JPH01306580A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
- Publication number
- JPH01306580A JPH01306580A JP13616888A JP13616888A JPH01306580A JP H01306580 A JPH01306580 A JP H01306580A JP 13616888 A JP13616888 A JP 13616888A JP 13616888 A JP13616888 A JP 13616888A JP H01306580 A JPH01306580 A JP H01306580A
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- JP
- Japan
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- etching
- pressure control
- temperature
- vacuum
- processing chamber
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体等の基板をプラズマエツチング又はリ
アクティブ・プラズマ・エツチング（いわゆるＲ、１．
Ｅ、）するためのエツチング装置に関するものである。
アクティブ・プラズマ・エツチング（いわゆるＲ、１．
Ｅ、）するためのエツチング装置に関するものである。
第２図は例えば特公昭６１−２３６１２３号公報に示さ
れた従来のエツチング装置を示す断面図で、図において
、（１）は処理室、（２）は処理すべき基板、（３）は
ガス供給装置、（４）は高周波電源、（５）は圧力制御
パルプ、（６）は排気装置、（７）は粗引き用の排気装
置、（８）はヒーター、（９）は温度センサー、α１は
温度制御ユニット、（ロ）は真空計、（２）は下部電極
、０３はプラズマ、６４〜ａ０は真空系の配管である。
れた従来のエツチング装置を示す断面図で、図において
、（１）は処理室、（２）は処理すべき基板、（３）は
ガス供給装置、（４）は高周波電源、（５）は圧力制御
パルプ、（６）は排気装置、（７）は粗引き用の排気装
置、（８）はヒーター、（９）は温度センサー、α１は
温度制御ユニット、（ロ）は真空計、（２）は下部電極
、０３はプラズマ、６４〜ａ０は真空系の配管である。
次に動作について説明する。粗引き用の排気装置（７）
を動作させ所定の真空度に到達した時点で、圧力制御バ
ルブ（５）を開け、処理室（１）を所定の真空度に到達
させた後、排気装置（６）（通常ターボ・モレキュラー
・ポンプ又はメカニカル・ブースター・ポンプ等）を動
作させ、処理室（１）を高真空に保つ。次いで、ガス供
給装置（３）より所望の流量のガス（単独又は複数系統
）を処理室（１）内に導入する。
を動作させ所定の真空度に到達した時点で、圧力制御バ
ルブ（５）を開け、処理室（１）を所定の真空度に到達
させた後、排気装置（６）（通常ターボ・モレキュラー
・ポンプ又はメカニカル・ブースター・ポンプ等）を動
作させ、処理室（１）を高真空に保つ。次いで、ガス供
給装置（３）より所望の流量のガス（単独又は複数系統
）を処理室（１）内に導入する。
次いで、圧力制御パルプ（５）により処理室（１１内の
圧力を所望の圧力に設定（真空計（ロ）の指示値によシ
モニター）した後、高周波電源（４）により、筒周波電
力を基板（２）側の下部電極＠に導入し、処理室（１）
内にプラズマ餡を発生させ基板＋２７をエツチングする
。排気系の装＃（５）〜（７）には反応生成物や、ガス
プラズマ中で重合されたポリマー等のデボ物が排気系内
面に付着するが、排気装［ｔ６１にはヒーター（８）が
付属しておシ、このヒーター（８）によシ排気装置（６
）は加熱されて、上記デボ物の付着が防止される。又、
排気装置（６）内の温度は温度センナ（９）によシモニ
ターされ、その信号を温度制御ユニットａ〔にフィード
バックすることにより、排気装置（６）の温度を一定に
制御して、排気装置（６）の温度をその特性を劣化させ
ない椎間の温度に保持している。
圧力を所望の圧力に設定（真空計（ロ）の指示値によシ
モニター）した後、高周波電源（４）により、筒周波電
力を基板（２）側の下部電極＠に導入し、処理室（１）
内にプラズマ餡を発生させ基板＋２７をエツチングする
。排気系の装＃（５）〜（７）には反応生成物や、ガス
プラズマ中で重合されたポリマー等のデボ物が排気系内
面に付着するが、排気装［ｔ６１にはヒーター（８）が
付属しておシ、このヒーター（８）によシ排気装置（６
）は加熱されて、上記デボ物の付着が防止される。又、
排気装置（６）内の温度は温度センナ（９）によシモニ
ターされ、その信号を温度制御ユニットａ〔にフィード
バックすることにより、排気装置（６）の温度を一定に
制御して、排気装置（６）の温度をその特性を劣化させ
ない椎間の温度に保持している。
しかしながら、圧力制御バルブ（５）及び真空系の配管
α→−〇〇は加熱されておらず、反応生成物等のデボが
それらの内面に付着する。
α→−〇〇は加熱されておらず、反応生成物等のデボが
それらの内面に付着する。
従来のエツチング装置は以上のように構成されていたの
で、排気装置に付着するデボ物は防止できるが、圧力制
御バルブ及び真空系の配管などは加熱されていないので
デボ物のｌｔ着が発生し、圧力制御バルブにおいては動
作不良の発生により分解クリーニングをすることが必要
となり、また真空系の配管についてはデボは着による詰
まりによシ、分解クリーニングが必要となシメンテナン
ス性を著しく悪化させていた０ この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、圧力制御バルブや真空系の配管にデボ物がけ着
しないようなエツチング装置を得ることを目的とする。
で、排気装置に付着するデボ物は防止できるが、圧力制
御バルブ及び真空系の配管などは加熱されていないので
デボ物のｌｔ着が発生し、圧力制御バルブにおいては動
作不良の発生により分解クリーニングをすることが必要
となり、また真空系の配管についてはデボは着による詰
まりによシ、分解クリーニングが必要となシメンテナン
ス性を著しく悪化させていた０ この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、圧力制御バルブや真空系の配管にデボ物がけ着
しないようなエツチング装置を得ることを目的とする。
この発明に係るエツチング装置は排気装置に接続されて
いる圧力制御バルブ及び真空系の配管を加熱する熱寸加
手段を設けて、それらを加熱できるようにしたものであ
る。
いる圧力制御バルブ及び真空系の配管を加熱する熱寸加
手段を設けて、それらを加熱できるようにしたものであ
る。
この発明におけるエツチング装置は圧力制御パルプ及び
真空系の配管を加熱するようにしたので、反応生成物等
のデボ物がそれらに付着することを防止できる。
真空系の配管を加熱するようにしたので、反応生成物等
のデボ物がそれらに付着することを防止できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、Ｃ７）はヒーター、（至）は温度センサー
、α窃は温度制御ユニットである。なお、図中、第２図
と同一符号は同一であるので説明は省略する。
図において、Ｃ７）はヒーター、（至）は温度センサー
、α窃は温度制御ユニットである。なお、図中、第２図
と同一符号は同一であるので説明は省略する。
次に動作について説明する。エツチング処理までの動作
については前記従来のものと全く同一であり説明は省略
する。反応生成物やガスプラズマ内で重合されたポリマ
ーや未反応の生ガス等より生成されるデボ物は、真空系
の配管α→〜０りや圧力制御バルブ（５）の内部に付着
するが、それらにはヒーターＱカかけ属しており、この
ヒーターａηによシ真空峯の配管Ｕ→〜ｕＱ及び圧力制
御バルブ（５）の内部が温度センサー（至）と温度制御
ユニツ） ＜１＊により制御された温度に加熱されるこ
とにより、上記デボ物は揮発しデボ物のけ着はなくなる
。加熱温度については例えば、反応生成物の多いアルミ
ドライエツチングの場合、反応生成物の主成分はｋｌＱ
１３であり、その１気圧での昇華点が１８０°Ｃである
ことよシ、真空状態であシ昇華点は区下することと、パ
ルプ等に使用する０リングの耐熱性（例えば、パイトン
０リングであれば、〜１００°Ｃ以下）を考慮すれば６
０″Ｃ〜１００°Ｃが適当である。又、排気装置（６）
については例えばメカニカル・ブースター・ポンプの場
合は動作温度自体が６０°Ｃ〜８０″Ｃとなり、特別な
加熱手段は不必要である。メカニカルブースタポンプの
Ｑ合、“詰ｔシ“の主原因は、ポンプを大気にすること
による生成物（例えばＢａｇｓを使う場合は、ＢＯ１１
３＋ ０２（Ｂ２０）−Ｂ２０３ ” Ｏｅ２ （又は
ａＣｌ））の生成による“詰まり“が大半であり、ポン
プを大気にしないことが大切である。又、ターボ・モレ
キュラー−ポンプの場合も動作温度自体が６０°Ｃ程ｅ
６す、デボ物のけ着はほとんどなく、又、クリアランス
もメカニカル・ブースターポンプよシ大きく、デボ物は
着による動作不良は例えばアルミドライエッチの場合の
ように塩素系ガス（ＢＯｊ？３．０１１２ ＊ ００１
４ 、０１１Ｆ３等）を使用するデボ物の多い場合でも
実績としてほとんどない。
については前記従来のものと全く同一であり説明は省略
する。反応生成物やガスプラズマ内で重合されたポリマ
ーや未反応の生ガス等より生成されるデボ物は、真空系
の配管α→〜０りや圧力制御バルブ（５）の内部に付着
するが、それらにはヒーターＱカかけ属しており、この
ヒーターａηによシ真空峯の配管Ｕ→〜ｕＱ及び圧力制
御バルブ（５）の内部が温度センサー（至）と温度制御
ユニツ） ＜１＊により制御された温度に加熱されるこ
とにより、上記デボ物は揮発しデボ物のけ着はなくなる
。加熱温度については例えば、反応生成物の多いアルミ
ドライエツチングの場合、反応生成物の主成分はｋｌＱ
１３であり、その１気圧での昇華点が１８０°Ｃである
ことよシ、真空状態であシ昇華点は区下することと、パ
ルプ等に使用する０リングの耐熱性（例えば、パイトン
０リングであれば、〜１００°Ｃ以下）を考慮すれば６
０″Ｃ〜１００°Ｃが適当である。又、排気装置（６）
については例えばメカニカル・ブースター・ポンプの場
合は動作温度自体が６０°Ｃ〜８０″Ｃとなり、特別な
加熱手段は不必要である。メカニカルブースタポンプの
Ｑ合、“詰ｔシ“の主原因は、ポンプを大気にすること
による生成物（例えばＢａｇｓを使う場合は、ＢＯ１１
３＋ ０２（Ｂ２０）−Ｂ２０３ ” Ｏｅ２ （又は
ａＣｌ））の生成による“詰まり“が大半であり、ポン
プを大気にしないことが大切である。又、ターボ・モレ
キュラー−ポンプの場合も動作温度自体が６０°Ｃ程ｅ
６す、デボ物のけ着はほとんどなく、又、クリアランス
もメカニカル・ブースターポンプよシ大きく、デボ物は
着による動作不良は例えばアルミドライエッチの場合の
ように塩素系ガス（ＢＯｊ？３．０１１２ ＊ ００１
４ 、０１１Ｆ３等）を使用するデボ物の多い場合でも
実績としてほとんどない。
なお、上記実施例ではヒーターへηと温度センサー〇呻
と温度制御ユニットα値は１系統のみとしたが、より細
かい制御を行いたい場合は圧力制（２）ユニット（５）
に１系統と真空系配管α葡〜αＱ用に１系統（又は部分
毎に１系統）と分割して制御してもよい。
と温度制御ユニットα値は１系統のみとしたが、より細
かい制御を行いたい場合は圧力制（２）ユニット（５）
に１系統と真空系配管α葡〜αＱ用に１系統（又は部分
毎に１系統）と分割して制御してもよい。
又温度センサー（至）のみを何点か復数個設けて、その
平均温度で制御してもよい。又、処理室（１）内の給電
方式は下部電極＠側に高周波をかけるいわゆるカソード
カップル方式で説明したが、逆のアノード・カップル方
式でもよいし、又、電極が１つのみのタイプ（マイクロ
波プラズマエツチング装置やダウンストリーム型エツチ
ング装置や、ＥＣＲエツチング装置等）の各種エツチン
グ装置で屯よい０ また、上記実施例ではエツチング装置への適用について
説明したが、プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置
及び減ＦＥＯＶＤ装置であってもよく、上記実施例と開
板の幼果を奏する。
平均温度で制御してもよい。又、処理室（１）内の給電
方式は下部電極＠側に高周波をかけるいわゆるカソード
カップル方式で説明したが、逆のアノード・カップル方
式でもよいし、又、電極が１つのみのタイプ（マイクロ
波プラズマエツチング装置やダウンストリーム型エツチ
ング装置や、ＥＣＲエツチング装置等）の各種エツチン
グ装置で屯よい０ また、上記実施例ではエツチング装置への適用について
説明したが、プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置
及び減ＦＥＯＶＤ装置であってもよく、上記実施例と開
板の幼果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、圧力制御パルプと真空
系の配管を一定温度に加熱するようにしたので、反応生
成物がそれらの内面に寸借するのを防止でき、上記バル
ブや配管を大気開放して反応寸借生成物を除去するクリ
ーニング作業を大巾に減らし、又反応生成物が起こす発
塵をも大巾に減少させる等メインテナンス性及びエツチ
ング性能の向上が図れる効果がある。
系の配管を一定温度に加熱するようにしたので、反応生
成物がそれらの内面に寸借するのを防止でき、上記バル
ブや配管を大気開放して反応寸借生成物を除去するクリ
ーニング作業を大巾に減らし、又反応生成物が起こす発
塵をも大巾に減少させる等メインテナンス性及びエツチ
ング性能の向上が図れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるエツチング装置の系
統説明図、第２図は従来のエツチング装置の系統説明図
である。 図において、（１）は処理室、（２）は基板、（３）は
ガス供給装置、（４）は高周波電源、（５）は圧力制御
バルブ、（７）は粗引き用排気装誼、ａυは真空計、＠
は下部電極、αのはプラズマ、α４〜αＱは真空系の配
管、（１７）はヒーター、０８は温度センサー、Ｑ鴨は
温度制御ユニットを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
統説明図、第２図は従来のエツチング装置の系統説明図
である。 図において、（１）は処理室、（２）は基板、（３）は
ガス供給装置、（４）は高周波電源、（５）は圧力制御
バルブ、（７）は粗引き用排気装誼、ａυは真空計、＠
は下部電極、αのはプラズマ、α４〜αＱは真空系の配
管、（１７）はヒーター、０８は温度センサー、Ｑ鴨は
温度制御ユニットを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 処理室と、この処理室内を真空排気する排気装置と、
前記処理室内にプロセスガスを供給するガス供給装置と
、前記排気装置に接続されている圧力制御バルブ及び真
空配管を加熱する熱付加手段とから成ることを特徴とす
るエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13616888A JPH01306580A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13616888A JPH01306580A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01306580A true JPH01306580A (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=15168915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13616888A Pending JPH01306580A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01306580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0636707A3 (en) * | 1993-07-26 | 1995-07-19 | Air Prod & Chem | Device and method for thermal cleaning using nitrogen trifluoride. |
| US5714011A (en) * | 1995-02-17 | 1998-02-03 | Air Products And Chemicals Inc. | Diluted nitrogen trifluoride thermal cleaning process |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236123A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP13616888A patent/JPH01306580A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236123A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0636707A3 (en) * | 1993-07-26 | 1995-07-19 | Air Prod & Chem | Device and method for thermal cleaning using nitrogen trifluoride. |
| US5797195A (en) * | 1993-07-26 | 1998-08-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Nitrogen trifluoride thermal cleaning apparatus and process |
| US5714011A (en) * | 1995-02-17 | 1998-02-03 | Air Products And Chemicals Inc. | Diluted nitrogen trifluoride thermal cleaning process |
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