JPS60180150A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60180150A JPS60180150A JP59034463A JP3446384A JPS60180150A JP S60180150 A JPS60180150 A JP S60180150A JP 59034463 A JP59034463 A JP 59034463A JP 3446384 A JP3446384 A JP 3446384A JP S60180150 A JPS60180150 A JP S60180150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- radiation
- semiconductor substrate
- plastic material
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/261—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their shapes or dispositions
- H10W42/276—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their shapes or dispositions the arrangements being on an external surface of the package, e.g. on the outer surface of an encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、放射線環境において、半導体の特性劣化を低
減させた半導体装置に関するものである。
減させた半導体装置に関するものである。
(従来技術)
従来のこの種の装置は、セラミックまたはプラスチック
材料をパッケージ材料に使用していた。
材料をパッケージ材料に使用していた。
第1図にセラミックパッケージを用いた例を示す。
半導体基板1が実装されているセラミツクツくツケージ
2は、セラミックパッケージと熱膨張係数のはげ等しい
金属3により気密封止されている。
2は、セラミックパッケージと熱膨張係数のはげ等しい
金属3により気密封止されている。
このような装置を放射線環境で使用すると、電子や陽子
等の放射線がパッケージを透過して、半導体基板にいた
り、その特性劣化やあるいは故障を発生させる。また、
照射放射線の最大飛程より薄い金属3に、放射線を照射
すると、その放射線が金属に入射する前に持っていたエ
ネルギよシも低エネルギの放射線が多数再放射され、特
性劣化が加速される。また、最大飛程よシ厚い金属では
放射線のシールド効果が期待できる反面、制動放射によ
る放射線で特性劣化や、半導体装置が大幅に重量増加す
る欠点を有している。
等の放射線がパッケージを透過して、半導体基板にいた
り、その特性劣化やあるいは故障を発生させる。また、
照射放射線の最大飛程より薄い金属3に、放射線を照射
すると、その放射線が金属に入射する前に持っていたエ
ネルギよシも低エネルギの放射線が多数再放射され、特
性劣化が加速される。また、最大飛程よシ厚い金属では
放射線のシールド効果が期待できる反面、制動放射によ
る放射線で特性劣化や、半導体装置が大幅に重量増加す
る欠点を有している。
一方、第2図に示すプラスチック材料12を封止材料と
する半導体材料11では、照射放射線よシ低エネルギの
放射線の再放出や制動放射による放射線はほとんど発生
しないが、放射線に対するシールド効果が期待できない
ため、同様に特性劣化はまぬがれない欠点を有している
。
する半導体材料11では、照射放射線よシ低エネルギの
放射線の再放出や制動放射による放射線はほとんど発生
しないが、放射線に対するシールド効果が期待できない
ため、同様に特性劣化はまぬがれない欠点を有している
。
本発明はこれらの欠点を除去するために提案されたもの
で、放射線の半導体基板への侵入を減少させ、特性劣化
や故障の発生を抑えた半導体装置を提供することを目的
とする。
で、放射線の半導体基板への侵入を減少させ、特性劣化
や故障の発生を抑えた半導体装置を提供することを目的
とする。
(発明の構成)
上記の目的を達成するため、本発明は半導体基板の周囲
をプラスチック材料からなる封止材料で櫟い、かつその
外側の少くとも一部を金属で覆い、該金属をアースする
ことを特徴とする半導体装置を発明の要旨とするもので
ある。
をプラスチック材料からなる封止材料で櫟い、かつその
外側の少くとも一部を金属で覆い、該金属をアースする
ことを特徴とする半導体装置を発明の要旨とするもので
ある。
次に本発明の実施例を添附図面について説明する。なお
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは云
うまでも々い。
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは云
うまでも々い。
第3図は、本発明の一実施例であって、図中21は半導
体基板、22はプラスチック材料、23は金属で、アー
ス線25により半導体装置のアースに接続されている。
体基板、22はプラスチック材料、23は金属で、アー
ス線25により半導体装置のアースに接続されている。
24はリード線、25はアース線を示す。なお金属23
としては例えばアルミニウム、プラスチック材料22と
して例えばエポキシ樹脂を用いている。
としては例えばアルミニウム、プラスチック材料22と
して例えばエポキシ樹脂を用いている。
スタティックメモリに第3図の構造を適用し、放射線を
照射した結果を第1表に示す。この実施第 1 表 例では、金属として厚さ0.5鮎のアルミニウムを使用
した例であシ、照射放射線の最大飛程の半分以下である
にもかかわらず、従来装置の高々20チの重量増加であ
シ、かつ特性劣化が従来装置の」−以下と極めて大きく
減少している。さらに、O シールド効果を高めるために、金属の厚さを増すことも
さしつかえない。
照射した結果を第1表に示す。この実施第 1 表 例では、金属として厚さ0.5鮎のアルミニウムを使用
した例であシ、照射放射線の最大飛程の半分以下である
にもかかわらず、従来装置の高々20チの重量増加であ
シ、かつ特性劣化が従来装置の」−以下と極めて大きく
減少している。さらに、O シールド効果を高めるために、金属の厚さを増すことも
さしつかえない。
また第4図は本発明の他の実施例を示すもので、図にお
いて31は半導体基板、32はプラスチック、33は金
属、34は空間、35はアース線、36はリード線を示
す。図に示すようにプラスチック材料と、半導体基板と
の間に空間34をもうけると、放射線によシブラスチッ
ク材料が帯電しても、直接半導体基板と接していないた
め、特性劣化がさらに発生しにくくなる。なお金属とし
てはプラスチック材料の外側の一部または全部を覆って
もよい。
いて31は半導体基板、32はプラスチック、33は金
属、34は空間、35はアース線、36はリード線を示
す。図に示すようにプラスチック材料と、半導体基板と
の間に空間34をもうけると、放射線によシブラスチッ
ク材料が帯電しても、直接半導体基板と接していないた
め、特性劣化がさらに発生しにくくなる。なお金属とし
てはプラスチック材料の外側の一部または全部を覆って
もよい。
(発明の効果)
以上、説明したように本発明によれば、半導体基板の表
面上に空間を有するか、もしくは々い場合でも、その周
囲をプラスチック材料からなる封止材料で覆い、かつそ
の外側の一部または全体を金属で゛覆い、これをアース
した構造の半導体装置であるため、放射線による特性劣
化を低減させる利点がある。
面上に空間を有するか、もしくは々い場合でも、その周
囲をプラスチック材料からなる封止材料で覆い、かつそ
の外側の一部または全体を金属で゛覆い、これをアース
した構造の半導体装置であるため、放射線による特性劣
化を低減させる利点がある。
第1図、第2図は従来の半導体装置の断面図、第3図及
び第4図は本発明装置の一実施例の断面図を示す。 1.11.21.31・・・半導体基板、2・・・セラ
ミック材料、12 .22.32・・・プラスチック材
料、3,23.33・・・金属、4.34・・・空間、
25゜(5) 35・・・アース線、24 .36・・・リード線特許
出願人 (6) 第1図 第3図 第4図
び第4図は本発明装置の一実施例の断面図を示す。 1.11.21.31・・・半導体基板、2・・・セラ
ミック材料、12 .22.32・・・プラスチック材
料、3,23.33・・・金属、4.34・・・空間、
25゜(5) 35・・・アース線、24 .36・・・リード線特許
出願人 (6) 第1図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1)半導体基板の周囲をプラスチック材料からなる封
止材料で覆い、かつその外側の少くとも一部を金属で覆
い、該金属をアースすることを特徴とする半導体装置。 - (2)半導体基板表面とプラスチック材料との間に空間
を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034463A JPS60180150A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034463A JPS60180150A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180150A true JPS60180150A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12414940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034463A Pending JPS60180150A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180150A (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367766A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method |
| US5369058A (en) * | 1993-03-29 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Warp-resistent ultra-thin integrated circuit package fabrication method |
| US5377077A (en) * | 1990-08-01 | 1994-12-27 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus |
| US5394014A (en) * | 1990-11-28 | 1995-02-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| US5420751A (en) * | 1990-08-01 | 1995-05-30 | Staktek Corporation | Ultra high density modular integrated circuit package |
| US5446620A (en) * | 1990-08-01 | 1995-08-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5448450A (en) * | 1991-08-15 | 1995-09-05 | Staktek Corporation | Lead-on-chip integrated circuit apparatus |
| US5475920A (en) * | 1990-08-01 | 1995-12-19 | Burns; Carmen D. | Method of assembling ultra high density integrated circuit packages |
| US5484959A (en) * | 1992-12-11 | 1996-01-16 | Staktek Corporation | High density lead-on-package fabrication method and apparatus |
| WO1996022669A3 (en) * | 1995-01-13 | 1996-09-26 | Space Electronics Inc | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages |
| US5572065A (en) * | 1992-06-26 | 1996-11-05 | Staktek Corporation | Hermetically sealed ceramic integrated circuit heat dissipating package |
| US5644161A (en) * | 1993-03-29 | 1997-07-01 | Staktek Corporation | Ultra-high density warp-resistant memory module |
| DE4143494C2 (de) * | 1990-11-28 | 1998-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung insb. für eine Chipkarte mit Abschirmung gegenüber Lichteinwirkung und damit verbundene Fehlfunktionen |
| US5801437A (en) * | 1993-03-29 | 1998-09-01 | Staktek Corporation | Three-dimensional warp-resistant integrated circuit module method and apparatus |
| US5945732A (en) * | 1997-03-12 | 1999-08-31 | Staktek Corporation | Apparatus and method of manufacturing a warp resistant thermally conductive integrated circuit package |
| US6025642A (en) * | 1995-08-17 | 2000-02-15 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US6144108A (en) * | 1996-02-22 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6205654B1 (en) | 1992-12-11 | 2001-03-27 | Staktek Group L.P. | Method of manufacturing a surface mount package |
| US6261508B1 (en) | 1994-04-01 | 2001-07-17 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Method for making a shielding composition |
| US6262362B1 (en) | 1994-04-01 | 2001-07-17 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
| US6326687B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6368899B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-04-09 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Electronic device packaging |
| US6455864B1 (en) | 1994-04-01 | 2002-09-24 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Methods and compositions for ionizing radiation shielding |
| US6613978B2 (en) | 1993-06-18 | 2003-09-02 | Maxwell Technologies, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
| US6720493B1 (en) | 1994-04-01 | 2004-04-13 | Space Electronics, Inc. | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages |
| US7382043B2 (en) | 2002-09-25 | 2008-06-03 | Maxwell Technologies, Inc. | Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation |
| US7696610B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-04-13 | Maxwell Technologies, Inc. | Apparatus for shielding integrated circuit devices |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59034463A patent/JPS60180150A/ja active Pending
Cited By (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6049123A (en) * | 1990-08-01 | 2000-04-11 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5566051A (en) * | 1990-08-01 | 1996-10-15 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus |
| US6168970B1 (en) | 1990-08-01 | 2001-01-02 | Staktek Group L.P. | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5377077A (en) * | 1990-08-01 | 1994-12-27 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus |
| US5367766A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method |
| US5420751A (en) * | 1990-08-01 | 1995-05-30 | Staktek Corporation | Ultra high density modular integrated circuit package |
| US5446620A (en) * | 1990-08-01 | 1995-08-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5543664A (en) * | 1990-08-01 | 1996-08-06 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit package |
| US5550711A (en) * | 1990-08-01 | 1996-08-27 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5475920A (en) * | 1990-08-01 | 1995-12-19 | Burns; Carmen D. | Method of assembling ultra high density integrated circuit packages |
| DE4143494C2 (de) * | 1990-11-28 | 1998-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung insb. für eine Chipkarte mit Abschirmung gegenüber Lichteinwirkung und damit verbundene Fehlfunktionen |
| US5394014A (en) * | 1990-11-28 | 1995-02-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| US5448450A (en) * | 1991-08-15 | 1995-09-05 | Staktek Corporation | Lead-on-chip integrated circuit apparatus |
| US5572065A (en) * | 1992-06-26 | 1996-11-05 | Staktek Corporation | Hermetically sealed ceramic integrated circuit heat dissipating package |
| US5484959A (en) * | 1992-12-11 | 1996-01-16 | Staktek Corporation | High density lead-on-package fabrication method and apparatus |
| US6205654B1 (en) | 1992-12-11 | 2001-03-27 | Staktek Group L.P. | Method of manufacturing a surface mount package |
| US5631193A (en) * | 1992-12-11 | 1997-05-20 | Staktek Corporation | High density lead-on-package fabrication method |
| US5843807A (en) * | 1993-03-29 | 1998-12-01 | Staktek Corporation | Method of manufacturing an ultra-high density warp-resistant memory module |
| US5369056A (en) * | 1993-03-29 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Warp-resistent ultra-thin integrated circuit package fabrication method |
| US5644161A (en) * | 1993-03-29 | 1997-07-01 | Staktek Corporation | Ultra-high density warp-resistant memory module |
| US5801437A (en) * | 1993-03-29 | 1998-09-01 | Staktek Corporation | Three-dimensional warp-resistant integrated circuit module method and apparatus |
| US5828125A (en) * | 1993-03-29 | 1998-10-27 | Staktek Corporation | Ultra-high density warp-resistant memory module |
| US5581121A (en) * | 1993-03-29 | 1996-12-03 | Staktek Corporation | Warp-resistant ultra-thin integrated circuit package |
| US5864175A (en) * | 1993-03-29 | 1999-01-26 | Staktek Corporation | Wrap-resistant ultra-thin integrated circuit package fabrication method |
| US5895232A (en) * | 1993-03-29 | 1999-04-20 | Staktek Corporation | Three-dimensional warp-resistant integrated circuit module method and apparatus |
| US5369058A (en) * | 1993-03-29 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Warp-resistent ultra-thin integrated circuit package fabrication method |
| US6194247B1 (en) | 1993-03-29 | 2001-02-27 | Staktek Group L.P. | Warp-resistent ultra-thin integrated circuit package fabrication method |
| US6613978B2 (en) | 1993-06-18 | 2003-09-02 | Maxwell Technologies, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
| US6858795B2 (en) | 1993-06-18 | 2005-02-22 | Maxwell Technologies, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
| US6455864B1 (en) | 1994-04-01 | 2002-09-24 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Methods and compositions for ionizing radiation shielding |
| US6261508B1 (en) | 1994-04-01 | 2001-07-17 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Method for making a shielding composition |
| US6262362B1 (en) | 1994-04-01 | 2001-07-17 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules |
| US6720493B1 (en) | 1994-04-01 | 2004-04-13 | Space Electronics, Inc. | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages |
| US5635754A (en) * | 1994-04-01 | 1997-06-03 | Space Electronics, Inc. | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages |
| WO1996022669A3 (en) * | 1995-01-13 | 1996-09-26 | Space Electronics Inc | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages |
| US6025642A (en) * | 1995-08-17 | 2000-02-15 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US6144108A (en) * | 1996-02-22 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US5945732A (en) * | 1997-03-12 | 1999-08-31 | Staktek Corporation | Apparatus and method of manufacturing a warp resistant thermally conductive integrated circuit package |
| US6190939B1 (en) | 1997-03-12 | 2001-02-20 | Staktek Group L.P. | Method of manufacturing a warp resistant thermally conductive circuit package |
| US6518098B2 (en) | 1998-09-01 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6326687B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6765291B2 (en) | 1998-09-01 | 2004-07-20 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6920688B2 (en) | 1998-09-01 | 2005-07-26 | Micron Technology, Inc. | Method for a semiconductor assembly having a semiconductor die with dual heat spreaders |
| US6368899B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-04-09 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Electronic device packaging |
| US6963125B2 (en) | 2000-03-08 | 2005-11-08 | Sony Corporation | Electronic device packaging |
| US7382043B2 (en) | 2002-09-25 | 2008-06-03 | Maxwell Technologies, Inc. | Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation |
| US7696610B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-04-13 | Maxwell Technologies, Inc. | Apparatus for shielding integrated circuit devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60180150A (ja) | 半導体装置 | |
| US5635754A (en) | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages | |
| US7148084B2 (en) | Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages | |
| US5679975A (en) | Conductive encapsulating shield for an integrated circuit | |
| TWI470261B (zh) | Radiation detector and manufacturing method thereof | |
| US10321553B2 (en) | Shield to improve electromagnetic interference (EMI) suppression capability | |
| JPS62125651A (ja) | 耐放射線パツケ−ジ | |
| JPH0117257B2 (ja) | ||
| US3735209A (en) | Semiconductor device package with energy absorbing layer | |
| JPS614250A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JPH03171652A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08330478A (ja) | 熱中性子遮蔽体を備えた集積回路 | |
| US2829320A (en) | Encapsulation for electrical components and method of manufacture | |
| JPS628032B2 (ja) | ||
| EP0045561B1 (en) | Semiconductor device comprising memory circuits | |
| WO2000026964A1 (en) | Raised pedestal radiation shield for sensitive electronics | |
| JPS5593239A (en) | Semiconductor device | |
| EP0547989B1 (en) | Alpha particle disturb reduction techniques | |
| JP3132608B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| CN215345692U (zh) | 空间电子设备辐照防护装置 | |
| JPS55128845A (en) | Semiconductor device | |
| JP4606610B2 (ja) | 裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法 | |
| JPH0517777Y2 (ja) | ||
| JP2837488B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5942983B2 (ja) | 半導体装置 |