JPH0614553B2 - アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法 - Google Patents
アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法Info
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- JPH0614553B2 JPH0614553B2 JP58073610A JP7361083A JPH0614553B2 JP H0614553 B2 JPH0614553 B2 JP H0614553B2 JP 58073610 A JP58073610 A JP 58073610A JP 7361083 A JP7361083 A JP 7361083A JP H0614553 B2 JPH0614553 B2 JP H0614553B2
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- Japan
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- silicon carbide
- based semiconductor
- amorphous silicon
- semiconductor
- amorphous
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
- H10F77/166—Amorphous semiconductors
- H10F77/1662—Amorphous semiconductors including only Group IV materials
- H10F77/1665—Amorphous semiconductors including only Group IV materials including Group IV-IV materials, e.g. SiGe or SiC
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はアモルファス炭化シリコン（以下「ａ−Ｓｉ
Ｃ」と記す。）半導体に関する。ａ−ＳｉＣ半導体は、
アモルファスシリコンに比べて光学的ギヤツプが大きい
ために、ＰＩＮ型太陽電池の光入射端面側のＰ層に使用
され太陽電池の変換効率の向上に寄与している。ところ
が炭素とシリコンの共有結合力は、シリコン−シリコン
の共有結合力に比べて大きいために、炭素原子の存在に
よって理想的なアモルファス構造である、コンティニュ
アスランダムネットワーク構造の形成が阻害される。こ
のため、ａ−ＳｉＣ半導体のアモルファス構造の不規則
性がアモルファスシリコン半導体に比べて大きくなり、
帯端ティル準位を形成したりダングリングボンドが多く
生成され、ミッドギャップ準位を形成する。一方、半導
体材料を電子ディバイスとして応用する場合には、一般
的に、移動度が大きく、バンドギャップが明確に区画さ
れ、バンドギャップ内に意図しない局在準位あるいは局
在状態を有しないのが望ましい。
Ｃ」と記す。）半導体に関する。ａ−ＳｉＣ半導体は、
アモルファスシリコンに比べて光学的ギヤツプが大きい
ために、ＰＩＮ型太陽電池の光入射端面側のＰ層に使用
され太陽電池の変換効率の向上に寄与している。ところ
が炭素とシリコンの共有結合力は、シリコン−シリコン
の共有結合力に比べて大きいために、炭素原子の存在に
よって理想的なアモルファス構造である、コンティニュ
アスランダムネットワーク構造の形成が阻害される。こ
のため、ａ−ＳｉＣ半導体のアモルファス構造の不規則
性がアモルファスシリコン半導体に比べて大きくなり、
帯端ティル準位を形成したりダングリングボンドが多く
生成され、ミッドギャップ準位を形成する。一方、半導
体材料を電子ディバイスとして応用する場合には、一般
的に、移動度が大きく、バンドギャップが明確に区画さ
れ、バンドギャップ内に意図しない局在準位あるいは局
在状態を有しないのが望ましい。
発明の目的は、炭素原子をシリコンに混在させることに
よって発生する局在状態密度を減少することを目的とす
る。
よって発生する局在状態密度を減少することを目的とす
る。
本発明者等は、かかる目的を達成するために研究を重ね
た結果、ａ−ＳｉＣに、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１種以
上の元素を微量ドーピングすれば局在状態密度を減少さ
せることができることを発見した。本発明は、かかる発
見の下になされた。
た結果、ａ−ＳｉＣに、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１種以
上の元素を微量ドーピングすれば局在状態密度を減少さ
せることができることを発見した。本発明は、かかる発
見の下になされた。
即ち、本発明の第一発明は、アモルファス構造の炭化シ
リコン半導体と、該炭化シリコン半導体に、該炭化シリ
コン半導体の局在状態密度をその真性状態よりも減少さ
せる所定ドーピング量でドープされた局在状態密度減少
元素とを有し、前記局在状態密度減少元素は、錫，ゲル
マニウム，鉛のうち少なくとも一種の原子からなること
を特徴とするアモルファス炭化シリコン系半導体からな
る。
リコン半導体と、該炭化シリコン半導体に、該炭化シリ
コン半導体の局在状態密度をその真性状態よりも減少さ
せる所定ドーピング量でドープされた局在状態密度減少
元素とを有し、前記局在状態密度減少元素は、錫，ゲル
マニウム，鉛のうち少なくとも一種の原子からなること
を特徴とするアモルファス炭化シリコン系半導体からな
る。
また、本発明の第二発明は、シリコンを含む原料ガス，
炭素を含む原料ガスを分解してアモルファス構造の炭化
シリコン系半導体を成膜するアモルファス炭化シリコン
系半導体の製造方法において、前記分解時に、錫，ゲル
マニウム，鉛のうち少なくとも一種の元素を含む原料ガ
スを、モル比で１０-8〜１０-4の所定濃度範囲で混合す
ることを特徴としている。
炭素を含む原料ガスを分解してアモルファス構造の炭化
シリコン系半導体を成膜するアモルファス炭化シリコン
系半導体の製造方法において、前記分解時に、錫，ゲル
マニウム，鉛のうち少なくとも一種の元素を含む原料ガ
スを、モル比で１０-8〜１０-4の所定濃度範囲で混合す
ることを特徴としている。
炭素の共有結合半径は、０．７７Åとシリコン共有結合
半径１．１８Åに比べて小さく、炭素シリコン間の共有
結合力は、シリコン−シリコン間の共有結合力に比べて
大きい。よって、炭素原子の存在のため、原子構造に、
より大きな不規則性をもたらし、理想的なコンティニュ
アスランダムネットワークから遠ざかり、このため局在
状態密度が上昇する。本発明者等は、シリコンと同じ４
族で、共有結合半径が、炭素原子と比べて大きい他の元
素、錫、ゲルマニウム、鉛の内１種又は２種以上の原子
を炭化シリコン半導体にドーピングすることにより、炭
素とシリコンとの強力な結合によってもたらされたアモ
ルファスの不規則性を緩和し得ることを発見した。ここ
でドーピング原子のドーピング量は、局在状態密度を減
少させるのに最適な量を必要とする。例えばａ−ＳｉＣ
のダングリングボンドによる局在準位密度が１０17〜１
０19spins／ev・ccであることから、ドーピング原子
は、１０14〜１０17／cm2であるのが良い。原子数比で
多くとも０．１％以下であり、望ましくは、０．０１〜
０．００１％である。又、前記の炭化シリコン半導体
は、水素原子又はフッ素等のハロゲン元素によって、ダ
ングリングボンドがターミネートされていることが望ま
しい。本発明のアモルファス炭化シリコン系半導体の製
造方法は、よく知られたグロー放電ＣＶＤ法によって製
作することができる。即ち、ａ−ＳｉＣはシラン等のシ
リコンハイドライド（SinH2n+2）とメタンエタン等のハ
イドロカーボンをプラズマ分解して作成する。又、Ｓｎ
をドーピングする場合には、テトラメチルティン（Ｓｎ
（ＣＨ３）４）又は、スタナン（ＳｎＨ４）ガスを微量
混合してプラズマ分解、またはグロー放電分解する。上
記ハイドロカーボンについては飽和脂肪族ハイドロカー
ボン（CnH2n+2）、不飽和脂肪族ハイドロカーボン（エ
チレン、プロピレン）、アセチレンを使用できる。ドー
ピングする錫原子に関してＳｎ（ＣＨ３）４の他にＳｎ
（Ｃ２Ｈ５）４、Ｓｎ（CnH2n+1）４でもよい。
半径１．１８Åに比べて小さく、炭素シリコン間の共有
結合力は、シリコン−シリコン間の共有結合力に比べて
大きい。よって、炭素原子の存在のため、原子構造に、
より大きな不規則性をもたらし、理想的なコンティニュ
アスランダムネットワークから遠ざかり、このため局在
状態密度が上昇する。本発明者等は、シリコンと同じ４
族で、共有結合半径が、炭素原子と比べて大きい他の元
素、錫、ゲルマニウム、鉛の内１種又は２種以上の原子
を炭化シリコン半導体にドーピングすることにより、炭
素とシリコンとの強力な結合によってもたらされたアモ
ルファスの不規則性を緩和し得ることを発見した。ここ
でドーピング原子のドーピング量は、局在状態密度を減
少させるのに最適な量を必要とする。例えばａ−ＳｉＣ
のダングリングボンドによる局在準位密度が１０17〜１
０19spins／ev・ccであることから、ドーピング原子
は、１０14〜１０17／cm2であるのが良い。原子数比で
多くとも０．１％以下であり、望ましくは、０．０１〜
０．００１％である。又、前記の炭化シリコン半導体
は、水素原子又はフッ素等のハロゲン元素によって、ダ
ングリングボンドがターミネートされていることが望ま
しい。本発明のアモルファス炭化シリコン系半導体の製
造方法は、よく知られたグロー放電ＣＶＤ法によって製
作することができる。即ち、ａ−ＳｉＣはシラン等のシ
リコンハイドライド（SinH2n+2）とメタンエタン等のハ
イドロカーボンをプラズマ分解して作成する。又、Ｓｎ
をドーピングする場合には、テトラメチルティン（Ｓｎ
（ＣＨ３）４）又は、スタナン（ＳｎＨ４）ガスを微量
混合してプラズマ分解、またはグロー放電分解する。上
記ハイドロカーボンについては飽和脂肪族ハイドロカー
ボン（CnH2n+2）、不飽和脂肪族ハイドロカーボン（エ
チレン、プロピレン）、アセチレンを使用できる。ドー
ピングする錫原子に関してＳｎ（ＣＨ３）４の他にＳｎ
（Ｃ２Ｈ５）４、Ｓｎ（CnH2n+1）４でもよい。
従来のａ−ＳｉＣ半導体は、１０16〜１０17spins／ev
・cc局在状態密度を有し、真性アモルファスシリコンの
局在状態密度１０14〜１０15spins／ev・ccに比べて大
きなものであった。しかし、本発明のように錫、ゲルマ
ニウム、鉛等の他の４族元素の１種又は２種以上を適量
ドーピングすれば局在状態密度を１０16spins／ev・ccに
減少させることができた。このため、本発明のアモルフ
ァス炭化シリコン系半導体素子を用いて製作した太陽電
池は高効率のものが得られた。即ち、開放電圧をＶOC、
短絡電流をＩSCとすれば、３ｍＷの螢光燈下において、
ＶOC＝７００ｍＶ、ＩSC＝６０μＡ／cm2、ＡＭ１太陽
光下においては、ＶOC＝９００ｍＶ、ＩSC＝１６ｍＡ／
cm2であり、変換効率８．０８％であった。又、アモル
ファス薄膜ＦＥＴに使用することもでき、これを用いた
ＦＥＴを試作したところオン、オフ比が１０７以上のも
のが得られた。
・cc局在状態密度を有し、真性アモルファスシリコンの
局在状態密度１０14〜１０15spins／ev・ccに比べて大
きなものであった。しかし、本発明のように錫、ゲルマ
ニウム、鉛等の他の４族元素の１種又は２種以上を適量
ドーピングすれば局在状態密度を１０16spins／ev・ccに
減少させることができた。このため、本発明のアモルフ
ァス炭化シリコン系半導体素子を用いて製作した太陽電
池は高効率のものが得られた。即ち、開放電圧をＶOC、
短絡電流をＩSCとすれば、３ｍＷの螢光燈下において、
ＶOC＝７００ｍＶ、ＩSC＝６０μＡ／cm2、ＡＭ１太陽
光下においては、ＶOC＝９００ｍＶ、ＩSC＝１６ｍＡ／
cm2であり、変換効率８．０８％であった。又、アモル
ファス薄膜ＦＥＴに使用することもでき、これを用いた
ＦＥＴを試作したところオン、オフ比が１０７以上のも
のが得られた。
実施例 本実施例は錫元素をドーピングしたａ−ＳｉＣ半導体実
施例である。
施例である。
本実利例では基板ガラス上にアモルファス炭化シリコン
系半導体から成る薄膜を形成したものである。用いた材
料は、シランガス（ＳｉＨ４）、メタンガス（Ｃ
Ｈ４）、テトラメチルティン（Ｓｎ（ＣＨ３）４）ガス
を用いた。混合ガスの比率はＳｉＨ４：ＣＨ４＝６５：
３５とし、ドーピング原子として錫（Ｓｎ）を選び、テ
トラメチルティン（Ｓｎ（ＣＨ３）４をモル比で１０
−２〜１０-8までの範囲で各種ドーピングした試料を作
成した。又、この混合ガスはアルゴン又は水素ガスで１
０倍に希釈され、その他の条件は、流量３０〜６０scc
m、内圧０．３〜０．５Torr、基板温度２００〜３００
℃、ＲＦ電力１０〜２０ワット電力密度０．０１４〜
０．０２８Ｗ／cm2）である。この様な条件のプラズマ
ＣＶＤ法によって薄膜状のアモルファス炭化シリコン系
半導体を作成した。
系半導体から成る薄膜を形成したものである。用いた材
料は、シランガス（ＳｉＨ４）、メタンガス（Ｃ
Ｈ４）、テトラメチルティン（Ｓｎ（ＣＨ３）４）ガス
を用いた。混合ガスの比率はＳｉＨ４：ＣＨ４＝６５：
３５とし、ドーピング原子として錫（Ｓｎ）を選び、テ
トラメチルティン（Ｓｎ（ＣＨ３）４をモル比で１０
−２〜１０-8までの範囲で各種ドーピングした試料を作
成した。又、この混合ガスはアルゴン又は水素ガスで１
０倍に希釈され、その他の条件は、流量３０〜６０scc
m、内圧０．３〜０．５Torr、基板温度２００〜３００
℃、ＲＦ電力１０〜２０ワット電力密度０．０１４〜
０．０２８Ｗ／cm2）である。この様な条件のプラズマ
ＣＶＤ法によって薄膜状のアモルファス炭化シリコン系
半導体を作成した。
その試料について局在状態密度を測定した結果を第１図
に示す。このグラフから明らかなように真性アモルファ
ス炭化シリコン系半導体は、１０17桁の局在状態密度を
有しているが、錫をドーピングするに従って局在状態密
度は減少し、最小値１０16spins／ev・ccを記録した
後、局在状態密度は上昇する。このことから錫がドーピ
ングされることにより、共有結合力の大きな炭素原子の
効果に基づく結晶構造の不規則性が錫元素の僅かな混入
により緩和されたものと思われる。このグラフから錫の
添加割合がモル比で１０−８〜１０−４のとき局在状態
が減少し、さらに１０−６〜１０−５が最も望ましいこ
とが分った。この値のドーピング量に対して局在状態密
度は１０16spins／ev・ccと、ドーピングしないものに
比べて約１桁減少することができた。
に示す。このグラフから明らかなように真性アモルファ
ス炭化シリコン系半導体は、１０17桁の局在状態密度を
有しているが、錫をドーピングするに従って局在状態密
度は減少し、最小値１０16spins／ev・ccを記録した
後、局在状態密度は上昇する。このことから錫がドーピ
ングされることにより、共有結合力の大きな炭素原子の
効果に基づく結晶構造の不規則性が錫元素の僅かな混入
により緩和されたものと思われる。このグラフから錫の
添加割合がモル比で１０−８〜１０−４のとき局在状態
が減少し、さらに１０−６〜１０−５が最も望ましいこ
とが分った。この値のドーピング量に対して局在状態密
度は１０16spins／ev・ccと、ドーピングしないものに
比べて約１桁減少することができた。
第２実施例 第２実施例はアモルファス炭化シリコン系半導体を用い
て薄膜形状に構成した太陽電池に関するものである。そ
のアモルファス太陽電池の構成断面図を第２図に示す。
厚さ２００〜５００μｍのステンレスＳＵＳ基板２の上
にアモルファス太陽電池層をＮ型、Ｉ型、Ｐ型と堆積形
成した。その上には透明道電膜（ＩＴＯ）１０が１００
０Å真空蒸着によって形成されている。アモルファス半
導体層の堆積はプラズマＣＶＤ法によった。１３．５６
ＭＨｚの高周波放電により０．１〜１torrの内圧のもと
で行なわれた。Ｎ型半導体層４にはアモルファスシリコ
ンに燐をドーピングしてＮ型に形成したものである。即
ち、成分比はＳｉＨ４：ＢＨ３＝１００：０．５〜３
で、前実施例と同様な条件で圧さ３００〜５００Åに作
成した。
て薄膜形状に構成した太陽電池に関するものである。そ
のアモルファス太陽電池の構成断面図を第２図に示す。
厚さ２００〜５００μｍのステンレスＳＵＳ基板２の上
にアモルファス太陽電池層をＮ型、Ｉ型、Ｐ型と堆積形
成した。その上には透明道電膜（ＩＴＯ）１０が１００
０Å真空蒸着によって形成されている。アモルファス半
導体層の堆積はプラズマＣＶＤ法によった。１３．５６
ＭＨｚの高周波放電により０．１〜１torrの内圧のもと
で行なわれた。Ｎ型半導体層４にはアモルファスシリコ
ンに燐をドーピングしてＮ型に形成したものである。即
ち、成分比はＳｉＨ４：ＢＨ３＝１００：０．５〜３
で、前実施例と同様な条件で圧さ３００〜５００Åに作
成した。
次に、Ｉ型半導体層６はシランＳｉ２Ｈ６を同じように
プラズマＣＶＤ法によって５０００〜７０００Å堆積さ
せて形成した。さらに、Ｐ型半導体層８を本発明のアモ
ルウァスシリコンティンカーバイド（ａ−ＳｉＳｎＣ：
Ｈ）で２０００〜４０００Åの厚さに構成した。この層
の形成にはモル比でＳｉＨ４：ＣＨ４：Ｓｎ（ＣＨ３）
４＝０．３〜０．９７：０．８〜０．０３：１０−２〜
１０−８の範囲で各種堆積したものを製作した。そし
て、Ｐ型にするためにＢ２Ｈ６のガスを全体の量に対し
て０．０２〜１％混入してドーピングした。
プラズマＣＶＤ法によって５０００〜７０００Å堆積さ
せて形成した。さらに、Ｐ型半導体層８を本発明のアモ
ルウァスシリコンティンカーバイド（ａ−ＳｉＳｎＣ：
Ｈ）で２０００〜４０００Åの厚さに構成した。この層
の形成にはモル比でＳｉＨ４：ＣＨ４：Ｓｎ（ＣＨ３）
４＝０．３〜０．９７：０．８〜０．０３：１０−２〜
１０−８の範囲で各種堆積したものを製作した。そし
て、Ｐ型にするためにＢ２Ｈ６のガスを全体の量に対し
て０．０２〜１％混入してドーピングした。
これらの条件で作成した結果、ＳｉＨ４：ＣＨ４＝０．
６５：０．３５でジボランのドープ量０．１％、Ｓｎ
（ＣＨ３）４のドープ量１０−６とした時太陽電池の素
子性能を測定した結果、３ｍＷ螢光燈を照射した場合の
開放起電力は７００ｍＶ、短絡電流は６０ｍＡ／cm2で
あった、又、ＦＦ＝６０％、ＡＭ１の太陽光の照射にお
いては開放電圧が０．９Ｖ、短絡電流は１６ｍＡ／cm2
であり、変換効率において８．０８％という高効率のも
のが得られた。
６５：０．３５でジボランのドープ量０．１％、Ｓｎ
（ＣＨ３）４のドープ量１０−６とした時太陽電池の素
子性能を測定した結果、３ｍＷ螢光燈を照射した場合の
開放起電力は７００ｍＶ、短絡電流は６０ｍＡ／cm2で
あった、又、ＦＦ＝６０％、ＡＭ１の太陽光の照射にお
いては開放電圧が０．９Ｖ、短絡電流は１６ｍＡ／cm2
であり、変換効率において８．０８％という高効率のも
のが得られた。
第１図は錫のドーピング量に対するａ−ＳｉＣ：Ｈの局
在状態密度の測定結果をグラフに表したものである。第
２図は本発明の実施例に係る太陽電池の構成を示した構
成図である。 ２……ステンレス基板、４……Ｎ型半導体層 ６……Ｉ型半導体層、８……Ｐ型半導体層 １０……透明導電膜層
在状態密度の測定結果をグラフに表したものである。第
２図は本発明の実施例に係る太陽電池の構成を示した構
成図である。 ２……ステンレス基板、４……Ｎ型半導体層 ６……Ｉ型半導体層、８……Ｐ型半導体層 １０……透明導電膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前川 謙二 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 西沢 俊明 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 岡本 康英 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】アモルファス構造の炭化シリコン半導体
と、 該炭化シリコン半導体に、該炭化シリコン半導体の局在
状態密度をその真性状態よりも減少させる所定ドーピン
グ量でドープされた局在状態密度減少元素とを有し、 前記局在状態密度減少元素は、錫，ゲルマニウム，鉛の
うち少なくとも一種の原子からなることを特徴とするア
モルファス炭化シリコン系半導体。 - 【請求項２】前記所定ドーピング量は、原子数比で多く
とも０．１％であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のアモルファス炭化シリコン系半導体。 - 【請求項３】前記所定ドーピング量は、原子数比で０．
０１〜０．００１％であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のアモルファス炭化シリコン系半導体。 - 【請求項４】前記炭化シリコン半導体は、水素又はハロ
ゲン元素のうち、少なくとも１種以上の元素により、ダ
ングリングボンドがターミネートされていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項乃至第３項の何れかに記載
のアモルファス炭化シリコン系半導体。 - 【請求項５】シリコンを含む原料ガス，炭素を含む原料
ガスを分解してアモルファス構造の炭化シリコン系半導
体を成膜するアモルファス炭化シリコン系半導体の製造
方法において、 前記分解時に、錫，ゲルマニウム，鉛のうち少なくとも
一種の元素を含む原料ガスを、モル比で１０-8〜１０-4
の所定濃度範囲で混合することを特徴とするアモルファ
ス炭化シリコン系半導体の製造方法。 - 【請求項６】前記所定濃度範囲は、モル比で１０-6〜１
０-5に設定されていることを特徴とする特許請求の範囲
第５項記載のアモルファス炭化シリコン系半導体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073610A JPH0614553B2 (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073610A JPH0614553B2 (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198780A JPS59198780A (ja) | 1984-11-10 |
| JPH0614553B2 true JPH0614553B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=13523271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073610A Expired - Lifetime JPH0614553B2 (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614553B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4342044A (en) * | 1978-03-08 | 1982-07-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices |
| JPS5762571A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solar battery |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073610A patent/JPH0614553B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59198780A (ja) | 1984-11-10 |
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