化する。つまり、通常のプラスチックモール
ド材７においては、放射線照射により半導体装置が劣化
するという欠点がある。
本発明の耐放射線性パッケージは、入射する放射線の吸
収作用は少ないが、２次放射線の発生の少い軽元素（例
えばＡｎ）と、吸収作用は多いが、２次放射線の発生の
多い重元素（例えばＰｂ）をプラスチックモールド材に
混合、あるいは積層構造にすることにより、入射放射線
の半導体装置への侵入を防止し、かつ２次放射線の発生
を少なくするものである。
収作用は少ないが、２次放射線の発生の少い軽元素（例
えばＡｎ）と、吸収作用は多いが、２次放射線の発生の
多い重元素（例えばＰｂ）をプラスチックモールド材に
混合、あるいは積層構造にすることにより、入射放射線
の半導体装置への侵入を防止し、かつ２次放射線の発生
を少なくするものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
ｌは集積回路チップ、２はポンディングワイヤ、３はパ
ッケージリード、４は軽元素１重元素を混合したプラス
チックモールド材である。本実施例は、従来のプラスチ
ックモールド材に換えて軽元素２重元素を混合したプラ
スチックモールド材４にすることにより、入射放射線の
パッケージ内部への侵入を重元素により防ぎ、この時発
生する２次放射線を軽元素により吸収し、従来に比べ、
放射線による半導体装置の劣化を小さくすることができ
る。軽元素としてＡＡ、重元素としてｐｂが一般的に考
えられる。
ッケージリード、４は軽元素１重元素を混合したプラス
チックモールド材である。本実施例は、従来のプラスチ
ックモールド材に換えて軽元素２重元素を混合したプラ
スチックモールド材４にすることにより、入射放射線の
パッケージ内部への侵入を重元素により防ぎ、この時発
生する２次放射線を軽元素により吸収し、従来に比べ、
放射線による半導体装置の劣化を小さくすることができ
る。軽元素としてＡＡ、重元素としてｐｂが一般的に考
えられる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
■は集積回路チップ、２はポンディングワイヤ、３はパ
ッケージリード、５は軽元素を含むプラスチックモール
ド材、６は重元素を含むプラスチックモールド材である
。本実施例は、従来のプラスチックモールド材に換えて
、軽元素を含むプラスチックモールド材５と、重元素を
含むプラスチックモールド材６による積層構造にするこ
とにより、放射線による半導体装置の劣化を小さくする
ことができる。軽元素を含むプラスチックモールド材５
と重元素を含むプラスチックモールド材６を入れ換えて
も同じ効果を得ることができる。
ッケージリード、５は軽元素を含むプラスチックモール
ド材、６は重元素を含むプラスチックモールド材である
。本実施例は、従来のプラスチックモールド材に換えて
、軽元素を含むプラスチックモールド材５と、重元素を
含むプラスチックモールド材６による積層構造にするこ
とにより、放射線による半導体装置の劣化を小さくする
ことができる。軽元素を含むプラスチックモールド材５
と重元素を含むプラスチックモールド材６を入れ換えて
も同じ効果を得ることができる。
以上説明したように本発明は、パッケージのプラスチッ
クモールド材に、軽元素と重元素を混合あるいは積層構
造にすることにより、放射線の集積回路チップへの侵入
を防止し、かつ２次放射線の発生を抑止することができ
、半導体装置の放射線による劣化を小さくできる効果が
ある。
クモールド材に、軽元素と重元素を混合あるいは積層構
造にすることにより、放射線の集積回路チップへの侵入
を防止し、かつ２次放射線の発生を抑止することができ
、半導体装置の放射線による劣化を小さくできる効果が
ある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来のパッケージ
の断面図である。 ｌ・・・・・・集積回路チップ、２・・・・・・ポンデ
ィングワイヤ、３・・・・・・パッケージリード、４・
・・・・・軽元素。 重元素を混合したプラスチックモールド材、５・・・・
・・軽元素を含むプラスチックモールド材、６・・・・
・・重元素を含むプラスチックモールド材、７・・・・
・・プラスチックモールド材 代理人 弁理士 内 原 音 ＄ Ｉ 圓 ＄ ２ 図 −２８１，−
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来のパッケージ
の断面図である。 ｌ・・・・・・集積回路チップ、２・・・・・・ポンデ
ィングワイヤ、３・・・・・・パッケージリード、４・
・・・・・軽元素。 重元素を混合したプラスチックモールド材、５・・・・
・・軽元素を含むプラスチックモールド材、６・・・・
・・重元素を含むプラスチックモールド材、７・・・・
・・プラスチックモールド材 代理人 弁理士 内 原 音 ＄ Ｉ 圓 ＄ ２ 図 −２８１，−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラスチックモールド材を用いて集積回路チップを
被覆するプラスチックモールド封止のパッケージにおい
て、軽元素と重元素を混合したプラスチックモールド材
を用いることを特徴とする耐放射線性パッケージ。 ２、プラスチックモールド封止のパッケージにおいて、
内側に重元素を含むプラスチックモールド材を、外側に
軽元素を含むプラスチックモールド材を用いて積層構造
としたことを特徴とする耐放射線性パッケージ。 ３、プラスチックモールド封止のパッケージにおいて、
内側に軽元素を含むプラスチックモールド材を、外側に
重元素を含むプラスチックモールド材を用いて積層構造
としたことを特徴とする耐放射線性パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130934A JPH01300547A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 耐放射線性パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130934A JPH01300547A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 耐放射線性パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300547A true JPH01300547A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15046121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63130934A Pending JPH01300547A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 耐放射線性パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01300547A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5150180A (en) * | 1990-06-15 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged semiconductor device with high energy radiation absorbent glass |
| JP2008172054A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2022208869A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63130934A patent/JPH01300547A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5150180A (en) * | 1990-06-15 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged semiconductor device with high energy radiation absorbent glass |
| JP2008172054A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2022208869A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
| JPWO2022208869A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60180150A (ja) | 半導体装置 | |
| GB2067013B (en) | Shielding semiconductor memories | |
| GB2039145A (en) | Semiconductor device shielding | |
| JPH0521655A (ja) | 半導体装置および半導体装置用パツケージ | |
| US5150180A (en) | Packaged semiconductor device with high energy radiation absorbent glass | |
| JPS62125651A (ja) | 耐放射線パツケ−ジ | |
| US7015576B2 (en) | Semiconductor device which prevents light from entering therein | |
| US6239479B1 (en) | Thermal neutron shielded integrated circuits | |
| JPH01300547A (ja) | 耐放射線性パッケージ | |
| JPH0117257B2 (ja) | ||
| JPS628032B2 (ja) | ||
| US4481526A (en) | Semiconductor device | |
| JP4746811B2 (ja) | 医用イメージング・デバイス用の封止式検出器の製造方法及び装着方法 | |
| JPS5593239A (en) | Semiconductor device | |
| JPS60134448A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JPS58106851A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59208862A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5942983B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6028139Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58107657A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03208364A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPS5923469B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06268088A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5931045A (ja) | 樹脂封止形半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6138861B2 (ja) |