JPS61236123A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS61236123A JPS61236123A JP60076571A JP7657185A JPS61236123A JP S61236123 A JPS61236123 A JP S61236123A JP 60076571 A JP60076571 A JP 60076571A JP 7657185 A JP7657185 A JP 7657185A JP S61236123 A JPS61236123 A JP S61236123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- pump
- mechanical booster
- booster pump
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は真空処理装置に係り、特にプロセスガスな導入
し試料の処理を行うのに好適な真空処理゛ 装置に関
するものである。
し試料の処理を行うのに好適な真空処理゛ 装置に関
するものである。
従来の装置は、例えば特開昭56−77381号公報に
記載のように、エツチング中のエツチング室を排気する
排気装置において、ルーツポンプによりまず排気して、
トラップを介して油回転ポンプによりさらに排気するも
のがある。
記載のように、エツチング中のエツチング室を排気する
排気装置において、ルーツポンプによりまず排気して、
トラップを介して油回転ポンプによりさらに排気するも
のがある。
本従来装置は、CPaやCCl4等のへロゲン元素を含
むエツチングガスな、使用するもので、排気装置の保護
からトラップを設けたものであるが、ルーツポンプにつ
いての保護は考慮さn、てぃなかった。
むエツチングガスな、使用するもので、排気装置の保護
からトラップを設けたものであるが、ルーツポンプにつ
いての保護は考慮さn、てぃなかった。
本発明は、排気装置の熱付加手段を付けることにより、
処理室内での処理によって生成さj、排気さrる反応生
成物の付着を防止し、排気装置の保護が行える真空処理
装置を提供することにある。
処理室内での処理によって生成さj、排気さrる反応生
成物の付着を防止し、排気装置の保護が行える真空処理
装置を提供することにある。
本発明は、処理室と、前記処理室内を真空排気する排気
装置と、前記処理室内にプロセスガスな供給するガス供
給装置と、前記排気装置を加熱する熱付加手段とかる成
ることを特徴とし、排気装置に熱付加手段を付けること
により、処理室内での処理によって生成さn排気さrる
反応生成物の付着を防止し、排気装置の保護ができるよ
うtこしたものである。
装置と、前記処理室内にプロセスガスな供給するガス供
給装置と、前記排気装置を加熱する熱付加手段とかる成
ることを特徴とし、排気装置に熱付加手段を付けること
により、処理室内での処理によって生成さn排気さrる
反応生成物の付着を防止し、排気装置の保護ができるよ
うtこしたものである。
以下、未発明の一実施例を第1図により説明する。
■はエツチング処理を行う処理室、2はエツチングさす
るAlの基板、3はエツチング時のプロセスガスである
塩素系カスのガス供給装置、4は処理室フ内の基板2を
載置するテーブルtこ高周波電力を印加する高周波電源
、5は処理室】の圧力を調整する圧力調整バルブ、6は
処理室】を真空排気する排気装置であるメカニカルブー
スタポンプ、8は排気装置6を加熱する熱付加手段例え
ばヒータ、9はヒータ8#こより加熱さrたメカニカル
ブースタポンプ6の温度を測定する温度センサ、30は
温度センサ9によりヒータ8を制御する温度制御ユニッ
トである。7は油回転ポンプである。
るAlの基板、3はエツチング時のプロセスガスである
塩素系カスのガス供給装置、4は処理室フ内の基板2を
載置するテーブルtこ高周波電力を印加する高周波電源
、5は処理室】の圧力を調整する圧力調整バルブ、6は
処理室】を真空排気する排気装置であるメカニカルブー
スタポンプ、8は排気装置6を加熱する熱付加手段例え
ばヒータ、9はヒータ8#こより加熱さrたメカニカル
ブースタポンプ6の温度を測定する温度センサ、30は
温度センサ9によりヒータ8を制御する温度制御ユニッ
トである。7は油回転ポンプである。
上記構成−こよって、エツチング処理時の反応生成物で
あるA l c l sは、温度27℃における蒸気圧
が1.2 x 10 ’Torrで非常に低いため、
メカニカルブースタポンプ6の内面に付着しやすく、そ
の為メカニカルブースタポンプ6の損傷を早めるため、
メカニカルブースタポンプ6の内面の温度をヒータ8に
よって上げてやり1反応生成物の凝縮を防ぎ、メカニカ
ルブースタポンプ6への付着を防止する。メカニカルブ
ースタポンプ6の温度は、温度センサ9により測定し、
温度制御ユニット】01こよって40℃〜60℃位1こ
調整さn、る。
あるA l c l sは、温度27℃における蒸気圧
が1.2 x 10 ’Torrで非常に低いため、
メカニカルブースタポンプ6の内面に付着しやすく、そ
の為メカニカルブースタポンプ6の損傷を早めるため、
メカニカルブースタポンプ6の内面の温度をヒータ8に
よって上げてやり1反応生成物の凝縮を防ぎ、メカニカ
ルブースタポンプ6への付着を防止する。メカニカルブ
ースタポンプ6の温度は、温度センサ9により測定し、
温度制御ユニット】01こよって40℃〜60℃位1こ
調整さn、る。
メカニカルブースタポンプ6の温度をあまり高くすると
、メカニカルブースタポンプ6自体の寿命が短くなる為
、温度はあまり高くできない。
、メカニカルブースタポンプ6自体の寿命が短くなる為
、温度はあまり高くできない。
以上木−実施例によn、ば、klの基板2をエツチング
する時lc発生する反応生成物が、メカニカルブースタ
ポンプ6に付着しないので、メカニカルブースタポンプ
の寿命が低びるとともに、メンテナンス周期を大幅に延
長できる。
する時lc発生する反応生成物が、メカニカルブースタ
ポンプ6に付着しないので、メカニカルブースタポンプ
の寿命が低びるとともに、メンテナンス周期を大幅に延
長できる。
未発明によnば、排気装置に熱付加手段を付けることに
より、処理室内での処理によって生成さn排出さする反
応生成物の付着を防止できるので、排気装置の保護が行
えるという効果がある。
より、処理室内での処理によって生成さn排出さする反
応生成物の付着を防止できるので、排気装置の保護が行
えるという効果がある。
9面の簡単な説明
第1図は未発明の一実施例である真空処理装置を示す構
成図である。
成図である。
】・・・・・・処理室、3・曲・ガス供給装置、6・・
・・・・排気装置、8・・・・・・ヒータ、9・・・・
・・温度センサ、、1゜・・・・・・温度制御ユニット 代理人 弁理士 小 川 勝 男″−ゝ、/−−−−
−−一処理生 3−−−−一力゛ス麿匂皓4鉋【 6・−−一−−−何氏装盈 8・−−−−−と−7 9−−−−−−−u乞傅
・・・・排気装置、8・・・・・・ヒータ、9・・・・
・・温度センサ、、1゜・・・・・・温度制御ユニット 代理人 弁理士 小 川 勝 男″−ゝ、/−−−−
−−一処理生 3−−−−一力゛ス麿匂皓4鉋【 6・−−一−−−何氏装盈 8・−−−−−と−7 9−−−−−−−u乞傅
Claims (1)
- 1、処理室と、前記処理室内を真空排気する排気装置と
、前記処理室内にプロセスガスを供給するガス供給装置
と、前記排気装置を加熱する熱付加手段とから成ること
を特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60076571A JPS61236123A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60076571A JPS61236123A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236123A true JPS61236123A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13608918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60076571A Pending JPS61236123A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61236123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01306580A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | エツチング装置 |
| WO2001096744A1 (fr) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Alcatel | Regulation thermique a debit et temperature de refroidissement constants pour dispositif de generation de vide |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP60076571A patent/JPS61236123A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01306580A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | エツチング装置 |
| WO2001096744A1 (fr) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Alcatel | Regulation thermique a debit et temperature de refroidissement constants pour dispositif de generation de vide |
| FR2810375A1 (fr) * | 2000-06-15 | 2001-12-21 | Cit Alcatel | Regulation thermique a debit et temperature de refroidissement constants pour dispositif de generation de vide |
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