JPH01302874A - 光半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光学特性を改善した光半導体装置に関するもの
である。

従来の技術 第４図〜第６図は従来の光半導体素子用のリードフレー
ムを示すものであり、１は半導体素子載置部、２は内部
リード部、３は外部リード部、４は半導体素子載置部１
に形成された反射器である。

反射器４は第６図、第６図に示すように逆台形の断面形
状を有し、その底面４ａに発光素子（図示せず）が載置
され、リードフレームとともに樹脂封止される。反射器
４の斜面４ｂは反射壁として使われる。すなわち、発光
素子からの光の大半は封止樹脂を通り直接光として前方
へ照射され、−方、発光素子の側面に向けて照射された
側面光は反射器４の斜面４ｂで反射された後、直接光と
ともに前方へ照射される。

発明が解決しようとする課題 この種の光半導体装置の光学特性を高めるためには、発
光素子の側面光を素子の主発光面と垂直な方向に取り出
す必要がある。また側面光は使用する素子によって特有
の放射強度分布を有している。したがって放射強度の最
も大きな部分からの側面光を反射器４の斜面４ｂを利用
して素子の主発行面と垂直な方向に反射することが望ま
しい。

ところが、第４図〜第６図に示す従来のリードフレーム
では、斜面４ｂが底面４ＩＬの周辺から直線状に延びた
単純な摺鉢状になっている。したがって、底面４ａに載
置した発光素子からの側面光は、各素子特有の放射強度
分布とは無関係に平坦な斜面４ｂに照射され、その入射
角度に応じて様々な方向へ乱反射される。このため、本
来取り出すべき主発光部と垂直な方向への反射光が弱く
なり、光学特性が悪くなる。

本発明はこのような従来の問題を解決する光半導体装置
を提供するものである。

課題分解法するための手段 この目的を達成するために、本発明はリードフレームの
半導体素子載置部に円形陥没部とこの円形陥没部の周辺
から湾曲して延びる反射壁を設け、上記円形陥没部内に
載置した光半導体素子と上記リードフレームを透光性の
樹脂で封止するとともに、上記円形陥没部の直径および
深さと上記反射壁の曲面とを、上記光半導体素子からの
放射強度の最も大きい部分の側面光を光軸方向に反射さ
せるかまたは入射光を上記光半導体素子の受光強度の最
も大きい側面部分に向けて反射させ寸法に設定したもの
である。

作用 このようにすれば、各発光素子特有の最大放射強度部分
の側面光を光軸方向に反射させることができるか、ある
いは入射光を各受光素子特有の最も受光強度の大きい側
面部分に入射させることができるため、光半導体素子の
光学特性を大幅に改善することができる。

実施例 以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図とともに説明
する。

第１図〜第３図において、１はリードフレームの半導体
素子載置部、２は内部リード部、３は外部リード部であ
り、これらの構成は従来と同一である。５は半導体装置
部１の中央に設けられた反射器であり、円形陥没部６と
、この円形陥没部６の周辺から湾曲して延びる反射壁７
と分備えている。８は上記円形陥没部６の底面に載置さ
れた発光素子、９は発光素子８の側面光放射強度最大部
、１０はリードフレームと発光素子８を一体に封止する
透光性の樹脂、１１は反射光である。

この実施例では、発光素子８の厚さがおよそ１００μｍ
で、側面光放射強度最大部９が発光素子８の上端からお
よそ１０μｍのところにある。

そこでこの実施例では側面光放射強度最大部９からの側
面光を有効に光軸Ｂとほぼ平行な方向に反射させるため
に１円形陥没部６の直径をＣ３４５ｍｍ　。

深さを０．０５　ｍｍに設定し、さらに反射壁７には曲
率半径０．３９ｍｍの曲面をもたせである。このように
すれば、第３図に示すように側面光のうち最もエネルギ
ーの大きい部分が湾曲した反射壁で反射　・され、はと
んどの反射光１１が光軸Ｂと平行に放射される。実際に
この実施例によれば、従来の反射器４を用いた時と比べ
、光学特性が２０％程度改善できた。

なお、円形陥没部６の大きさ、反射壁７の曲率半径は、
使用する発光素子８の大きさとその側面光放射強度最大
部の位置から最適値を決定すればよいことは云うまでも
ない。また、上記実施例では光半導体素子として発光素
子を用いたが、受光素子を用いてもよい。この場合には
反射壁７で反射された光が受光素子側面の受光悪疫の最
も大きい部分に入射するように、反射壁７の曲率半径と
円形陥没部６の直径および深さを設定すればよい。

発明の効果 本発明によれば、発光素子の側面光を効率よく光軸方向
に反射させることができ、また入射光を受光素子の側面
部へ効率よく入射させることができるから、簡単な構成
で、光半導体素子の光学特性を大幅に改善することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に用いるリードフレームの平
面図、第２図は同実施例の断面図、第３図は第２図の反
射器の部分の拡大断面図、第４゜第６図は従来の光半導
体装置に用いるリードフレームの平面図および断面図、
第６図は従来の反射器の部分の拡大断面図である。 １・・・・・・半導体素子載置部、２・・・・・・内部
リード部、ふ・・・・・・外部リード部、６・・・・・
・反射器、θ・・・・・・円形陥没部、７・・・・・・
反射壁、８・・・・・発光素子、９・・・・・・側面光
放射強度最大部、１０・・・・・・樹脂、１１・・・・
・・反射光。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名１８
６．雫」−［イＸ１ｌＸｆＱ ５−ｉ’町氷 訃・−蔓九〇−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　リードフレームの半導体素子載置部に円形陥没部と、
   この円形陥没部の周辺から湾曲して延びる反射壁を設け
   、上記円形陥没部に載置した光半導体素子と上記リード
   フレームを透光性の樹脂で封止するとともに、上記円形
   陥没部の直径および深さと上記反射壁の曲面とを、上記
   光半導体素子からの放射強度の最も大きい部分の側面光
   を光軸方向に反射させるか、または入射光を上記光半導
   体素子の受光強度の最も大きい側面部分に向けて反射さ
   せる寸法に設定したことを特徴とする光半導体装置。