JPS61236123A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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Publication number
JPS61236123A
JPS61236123A JP60076571A JP7657185A JPS61236123A JP S61236123 A JPS61236123 A JP S61236123A JP 60076571 A JP60076571 A JP 60076571A JP 7657185 A JP7657185 A JP 7657185A JP S61236123 A JPS61236123 A JP S61236123A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
pump
mechanical booster
booster pump
processing chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP60076571A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohide Omoto
大本 博秀
Makoto Marumoto
丸本 愿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60076571A priority Critical patent/JPS61236123A/ja
Publication of JPS61236123A publication Critical patent/JPS61236123A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00Etching of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は真空処理装置に係り、特にプロセスガスな導入
し試料の処理を行うのに好適な真空処理゛  装置に関
するものである。
〔発明の背景〕
従来の装置は、例えば特開昭56−77381号公報に
記載のように、エツチング中のエツチング室を排気する
排気装置において、ルーツポンプによりまず排気して、
トラップを介して油回転ポンプによりさらに排気するも
のがある。
本従来装置は、CPaやCCl4等のへロゲン元素を含
むエツチングガスな、使用するもので、排気装置の保護
からトラップを設けたものであるが、ルーツポンプにつ
いての保護は考慮さn、てぃなかった。
〔発明の目的〕
本発明は、排気装置の熱付加手段を付けることにより、
処理室内での処理によって生成さj、排気さrる反応生
成物の付着を防止し、排気装置の保護が行える真空処理
装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、処理室と、前記処理室内を真空排気する排気
装置と、前記処理室内にプロセスガスな供給するガス供
給装置と、前記排気装置を加熱する熱付加手段とかる成
ることを特徴とし、排気装置に熱付加手段を付けること
により、処理室内での処理によって生成さn排気さrる
反応生成物の付着を防止し、排気装置の保護ができるよ
うtこしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、未発明の一実施例を第1図により説明する。
■はエツチング処理を行う処理室、2はエツチングさす
るAlの基板、3はエツチング時のプロセスガスである
塩素系カスのガス供給装置、4は処理室フ内の基板2を
載置するテーブルtこ高周波電力を印加する高周波電源
、5は処理室】の圧力を調整する圧力調整バルブ、6は
処理室】を真空排気する排気装置であるメカニカルブー
スタポンプ、8は排気装置6を加熱する熱付加手段例え
ばヒータ、9はヒータ8#こより加熱さrたメカニカル
ブースタポンプ6の温度を測定する温度センサ、30は
温度センサ9によりヒータ8を制御する温度制御ユニッ
トである。7は油回転ポンプである。
上記構成−こよって、エツチング処理時の反応生成物で
あるA l c l sは、温度27℃における蒸気圧
が1.2 x 10  ’Torrで非常に低いため、
メカニカルブースタポンプ6の内面に付着しやすく、そ
の為メカニカルブースタポンプ6の損傷を早めるため、
メカニカルブースタポンプ6の内面の温度をヒータ8に
よって上げてやり1反応生成物の凝縮を防ぎ、メカニカ
ルブースタポンプ6への付着を防止する。メカニカルブ
ースタポンプ6の温度は、温度センサ9により測定し、
温度制御ユニット】01こよって40℃〜60℃位1こ
調整さn、る。
メカニカルブースタポンプ6の温度をあまり高くすると
、メカニカルブースタポンプ6自体の寿命が短くなる為
、温度はあまり高くできない。
以上木−実施例によn、ば、klの基板2をエツチング
する時lc発生する反応生成物が、メカニカルブースタ
ポンプ6に付着しないので、メカニカルブースタポンプ
の寿命が低びるとともに、メンテナンス周期を大幅に延
長できる。
〔発明の効果〕
未発明によnば、排気装置に熱付加手段を付けることに
より、処理室内での処理によって生成さn排出さする反
応生成物の付着を防止できるので、排気装置の保護が行
えるという効果がある。
9面の簡単な説明 第1図は未発明の一実施例である真空処理装置を示す構
成図である。
】・・・・・・処理室、3・曲・ガス供給装置、6・・
・・・・排気装置、8・・・・・・ヒータ、9・・・・
・・温度センサ、、1゜・・・・・・温度制御ユニット 代理人 弁理士  小 川 勝 男″−ゝ、/−−−−
−−一処理生 3−−−−一力゛ス麿匂皓4鉋【 6・−−一−−−何氏装盈 8・−−−−−と−7 9−−−−−−−u乞傅

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、処理室と、前記処理室内を真空排気する排気装置と
    、前記処理室内にプロセスガスを供給するガス供給装置
    と、前記排気装置を加熱する熱付加手段とから成ること
    を特徴とする真空処理装置。
JP60076571A 1985-04-12 1985-04-12 真空処理装置 Pending JPS61236123A (ja)

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JPS61236123A true JPS61236123A (ja) 1986-10-21

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01306580A (ja) * 1988-06-01 1989-12-11 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
WO2001096744A1 (fr) * 2000-06-15 2001-12-20 Alcatel Regulation thermique a debit et temperature de refroidissement constants pour dispositif de generation de vide

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