JPH01303716A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH01303716A JPH01303716A JP63134140A JP13414088A JPH01303716A JP H01303716 A JPH01303716 A JP H01303716A JP 63134140 A JP63134140 A JP 63134140A JP 13414088 A JP13414088 A JP 13414088A JP H01303716 A JPH01303716 A JP H01303716A
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜形成方法に関し、より詳細には光導電率が
高く、熱処理による光学ギャップの変化の少ない光電変
換素子に用いるのに好適なアモルファスシリコン系膜の
形成方法に関する。 ［従来の技術］ アモルファスシリコンカーバイト、アモルファスシリコ
ン、アモルファスシリコンゲルマニウム等のアモルファ
スシリコン系膜は太陽電池等の光電変換素子、ＦＥＴ等
のアクティブマトリックスＬＣＤなどに応用されつつあ
る゛ため、アモルファスシリコン系膜の成膜法の研究成
果も多数発表されている。しかしながら、研究発表はほ
とんど成膜過程の研究で占められ、成膜後、外気に取り
だすまでの処理技術、熱処理技術に関するものは少ない
。しかしながら、アモルファスシリコン系膜は空気中に
曝されると劣化し、またアモルファスシリコン系膜に長
時間光を照射すると、その膜質が変化する現象、すなわ
ち５ｔｒａｅｂｅｒ−１’１ｒｏｎｓｈｉ効果がおこる
。この効果を防止する対策としては、■結合水素量が低
く、また不純物量を低減したアモルファスシリコン系膜
の採用とそのための製膜法の改善、■ａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ
膜の採用、■光特性変化が生じにくく、膜質の生じても
デバイス特性の影響の小さい素子構造の採用、等の方法
が考えられている。
高く、熱処理による光学ギャップの変化の少ない光電変
換素子に用いるのに好適なアモルファスシリコン系膜の
形成方法に関する。 ［従来の技術］ アモルファスシリコンカーバイト、アモルファスシリコ
ン、アモルファスシリコンゲルマニウム等のアモルファ
スシリコン系膜は太陽電池等の光電変換素子、ＦＥＴ等
のアクティブマトリックスＬＣＤなどに応用されつつあ
る゛ため、アモルファスシリコン系膜の成膜法の研究成
果も多数発表されている。しかしながら、研究発表はほ
とんど成膜過程の研究で占められ、成膜後、外気に取り
だすまでの処理技術、熱処理技術に関するものは少ない
。しかしながら、アモルファスシリコン系膜は空気中に
曝されると劣化し、またアモルファスシリコン系膜に長
時間光を照射すると、その膜質が変化する現象、すなわ
ち５ｔｒａｅｂｅｒ−１’１ｒｏｎｓｈｉ効果がおこる
。この効果を防止する対策としては、■結合水素量が低
く、また不純物量を低減したアモルファスシリコン系膜
の採用とそのための製膜法の改善、■ａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ
膜の採用、■光特性変化が生じにくく、膜質の生じても
デバイス特性の影響の小さい素子構造の採用、等の方法
が考えられている。
【発明が解決しようとする課題］
このように、従来のアモルファスシリコン系膜は空気中
に曝されること、および光照射に伴なう膜質変化、すな
わち光劣化が問題となっている。 光劣化の問題はアモルファスシリコン半導体太陽電池等
光電変換素子の特性の劣化でもあり、光劣化の問題を改
善することはアモルファスシリコン系光電変換素子の信
頼性の向上の最大の課題である。光劣化の少ないアモル
ファスシリコン系薄膜を形成できれ＆シ、安定な光電変
換素子を提供することができる。 このような状況を解決するために本発明の目的は従来の
問題点を解消し、光劣化の少ないアモルファスシリコン
系膜の形成方法を提供することにある。 １課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本発明は、基板上に第１
の窒化シリコン系膜を堆積し、第１の窒化シリコン系膜
の上にアモルファスシリコン系膜を堆積し、外気に露す
ことなく、°アモルファスシリコン系膜上に第２の窒化
シリコン系膜を堆積することを特徴とする。 本発明は基板上に第１の窒化シリコン系膜を堆積し、第
１の窒化シリコン系膜の上にアモルファスシリコン系膜
を堆積し、第２の窒化シリコン系膜を堆積し、得られた
膜に熱処理を施すことを特徴とする。 アモルファスシリコン系膜とは、アモルフ・アスシリコ
ン膜、水素化アモルファスシリコン（以下ａ−５Ｉ：Ｈ
）およびそれらにＢのような第１ＩＩ族元素、Ｃ，Ｇｅ
、 Ｓｎのような第１Ｖ族元素、およびＮ。 Ｐ、＾Ｓのような第Ｖ族元素を含むものを言う。 ａ−５ｉ：Ｈ膜の電気導電型を制御するためには、ジボ
ラン（ＪＨａ） 、ホスフィン（ＰＨｓ ） 、アルシ
ン（八５Ｈｓ）などのガスをシランまたは高次シランと
共に適宜の量導入する。 ＳｉＨａに８．）Ｉ、を添加
することでｐ形ａ−５１：Ｈとなり、Ｐ）１３を添加す
ることによりｎ形ａ−５ｉ：Ｈとなり、ドーピング量と
共に導電率が向上する。 アモルファスシリコン系膜の製法には、グロー放電法、
熱分解、スパッタリング、光ＣＶＤなとの各種の方法が
あり、反応室構成も、−室反応室（平行平板形電極方式
、円弧形電極方式等）、多室分離反応室および連続反応
室などがある。 合金形アモルファスシリコン系膜であるａ −５ｉＧｅ
： Ｈ，ａ −５ｉＣ： Ｈ，ａ−５ｉＮ ： Ｈ。 ａ−５ｉＳｎ：Ｈは次のようにして生成することができ
る。ａ−５ＩＧｅ：Ｈ膜生成用ガスには主として５ＩＨ
４とＧａ１１４が主に使われる。 ａ −５ｉＣ： Ｈ
膜のＣの原料としては、ＣＨ４またはＣ２Ｈ４が用いら
れる。 Ｂのドーピングによる光照射の導電率の増大が、Ｃ，Ｉ
ｆ４ガスを用いた場合にはＣＨ４を用いたときよりも低
く、太陽電池用としては、Ｃ］１４ガスを用いたａ−５
ＩＣ：Ｈが優れていると言われている。 ａ−５ｉ：ＮはＳｉＨ，とＮＨ３のグロー放電分解、あ
るいは５ｉ１１．と Ｎ２のグロー放電分解で得られる
。 ａ−５ｉＳｎ：）ｉは、ＳｉＨ４と５ｎ（ＣＨｓ ）４
の混合ガスを用い、基板を加熱して高周波を印加してグ
ロー放電によって成長させる。最近ＳｉＨ４とＳｎＨ４
を用いａ−５ｉＳｎ：Ｈの製膜法が検討されている。 また、５ＩＨ４＋Ｃ）＋４の混合ガスに８２■６を添加
してプラズマ反応で形成したｐ型ａ−５ＩＣ： Ｂ ：
Ｈは、優れた光起電力特性を有するワイドギャップ材
料である。 従来のａ−５ｉＧａ：Ｈは、光感度が悪く、太陽電池用
材料として用いるには特性が不十分であったが、これに
対して５ＩＦ４＋ ＧｅＦ４＋ ）＋２によるａ−５Ｉ
Ｇｅ： Ｆ ： Ｈは形成条件の最適化によフて良好な
特性が得られている。 上に述べたａ −５ｉＣ： Ｆ ： Ｈとａ−５ＩＧｅ
： Ｆ ：Ｈもアモルファスシリコン系膜に適用可能で
ある。 窒化シリコン系膜とは、ａ −５ｌｘＮ＋−Ｘに限られ
ず、ａ−５ＩＮ、： Ｃ： Ｈ，ａ−５ｉＮ、： Ｏ：
Ｈも示すものと定義する。このように窒化シリコン系
膜には、原料ガスの水素やチャンバーのリークにより酸
素が混入することもあり、更に意図的に歪の緩和、強調
のために異なる原子を加える場合もある。 【作 用】 本発明によれば、アモルファスシリコン系膜を窒化シリ
コン系膜で挟んでサンドイッチ構造とすることにより、
アモルファスシリコン膜は外気にさらされることなく保
護させるので、光導電率が高く、光学ギャップの変化の
小さい薄膜を得ることができる。従りて、光劣化をおさ
え、光電特性の良好な薄膜を得ることができる。
に曝されること、および光照射に伴なう膜質変化、すな
わち光劣化が問題となっている。 光劣化の問題はアモルファスシリコン半導体太陽電池等
光電変換素子の特性の劣化でもあり、光劣化の問題を改
善することはアモルファスシリコン系光電変換素子の信
頼性の向上の最大の課題である。光劣化の少ないアモル
ファスシリコン系薄膜を形成できれ＆シ、安定な光電変
換素子を提供することができる。 このような状況を解決するために本発明の目的は従来の
問題点を解消し、光劣化の少ないアモルファスシリコン
系膜の形成方法を提供することにある。 １課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本発明は、基板上に第１
の窒化シリコン系膜を堆積し、第１の窒化シリコン系膜
の上にアモルファスシリコン系膜を堆積し、外気に露す
ことなく、°アモルファスシリコン系膜上に第２の窒化
シリコン系膜を堆積することを特徴とする。 本発明は基板上に第１の窒化シリコン系膜を堆積し、第
１の窒化シリコン系膜の上にアモルファスシリコン系膜
を堆積し、第２の窒化シリコン系膜を堆積し、得られた
膜に熱処理を施すことを特徴とする。 アモルファスシリコン系膜とは、アモルフ・アスシリコ
ン膜、水素化アモルファスシリコン（以下ａ−５Ｉ：Ｈ
）およびそれらにＢのような第１ＩＩ族元素、Ｃ，Ｇｅ
、 Ｓｎのような第１Ｖ族元素、およびＮ。 Ｐ、＾Ｓのような第Ｖ族元素を含むものを言う。 ａ−５ｉ：Ｈ膜の電気導電型を制御するためには、ジボ
ラン（ＪＨａ） 、ホスフィン（ＰＨｓ ） 、アルシ
ン（八５Ｈｓ）などのガスをシランまたは高次シランと
共に適宜の量導入する。 ＳｉＨａに８．）Ｉ、を添加
することでｐ形ａ−５１：Ｈとなり、Ｐ）１３を添加す
ることによりｎ形ａ−５ｉ：Ｈとなり、ドーピング量と
共に導電率が向上する。 アモルファスシリコン系膜の製法には、グロー放電法、
熱分解、スパッタリング、光ＣＶＤなとの各種の方法が
あり、反応室構成も、−室反応室（平行平板形電極方式
、円弧形電極方式等）、多室分離反応室および連続反応
室などがある。 合金形アモルファスシリコン系膜であるａ −５ｉＧｅ
： Ｈ，ａ −５ｉＣ： Ｈ，ａ−５ｉＮ ： Ｈ。 ａ−５ｉＳｎ：Ｈは次のようにして生成することができ
る。ａ−５ＩＧｅ：Ｈ膜生成用ガスには主として５ＩＨ
４とＧａ１１４が主に使われる。 ａ −５ｉＣ： Ｈ
膜のＣの原料としては、ＣＨ４またはＣ２Ｈ４が用いら
れる。 Ｂのドーピングによる光照射の導電率の増大が、Ｃ，Ｉ
ｆ４ガスを用いた場合にはＣＨ４を用いたときよりも低
く、太陽電池用としては、Ｃ］１４ガスを用いたａ−５
ＩＣ：Ｈが優れていると言われている。 ａ−５ｉ：ＮはＳｉＨ，とＮＨ３のグロー放電分解、あ
るいは５ｉ１１．と Ｎ２のグロー放電分解で得られる
。 ａ−５ｉＳｎ：）ｉは、ＳｉＨ４と５ｎ（ＣＨｓ ）４
の混合ガスを用い、基板を加熱して高周波を印加してグ
ロー放電によって成長させる。最近ＳｉＨ４とＳｎＨ４
を用いａ−５ｉＳｎ：Ｈの製膜法が検討されている。 また、５ＩＨ４＋Ｃ）＋４の混合ガスに８２■６を添加
してプラズマ反応で形成したｐ型ａ−５ＩＣ： Ｂ ：
Ｈは、優れた光起電力特性を有するワイドギャップ材
料である。 従来のａ−５ｉＧａ：Ｈは、光感度が悪く、太陽電池用
材料として用いるには特性が不十分であったが、これに
対して５ＩＦ４＋ ＧｅＦ４＋ ）＋２によるａ−５Ｉ
Ｇｅ： Ｆ ： Ｈは形成条件の最適化によフて良好な
特性が得られている。 上に述べたａ −５ｉＣ： Ｆ ： Ｈとａ−５ＩＧｅ
： Ｆ ：Ｈもアモルファスシリコン系膜に適用可能で
ある。 窒化シリコン系膜とは、ａ −５ｌｘＮ＋−Ｘに限られ
ず、ａ−５ＩＮ、： Ｃ： Ｈ，ａ−５ｉＮ、： Ｏ：
Ｈも示すものと定義する。このように窒化シリコン系
膜には、原料ガスの水素やチャンバーのリークにより酸
素が混入することもあり、更に意図的に歪の緩和、強調
のために異なる原子を加える場合もある。 【作 用】 本発明によれば、アモルファスシリコン系膜を窒化シリ
コン系膜で挟んでサンドイッチ構造とすることにより、
アモルファスシリコン膜は外気にさらされることなく保
護させるので、光導電率が高く、光学ギャップの変化の
小さい薄膜を得ることができる。従りて、光劣化をおさ
え、光電特性の良好な薄膜を得ることができる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
二 ゛本発明のアモルフ
ァシリコン膜の形成方法に用いた装置は、２０ｃｍφの
ｌ、Ｖ Ｄの電極を有する平行平板型プラズマＣＶＤ装
置を用いた。 ・水素化アモルファスシリコン膜の作
製条件は、モノシラン（ＳｉＨ４）の流量１１０５ＣＣ
，反応室内圧力を０．５Ｔｏｒｒ 、高周波電力を２０
Ｗとして、一基板温度を２５０℃で膜を堆積させた。 窒化シリコン膜の°作製条件は、モノシラン（Ｓｉｌ曹
、）の流量をＳＳＣＣＭ 、アンそニア（ＮＨｓ）の流
量をＪ６６ＳＣＣＭ、反応室内圧力をｔ、ｓ’ｒｏｒｒ
ｂ高周波電力を３０冒と一定にして、基板温度２５０
℃で膜を堆積させた。 本実施例に用いることのできる基板としては、石英ガラ
ス、ホクケイ酸ガラス、単結晶シリコンなどが例示でき
るが、本実施例においては石英ガラスを使用した。 石英ガラス基板上へ、窒化シリコン膜を厚さ約６００人
の厚さで堆積させ、この窒化シリコン膜上に水素化アモ
ルファスシリコンを５０００人〜６０００人の厚さで堆
積させた。このようにして作製した膜を外気に露出させ
ることなく約６００人の厚さで１００ｍＷ／ｃｍ’の強
度光の照射下において、試料の光導電率を測定し、得ら
れた結果を第１図に白丸印トル、１００ｍＷ／ｃｍ”の
強度の光を試料に１時間照射して、その後の試料につい
て光導電率を測定し、得られた結果を黒丸にて示す。 次に比較例、として、石英ガラス基板上に、水素化アモ
ルファスシリコン膜を約５０００〜６０００人の厚さで
堆積させ、その後反応室内から試料を取り出して、３５
０℃、 ４００ ｔ、 ４５０℃およびＳＯＯ℃におい
て水素雰囲気下３０分間熱処理して、ＡＭｌ、５スペク
トル１００ａ＋Ｗ／ｃｍ’の光照射において試料の光電
ル、ｌ（１’ｏ■Ｗ／ｃ■２の強度の光を１時間試料に
照射した後、光導電率を測定して、得られた結果を第２
図にｉ丸にて示す。 ここで第１図と第２図において２５０℃のデータは、こ
の基板温度において形成したままの光導電率の値を示す
。 第１図と第２図の実験データを比較すれば、明らかなよ
うに、窒化シリコン膜で保護された本発明によるアモル
ファスシリコン系膜は、熱処理をしない状態で従来法に
よるアモルファスシリコン膜より光導電率が大きく、光
照射による劣化が少ない。 さらに５００℃未情の熱処理においては、熱処理変化が
少なく、安定な膜であるので、それらの膜について熱処
理前後の光学ギャップＥｇｏｐｔの比を測定し、得られ
た結果を第３図に示す、第３図において■印で示した値
は窒化シリコン膜を用いて水素化アモルファスシリコン
膜をサンドイッチ構造した試料の光学ギャップ比を示し
、０印は水素化アモルファスシリコンの光学ギャップの
変化比を示した。 ここで、第３図のデータを見るとサンドイッチ構造の試
料の光学ギャップの変化比は１に近く、光学ギャップの
値の変化が小さく、光学特性の安定度が良好である。 アモルファスシリコン系膜に電極等の電気接触を設ける
ためには、アモルファスシリコン系゛膜の上に堆積した
高抵抗の窒化シリコン系膜を一部除去して使用する。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、アモルファスシ
リコン系膜を窒化シリコゝン系膜で挟んでサンドイッチ
構造とすることにより、アモルファスシリコン膜は外気
にさらされることなく保護させるので、光導電率が高く
、光学ギャップの変化の小さい薄膜を得ることができる
。従って、光劣化をおさえ、光電特性の良好な薄膜を得
ることができる。 第１図は本発明の薄膜形成方法によって作成した薄膜の
光導電率と熱処理温度との関係の一例を示す特性図、 第２図は水素化アモルファスシリコン薄膜の光導電率と
熱処理温度との関係の一例を示す特性図、 第３図は熱処理前後の光学ギャップの変化比を示す特性
図である。 轄ｊ〔理温濾（°Ｃ） 第１図 熟処理温崖（°Ｃ）
二 ゛本発明のアモルフ
ァシリコン膜の形成方法に用いた装置は、２０ｃｍφの
ｌ、Ｖ Ｄの電極を有する平行平板型プラズマＣＶＤ装
置を用いた。 ・水素化アモルファスシリコン膜の作
製条件は、モノシラン（ＳｉＨ４）の流量１１０５ＣＣ
，反応室内圧力を０．５Ｔｏｒｒ 、高周波電力を２０
Ｗとして、一基板温度を２５０℃で膜を堆積させた。 窒化シリコン膜の°作製条件は、モノシラン（Ｓｉｌ曹
、）の流量をＳＳＣＣＭ 、アンそニア（ＮＨｓ）の流
量をＪ６６ＳＣＣＭ、反応室内圧力をｔ、ｓ’ｒｏｒｒ
ｂ高周波電力を３０冒と一定にして、基板温度２５０
℃で膜を堆積させた。 本実施例に用いることのできる基板としては、石英ガラ
ス、ホクケイ酸ガラス、単結晶シリコンなどが例示でき
るが、本実施例においては石英ガラスを使用した。 石英ガラス基板上へ、窒化シリコン膜を厚さ約６００人
の厚さで堆積させ、この窒化シリコン膜上に水素化アモ
ルファスシリコンを５０００人〜６０００人の厚さで堆
積させた。このようにして作製した膜を外気に露出させ
ることなく約６００人の厚さで１００ｍＷ／ｃｍ’の強
度光の照射下において、試料の光導電率を測定し、得ら
れた結果を第１図に白丸印トル、１００ｍＷ／ｃｍ”の
強度の光を試料に１時間照射して、その後の試料につい
て光導電率を測定し、得られた結果を黒丸にて示す。 次に比較例、として、石英ガラス基板上に、水素化アモ
ルファスシリコン膜を約５０００〜６０００人の厚さで
堆積させ、その後反応室内から試料を取り出して、３５
０℃、 ４００ ｔ、 ４５０℃およびＳＯＯ℃におい
て水素雰囲気下３０分間熱処理して、ＡＭｌ、５スペク
トル１００ａ＋Ｗ／ｃｍ’の光照射において試料の光電
ル、ｌ（１’ｏ■Ｗ／ｃ■２の強度の光を１時間試料に
照射した後、光導電率を測定して、得られた結果を第２
図にｉ丸にて示す。 ここで第１図と第２図において２５０℃のデータは、こ
の基板温度において形成したままの光導電率の値を示す
。 第１図と第２図の実験データを比較すれば、明らかなよ
うに、窒化シリコン膜で保護された本発明によるアモル
ファスシリコン系膜は、熱処理をしない状態で従来法に
よるアモルファスシリコン膜より光導電率が大きく、光
照射による劣化が少ない。 さらに５００℃未情の熱処理においては、熱処理変化が
少なく、安定な膜であるので、それらの膜について熱処
理前後の光学ギャップＥｇｏｐｔの比を測定し、得られ
た結果を第３図に示す、第３図において■印で示した値
は窒化シリコン膜を用いて水素化アモルファスシリコン
膜をサンドイッチ構造した試料の光学ギャップ比を示し
、０印は水素化アモルファスシリコンの光学ギャップの
変化比を示した。 ここで、第３図のデータを見るとサンドイッチ構造の試
料の光学ギャップの変化比は１に近く、光学ギャップの
値の変化が小さく、光学特性の安定度が良好である。 アモルファスシリコン系膜に電極等の電気接触を設ける
ためには、アモルファスシリコン系゛膜の上に堆積した
高抵抗の窒化シリコン系膜を一部除去して使用する。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、アモルファスシ
リコン系膜を窒化シリコゝン系膜で挟んでサンドイッチ
構造とすることにより、アモルファスシリコン膜は外気
にさらされることなく保護させるので、光導電率が高く
、光学ギャップの変化の小さい薄膜を得ることができる
。従って、光劣化をおさえ、光電特性の良好な薄膜を得
ることができる。 第１図は本発明の薄膜形成方法によって作成した薄膜の
光導電率と熱処理温度との関係の一例を示す特性図、 第２図は水素化アモルファスシリコン薄膜の光導電率と
熱処理温度との関係の一例を示す特性図、 第３図は熱処理前後の光学ギャップの変化比を示す特性
図である。 轄ｊ〔理温濾（°Ｃ） 第１図 熟処理温崖（°Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に第１の窒化シリコン系膜を堆積し、該第１
の窒化シリコン系膜の上にアモルファスシリコン系膜を
堆積し、外気に露すことなく、該アモルファスシリコン
系膜上に第２の窒化シリコン系膜を堆積することを特徴
とする薄膜形成方法。 ２）基板上に第１の窒化シリコン系膜を堆積し、該第１
の窒化シリコン系膜の上にアモルファスシリコン系膜を
堆積し、第２の窒化シリコン系膜を堆積し、得られた膜
に熱処理を施すことを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63134140A JPH01303716A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63134140A JPH01303716A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303716A true JPH01303716A (ja) | 1989-12-07 |
| JPH0573334B2 JPH0573334B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=15121408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63134140A Granted JPH01303716A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01303716A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58102560A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS58212177A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁ゲ−ト型トランジスタおよびその製造方法 |
| JPS5919378A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁ゲート型トランジスタの製造方法 |
| JPS617669A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導電体の製造方法 |
| JPS6254478A (ja) * | 1985-08-24 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS6411368A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nec Corp | Manufacture of thin film transistor |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63134140A patent/JPH01303716A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58102560A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS58212177A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁ゲ−ト型トランジスタおよびその製造方法 |
| JPS5919378A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁ゲート型トランジスタの製造方法 |
| JPS617669A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導電体の製造方法 |
| JPS6254478A (ja) * | 1985-08-24 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS6411368A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nec Corp | Manufacture of thin film transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573334B2 (ja) | 1993-10-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |