JPH01304751A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置における多層配線の形成方法に
関する。

［発明の概要］ この発明は、半導体装置における多層配線において、第
一層目の配線金属を二段階にエツチングして、第−層金
属配線と、第−層金属配線と第二層金属配線との接合部
を得るようにしたものである。

［従来の技術］ 従来、第２図に示すように、第一層配線金属１をパター
ニングした後に、眉間絶縁ＩＩＪＩ２を堆積し、第−層
金属配線と第二層金属配線の接合部３を、エツチングに
より形成し、その後、第二層配線金属を堆積し、パター
ニングを行なっていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来の多層配線形成法は、第二層配線金属４が
、第−層金属配線との接合部３において層間絶縁膜の断
差な、第二層配線金属が、十分に被覆できないために、
断線しやすいという欠点があった。

そこで、この発明は、従来のこのような欠点を解決する
ため、第−層金属配線と第二層金属配線との接合部の段
差を少なくすることを目的としている。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、この発明は、第一層配線金
属を第二層配線金属との接合部以外を途中までエツチン
グし、その後、第一層配線金属をエツチングしてパター
ニングし、眉間絶縁膜を堆積し、第二層配線金属が、第
一層配線金属との接合部で断線しないようにした。

〔作用〕

上記のように形成された多層配線は、第一層配線金属が
柱状を成し、眉間絶縁膜と第−増配線との断差部が無く
なり、第二層配線金属の断線を防止することができるの
である。

〔実施例１ 以下に、この発明の実施例を、図面にもとづいて説明す
る。第１図（ａ）において、第一層配線金属１を２μｍ
程度の厚さで堆積させる。上記第一層配線金属上に、レ
ジスト５を塗布し、フォトリソグラフィー工程により、
パターニングを行なう。上記レジストパターンをマスク
として、第一層配線金属を１μｍ程度の厚みになるまで
、エツチングする。その後、レジスト５を除去する。第
１図（ｂ）において、第一層配線金属上に、レジスト６
を塗布し、フォトリソグラフィー工程により、パターニ
ングを行なう、上記レジストパターンをマスクとして、
第一層配線金属をエツチングし、その後、レジスト６を
除去する。第１図（ｃ）において、第−層金属配線上に
、層間絶縁層２を第−層金属配線の柱状部とほぼ同じ高
さになるように堆積する。

第１図（ｄ）において、第二層金属配線４を堆積させる
。これにより、第二層金属配線を断線せずに堆積するこ
とができる。

［発明の効果］ この発明は、以上説明したように、第二層金属配線を断
線せずに堆積できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は、この発明にかかる多層配線の
形成工程順断面図、第２図は、従来の多層配線の断面図
である。 １・・・第一層配線金属 ２・・・層間絶縁膜 ４・・・第二層配線金属 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　　林　　　敬　之　助（α） （ｂ） り眉ｒＬ貌の形式工程順−面図 第　１　図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　第一層配線金属上にホトレジスト膜を塗布し、第二層
   配線金属との接合部のみが残るように、ホトレジスト膜
   をパターニングし、ホトレジストをマスクとして、第一
   層配線金属を途中までエッチングを行ない、ホトレジス
   トを除去し、ホトレジスト膜を塗布し、第一層配線金属
   パターンをホトレジストでパターニングし、第一層配線
   金属をエッチングにより形成し、多層配線を形成するこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。