JPH01310357A - 電子写真感光体の再利用方法 - Google Patents
電子写真感光体の再利用方法Info
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- JPH01310357A JPH01310357A JP63140842A JP14084288A JPH01310357A JP H01310357 A JPH01310357 A JP H01310357A JP 63140842 A JP63140842 A JP 63140842A JP 14084288 A JP14084288 A JP 14084288A JP H01310357 A JPH01310357 A JP H01310357A
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導体層を積層して成る電子写真感光体の再利用方
法に関するものである。
機光半導体層を積層して成る電子写真感光体の再利用方
法に関するものである。
電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｅ、 ５ｅ−Ｔｅ
。
。
Ａｓ□Ｓ 、ｓ、ＺｎＯ，ＣｄＳ、アモルファスシリコ
ンなどの無機材料と各種有機材料がある。そのなかで最
初に実用化されたものはＳｅであり、次いで、ＺｎＯ，
ＣｄＳ、アモルファスシリコンも実用化された。また、
有機材料ではＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化され、その
後、電荷の発生並びに電荷の輸送という機能を別々の有
機光半導体層に分担させるという機能分離型感光体が提
案され、この感光体によって有機材料の開発が飛躍的に
発展している。
ンなどの無機材料と各種有機材料がある。そのなかで最
初に実用化されたものはＳｅであり、次いで、ＺｎＯ，
ＣｄＳ、アモルファスシリコンも実用化された。また、
有機材料ではＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化され、その
後、電荷の発生並びに電荷の輸送という機能を別々の有
機光半導体層に分担させるという機能分離型感光体が提
案され、この感光体によって有機材料の開発が飛躍的に
発展している。
一方、無機光半導体層の上に有機光半導体層を積層した
電子写真感光体も提案された。
電子写真感光体も提案された。
例えば、特開昭５６−１４２１４号公報にはアモルファ
スシリコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成
る積層型感光体が提案されている。
スシリコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成
る積層型感光体が提案されている。
しかし乍ら、上記感光体を長期間に亘って使用した場合
、画像濃度の低下、白地部のカプリ、解像力の低下、画
像ボケ、あるいは白抜け、黒ポチ、スジ等の種々の不均
一ノイズなどの画質の劣化が認められる。
、画像濃度の低下、白地部のカプリ、解像力の低下、画
像ボケ、あるいは白抜け、黒ポチ、スジ等の種々の不均
一ノイズなどの画質の劣化が認められる。
この劣化原因は、感光体の一部に有機光半導体層を形成
しており、そのため、下記（１）〜（６）が生じるため
である。
しており、そのため、下記（１）〜（６）が生じるため
である。
（１）・・・繰り返し使用による光、熱、電流、また、
コロナ放電により発生するオゾン 、ＮＯＸ等の活性物質などが原因となる有機光半導体組
成物の劣化 （２）・・・温度、湿度などの環境条件や長期保存によ
る有機光半導体層の劣化や変質、 ヒビ割れ等の物理的劣化 （３）・・・現像、転写工程でのトナーフィルミングや
紙粉などの付着 （４）・・・空気中の汚染物質の付着 （５）・・・紙、クリーニングブレードなどとの摩擦に
よる感光体表面の摩耗や傷 （６）・・・コロナ放電による放電破壊〔発明の目的〕 本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結果、
上記積層型感光体のアモルファスシリコンカーバイド光
導電層（以下、アモルファスシリコンカーバイドをａ−
ＳｉＣと略す）を、そのままに残し、そして、劣化した
有機光半導体層を、新たな有機光半導体層と取り替える
ことにより再利用ができることを見い出した。
コロナ放電により発生するオゾン 、ＮＯＸ等の活性物質などが原因となる有機光半導体組
成物の劣化 （２）・・・温度、湿度などの環境条件や長期保存によ
る有機光半導体層の劣化や変質、 ヒビ割れ等の物理的劣化 （３）・・・現像、転写工程でのトナーフィルミングや
紙粉などの付着 （４）・・・空気中の汚染物質の付着 （５）・・・紙、クリーニングブレードなどとの摩擦に
よる感光体表面の摩耗や傷 （６）・・・コロナ放電による放電破壊〔発明の目的〕 本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結果、
上記積層型感光体のアモルファスシリコンカーバイド光
導電層（以下、アモルファスシリコンカーバイドをａ−
ＳｉＣと略す）を、そのままに残し、そして、劣化した
有機光半導体層を、新たな有機光半導体層と取り替える
ことにより再利用ができることを見い出した。
従って、本発明は上記知見により完成されたものであり
、その目的は劣化した電子写真感光体の一部を取り替え
、これにより、電子写真感光体を廃棄処分することなく
有効に利用し、製造コスト及び製造効率を改善すること
にある。
、その目的は劣化した電子写真感光体の一部を取り替え
、これにより、電子写真感光体を廃棄処分することなく
有効に利用し、製造コスト及び製造効率を改善すること
にある。
本発明に係る電子写真感光体の再利用方法は、導電性基
板上にａ−ＳｉＣ光導電層と有機光半導体層が順次積層
された電子写真感光体より有機溶剤を用いて上記有機光
半導体層を除去し、次いで、上記ａ−５ｉＣ光導’ｘｉ
Ｏ上に再度有機光半導体層を形成して電子写真感光体と
成すことを特徴とする。
板上にａ−ＳｉＣ光導電層と有機光半導体層が順次積層
された電子写真感光体より有機溶剤を用いて上記有機光
半導体層を除去し、次いで、上記ａ−５ｉＣ光導’ｘｉ
Ｏ上に再度有機光半導体層を形成して電子写真感光体と
成すことを特徴とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明においては、上記の通り、有機溶剤を用いて有機
光半導体層を溶解除去し、次いで、従来周知の方法によ
り再度有機光半導体層を形成するという再利用方法が特
徴である。
光半導体層を溶解除去し、次いで、従来周知の方法によ
り再度有機光半導体層を形成するという再利用方法が特
徴である。
しかも、この再利用方法において、有機光半導体層の下
地層としてａ−ＳｉＣ光導電層を選んだ点も特徴である
。
地層としてａ−ＳｉＣ光導電層を選んだ点も特徴である
。
即ち、高硬度な特性をもつａ−ＳｉＣ層を光導電層とし
て用いた場合、他の光導電材料に比べ、傷がつかず、そ
のため、有機光半導体層の溶解除去並びに再形成のプロ
セスにおいて、そのａ−ＳｉＣ光導電層の表面平滑性が
維持され、その結果、電子写真感光体の特性が劣化しな
い。
て用いた場合、他の光導電材料に比べ、傷がつかず、そ
のため、有機光半導体層の溶解除去並びに再形成のプロ
セスにおいて、そのａ−ＳｉＣ光導電層の表面平滑性が
維持され、その結果、電子写真感光体の特性が劣化しな
い。
本発明に係る電子写真感光体の基本的層構成は添付図面
の通りである。
の通りである。
同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−３ｉＣ光導
電層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されて
いる。そして、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）には電荷発生
という機能があり、他方の有機光半導体Ｎ（３）には電
荷輸送という機能がある。
電層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されて
いる。そして、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）には電荷発生
という機能があり、他方の有機光半導体Ｎ（３）には電
荷輸送という機能がある。
本発明によれば、上記ａ−ＳｉＣ光導電層（２）の元素
比率を下記の通りの範囲内に設定した場合、その層（２
）自体の光感度を顕著に高めることができる。
比率を下記の通りの範囲内に設定した場合、その層（２
）自体の光感度を顕著に高めることができる。
組成式： （Ｓｌ＋−１１Ｃｘ ） ＋−ｙ Ａ ｙ
（但しＡは水素又はハロゲン） ０．０５ ＜ ｘ ＜ ０．５、好適には０．１ ＜
ｘ ＜ ０．４０．２ ＜ Ｖ ＜ ０．５ 、好適に
は０．２５ ＜ ｙ ＜ ０．４５上記Ｘ値が０．０５
以下の場合には短波長側の光感度が高められず、Ｘ値が
０．５以上の場合には光導電性が著しく低くなり、光キ
ャリアの励起機能が低下する。
（但しＡは水素又はハロゲン） ０．０５ ＜ ｘ ＜ ０．５、好適には０．１ ＜
ｘ ＜ ０．４０．２ ＜ Ｖ ＜ ０．５ 、好適に
は０．２５ ＜ ｙ ＜ ０．４５上記Ｘ値が０．０５
以下の場合には短波長側の光感度が高められず、Ｘ値が
０．５以上の場合には光導電性が著しく低くなり、光キ
ャリアの励起機能が低下する。
また、ｙ値が０．２以下の場合には暗導電率が大きくな
る傾向にあり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そ
のために所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が０．５
以上の場合にはａ−ＳｉＣｌｉの内部応力が増大し、基
板との密着性が劣化して剥離し易くなる。
る傾向にあり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そ
のために所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が０．５
以上の場合にはａ−ＳｉＣｌｉの内部応力が増大し、基
板との密着性が劣化して剥離し易くなる。
また、上記ａ−３ｉＣ光導電層（２）には水素（Ｈ）元
素やハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有さ
れているが、これらの元素のなかで！１元素が終端部に
取り込まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在
準位密度が低減化されるという点で望ましい。
素やハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有さ
れているが、これらの元素のなかで！１元素が終端部に
取り込まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在
準位密度が低減化されるという点で望ましい。
ａ−３ｉＣ光導電層（２）の厚みは０．０５〜５ ｐｒ
ｓ 、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定すればよ
く、この範囲内であれば、高い光感度が得られ、残留電
位が低くなる。
ｓ 、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定すればよ
く、この範囲内であれば、高い光感度が得られ、残留電
位が低くなる。
前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＯ５、ＡＩ等の金属導
電体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表面に
導電体薄膜をコーティングしたものがあり、就中、ＡＩ
がコスト面並びにａ−ＳｉＣ層との密着性という点で有
利である。
電体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表面に
導電体薄膜をコーティングしたものがあり、就中、ＡＩ
がコスト面並びにａ−ＳｉＣ層との密着性という点で有
利である。
また、本発明に係る電子写真感光体は有機光半導体層（
３）の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定する
ことができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場合、
有機光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ、一
方、正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半導体層
（３）に電子吸引性化合物が選ばれる。
３）の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定する
ことができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場合、
有機光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ、一
方、正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半導体層
（３）に電子吸引性化合物が選ばれる。
電子供与性化合物には高分子量のものとして、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニル
アントラセン、ピレンへホルムアルデヒド縮重合体など
があり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾール
、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、ヒ
ドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバゾ
ール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポリ
カーボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポリ
アミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノール
、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ユ
リア樹脂などのバインダに分散されて用いられる。
−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニル
アントラセン、ピレンへホルムアルデヒド縮重合体など
があり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾール
、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、ヒ
ドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバゾ
ール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポリ
カーボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポリ
アミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノール
、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ユ
リア樹脂などのバインダに分散されて用いられる。
電子吸引性化合物には、２．４．７− トリニトロフル
オレンなどがある。
オレンなどがある。
次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。
ａ−ＳｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＯ法などの薄膜形成方法がある。
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＯ法などの薄膜形成方法がある。
グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスにはＳｔ Ｈａ
＋ ５ｆｚｌｌ＆＋ Ｓｔ １ｌｌｓ ＋ ＳｔＦ
ａ ＋ ５ｔＣ１４１５ｉＨＣｈ等々があり、また、Ｃ
元素含有ガスにはＣＨ４，ＣｔＨ４，ＣｔＨ□、Ｃ，Ｈ
，等々があり、就中、ＣｚＨｚは高速成膜性が得られる
という点で望ましい。
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスにはＳｔ Ｈａ
＋ ５ｆｚｌｌ＆＋ Ｓｔ １ｌｌｓ ＋ ＳｔＦ
ａ ＋ ５ｔＣ１４１５ｉＨＣｈ等々があり、また、Ｃ
元素含有ガスにはＣＨ４，ＣｔＨ４，ＣｔＨ□、Ｃ，Ｈ
，等々があり、就中、ＣｚＨｚは高速成膜性が得られる
という点で望ましい。
°上述した通りに薄膜形成方法を用いてａ−ＳｉＣ層を
形成すると、次に有機光半導体層を形成する。
形成すると、次に有機光半導体層を形成する。
有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約１５０℃、約１時間）を
行うという方法であり、また、後者のコーティング法に
よれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散された
感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。
り形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約１５０℃、約１時間）を
行うという方法であり、また、後者のコーティング法に
よれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散された
感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。
かくして得られた電子写真感光体を使用した場合、有機
光半導体Ｎ（３）の劣化は避けられず、そのため、この
感光体を再利用するに当たって、その有機光半導体層（
３）を有機溶剤により除去する。
光半導体Ｎ（３）の劣化は避けられず、そのため、この
感光体を再利用するに当たって、その有機光半導体層（
３）を有機溶剤により除去する。
この除去方法には浸漬、超音波洗浄、ブラッシング洗浄
などがある。
などがある。
この有機溶剤は、有機光半導体層を溶解できるものであ
ればよく、例えばトリクロールエチレン、トリクロール
エタン、パークロルエチレン、メチレンクロライドなど
がある。
ればよく、例えばトリクロールエチレン、トリクロール
エタン、パークロルエチレン、メチレンクロライドなど
がある。
そして、有機光半導体層（３）を除去し、ａ−３ｉＣ光
導電層（２）をそのままに残した感光体に対して、再度
、前記同じ方法により有機光半導体１！ （３）を形成
すると、所要通りの特性をもつ電子写真感光体が再び得
られる。
導電層（２）をそのままに残した感光体に対して、再度
、前記同じ方法により有機光半導体１！ （３）を形成
すると、所要通りの特性をもつ電子写真感光体が再び得
られる。
以上の通り、本発明による電子写真感光体の再利用方法
によれば、廃棄処分すべき電子写真感光体を再び使用す
ることができ、しかも、もう−度初期の優れた電子写真
特性が得られ、これにより、省エネルギ化に適した電子
写真感光体が提供できる。
によれば、廃棄処分すべき電子写真感光体を再び使用す
ることができ、しかも、もう−度初期の優れた電子写真
特性が得られ、これにより、省エネルギ化に適した電子
写真感光体が提供できる。
また、本発明に係る再利用方法によれば、有機光半導体
の溶解除去並びに再度の形成により容易に電子写真感光
体を製作することができ、これにより、製造コスト及び
製造効率を改善することができる。
の溶解除去並びに再度の形成により容易に電子写真感光
体を製作することができ、これにより、製造コスト及び
製造効率を改善することができる。
添付図面は本発明に係る電子写真感光体の基本的層構成
を示す断面図である。 ｌ・・導電性基板 ２・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層３・・
有機光半導体層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者 安城
欽寿 同 河村孝夫
を示す断面図である。 ｌ・・導電性基板 ２・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層３・・
有機光半導体層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者 安城
欽寿 同 河村孝夫
Claims (1)
- 導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド光導電
層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感光体よ
り有機溶剤を用いて上記有機光半導体層を除去し、次い
で、上記アモルファスシリコンカーバイド光導電層の上
に再度有機光半導体層を形成して電子写真感光体と成す
ことを特徴とする電子写真感光体の再利用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140842A JPH01310357A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 電子写真感光体の再利用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140842A JPH01310357A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 電子写真感光体の再利用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01310357A true JPH01310357A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15277984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63140842A Pending JPH01310357A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 電子写真感光体の再利用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01310357A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593078A (en) * | 1979-01-01 | 1980-07-15 | Nippon Signal Co Ltd:The | Wheel detector |
| JPS6018444A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-30 | 日本信号株式会社 | 車輪検知装置 |
| JPS6094866A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-28 | 新日本製鐵株式会社 | 車種判別装置 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63140842A patent/JPH01310357A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593078A (en) * | 1979-01-01 | 1980-07-15 | Nippon Signal Co Ltd:The | Wheel detector |
| JPS6018444A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-30 | 日本信号株式会社 | 車輪検知装置 |
| JPS6094866A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-28 | 新日本製鐵株式会社 | 車種判別装置 |
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