JPH01305039A - 光学活性な１，１’−ビナフチル誘導体の製造法 - Google Patents
光学活性な１，１’−ビナフチル誘導体の製造法Info
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- JPH01305039A JPH01305039A JP13602288A JP13602288A JPH01305039A JP H01305039 A JPH01305039 A JP H01305039A JP 13602288 A JP13602288 A JP 13602288A JP 13602288 A JP13602288 A JP 13602288A JP H01305039 A JPH01305039 A JP H01305039A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C1/00—Preparation of hydrocarbons from one or more compounds, none of them being a hydrocarbon
- C07C1/32—Preparation of hydrocarbons from one or more compounds, none of them being a hydrocarbon starting from compounds containing hetero-atoms other than or in addition to oxygen or halogen
- C07C1/325—Preparation of hydrocarbons from one or more compounds, none of them being a hydrocarbon starting from compounds containing hetero-atoms other than or in addition to oxygen or halogen the hetero-atom being a metal atom
- C07C1/326—Preparation of hydrocarbons from one or more compounds, none of them being a hydrocarbon starting from compounds containing hetero-atoms other than or in addition to oxygen or halogen the hetero-atom being a metal atom the hetero-atom being a magnesium atom
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は一般式（１）
（式中、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ５右よびＲ７は水素原子または
低級アルキル基を示す。） 〈従来の技術〉 上記の光学活性な１、ｌｏ−ビナフチル誘導体（Ｉ）の
製造法としては、玉尾ら（ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅ
ｔｔ、 、 １３８９．１９７７ ）および宮野う（を
機合成化学協会誌、４４巻、８号、 ７１３（１９８６
） ）の触媒的クロスカップリングを用いる方法が知
られているが、該製造法は化学収率が２０％以下であり
、かつ光学収率が１８％と非常に低いものである。
低級アルキル基を示す。） 〈従来の技術〉 上記の光学活性な１、ｌｏ−ビナフチル誘導体（Ｉ）の
製造法としては、玉尾ら（ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅ
ｔｔ、 、 １３８９．１９７７ ）および宮野う（を
機合成化学協会誌、４４巻、８号、 ７１３（１９８６
） ）の触媒的クロスカップリングを用いる方法が知
られているが、該製造法は化学収率が２０％以下であり
、かつ光学収率が１８％と非常に低いものである。
また、＾、Ｉ、 Ｍｅｙｅｒｓら（Ｊ、＾、 Ｃ，Ｓ、
、、 、１０４．８７９ （１９８２） ）の方法は不
斉源として原料化合物に対して１当量の光学活性アミノ
アルコールを用いるため、不斉合成反応終了後、還元的
脱離反応を行う必要があり、化学収率も約６０％と低い
。
、、 、１０４．８７９ （１９８２） ）の方法は不
斉源として原料化合物に対して１当量の光学活性アミノ
アルコールを用いるため、不斉合成反応終了後、還元的
脱離反応を行う必要があり、化学収率も約６０％と低い
。
上記の理由により、いずれの方法も工業的に満足できる
ものではない。
ものではない。
〈発明が解決すべき課題〉
このようなことから、本発明者らは工業的有利に上記の
光学活性な１．１゛−ビナフチル誘導体を製造する方法
を提供すべく鋭意検討の結果、本発明を完成した。
光学活性な１．１゛−ビナフチル誘導体を製造する方法
を提供すべく鋭意検討の結果、本発明を完成した。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、一般式（ＩＩ）
Ｘ。
（式中、Ｘｌはハロゲン原子を示し、Ｒ＋及びＲ２は水
素原子または低級アルキル基を示す。）で示されるナフ
タレン誘導体と一般式（ＩＩＩ）Ｘｚ （式中、ｘ２はハロゲン原子を示し、ＹはＭｇまたはＺ
ｎ原子を示す。Ｒ１およびＲ４は水素原子または低級ア
ルキル基を示す。） で示されるグリニヤール試薬を、一般式（ｒＶ）（式中
、ＭはＦｅ、ＲｕまたはＯ５原子を示し、Ｚは水素原子
または低級アルコキシル基を示す。
素原子または低級アルキル基を示す。）で示されるナフ
タレン誘導体と一般式（ＩＩＩ）Ｘｚ （式中、ｘ２はハロゲン原子を示し、ＹはＭｇまたはＺ
ｎ原子を示す。Ｒ１およびＲ４は水素原子または低級ア
ルキル基を示す。） で示されるグリニヤール試薬を、一般式（ｒＶ）（式中
、ＭはＦｅ、ＲｕまたはＯ５原子を示し、Ｚは水素原子
または低級アルコキシル基を示す。
Ｒ５はアリール基を示し、Ｒ６およびＲ７は水素原子ま
たは低級アルキル基を示す。） で示される光学活性なメタロセニルホスフィン誘導体で
修飾した金属触媒の存在下に不斉クロスカップリングさ
せて上記一般式（Ｉ）で示される光学活性な１．１゛−
ビナフチル誘導体を製造する方法を提供するものである
。
たは低級アルキル基を示す。） で示される光学活性なメタロセニルホスフィン誘導体で
修飾した金属触媒の存在下に不斉クロスカップリングさ
せて上記一般式（Ｉ）で示される光学活性な１．１゛−
ビナフチル誘導体を製造する方法を提供するものである
。
本発明において、原料として用いられるナフタレン誘導
体（ＩＩ）としては、１−ブロモナフタレン、２−メチ
ル−１−ナフチルブロマイド、２−エチル−１−ナフチ
ルブロマイドふよび２．６−ジメチル−１−ナフチルブ
ロマイドなどが例示される。
体（ＩＩ）としては、１−ブロモナフタレン、２−メチ
ル−１−ナフチルブロマイド、２−エチル−１−ナフチ
ルブロマイドふよび２．６−ジメチル−１−ナフチルブ
ロマイドなどが例示される。
上記例示化合物は、Ｊ、Ａ、 Ｃ９Ｓ、 、月、 ２７
７３ （１９４１）に記載の方法に準じて製造すること
ができる。
７３ （１９４１）に記載の方法に準じて製造すること
ができる。
また、一般式（ＩＩＩ）で示されるグリニヤール試薬は
、上記のナフタレン誘導体（ＩＩ）と金属マグネシウム
の反応または該反応で得られた有機マグネンウムハライ
ドと臭化亜鉛の交換反応により容易に製造することがで
きる。
、上記のナフタレン誘導体（ＩＩ）と金属マグネシウム
の反応または該反応で得られた有機マグネンウムハライ
ドと臭化亜鉛の交換反応により容易に製造することがで
きる。
次に、光学活性なメタロセニルホスフィンＪ”１１体（
１’Ｖ）は、一般式（ｒＶ）に右いてＭがＦｅ原子であ
るフェロセニルホスフィン誘導体が実用上好ましい。
１’Ｖ）は、一般式（ｒＶ）に右いてＭがＦｅ原子であ
るフェロセニルホスフィン誘導体が実用上好ましい。
また、一般式（ＩＶ）においてＲ３がフェニル基を、Ｒ
６が水素原子を、Ｒ１がメチル基を、Ｚが低級アルコキ
シル基をそれぞれ示す場合により好ましい。
６が水素原子を、Ｒ１がメチル基を、Ｚが低級アルコキ
シル基をそれぞれ示す場合により好ましい。
本発明は、光学活性なメタロセニルホスフィン誘導体（
ｒＶ）で修飾した金属触媒の存在下に行われ、該触媒の
金属成分としてはニッケルおよびパラジウムが例示され
るが、ニッケルがより好ましく使用される。
ｒＶ）で修飾した金属触媒の存在下に行われ、該触媒の
金属成分としてはニッケルおよびパラジウムが例示され
るが、ニッケルがより好ましく使用される。
かかる金属触媒としては、たとえば臭化ニッケルまたは
塩化ニッケルと（Ｓ） −１−Ｃ（Ｒ） −２−（ジフ
ェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルメチルエーテ
ル（以下、（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅと略記する）
の錯体などが例示され、これらｉは、たとえばメチルマ
グネシウムブロマイドとの加熱処理で活性化した後、開
用することができる。
塩化ニッケルと（Ｓ） −１−Ｃ（Ｒ） −２−（ジフ
ェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルメチルエーテ
ル（以下、（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅと略記する）
の錯体などが例示され、これらｉは、たとえばメチルマ
グネシウムブロマイドとの加熱処理で活性化した後、開
用することができる。
なお、光学活性なメタロセニルホスフィン誘導体（１’
Ｖ）は、Ｂｕ ｌ ｌ、 Ｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｊｐ
ｎ、 、 ５：］、 １１３８ （１９８０）、Ａｃｃ
、Ｃｈｅｍ、 Ｒｅｓ、、１５，３９５（１９８２）
及びＪ、八、 Ｃ，Ｓ、 、 １０４、１８０（１
９８２）などに記載の方法に準じて製造することができ
、たとえば、（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅは下式に示
す方法で製造できる。
Ｖ）は、Ｂｕ ｌ ｌ、 Ｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｊｐ
ｎ、 、 ５：］、 １１３８ （１９８０）、Ａｃｃ
、Ｃｈｅｍ、 Ｒｅｓ、、１５，３９５（１９８２）
及びＪ、八、 Ｃ，Ｓ、 、 １０４、１８０（１
９８２）などに記載の方法に準じて製造することができ
、たとえば、（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅは下式に示
す方法で製造できる。
市
本発明の方法において金属触媒の使用量は原料のグリニ
ヤール試薬に対して０．１〜２０モル％、好ましくは１
〜５モル％である。反応は通常溶媒中で行われる。溶媒
としては、たとえば、エーテル、テトラヒドロフラン、
ベンゼン、トルエンまたはキンレンなどの有段溶媒ある
いはこれらの混合物があげられるが、エーテル及びトル
エンの混合溶媒が好ましく使用される。
ヤール試薬に対して０．１〜２０モル％、好ましくは１
〜５モル％である。反応は通常溶媒中で行われる。溶媒
としては、たとえば、エーテル、テトラヒドロフラン、
ベンゼン、トルエンまたはキンレンなどの有段溶媒ある
いはこれらの混合物があげられるが、エーテル及びトル
エンの混合溶媒が好ましく使用される。
かかる溶媒の使用量は原料のグリニヤール試薬に対して
、通常１〜５００重量倍、好ましくは１０〜２００重１
倍である。
、通常１〜５００重量倍、好ましくは１０〜２００重１
倍である。
反応温度は一８０℃〜１００℃、好ましくは＝３０℃〜
２０℃である。反応時間は特に制限されないが、−船釣
には１０〜１００時間である。
２０℃である。反応時間は特に制限されないが、−船釣
には１０〜１００時間である。
〈発明の効果〉
かくして本発明の方法によれば、前記一般式（１）で示
される光学活性な１．ｌ゛−ビナフチル誘導体を好化学
収率および好光学収率で得ることができ、また、用いる
金属触媒の不斉配位子である光学活性なメタロセニルホ
スフィン誘導体（ＴＶ）の立体配置を変えることにより
、目的とする光学活性な１，１′−ビナフチル誘導体（
Ｉ）の立体配置を制御することができる。
される光学活性な１．ｌ゛−ビナフチル誘導体を好化学
収率および好光学収率で得ることができ、また、用いる
金属触媒の不斉配位子である光学活性なメタロセニルホ
スフィン誘導体（ＴＶ）の立体配置を変えることにより
、目的とする光学活性な１，１′−ビナフチル誘導体（
Ｉ）の立体配置を制御することができる。
〈実施例〉
以下、実施例により本発明を説明する。
合成した光学活性な１，１′−ビナフチル誘導体の同定
は、文献記載のＮ Ｍ Ｒ及びＩＲのデータとの比較に
より行った。また、該誘導体の光学純度は光学活性カラ
ムを用いた液体クロマトグラフィーにより決定した。
は、文献記載のＮ Ｍ Ｒ及びＩＲのデータとの比較に
より行った。また、該誘導体の光学純度は光学活性カラ
ムを用いた液体クロマトグラフィーにより決定した。
実施例１
（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅ ０．３４ｇ（０，８
ミｌＪモル）及び無水臭化ニッケル ８７ｆｆ１ｇ（０
，４ミリモル）を反応フラスコに仕込み、Ｎ２雰囲気中
、０．２Ｍ−メチルマグネシウムブロマイド・エーテル
溶液５ｉ及び２−メチル−１−ナフチルブロマイド ２
．９２ｇ（１３ミリモル）を加えて、１０分間還流し、
ニッケル触媒の活性化を行った。
ミｌＪモル）及び無水臭化ニッケル ８７ｆｆ１ｇ（０
，４ミリモル）を反応フラスコに仕込み、Ｎ２雰囲気中
、０．２Ｍ−メチルマグネシウムブロマイド・エーテル
溶液５ｉ及び２−メチル−１−ナフチルブロマイド ２
．９２ｇ（１３ミリモル）を加えて、１０分間還流し、
ニッケル触媒の活性化を行った。
次に、−５℃に冷却し、２−メチル−１−ナフチルマグ
ネシウムブロマイド（１０ミリモル）、エーテル１５ｍ
１及びトルエン１５ｒｎｌの混合物を加えて同温度で９
６時間撹拌した。
ネシウムブロマイド（１０ミリモル）、エーテル１５ｍ
１及びトルエン１５ｒｎｌの混合物を加えて同温度で９
６時間撹拌した。
反応終了後、希塩酸で加水分解し、加水分解液をエーテ
ルで抽出処理した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離溶媒 ｎ−ヘキサン）で精製処理して（Ｒ）
（） ２，２°−ジメチル−１，１′−ビナ
フチル １．９１ ｇを得た。
ルで抽出処理した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離溶媒 ｎ−ヘキサン）で精製処理して（Ｒ）
（） ２，２°−ジメチル−１，１′−ビナ
フチル １．９１ ｇを得た。
化学収率６８％〔α〕ル’ ＝ −３５，６° （ｃ＝
１．０１ＣＨＣＩ、）、９４％ｅｅ （（Ｒ）−（−）
配置〕光学純度（％ｅｅ）は上記の生成物を下記の方法
により環状アミドに誘導し、液体クロマトグラフィで分
析して算出した。
１．０１ＣＨＣＩ、）、９４％ｅｅ （（Ｒ）−（−）
配置〕光学純度（％ｅｅ）は上記の生成物を下記の方法
により環状アミドに誘導し、液体クロマトグラフィで分
析して算出した。
なお、下記反応式中、ＮＢＳはＮ−ブロムコハク酸イミ
ドであり、ＢＰＯは過酸化ベンゾイルであり、ＤＭ・Ｆ
はジメチルホルムアミドである。
ドであり、ＢＰＯは過酸化ベンゾイルであり、ＤＭ・Ｆ
はジメチルホルムアミドである。
上記で得た光学純度９４％ｅｅの生成物を９０％エタノ
ールで１回再結晶することにより、光学純度９９％以上
の（Ｒ）−（−）−２，２−ジメチル−１，１’−ビナ
フチルが回収率７０％で得られた。
ールで１回再結晶することにより、光学純度９９％以上
の（Ｒ）−（−）−２，２−ジメチル−１，１’−ビナ
フチルが回収率７０％で得られた。
なお、触媒として使用した不斉配位子（Ｓ）−（Ｒ）−
ＰＰＦＯＭｅは上記のシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにおいて、ｎ−へキサン：酢酸エチル（５： １）
の溶離溶媒で溶出させることにより、仕込量に対して８
０％の回収率で回収でき、次の不斉合成反応に再使用し
た。
ＰＰＦＯＭｅは上記のシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにおいて、ｎ−へキサン：酢酸エチル（５： １）
の溶離溶媒で溶出させることにより、仕込量に対して８
０％の回収率で回収でき、次の不斉合成反応に再使用し
た。
また（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅの構造は、次のとお
りである。
りである。
Ｈ
実施例２
（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅに代えて（Ｒ）−（Ｓ）
−ＰＰＦＯＭｅを用いる以外は実施例１と同様に反応
（但し、反応温度は０℃にした）及び後処理して（Ｓ）
−（＋） −２，２′ジメチル−１、１°−ビナフチル
２．０８ ｇを得た。化学収ｆ！７４％、〔α］ｏ’
＝＋３５．２° （ｃ＝１．ｏ、ＣＨＣｌ、）、９３％
ｅｅ ［（Ｓ）−（＋）配置〕実施例３ （Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅ １７．１ｍｇ（０，
０４ミ’Ｊモル）及び無水臭化ニッケル４．４ ｍｇ（
０，０２ミｌＪモル）を反応フラスコに仕込み、Ｎ２雰
囲気中、０．２Ｍ−メチルマグネンウムブロマイド・エ
ーテル溶液１−及びｌ−ブロモナフタレン３１１ｍｇ（
１，５ミリモル）を加えて、１０分間還流し、二／ケル
触媒の活性化を行った。
−ＰＰＦＯＭｅを用いる以外は実施例１と同様に反応
（但し、反応温度は０℃にした）及び後処理して（Ｓ）
−（＋） −２，２′ジメチル−１、１°−ビナフチル
２．０８ ｇを得た。化学収ｆ！７４％、〔α］ｏ’
＝＋３５．２° （ｃ＝１．ｏ、ＣＨＣｌ、）、９３％
ｅｅ ［（Ｓ）−（＋）配置〕実施例３ （Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅ １７．１ｍｇ（０，
０４ミ’Ｊモル）及び無水臭化ニッケル４．４ ｍｇ（
０，０２ミｌＪモル）を反応フラスコに仕込み、Ｎ２雰
囲気中、０．２Ｍ−メチルマグネンウムブロマイド・エ
ーテル溶液１−及びｌ−ブロモナフタレン３１１ｍｇ（
１，５ミリモル）を加えて、１０分間還流し、二／ケル
触媒の活性化を行った。
次に、−３０℃に冷却し、２−メチル−１−ナフチルマ
グネシウムブロマイド（１ミリモル）、エーテル １．
１５ｍ１及びトルエン１．１５ ｍｅの混合物を加えて
同温度で９６時間撹拌した。
グネシウムブロマイド（１ミリモル）、エーテル １．
１５ｍ１及びトルエン１．１５ ｍｅの混合物を加えて
同温度で９６時間撹拌した。
反応終了後、希塩酸で加水分解し、加水分解液をエーテ
ルで抽出処理した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィ−（溶離溶媒ｎ−へキサン）で精製処理して（Ｒ）
−（−）−２−メチル−１゜ビービナフチル２４８ ｍ
ｇを得た。
ルで抽出処理した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィ−（溶離溶媒ｎ−へキサン）で精製処理して（Ｒ）
−（−）−２−メチル−１゜ビービナフチル２４８ ｍ
ｇを得た。
化学収率９２％、〔α［’＝−３３，２° （ｃ−１，
０、ＣＨＣｌ３） ３’３％ｅｅ Ｃ（Ｒ） −（−
）配ゴ〕。光学純度（％ｅｅ）は上記の生成物を下記の
方法によりアルコールに誘導し、液体クロマトグラフィ
で分析して算出した。
０、ＣＨＣｌ３） ３’３％ｅｅ Ｃ（Ｒ） −（−
）配ゴ〕。光学純度（％ｅｅ）は上記の生成物を下記の
方法によりアルコールに誘導し、液体クロマトグラフィ
で分析して算出した。
上記で得た光学純度８３％ｅｅの生成物をｎ−ヘキサン
で１回再結晶することにより、光学純度９９％の（Ｒ）
−（−）−２−メチル−１，１′−ビナフチルが回収率
７５％で得られた。
で１回再結晶することにより、光学純度９９％の（Ｒ）
−（−）−２−メチル−１，１′−ビナフチルが回収率
７５％で得られた。
実施例４
（Ｓ）−（Ｒ）−ＰＰＦＯＭｅ ４２．８ｍｇ （０
、１０ミ’Ｊモル）及び無水臭化ニッケル１０．９ ｍ
ｇ（０，０５ミｌＪモル）を反応フラスコに仕込み、Ｎ
２雪囲気中、０．２Ｍ−メチルマグネシウムブロマイド
・エーテル溶１１ｍｊ！及びｌ−ブロモナフタレン４１
４ｍｇ（２，０ミリモル）を加えて、１０分間還流し、
ニッケル触媒の活性化を行った。
、１０ミ’Ｊモル）及び無水臭化ニッケル１０．９ ｍ
ｇ（０，０５ミｌＪモル）を反応フラスコに仕込み、Ｎ
２雪囲気中、０．２Ｍ−メチルマグネシウムブロマイド
・エーテル溶１１ｍｊ！及びｌ−ブロモナフタレン４１
４ｍｇ（２，０ミリモル）を加えて、１０分間還流し、
ニッケル触媒の活性化を行った。
次に、０℃に冷却し、２−エチル−１−ナフチルマグネ
シウムブロマイド（１，０ミリモル）、エーテル１．０
５ｍ１！及びトルエン１．０５ｍ１の混合物を加えて同
温度で４５時間撹拌した。
シウムブロマイド（１，０ミリモル）、エーテル１．０
５ｍ１！及びトルエン１．０５ｍ１の混合物を加えて同
温度で４５時間撹拌した。
反応終了後、希塩酸で加水分解し、加水分解液をエーテ
ルで抽出処理した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離溶媒ｎ−へキサン）で精製処理して（Ｒ）−
（〜）−２−エチル−１゜１°ビナフチル２３０ ｍｇ
を得た。
ルで抽出処理した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離溶媒ｎ−へキサン）で精製処理して（Ｒ）−
（〜）−２−エチル−１゜１°ビナフチル２３０ ｍｇ
を得た。
化学数−１！８１％ｌ：α〕Ａ’＝ ２５．６° （
ｃ＝１．５、ＣＨＣｌ、） ７１％ｅｅ （（Ｒ）−
（−）配置〕光学純度（％ｅｅ）は上記の生成物を実施
例３の方法により下記のアルコールに誘導し、液体クロ
マトグラフィで分析して算出した。
ｃ＝１．５、ＣＨＣｌ、） ７１％ｅｅ （（Ｒ）−
（−）配置〕光学純度（％ｅｅ）は上記の生成物を実施
例３の方法により下記のアルコールに誘導し、液体クロ
マトグラフィで分析して算出した。
（Ｊ・人−Ｆ；哨【白ン
Claims (4)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘ＿１はハロゲン原子を示し、Ｒ＿１およびＲ
＿２は水素原子または低級アルキル基を示す。）で示さ
れるナフタレン誘導体と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘ＿２はハロゲン原子を、ＹはＭｇまたはＺｎ
原子を示し、Ｒ＿３およびＲ＿４は水素原子または低級
アルキル基を示す。） で示されるグリニヤール試薬を一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿５はアリール基を示し、Ｒ＿６およびＲ＿
７は水素原子または低級アルキル基を示す。ＭはＦｅ、
ＲｕまたはＯｓ原子を示し、Ｚは水素原子または低級ア
ルコキシル基を示す。） で示される光学活性なメタロセニルホスフィン誘導体で
修飾した金属触媒の存在下に不斉クロスカップリングす
ることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４は前記と
同じ意味を有する。） で示される光学活性な１，１′−ビナフチル誘導体の製
造法。 - （２）金属触媒がニッケル系の金属触媒である請求項１
に記載の光学活性な１，１′−ビナフチル誘導体の製造
法。 - （３）光学活性なメタロセニルホスフィン誘導体が一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＭはＦｅ、ＲｕまたはＯｓ原子であり、Ｚは低
級アルコキシル基である） である請求項１に記載の光学活性な１，１′−ビナフチ
ル誘導体の製造法。 - （４）光学活性なメタロセニルホスフィン誘導体が一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＭはＦｅ、ＲｕまたはＯｓ原子である。）であ
る請求項３に記載の光学活性な１，１′−ビナフチル誘
導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13602288A JPH01305039A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 光学活性な１，１’−ビナフチル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13602288A JPH01305039A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 光学活性な１，１’−ビナフチル誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01305039A true JPH01305039A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15165356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13602288A Pending JPH01305039A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 光学活性な１，１’−ビナフチル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01305039A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0653396A1 (de) * | 1993-11-13 | 1995-05-17 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von 1,1'-Binaphthylen |
| JP2010229130A (ja) * | 1999-06-04 | 2010-10-14 | Nagase & Co Ltd | 軸不斉を有する光学活性な４級アンモニウム塩、その製法およびα−アミノ酸誘導体の不斉合成への応用 |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP13602288A patent/JPH01305039A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0653396A1 (de) * | 1993-11-13 | 1995-05-17 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von 1,1'-Binaphthylen |
| US5510554A (en) * | 1993-11-13 | 1996-04-23 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for preparing 1,1'-binaphthyls |
| JP2010229130A (ja) * | 1999-06-04 | 2010-10-14 | Nagase & Co Ltd | 軸不斉を有する光学活性な４級アンモニウム塩、その製法およびα−アミノ酸誘導体の不斉合成への応用 |
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