JPH01311119A - 誘電性基体をメッキする方法 - Google Patents

誘電性基体をメッキする方法

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JPH01311119A
JPH01311119A JP1064048A JP6404889A JPH01311119A JP H01311119 A JPH01311119 A JP H01311119A JP 1064048 A JP1064048 A JP 1064048A JP 6404889 A JP6404889 A JP 6404889A JP H01311119 A JPH01311119 A JP H01311119A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はβ−ジケトン、例えばマロンアミドの反応生成
物に関し、特に金属とコンプレックスを形成することの
できる反応生成物に関する。
本発明は無電解メッキ浴から、金属をその上にメッキす
るのに適した面を与えるように、活性化することのでき
る反応生成物に特に関連するものである。
〔従来技術〕
印刷回路カードおよび回路板の製作;;際しては、非電
導性の材料が基板として使用されている。電導性の回路
/′2ターンは基板の大部分の片面または両面に設けら
れている。
電導性パターンは様々な既知技術を用いて基板の表面上
に作ることができる。これらの技術には銅のような電導
性金属の層が必要とする回路パターンの形にエッチされ
る除去法、銅のような電導性金属が必要とするパターン
状に基板表面に直接熱M、解メッキ浴からメッキされる
EDB法(無電解直接法)、および必要な回路パターン
がはぎ取り鋼のような「はぎ取り金属」といわれている
うすい層から被覆されるはぎ取り法などが含まれる。
これらの方法のいずれにおいても、層間の接続はメッキ
された貫通孔によって行われる。このような孔のメッキ
に際して、銅のような金属は非電導性の基板上に(孔の
壁土)直接メッキしなければならない。さらに、もしE
DB法を用いるときには、基板の表面上に直接にメッキ
をしなければならない。
基板上にメッキをするために、基板の性質はEDB法(
=は不活性であるということから、基板はその上に金属
を付着させるのに先立って種付けないしは触媒化をしな
ければならない。
基板を触媒化するためもつとも広く用いられている手順
は、塩化第1すすの感受性化溶液の使用、および金属パ
ラジウムの粒子層を形成させるための、塩化パラジウム
活性剤の使用である。誘電体基板を触媒化する方法の1
つが、シップレイ氏の米国特許第3,011,920号
中に用いられており、これにはまずコロイド状金属の溶
液で基板を処理する感受性化、この感受性化された非電
導性基板から保護コロイドを除くための特定の溶剤処理
の活性化、およびこの感受性化された基板上に金属を無
電解的に、例えば銅塩と還元剤との溶液から鋼を沈着さ
せるのに各工程が含まれている。
〔発明が解決しようとする課題〕
より複雑な回路とさらに細かな配線とが多年に亘って必
要とされているので、種付けまたは触媒化方法を改善す
ることについて努力が払われていた。しかしながら、そ
れを実施するために必要な方法が著しく面倒でなく、基
板に対する触媒の付着が良くかつ信頼性が高い触媒化方
法または種付けにはなお改良の余地が存在するのである
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、無電解金属メッキ液からその上に金属がメッ
キされ得る基質を与えるような材料に、特に利用性が認
められる反応生成物に関するものである。特に、本発明
の反応生成物はβ−ジケトンと、マロンアミド中の官能
性アミド基のようなものと反応性の基をもつポリマ性材
料とβ−ジケトンとの生成物である。
さらに、本発明はβ−ジケトンとこのジケトンに反応性
の基をもっポリマ性材料との反応生成物、およびこの反
応生成物とコンプレックス化した金属とをもつものを含
む、無電解メッキ浴からその上に金属をメッキするの(
二適した基質に関している。
いま1つの見地において本発明は無電解メッキ浴から、
誘電体基板上に金属をメッキするための一方法に関する
ものである。この方法はβ−ジケトンとこのジケトン(
1反応性の基をもつポリマ性材料との反応生成物からな
るものを基板に付与するにある。
活性な金属は、電導性の金属である必要はないが、無電
解メッキに際し種として働くもので。
反応生成物とコンプレックスを生成するものである。代
表的なものはパラジウムである。このコンプレックス化
した金属は活性化され、この基質はその上に金属をメッ
キするため無電解メッキ浴に接触させられる。
本発明はβ−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をも
つポリマ性材料との反応生成物に関するものである。こ
の反応生成物は硬化しうるものであり、そして用いられ
ているβ−ジケトンツタめ金属イオンとコンプレックス
化しうるものである。β−ジケトンの実例(二はマロン
酸、マロニルクロライド、およびマロンアミドがある。
好ましいβ−ジケトンはマロンアミドである。
マロンアミドは分子の両端にアミド基をもつβ−ジケト
ンである。特に、マロンアミドは以下の構造式で表わす
ことができる: H2N−C−C−C−NH2 マロンアミドの場合、例えば2つのアミド基の間のメチ
レン連結基が1本発明の有効な作用の要点であると考え
られる。
ポリマ性材料は好ましくは熱硬化性のポリマ材料であり
、エポキシ系ポリマ、ポリイミド、およびポリアミドが
含まれる。
本発明により用いられる好ましいポリマ材料はエポキシ
樹脂である。代表的なエポキシ樹脂にはビスフェノール
−Aとエビクロヒドリンから得られたビスフェノール−
A型の樹脂、フェノールのようなフェノール性材料とホ
ルムアルデヒドのようなアルデヒドから作られたノボラ
ック樹脂をエピクロヒドリンによってエポキシ化して得
られる樹脂材料、テトラグリシジルジアミノジフェニル
メタンのような多官能性エポキシ樹脂、およびビス(6
,4−エポキシ−6−メチル−シクロヘキシルメチル)
アジハートのようなアリサイクリックエポキシ樹脂が含
まれる。
使用されるもつとも好ましいエポキシはビスフェノール
−A型のものである。もちろんこの他の型のエポキシポ
リマを用いることができ、−般に多核ジヒドロキシフェ
ノールなハロエポキシアルカンと反応させることによっ
て得られたようなものも含まれる。
多核ジヒドロキシフェノールの好適なものは1Fの式を
もつことができる: ここでArはナフタレンおよびより普通にはフェニレン
のような2価芳香族炭化水素であり、AとA1とは同一
または異ることのできる1〜4個の炭素原子と一般に有
するアルキル基、例えばフッ素、塩素、臭素、およびヨ
ウ素などのハロゲン原子、または1〜4個の炭素原子を
一般に有するアルコキシ基、Xとyとは0から最高は置
換基により置換しうる芳香族基(Ar)上の水素原子の
数に相当する値、そしてR′はジヒドロキシジフェニル
中の隣接する炭素原子間の結合であるか、または例えば C− −o−、−s−、−5o−、−5o2−および−8−8
−を含む2価の基、およびアルキレン、アルキリデンの
ような2価の炭化水素基、例えばシクロアルキレンおよ
びシクロアルキリデンのような環状脂肪系の基、ハロゲ
ン化され、アルコキシまたはアリルオキシで置換された
アルキレン、アルキリデンおよび環状脂肪系の基、同様
にアルクアリーレンおよびハロゲン化され、アルキル、
アルコ、キシ、またはアリールオキシで置換された芳香
族基を含む芳香族基、およびAr基に対し縮合した環な
どが含まれる;またはR′はポリアルコキシ、またはポ
リシロキシ、または芳香族環で分離された2個または数
個のアルキリデン基、4級アミノ基、エーテル結合、カ
ルボニル基またはスルホオキサイドのようなイオウな含
んだ基、その他であることができる。
特定のジヒドロキシ多核フェノールの例は。
とりわけ2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェノール)
フロパン、 2.4’−ジヒドロキシ−ジフェニルメタ
ン、ビス−(2−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス−
(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロ
キシ−2,6−ジメテルー3−メトキシフェニル)メタ
ン、1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)エタン
、1.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)エタン、
1,1−ヒス(4−ヒドロキシ−2−クロロフェニル)
エタン、1.1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)エタン、1.3−ヒス−(5−メチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)フロパン、2.2−ビス−(3−フ
ェニル−4−ヒドロキシフェニル)フロパン、2.2−
ヒス−(3−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)
フロパン、2.2−ビス(2−イソプロピル−4−ヒド
ロキシフェニル)−!!ンタン、2.2−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)へブタン、ビス−(4−ヒドロキ
シフェニル)フェニルメタン、ヒス−(4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキシルメタン、1.2−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−1,2−ヒス−(フェニル)
フロパンおよヒ2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−フェニループロノぐンのようなビス−(ヒド
ロキシフェニル)アルカン頭;ヒス(4−ヒドロキシフ
ェニル)スルホン、2.4’−ジヒドロキシジフェニル
スルホ/、5′−クロロ−2,4′−ジヒドロキシジフ
ェニルスルホン、オヨヒ5′−クロロー4.4′−ジヒ
ドロキシジフェニルスルホンのようなジ(ヒドロキシフ
ェニル)スルホン類;ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)エーテル、4.3’−14,2’−12,2I−およ
び2,3′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4.4
′−ジヒドロキシ−2,6−シメチルジフエニルエーテ
ル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソブチルフェニル
)エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロピ
ルフェニル)エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−
’70口フェニル)−エーテル、ヒス−(4−ヒドロキ
シ−6−フルオロフェニル)エーテル、ビス−(4−ヒ
ドロキシ−3−ブロモフェニル)エーテル、ビス−(4
−ヒドロキシナフチル)−エーテル、ヒス−(4−ヒド
ロキシ−3−クロロナフチル)−エーテル、ヒス−(2
−ヒドロキシジフェニル)エーテル、4.4’−ジヒド
ロキシ−2,6−シメトキシジフ二二ルエーテル、およ
び4,4′−ジヒドロキシ−2,5−ジェトキシジフェ
ニルエーテルのようなジ(ヒドロキシフェニル)エーテ
ル類などが含まれる。
好ましいジヒドロキシ多核フェノール類は以下の式によ
り表わされる: ここでAとA1とは前(=定義した通りであり、Xとy
とは0から4までの値を有し、そしてR1は2価の飽和
脂肪族炭化水素残基で、特に1〜5個の炭素原子をもつ
アルキレンとアルキリデン基、および10個までの炭素
原子をもつシクロアルキレン基である。もつとも好まし
いジヒドロキシフェノールはビスフェノール−A1即ち
2.2−ビス(p−ヒドロキシフェニル)フロパンであ
る。
ハローエポキシアルカンは次の式で表わすことができる
: ここでXはハロケ゛ン原子(即ち塩素、臭素など)、p
は1〜8の繋数、各R2はそれぞれ水素または7までの
炭素原子をもつアルキル基であり、エポキシ中のアルキ
ル基の炭素原子の数は合計で10を超えないものである
エビクロヒドリンから導かれたような、グリシジルエー
テル類は特に好ましいものであるが、大きな数の炭素原
子のエポキシアルコキシ基を含むエポキシポリマもまた
好適なものである。
これらは1−クロロ−2,3−エポキシブタン、1−ク
ロロ−3,4−エポキシブタン、2−クロロ−3,4−
エポキシブタン、1−クロロ−2−メチル−2,3−エ
ホキシープロ/ξン、1−ブロモー2.3−エポキシペ
ンタン、2−クロロメチル−1,2−エポキシブタン、
1−ブロモ−4−メチル−3,4−エポキシはンタン、
1−ブロモ−4−エチル−2,3−エポキシはンタン、
4−クロロ−2−メチル−2,3−エポキシペンタン、
1−クコロー2.3−エポキシオクタン、1−クロロ−
2−メチル−2,3−エポキシオクタン、または1−ク
ロロ−2,6−エポキシデカンなどで代表される、対応
するモノヒドロキシエポキシアルカン類の塩「ヒ物また
は臭化物でエビクロヒドリンを置換することにより製造
される。
使用されるポリイミド類は良く知られており市場で入手
で^る。これらは成る場合にはポリアミド酸またはポリ
イミド/アミドポリマと呼ばれている。
イミド基は重合体鎖の酸基とアミド体の縮合により得ら
れる。かかるポリマは一般に少なくとも1つのジアミン
を少なくとも1つのポリカルボン酸と、および/または
その酸無水物と、および/またはそのエステルと反応さ
せることによって作られる。種々のポリイミド/アミど
の提案が米国特許@2,710,853号;同第2,7
12,543号;同第7.751.447号;同第2,
880,250号;同第3.037.966号;同第3
.073.784号;同第3、073.785号;同j
m3,179,631号;同第3,179.632号;
同第3.179.633号:同第3.179.654号
;同第3.179.635号および同第3.190.8
53号などの中で見られ、これらの開示なここ:=参考
例として挙げておく。使用される好ましいポリイミドポ
リマは芳香族ジアミンを、芳香族テトラカルボン酸無水
物と反応させることにより得られたものである。
ポリイミドを作るの(二際して用いられる無水物の例は
ピロメリト酸ジ無水物;メリト酸無水物;トリメリド酸
無水物; 2.3,6.7−ナフタレンテトラカルボン
酸ジ無水物; 1,2,5.15−ナフタレンテトラカ
ルボン酸ジ無水物; s、s′、4.4’−ジフェニル
テトラカルボン酸ジ無水物; 212’13.3′−ジ
フェニルテトラカルボン酸ジ無水物;5 、3’ 、 
4 、4’−ジフェニルメタンデトラカルボン酸ジ無水
物;ビス(3,4−カルボキシフェニル)エーテルジ無
水物;ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン
ジ’HA水物; 3j’、4.4’−ヘンシフエノンテ
トラカルボン酸ジ無水物;3,3’、4.4’−スチル
ベンテトラカルボン酸ジ無水物; 2,3゜6,7−ア
ンスラセンテトラカルボン酸ジ無水物;1.2,7.8
−フェナンスレンテトラカルボン酸ジ無水物; 2.3
,6.7−ナフタセンテトラカルボン酸ジ無水物; 2
,5,8.9−クリセンテトラカルボン酸ジ無水物; 
2,3.6.7−) リフエニレンテトラカルボン酸ジ
無水物;ピレン−4,5,9,10−テトラカルボン酸
ジ無水物;ハリシン−5,4,9,10−テトラカルボ
ン酸ジ無水物;およびコロネン−1,2,7,8−テト
ラカルボン酸ジ無水物などである。
脂肪族有機ジアミンの例はエチレンジアミン;N−メチ
ルエチレンジアミン;トリメチレンジアミン;テトラメ
チレンジアミン;1.5−ジアミノにンタン;ヘキサメ
チレンジアミン;1,4−ジアミツシクロヘキサン;1
.3−ジアミノシクロペンタン;1.5−ジアミノ−2
−メチルプロノξン; 1,6−ジアミツー4−メチル
ヘキナン:1.4−ジアミノ−2−メブ°ルプタン;1
−(N−プロピルアミノ)−6−アミツヘキナン;およ
び1,6−ジアミツー2−フェニルプロパンなどである
芳香−脂肪ジアミンの例はバラアミノフェニルメチルア
ミン、およびメタ−アミノフェニルメチルアミンであS
0芳香族有機ジアミンの例は2.2−ジ(4−アミノフ
ェニル)プロパン;4.4′−ジアミノジフェニルメタ
ン;ベンジジン;モノ−N−メチルベンジジン;3,5
’−ジクロロベンジジン°;4,4’−ジアミノジフェ
ニルサルファイド: b、3’−ジアミノジフェニルス
ルホン;4.4′−ジアミノジフェニルスルホン;4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル;1.5−ジアミノ
ナフタレン;メタ−フェニレンジアミン;バラフェニレ
ンシアミン;3,3’−ジメチル−4,4′−ビフェニ
ルジアミン:5,3’−ジメトキシベンジジン;1−イ
ソプロピル−2,4−フェニレンジアミン;3,5−ジ
アミノオルトキシレン; 3.5−ジアミノジフェニル
;1.5−ジアミノナフタレン;2.6−ジアミツアン
スラセン:および4.4′−ジアミノスチルベンなどで
ある。もつとも好ましい芳香族ジアミン類は4.41−
ジアミノジフェニルエーテル、4.4′−ジアミノジフ
ェニルメタン、およびバラフェニレンシアミンなどであ
る。
ポリアミド類は良く知「〕れておりまた市場で入手でき
る。これらはポリマチエンの溝成部分としてくり返しの
アミド基(CONT()を含む縮合生成物である。この
ホリアミドは、例えばジアミンと2塩基酸の縮合から作
ることができる。
β−ジケトンとポリマ性材料との相対的な量は、通常ポ
リマ性材料の反応性の基の少なくとも0.1%から約8
0チまでが、好ましくは約5チ〜約60%が反らされる
ような盆であるO本発明の好ましい見地において、β−
ジケトンは完全に反応すべきであって、組成物中に遊離
のβ−ジケトンがあってはならない。
ポリマ性材料とβ−ジケトン間の反応は、通常有機浴剤
中で行われ、m文は約100℃から約200℃の間、代
表的には約150℃である。反応は普通約0.5〜5[
守1=lで完了し、代表的には約2〜2.5時間である
溶剤にはジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホオキサイド、および1−メチル−2−
ピロリジノンなどが含まれる。使用する溶剤の漣は、β
−ジケトンとポリマ性材料との合計量を基準として、通
常約30%から約70%の間である。
反応は触媒として作用する無機塩基の存在下に好ましく
行われる。代表的な物質(二は水酸化ナトリウムと水酸
化カリウムとが言まれる。
ポリマ性材料は急速な架橋結合をさけるために、β−ジ
ケトンのすべてと反応するのに必要な積の少なくとも約
2倍の盆となるように、大過剰で存在させねばならない
反応生成物は、無tiLemメッキ浴からその上(=金
属をメッキするための面として反応生成物が役立つこと
ができるように、金属イオンとのコンプレックスを形成
させるために、金属イオンを含む組成物と接触さすこと
ができる。好ましい金属はパラジウム、白金、ルテニウ
ム、ニッケル、および銅のようなものである。
−股に、金属の城は反応生成物中のβ−ジケトンからの
メチレン連結基をもとにして約0.1〜約20止鼠%、
好ましくは約1〜約10重被るである。釡属イオンとの
コンプレックス化はトリメチルアミンまたはトリエチル
アミンのような第6アミン;および水酸化カリウムおよ
び水酸化ナトリウムのような無機塩基などのような塩基
性触媒の存在下に達成される。
金属との反応は普通はぼ室温から約100℃の温度、好
ましくは11ぼ室温で行われる。この反応は通常0.5
分から約2時間、好ましくは1分から約1時間で完了す
る。反応は通常1−メチル−2−ピロリドンのような有
機溶剤中で行われる。
金属イオンとコンプレックス化した反応生成物が、無電
解メッキ蔭からその上に金属をメッキするため(二基板
中で用いられるとき、この基板はそれのみで用いること
もできるし、あるいはこのような目的のため(二f通用
いられているエポキシ、ポリアミド、およびポリイミド
などを含むこの他のnvt性材料と混合して用いること
もできる。
組成物は充填材および/またはガラス繊維のような補強
材を含むポリマの成型製品とすることができる。この他
、良く知られているような促進剤と硬化剤とを加えるの
が望ましい。例えば、エポキシ組成物のための適当な硬
化剤(二はポリアミン類;第1、第2、および第3アミ
ン類;ポリアミド類;ポリスルホン類;尿素−フエノー
ル−ホルムアルデヒド;および酸類またはその無水物な
どが富まれる。また、適当な硬化炸J i二はBr3お
工びそのコンプレックスのようなルイス酸触媒が宮まれ
る。
通常基板は充填材および/またはガラス繊維のような補
強材を含んでいる。このような繊維を含む組成物は、普
通ポリマ組成物を繊維にしみこますことによって作られ
る。繊維と結合させたときのポリマ組成物の童は、通常
繊維とポリマ組成物の固体の全波の約30〜約70重t
う、そしてさら(ニー収約には約55〜約65重鷺鴨で
ある。
補強用繊維と組合せた後に、組成物はB−段階まで(二
級化されそして板のような所望の形状に成型される。板
として用いられるとき、厚みは普通約1.5ミル(0,
038謔)〜約8ミル(0,20m)で、さらに普通に
は約2ミル(0,05m) 〜約3ミル(0,076M
)である。B−段階の硬化は普通約80″〜約110℃
の温度を用いて、約3〜約10分の時間で達成される。
この基板は一般に行われているように別の支持用基板上
(ニラミネートすることもできる。この基板の接看は、
何枚かのへ取ンートYプレシーテッドラミネートブレス
中で、所定の温度と圧力で、例えば約180℃に2いて
約200〜約500psi (14,06〜55゜15
幻/12)さらに音刈は約250〜約300psi (
17,58〜2 t O9K9/cm2)の圧力でプレ
スして行うことかでさる。このブレス工程の時間は、使
用された材料と付与する圧力とにより変化する。前記の
条件では約1時間が適当である。
その上に引続きメッキをするため金属を活性化するの1
=先立って、基板中の必要とされる貫通孔は適切(二清
浄化され、そしてもし必要ならば従来されていたよう(
二、前処理された貫通孔を誘電体中に作ることができる
反応生成物はコンプレックス化された金属イオンを、酸
素プラズマ処理によるなどで金属の触媒粒子に転換する
ことで、特定の区域を活性とすることができる。この活
性化は酸素を含む気体と、ポリマ表面をエツチングする
のに適したフッ素化合物とのガス状プラズマを用いて行
うことができる。使用される好ましい酸素含有気体は酸
素自体である。適当なフッ素化合物にはCF4 、C2
F6 、 CFCl3、CFsCL 、 BF6 、C
Cl2F3、およびNF3などが含まれ、もつとも好ま
しいフッ素化合物はCFaである。フッ素化合物中の酸
素含有気体の相対的な意は、用いられた特定のフッ素化
合物と誘電体基板、材料とに依存している。
しかしながら、この鼠は種々の供給ガス組成の関数とし
て、最高エッチ速度を単に測足すること(二より、余計
な実験をすることなく容易(二決定できる。例えば、フ
ッ素化合物としてCF4では02対CF4のモル比は6
0〜90 : 40〜10が適当である。この活性化工
程は普通約1分〜約40分、セしてさら1:普通は約1
0分〜約25分以内で完了し、一般にほぼ室温から反応
生成物の分解温度以下の温度の間で行われる。ガスの面
留時間は普通約゛1秒〜約5分、さらに晋辿は約1秒〜
約1分である。
使用される圧力は一般(二約100ミリトル〜約500
ミリトルである。代表的な出力レベルは、処理される基
板の1つの主要面の1備2当り約0.05〜約2ワツト
である。
この活性化工程を行うのに適したプラズマリアクタは市
販されており、ここで詳述する必要はない。代表的な市
販のプラズマリアクタの適当なものはプランソンIPC
−パラレルプレートリアクタ74−15型;コサイ社か
ら得られるイン−ラインプラズマシステム、アプライド
プラズマシステムズ、プラズマリアクタズ;およびテク
ニクスのプラズマリアクタなどである。
活性化が行われた後、基板は活性化された基板の区域を
メッキするために、無電解鋼ツキ浴からその上に電導性
金属をメッキする用意が整ったことになる。適当な金属
はニッケル、金、および好ましくは銅である。好ましい
無電解鋼メッキ浴とその使用法は、米国特許第3,84
4,799号および同第4,152,467号中に述べ
られており、この説明をここに参考例として挙げておく
無電解鋼メッキ浴は一般(二銅イオンの供給源、還元剤
、銅イオンのための錯化剤、およびpH?a整剤などを
含んだ水性組成物である。メッキ浴はまた通常シアンイ
オン源と表面活性剤とを含んでいる。
一般(二用いられる銅イオンの供給源は、硫酸鋼または
使用された錯化剤の第2銅塩である。
硫酸鋼を使用するとき、その分量は約5 f//lから
約15 t/lが好ましく、嘔らに好ましくは約8?/
Lから約12 y7tの鍵である。使用されるもつとも
普通の還元剤はホルムアルデヒドであり、その好ましい
様式でtま約0.7r/lから約7f/l、さら(二通
常は約0.7t/Lから約2.2t/lの分備で用いら
れる。この他の適当な還元剤の例にはパラホルムアルデ
ヒド、トリオキザン、ジメチルヒダントインおよびグリ
オキザールのようなホルムアルデヒドの前駆体または誘
導体;アルカリ金属ボロハイドライド(ナトリウムまた
はカリウムボロハイドライド)のようなボロハイドライ
ド類、およびアミンボラン(イソプロピルアミンボラン
およびモルホリンボラン)のようなボラン類が含まれる
。ハイポフォスファイト還元剤も、無電解NiおよびC
uメッキ浴の両方に用いることができる。
適当な錯化剤の例にはロッシェル塩、エチレンジアミン
テトラ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢ばのモノ−、ン
ー、トリーおよびテトラナトリウム塩、ニトリロテトラ
酢酸およびそのアルカリ塩、グルコン酸、グルコン酸塩
、トリエタノールアミン、グルコノ(r−ラクトン)、
N−ヒドロキ7エチルエチレンジアミントリ酢酸塩のよ
うな変成されたエチレンジアミン酢酸塩などが貧まれる
。この他1;多数のその他の銅錯化剤が米国特許第2.
99へ408号;同第3,075,855号;同第3,
075,856号;および同第2,958,805号中
で提案されている。錯化剤の分量は溶液中(二存在する
第2銅イオンの量に関連し、一般に約20t7tから約
50 ?/lの量または5〜4モル倍過剰量である。
メッキ浴はまた塗布される面を湿らせるのを助ける表面
活性剤を含んでいる。良好な表面活性剤は、例えば「ガ
フアク(Gafac) RE−610Jの商品名の下に
入手しうる有機リン酸エステルである。一般に、表面活
性剤は約0.02?/lからo、5t7tの分量で存在
する。この他、浴の…は一般に水酸化ナトリウムまたは
水酸化カリウムのような塩基性化合物を、所望のpHが
達成される分盆加えられて調整される。浴の−は通常1
1.6〜11.8の範囲である。
メッキ浴はまたシアン化物イオンを普通含んでおり、通
常は浴中のシアン化物濃度が0.0002〜0.000
4モルの範囲内とするために約1o肩y7t〜約25■
/lの量を含んでいる。使用することのできるシアン化
物の例はアルカリ金属、アルカリ土類金属、およびアム
モニウムのシアン化物などである。またメッキ浴にはそ
の他の小量の添加物を含ますことができる。
メッキ浴は普通1. [160〜1,080の範囲の比
重を有している。また浴のiM度は70℃と80℃の間
、さら(−普通は70℃と75℃の間1:維持される。
好ましいシアン化物濃度と好ましい温度とを関連させた
説明については米国特許第3、844.799号を参照
されたい。
浴の酸素苫有盆は、米国特許第4.152,467号中
で論じられているように、約2 ppmかう約4ppm
 、さら:二普通は約2.5〜約5.5 ppmの間に
維持式れる。この酸系言有鼠は浴中に酸素と不活性ガス
とを注入することC二よって調節できる。
浴中へのガスの全体の流通量は、浴の1000ガロン(
37B5.3t)当り通常I SOFM (2B、3 
t/91)から約20SCFM(566t/分)、さら
に普通は約380FM (84,9t1分)から約8 
SCFM (226,4t/分)である。
本発明をさらに説明するために実施例を示すがこれらは
本発明を限定するものではない。
実施例 1 500−の丸底2首フラスコ中のジメチルホルムアミド
200+d+=、エビクロヒドリン−ビスフェノール−
Aポリマ(シェル化学社のエポン828 )約76fと
、水酸化ナトリウム約12とを溶解した。フラスコを攪
拌しつつ約150℃に加熱した。この液にマロンアミド
約0.5tを加え、溶解したときさらt:、 o、 s
 tを加えた。このようにして合計的52までのマロン
アミドな、溶液(二段階的に添加した。この液を約15
0℃でさらに2時間保った。過剰のエボキ7ボリマ(約
4倍)中にマロンアミドを段階的に加えるのは、ポリマ
の急速な架橋化を確実C:さけるためである。
反応生成物をはげしく攪拌しながら約1.00Mの脱イ
オン水中に注加して、生成物の沈殿をつくりこれを沖過
して集めた。
この集めた反応生成物の約10fY1−メチル−2−ピ
ラゾリドンの約101中についで溶解した。別の浴器中
で、硝酸パラジウムの約0.74yを1−1チル−2−
ピラゾリジノンの約15ゴ中(二俗解し、この硝酸パラ
ジウム液(=トリエチルアミンの約0.8−を加えた。
この硝酸パラジウム液乞、つき゛(二よく攪拌しながら
マロンアミド−エポキシ反応生成@(=添加した。約1
時間攪拌後、この独付けされたポリマを約1、 OOO
−の脱イオン水中(二、はげしく攪拌しながら注加して
溶液から沈殿させ、生成物?:濾過して集めた。
得られた生成物の1−メチル−2−ピロリジノン中の2
0%溶液が磨製され、この液に等量のエポキシ、エポン
828(シェル化学社)を加え、エポキシ用の触媒を加
え、そして銅ホイル(sacrificial cop
per foil)の処理される側に皮膜な被着(キャ
スト)シ、約100℃で部分的(二級化させた。この銅
ホイルは次(=8 IVIのエポキシ−ガラス繊維プリ
プレグと共(=ラミネートされた。銅ホイルの塩化弗1
銅中でのエツチング後(=、暗褐色のコンポジットが得
られた。
この表面はつぎに約10%のCF4 ’l含む酸素−C
F4プラズマにより、FJ250ミリトルの圧力の下で
エツチングされた。11インチ(27,9m)の電極上
に250ワツトの即出力を約10分間付与した。このコ
ンポジットはつぎに無11L解鋼メッキ浴中(:入れた
。無電解鋼メッキ浴は一般に銅イオン源、還元剤、銅イ
オンに対する錯化剤、および声調型剤を含む水性組成物
である。
メッキ給はまた一般にシアン化物イオンの供給源と表面
活性剤とを貧んでいる。銅は酸素−〇Faプラズマで処
理した区域にはメッキされたが、基板のその他の区域上
にはメッキされなかった。
実施例 2 200Ddの2首フラスコ中のジメチルホルムアミド約
1000−に、エビクロヒドリン−ビスフェノール−A
ポリマ(シェル化学社のエポン828)約38Ofと、
水酸化ナトリウム約22と?溶解した。、この液を攪拌
しつつ約150℃に加熱した。マロンアミドの約252
をこの液(二〇、52ずつ6時間の期間に添71Gした
。反応生成物は室温にまで冷却し、そしてはげしく攪拌
しながら約1,0007!の脱イオン水中に注加して、
生成物の沈殿を作すヂ過してこれを集めた。
この集めた反応生成物の約102をつぎに1−メチル−
2−ピラゾリジノン約109中に溶解した。別の容器中
で、硝酸パラジウムの約710翼gを1−メチル−2−
ビラソ゛リジノンの約25−中に溶解した。この硝酸パ
ラジウム溶液を、つぎによく攪拌しながらマロンアミド
−エポキシ反応生成物に加え、そしてトリエチルアミン
の0.859−を加えた。約1時間攪拌した後、この種
付けされたポリマな約1. OOO−の脱イオン水中(
−1はげしく攪拌しながら注加して溶液から沈殿させ、
生成物をr過により集めた。この生成物はエポン828
出発材料と反応生成物との混合物である。この生成物を
水で光分に洗浄し、100℃のオーブン中で一晩乾燥し
た。
得られたこの生成物の1−メチル−2−ピラゾリジノン
中の20%溶液が調裂嘔れ、この液に等量のエポキシ、
エポン828(シェル化学社)が加え、エポキシ用の触
媒を加え、そして銅ホイルの処理される側に皮膜を被着
し、約100℃で部分的(=硬化させた。この銅ホイル
は次に8層のエポキシ−ガラス繊維プリプレグと共にラ
ミネートされた。銅ホイルの塩化第1銅中でのエツチン
グの後で、暗褐色のコンポジットが得られた。
この表面tユつぎに約10%のCF4を宮む酸素−CF
4プラズマ(二より、約250ミリトルの全圧力の下で
エツチングされた。11インチ(27,9層M)の厄億
上に250ワツトのRF高出力約10分間付与した。こ
のコンポジットはつぎに無を解剖メッキ浴中に入れた。
無′It′Is銅メッキ浴は一般に銅イオン源、還元剤
、鋼イオンに対する錯化剤、およびpH調整剤を含む水
性組成物である。
メッキ浴はまた一般にシアン化物イオンの供給源と表面
活性剤とを含んでいる。餉は酸素−CF4プラズマで処
理した区域にはメッキされたが、基板のその他の区域に
はメッキされなかった。
以上本発明の詳細な説明したが、本つ色間はさらに以下
の各項によってこれを要約して示すことができる。
1)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつポ
リマ性材料との反応生成物。
2)ポリマ性材料は熱硬化性ポリマである、前項1記載
の反応生成物。
3)ポリマ性材料はエポキシ、ポリイミドおよびポリア
ミドよりなる群から選ばれるものである、前項1記載の
反応生成物。
4)ポリマ性材料はエポキシである、前項1記載の反応
生成物。
5〕  エポキシはビスフェノール=A型のものである
、前項4記載の反応生成物。
6)β−ジケトンは前記ポリマ性材料の反応性基の約0
.1%から約80%と反応するものである、前項1記載
の反応生成物。
7)ポリマ性材料はβ−ジケトンの全量と反応するのに
必要な量の少なくとも2倍の雪で存在するものである、
前項1記載の反応生成物。
8)β−ジケトンはマロンアミドである、前項1記載の
反応生成物。
9)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつポ
リマ性材料との反応生成物、および前記の反応生成物と
コンプレックスを形成した金属からなる、無電解メッキ
浴からその上に活性金属をメッキするのi−適した基質
10)ポリマ性材料は熱硬化性ポリマである、前項 9
 d上載の h(質。
11)ポリマ性材料はエポキシ、ポリイミドおよびポリ
アミドよりなる群から選ばれたものである、前項9記載
の基質。
12)ポリマ性材料はエポキシである、前項9記載の基
質。
1′3)エポキシはビスフェノール−A型のものである
、前項12記載の基質。
14)β−ジケトンは前記ポリマ性材料の反応性基の約
0.1%から約80%と反応するものである、前項9目
己載の基質。
13)ポリマ性材料はβ−ジケトンの全線と反応するの
1−必要な披の少なくとも2倍の祉で存在するものであ
る、前項9記載の基質。
16)β−ジケトンはマロンアミドである、前項9記載
の基質。
17)金属は貴金楠である、前項96己載の基質。
18)金属はパラジウム、白金、ルテニウム、ニッケル
、銅またはこれらの混合物である、前項9記載の基質。
19)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつ
ポリマ性材料との反応生成物からなる基質を準備し; 活性金属をこの反応生成物とコンプレックス化し; このコンプレックス化した金属を活性化し;そして この上(=金y4¥メッキするため(二無電解金稿メッ
キ浴と前aピ基賀とt接触させることからなる無電解メ
ッキ浴から誘電性基体にメッキをする方法。
20)  活性化は酸素プラズマ処理からなるものであ
る、前項19記載の方法。
21)コンプレックス化する金属はパラジウムであり、
そしてメッキ浴は銅メッキ浴である、前項19記載の方
法。
合物を準備し; この混合物を触媒量の塩基の存在下に約100℃〜20
0℃の温度:二加熱することからなるβ−ジケトンに反
応性の基をもつポリマとβ−ジケトンとの反応方法。
特許出願人  インターナショナル・ビジネス・マシー
ンズ・コーポレーション 11□    曝 復代理人 弁理士 高 木 千 嘉、 ・2゜、1.、
: 1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつポ
    リマ性材料との反応生成物。 2)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつポ
    リマ性材料との反応生成物、および前記の反応生成物と
    コンプレツクスを形成した金属からなる、無電解メッキ
    浴からその上に活性金属をメッキするのに適した基質。 3)β−ジケトンとこのジケトンに反応する基をもつポ
    リマ性材料との反応生成物からなる基質を準備し; 活性金属をこの反応生成物とコンプレックス化し; このコンプレツクス化した金属を活性化し;そして この上に金属をメッキするために無電解金属メッキ浴と
    前記基質とを接触させる ことからなる無電解メッキ浴から誘電性基体にメッキを
    する方法。 4)有機溶剤中のβ−ジケトンとポリマとの混合物を準
    備し; この混合物を触媒量の塩基の存在下に約100℃〜20
    0℃の温度に加熱することからなるβ−ジケトンに反応
    する基をもつポリマとβ−ジケトンとの反応方法。
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