JPH0645668B2 - 誘電性基体をメッキする方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 51
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 38
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WRIRWRKPLXCTFD-UHFFFAOYSA-N malonamide Chemical compound NC(=O)CC(N)=O WRIRWRKPLXCTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 12
- -1 4-epoxy-6-methyl-cyclohexylmethyl Chemical group 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 7
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 7
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 7
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 6
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 5
- GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) nitrate Chemical compound [Pd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical class OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVLNPXCISNPHLE-UHFFFAOYSA-N 2-[(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=CC=C1O LVLNPXCISNPHLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URFNSYWAGGETFK-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Dihydroxybibenzyl Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CCC1=CC=C(O)C=C1 URFNSYWAGGETFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 2
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Bisphenol F Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1O MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOBNLCPBAMKACS-UHFFFAOYSA-N 2-(1-chloroethyl)oxirane Chemical compound CC(Cl)C1CO1 MOBNLCPBAMKACS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKWKILGNDJEIOC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chloroethyl)oxirane Chemical compound ClCCC1CO1 NKWKILGNDJEIOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUWAJPZDCZDTJS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical class OC1=CC=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1O QUWAJPZDCZDTJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWUMAFCRRBXNMN-UHFFFAOYSA-N 2-(bromomethyl)-3-butan-2-yloxirane Chemical compound CCC(C)C1OC1CBr CWUMAFCRRBXNMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKYCAAULXGRNFC-UHFFFAOYSA-N 2-(bromomethyl)-3-ethyloxirane Chemical compound CCC1OC1CBr LKYCAAULXGRNFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOBYTHHZLJPOLW-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)-2-ethyloxirane Chemical compound CCC1(CCl)CO1 JOBYTHHZLJPOLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPDKUVPXPYCAOC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)-2-methyl-3-pentyloxirane Chemical compound CCCCCC1OC1(C)CCl JPDKUVPXPYCAOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVHFXJOCUKBZFS-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)-2-methyloxirane Chemical compound ClCC1(C)CO1 VVHFXJOCUKBZFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMTOSBCMFDNOIY-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)-3-methyloxirane Chemical compound CC1OC1CCl MMTOSBCMFDNOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHAIVJAXSTXMFQ-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)-3-pentyloxirane Chemical compound CCCCCC1OC1CCl OHAIVJAXSTXMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVNFUVHTTAGFJM-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-4-(3-bromo-4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=C(Br)C(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C(Br)=C1 AVNFUVHTTAGFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMVRBNZMOQKAPI-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-(3-chloro-4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=C(Cl)C(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C(Cl)=C1 GMVRBNZMOQKAPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCJPEZMFAKOJPM-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-3-methyloxirane Chemical compound CCC1OC1C BCJPEZMFAKOJPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFIUGIUVIMSJBF-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-(3-fluoro-4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=C(F)C(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C(F)=C1 VFIUGIUVIMSJBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIISOYLZJJYTHT-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-pyrazol-5-one Chemical compound CN1C=CC(O)=N1 WIISOYLZJJYTHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGQJPAQXCYUEKB-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutane-1,4-diamine Chemical compound NCC(C)CCN GGQJPAQXCYUEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine Chemical compound C1=C(N)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N)=CC=2)=C1 JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXUXYPWWGVREPA-UHFFFAOYSA-N 3-(2-bromoethyl)-2,2-dimethyloxirane Chemical compound CC1(C)OC1CCBr TXUXYPWWGVREPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGFCKPWPXHKFPU-UHFFFAOYSA-N 3-chloro-4-[1-(2-chloro-4-hydroxyphenyl)ethyl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=C(Cl)C=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1Cl CGFCKPWPXHKFPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTZQJVGOFCCDQA-UHFFFAOYSA-N 3-methylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCCC(C)CCCN LTZQJVGOFCCDQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJBDGYMLLCHIMB-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxy-3-propan-2-ylphenoxy)-2-propan-2-ylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C(C)C)=CC(OC=2C=C(C(O)=CC=2)C(C)C)=C1 XJBDGYMLLCHIMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAXZAKSZTJVNIS-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxynaphthalen-1-yl)oxynaphthalen-1-ol Chemical compound C12=CC=CC=C2C(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C2=CC=CC=C12 HAXZAKSZTJVNIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACEMPBSQAVZNEJ-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-3-methoxy-2,6-dimethylphenyl)methyl]-2-methoxy-3,5-dimethylphenol Chemical compound C1=C(O)C(OC)=C(C)C(CC=2C(=C(OC)C(O)=CC=2C)C)=C1C ACEMPBSQAVZNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSSGMIIGVQRGDS-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxyphenyl)-phenylmethyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=CC=C1 RSSGMIIGVQRGDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOGDFDWINXIWHI-OWOJBTEDSA-N 4-[(e)-2-(4-aminophenyl)ethenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1\C=C\C1=CC=C(N)C=C1 KOGDFDWINXIWHI-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- XDGXPHFWSPGAIB-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxy-3-methylphenyl)ethyl]-2-methylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(C)=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C(C)=C1 XDGXPHFWSPGAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOSMKKVQJQCDJT-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)ethenyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C=CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IOSMKKVQJQCDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSLMQQIYBKKFDX-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-2-propan-2-ylphenyl)pentan-2-yl]-3-propan-2-ylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C=C(C(C)C)C=1C(C)(CCC)C1=CC=C(O)C=C1C(C)C OSLMQQIYBKKFDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKTRENAPTCBBFA-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3-phenylphenyl)propan-2-yl]-2-phenylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(C=2C=CC=CC=2)=CC=1C(C)(C)C(C=1)=CC=C(O)C=1C1=CC=CC=C1 BKTRENAPTCBBFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJWIRZQYWANBMP-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3-propan-2-ylphenyl)propan-2-yl]-2-propan-2-ylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C(C)C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C(O)=CC=2)C(C)C)=C1 IJWIRZQYWANBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZXOXJAAKGCFNH-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxyphenyl)-1,2-diphenylpropyl]phenol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C)C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZZXOXJAAKGCFNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHQYAMKBTLODDV-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxyphenyl)heptan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(CCCCC)C1=CC=C(O)C=C1 XHQYAMKBTLODDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYSAZKXCCTWCFI-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-hydroxy-3-methylphenyl)propyl]-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(CCCC=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 TYSAZKXCCTWCFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRFCYJSCXJNNSS-UHFFFAOYSA-N 4-[4-hydroxy-3-(2-methylpropyl)phenoxy]-2-(2-methylpropyl)phenol Chemical compound C1=C(O)C(CC(C)C)=CC(OC=2C=C(CC(C)C)C(O)=CC=2)=C1 DRFCYJSCXJNNSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZYGDZRBLOLVDY-UHFFFAOYSA-N 4-[cyclohexyl-(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1CCCCC1 YZYGDZRBLOLVDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YIROYDNZEPTFOL-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethylhydantoin Chemical compound CC1(C)NC(=O)NC1=O YIROYDNZEPTFOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L Copper gluconate Chemical class [Cu+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- JTPLPDIKCDKODU-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-aminoethylamino)ethanol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.NCCNCCO JTPLPDIKCDKODU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IENXJNLJEDMNTE-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethane-1,2-diamine Chemical class CC(O)=O.NCCN IENXJNLJEDMNTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- ICAIHGOJRDCMHE-UHFFFAOYSA-O ammonium cyanide Chemical compound [NH4+].N#[C-] ICAIHGOJRDCMHE-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- MRSWDOKCESOYBI-UHFFFAOYSA-N anthracene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C=C(C(C(=O)O)=C3)C(O)=O)C3=CC2=C1 MRSWDOKCESOYBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXOSWMZHKZFJHD-UHFFFAOYSA-N anthracene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC3=CC(N)=CC=C3C=C21 UXOSWMZHKZFJHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical group OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJROYUJAFGZMJA-UHFFFAOYSA-N boron;morpholine Chemical compound [B].C1COCCN1 YJROYUJAFGZMJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTQYEZDTWTZXPF-UHFFFAOYSA-N boron;propan-2-amine Chemical compound [B].CC(C)N ZTQYEZDTWTZXPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- BRLADKGEVNCVDU-UHFFFAOYSA-N chrysene-2,3,8,9-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C3=CC=C4C=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=CC4=C3C=CC2=C1 BRLADKGEVNCVDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- NRNXYXZQPOAKPL-UHFFFAOYSA-N coronene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=C2C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C3=CC=C(C=C4)C5=C3C2=C2C3=C5C4=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1 NRNXYXZQPOAKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQWRZCZEOLZBQF-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,3-diamine Chemical compound NC1CCC(N)C1 ZQWRZCZEOLZBQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000000457 gamma-lactone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011968 lewis acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- NNYHMCFMPHPHOQ-UHFFFAOYSA-N mellitic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C2=C1C(C(OC1=O)=O)=C1C1=C2C(=O)OC1=O NNYHMCFMPHPHOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- KFIGICHILYTCJF-UHFFFAOYSA-N n'-methylethane-1,2-diamine Chemical compound CNCCN KFIGICHILYTCJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJPGEOGGZHPOMJ-UHFFFAOYSA-N n'-propylhexane-1,6-diamine Chemical compound CCCNCCCCCCN GJPGEOGGZHPOMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKXSNWGPLBAAJQ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,3-diamine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N)=CC(N)=C21 PKXSNWGPLBAAJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1N KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1C(O)=O UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- IGALFTFNPPBUDN-UHFFFAOYSA-N phenyl-[2,3,4,5-tetrakis(oxiran-2-ylmethyl)phenyl]methanediamine Chemical compound C=1C(CC2OC2)=C(CC2OC2)C(CC2OC2)=C(CC2OC2)C=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 IGALFTFNPPBUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- SXYFKXOFMCIXQW-UHFFFAOYSA-N propanedioyl dichloride Chemical compound ClC(=O)CC(Cl)=O SXYFKXOFMCIXQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBRXEQANWZYDAX-UHFFFAOYSA-N triphenylene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC2=C(C=C(C(C(=O)O)=C3)C(O)=O)C3=C(C=CC=C3)C3=C21 XBRXEQANWZYDAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はβ−ジケトン、例えばマロンアミドの反応生成
物に関し、特に金属とコンプレツクスを形成することの
できる反応生成物に関する。本発明は無電解メツキ浴か
ら、金属をその上にメツキするのに適した面を与えるよ
うに、活性化することのできる反応生成物に特に関連す
るものである。
物に関し、特に金属とコンプレツクスを形成することの
できる反応生成物に関する。本発明は無電解メツキ浴か
ら、金属をその上にメツキするのに適した面を与えるよ
うに、活性化することのできる反応生成物に特に関連す
るものである。
印刷回路カードおよび回路板の製作に際しては、非電導
性の材料が基板として使用されている。電導性の回路パ
ターンは基板の大部分の片面または両面に設けられてい
る。
性の材料が基板として使用されている。電導性の回路パ
ターンは基板の大部分の片面または両面に設けられてい
る。
電導性パターンは様々な既知技術を用いて基板の表面上
に作ることができる。これらの技術には銅のような電導
性金属の層が必要とする回路パターンの形にエツチされ
る除去法、銅のような電導性金属が必要とするパターン
状に基板表面に直接無電解メツキ浴からメツキされるED
B法(無電解直接法)、および必要な回路パターンがは
ぎ取り銅のような「はぎ取り金属」といわれているうす
い層から被覆されるはぎ取り法などが含まれる。
に作ることができる。これらの技術には銅のような電導
性金属の層が必要とする回路パターンの形にエツチされ
る除去法、銅のような電導性金属が必要とするパターン
状に基板表面に直接無電解メツキ浴からメツキされるED
B法(無電解直接法)、および必要な回路パターンがは
ぎ取り銅のような「はぎ取り金属」といわれているうす
い層から被覆されるはぎ取り法などが含まれる。
これらの方法のいずれにおいても、層間の接続はメツキ
された貫通孔によつて行われる。このような孔のメツキ
に際して、銅のような金属は非電導性の基板上に(孔の
壁上)直接メツキしなければならない。さらに、もしED
B法を用いるときには、基板の表面上に直接にメツキを
しなければならない。
された貫通孔によつて行われる。このような孔のメツキ
に際して、銅のような金属は非電導性の基板上に(孔の
壁上)直接メツキしなければならない。さらに、もしED
B法を用いるときには、基板の表面上に直接にメツキを
しなければならない。
基板上にメツキをするために、基板の性質はEDB法には
不活性であるということから、基板はその上に金属を付
着させるのに先立つて種付けないしは触媒化をしなけれ
ばならない。
不活性であるということから、基板はその上に金属を付
着させるのに先立つて種付けないしは触媒化をしなけれ
ばならない。
基板を触媒化するためもつとも広く用いられている手順
は、塩化第1すずの感受性化溶液の使用、および金属パ
ラジウムの粒子層を形成させるための、塩化パラジウム
活性剤の使用である。誘電体基板を触媒化する方法の1
つが、シツプレイ氏の米国特許第3,011,920号中に用い
られており、これにはまずコロイド状金属の溶液で基板
を処理する感受性化、この感受性化された非電導性基板
から保護コロイドを除くための特定の溶剤処理の活性
化、およびこの感受性化された基板上に金属を無電解的
に、例えば銅塩と還元剤との溶液から銅を沈着させるの
に各工程が含まれている。
は、塩化第1すずの感受性化溶液の使用、および金属パ
ラジウムの粒子層を形成させるための、塩化パラジウム
活性剤の使用である。誘電体基板を触媒化する方法の1
つが、シツプレイ氏の米国特許第3,011,920号中に用い
られており、これにはまずコロイド状金属の溶液で基板
を処理する感受性化、この感受性化された非電導性基板
から保護コロイドを除くための特定の溶剤処理の活性
化、およびこの感受性化された基板上に金属を無電解的
に、例えば銅塩と還元剤との溶液から銅を沈着させるの
に各工程が含まれている。
より複雑な回路とさらに細かな配線とが多年に亘つて必
要とされているので、種付けまたは触媒化方法を改善す
ることについて努力が払われていた。しかしながら、そ
れを実施するために必要な方法が著しく面倒でなく、基
板に対する触媒の付着が良くかつ信頼性が高い触媒化方
法または種付けにはなお改良の余地が存在するのであ
る。
要とされているので、種付けまたは触媒化方法を改善す
ることについて努力が払われていた。しかしながら、そ
れを実施するために必要な方法が著しく面倒でなく、基
板に対する触媒の付着が良くかつ信頼性が高い触媒化方
法または種付けにはなお改良の余地が存在するのであ
る。
本発明は、無電解金属メツキ液からその上に金属がメツ
キされ得る基質を与えるような材料に、特に利用性が認
められる反応生成物に関するものである。特に、本発明
の反応生成物はβ−ジケトンと、マロンアミド中の官能
性アミド基のようなものと反応性の基をもつポリマ性材
料とβ−ジケトンとの生成物である。
キされ得る基質を与えるような材料に、特に利用性が認
められる反応生成物に関するものである。特に、本発明
の反応生成物はβ−ジケトンと、マロンアミド中の官能
性アミド基のようなものと反応性の基をもつポリマ性材
料とβ−ジケトンとの生成物である。
さらに、本発明はβ−ジケトンとこのジケトンに反応性
の基をもつポリマ性材料との反応生成物、およびこの反
応生成物とコンプレツクス化した金属とをもつものを含
む、無電解メツキ浴からその上に金属をメツキするのに
適した基質に関している。
の基をもつポリマ性材料との反応生成物、およびこの反
応生成物とコンプレツクス化した金属とをもつものを含
む、無電解メツキ浴からその上に金属をメツキするのに
適した基質に関している。
いま1つの見地において本発明は無電解メツキ浴から、
誘電体基板上に金属をメツキするための一方法に関する
ものである。この方法はβ−ジケトンとこのジケトンに
反応性の基をもつポリマ性材料との反応生成物からなる
ものを基板に付与するにある。
誘電体基板上に金属をメツキするための一方法に関する
ものである。この方法はβ−ジケトンとこのジケトンに
反応性の基をもつポリマ性材料との反応生成物からなる
ものを基板に付与するにある。
活性な金属は、電導性の金属である必要はないが、無電
解メツキに際し種として働くもので、反応生成物とコン
プレツクスを生成するものである。代表的なものはパラ
ジウムである。このコンプレツクス化した金属は活性化
され、この基質はその上に金属をメツキするため無電解
メツキ浴に接触させられる。
解メツキに際し種として働くもので、反応生成物とコン
プレツクスを生成するものである。代表的なものはパラ
ジウムである。このコンプレツクス化した金属は活性化
され、この基質はその上に金属をメツキするため無電解
メツキ浴に接触させられる。
本発明はβ−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をも
つポリマ性材料との反応生成物に関するものである。こ
の反応生成物は硬化しうるものであり、そして用いられ
ているβ−ジケトンのため金属イオンとコンプレツクス
化しうるものである。β−ジケトンの実例にはマロン
酸、マロニルクロライド、およびマロンアミドがある。
好ましいβ−ジケトンはマロンアミドである。
つポリマ性材料との反応生成物に関するものである。こ
の反応生成物は硬化しうるものであり、そして用いられ
ているβ−ジケトンのため金属イオンとコンプレツクス
化しうるものである。β−ジケトンの実例にはマロン
酸、マロニルクロライド、およびマロンアミドがある。
好ましいβ−ジケトンはマロンアミドである。
マロンアミドは分子の両端にアミド基をもつβ−ジケト
ンである。特に、マロンアミドは以下の構造式で表わす
ことができる: マロンアミドの場合、例えば2つのアミド基の間のメチ
レン連結基が、本発明の有効な作用の要点であると考え
られる。
ンである。特に、マロンアミドは以下の構造式で表わす
ことができる: マロンアミドの場合、例えば2つのアミド基の間のメチ
レン連結基が、本発明の有効な作用の要点であると考え
られる。
ポリマ性材料は好ましくは熱硬化性のポリマ材料であ
り、エポキシ系ポリマ、ポリイミド、およびポリアミド
が含まれる。
り、エポキシ系ポリマ、ポリイミド、およびポリアミド
が含まれる。
本発明により用いられる好ましいポリマ材料はエポキシ
樹脂である。代表的なエポキシ樹脂にはビスフエノール
−Aとエピクロヒドリンから得られたビスフエノール−
A型の樹脂、フエノールのようなフエノール性材料とホ
ルムアルデヒドのようなアルデヒドから作られたノボラ
ツク樹脂をエピクロヒドリンによつてエポキシ化して得
られる樹脂材料、テトラグリシジルジアミノジフエニル
メタンのような多官能性エポキシ樹脂、およびビス(3,
4−エポキシ−6−メチル−シクロヘキシルメチル)ア
ジペートのようなアリサイクリツクエポキシ樹脂が含ま
れる。使用されるもつとも好ましいエポキシはビスフエ
ノール−A型のものである。もちろんこの他の型のエポ
キシポリマを用いることができ、一般に多核ジヒドロキ
シフエノールをハロエポキシアルカンと反応させること
によつて得られたようなものも含まれる。
樹脂である。代表的なエポキシ樹脂にはビスフエノール
−Aとエピクロヒドリンから得られたビスフエノール−
A型の樹脂、フエノールのようなフエノール性材料とホ
ルムアルデヒドのようなアルデヒドから作られたノボラ
ツク樹脂をエピクロヒドリンによつてエポキシ化して得
られる樹脂材料、テトラグリシジルジアミノジフエニル
メタンのような多官能性エポキシ樹脂、およびビス(3,
4−エポキシ−6−メチル−シクロヘキシルメチル)ア
ジペートのようなアリサイクリツクエポキシ樹脂が含ま
れる。使用されるもつとも好ましいエポキシはビスフエ
ノール−A型のものである。もちろんこの他の型のエポ
キシポリマを用いることができ、一般に多核ジヒドロキ
シフエノールをハロエポキシアルカンと反応させること
によつて得られたようなものも含まれる。
多核ジヒドロキシフエノールの好適なものは以下の式を
もつことができる: ここでArはナフタレンおよびより普通にはフエニレンの
ような2価芳香族炭化水素であり、AとA1とは同一また
は異ることのできる1〜4個の炭素原子と一般に有する
アルキル基、例えばフツ素、塩素、臭素、およびヨウ素
などのハロゲン原子、または1〜4個の炭素原子を一般
に有するアルコキシ基、xとyとは0から最高は置換基
により置換しうる芳香族基(Ar)上の水素原子の数に相当
する値、そしてR′はジヒドロキシジフエニル中の隣接
する炭素原子間の結合であるか、または例えば -O-、-S-、-SO-、-SO2-および-S-S-を含む2価の基、およ
びアルキレン、アルキリデンのような2価の炭化水素
基、例えばシクロアルキレンおよびシクロアルキリデン
のような環状脂肪系の基、ハロゲン化され、アルコキシ
またはアリルオキシで置換されたアルキレン、アルキリ
デンおよび環状脂肪系の基、同様にアルクアリーレンお
よびハロゲン化され、アルキル、アルコキシ、またはア
リールオキシで置換された芳香族基を含む芳香族基、お
よびAr基に対し縮合した環などが含まれる;またはR′
はポリアルコキシ、またはポリシロキシ、または芳香族
環で分離された2個または数個のアルキリデン基、4級
アミノ基、エーテル結合、カルボニル基またはスルホオ
キサイドのようなイオウを含んだ基、その他であること
ができる。
もつことができる: ここでArはナフタレンおよびより普通にはフエニレンの
ような2価芳香族炭化水素であり、AとA1とは同一また
は異ることのできる1〜4個の炭素原子と一般に有する
アルキル基、例えばフツ素、塩素、臭素、およびヨウ素
などのハロゲン原子、または1〜4個の炭素原子を一般
に有するアルコキシ基、xとyとは0から最高は置換基
により置換しうる芳香族基(Ar)上の水素原子の数に相当
する値、そしてR′はジヒドロキシジフエニル中の隣接
する炭素原子間の結合であるか、または例えば -O-、-S-、-SO-、-SO2-および-S-S-を含む2価の基、およ
びアルキレン、アルキリデンのような2価の炭化水素
基、例えばシクロアルキレンおよびシクロアルキリデン
のような環状脂肪系の基、ハロゲン化され、アルコキシ
またはアリルオキシで置換されたアルキレン、アルキリ
デンおよび環状脂肪系の基、同様にアルクアリーレンお
よびハロゲン化され、アルキル、アルコキシ、またはア
リールオキシで置換された芳香族基を含む芳香族基、お
よびAr基に対し縮合した環などが含まれる;またはR′
はポリアルコキシ、またはポリシロキシ、または芳香族
環で分離された2個または数個のアルキリデン基、4級
アミノ基、エーテル結合、カルボニル基またはスルホオ
キサイドのようなイオウを含んだ基、その他であること
ができる。
特定のジヒドロキシ多核フエノールの例は、とりわけ2,
2−ビス−(4−ヒドロキシフエノール)プロパン、2,
4′−ジヒドロキシ−ジフエニルメタン、ビス−(2−
ヒドロキシフエニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ
フエニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,6−ジメ
チル−3−メトキシフエニル)メタン、1,1−ビス−
(4−ヒドロキシフエニル)エタン、1,2−ビス−(4
−ヒドロキシフエニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシ−2−クロロフエニル)エタン、1,1−ビス(3
−メチル−4−ヒドロキシフエニル)エタン、1,3−ビ
ス−(3−メチル−4−ヒドロキシフエニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−フエニル−4−ヒドロキシフエニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒ
ドロキシフエニル)プロパン、2,2−ビス(2−イソプ
ロピル−4−ヒドロキシフエニル)ペンタン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフエニル)ヘプタン、ビス−(4−
ヒドロキシフエニル)フエニルメタン、ビス−(4−ヒ
ドロキシフエニル)シクロヘキシルメタン、1,2−ビス
−(4−ヒドロキシフエニル)−1,2−ビス−(フエニ
ル)プロパンおよび2,2−ビス−(4−ヒドロキシフエ
ニル)−1−フエニル−プロパンのようなビス−(ヒド
ロキシフエニル)アルカン類;ビス(4−ヒドロキシフ
エニル)スルホン、2,4′−ジヒドロキシジフエニルス
ルホン、5′−クロロ−2,4′−ジヒドロキシジフエニ
ルスルホン、および5′−クロロ−4,4′−ジヒドロキ
シジフエニルスルホンのようなジ(ヒドロキシフエニ
ル)スルホン類;ビス−(4−ヒドロキシフエニル)エ
ーテル、4,3′−、4,2′−、2,2′−および2,3′−ジヒ
ドロキシジフエニルエーテル、4,4′−ジヒドロキシ−
2,6−ジメチルジフエニルエーテル、ビス−(4−ヒド
ロキシ−3−イソブチルフエニル)エーテル、ビス−
(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフエニル)エーテ
ル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−クロロフエニル)−
エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−フルオロフエ
ニル)エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−ブロモ
フエニル)エーテル、ビス−(4−ヒドロキシナフチ
ル)−エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−クロロ
ナフチル)−エーテル、ビス−(2−ヒドロキシジフエ
ニル)エーテル、4,4′−ジヒドロキシ−2,6−ジメトキ
シジフエニルエーテル、および4,4′−ジヒドロキシ−
2,5−ジエトキシジフエニルエーテルのようなジ(ヒド
ロキシフエニル)エーテル類などが含まれる。
2−ビス−(4−ヒドロキシフエノール)プロパン、2,
4′−ジヒドロキシ−ジフエニルメタン、ビス−(2−
ヒドロキシフエニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ
フエニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,6−ジメ
チル−3−メトキシフエニル)メタン、1,1−ビス−
(4−ヒドロキシフエニル)エタン、1,2−ビス−(4
−ヒドロキシフエニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシ−2−クロロフエニル)エタン、1,1−ビス(3
−メチル−4−ヒドロキシフエニル)エタン、1,3−ビ
ス−(3−メチル−4−ヒドロキシフエニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−フエニル−4−ヒドロキシフエニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒ
ドロキシフエニル)プロパン、2,2−ビス(2−イソプ
ロピル−4−ヒドロキシフエニル)ペンタン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフエニル)ヘプタン、ビス−(4−
ヒドロキシフエニル)フエニルメタン、ビス−(4−ヒ
ドロキシフエニル)シクロヘキシルメタン、1,2−ビス
−(4−ヒドロキシフエニル)−1,2−ビス−(フエニ
ル)プロパンおよび2,2−ビス−(4−ヒドロキシフエ
ニル)−1−フエニル−プロパンのようなビス−(ヒド
ロキシフエニル)アルカン類;ビス(4−ヒドロキシフ
エニル)スルホン、2,4′−ジヒドロキシジフエニルス
ルホン、5′−クロロ−2,4′−ジヒドロキシジフエニ
ルスルホン、および5′−クロロ−4,4′−ジヒドロキ
シジフエニルスルホンのようなジ(ヒドロキシフエニ
ル)スルホン類;ビス−(4−ヒドロキシフエニル)エ
ーテル、4,3′−、4,2′−、2,2′−および2,3′−ジヒ
ドロキシジフエニルエーテル、4,4′−ジヒドロキシ−
2,6−ジメチルジフエニルエーテル、ビス−(4−ヒド
ロキシ−3−イソブチルフエニル)エーテル、ビス−
(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフエニル)エーテ
ル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−クロロフエニル)−
エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−フルオロフエ
ニル)エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−ブロモ
フエニル)エーテル、ビス−(4−ヒドロキシナフチ
ル)−エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3−クロロ
ナフチル)−エーテル、ビス−(2−ヒドロキシジフエ
ニル)エーテル、4,4′−ジヒドロキシ−2,6−ジメトキ
シジフエニルエーテル、および4,4′−ジヒドロキシ−
2,5−ジエトキシジフエニルエーテルのようなジ(ヒド
ロキシフエニル)エーテル類などが含まれる。
好ましいジヒドロキシ多核フエノール類は以下の式によ
り表わされる: ここでAとA1とは前に定義した通りであり、xとyとは
0から4までの値を有し、そしてR1は2価の飽和脂肪族
炭化水素残基で、特に1〜3個の炭素原子をもつアルキ
レンとアルキリデン基、および10個までの炭素原子を
もつシクロアルキレン基である。もつとも好ましいジヒ
ドロキシフエノールはビスフエノール−A、即ち2,2−
ビス(p−ヒドロキシフエニル)プロパンである。
り表わされる: ここでAとA1とは前に定義した通りであり、xとyとは
0から4までの値を有し、そしてR1は2価の飽和脂肪族
炭化水素残基で、特に1〜3個の炭素原子をもつアルキ
レンとアルキリデン基、および10個までの炭素原子を
もつシクロアルキレン基である。もつとも好ましいジヒ
ドロキシフエノールはビスフエノール−A、即ち2,2−
ビス(p−ヒドロキシフエニル)プロパンである。
ハローエポキシアルカンは次の式で表わすことができ
る: ここでXはハロゲン原子(即ち塩素、臭素など)、pは
1〜8の整数、各R2はそれぞれ水素または7までの炭素
原子をもつアルキル基であり、エポキシ中のアルキル基
の炭素原子の数は合計で10を超えないものである。
る: ここでXはハロゲン原子(即ち塩素、臭素など)、pは
1〜8の整数、各R2はそれぞれ水素または7までの炭素
原子をもつアルキル基であり、エポキシ中のアルキル基
の炭素原子の数は合計で10を超えないものである。
エピクロヒドリンから導かれたような、グリシジルエー
テル類は特に好ましいものであるが、大きな数の炭素原
子のエポキシアルコキシ基を含むエポキシポリマもまた
好適なものである。これらは1−クロロ−2,3−エポキ
シブタン、1−クロロ−3,4−エポキシブタン、2−ク
ロロ−3,4−エポキシブタン、1−クロロ−2−メチル
−2,3−エポキシ−プロパン、1−ブロモ−2,3−エポキ
シ−ペンタン、2−クロロメチル−1,2−エポキシブタ
ン、1−ブロモ−4−メチル−3,4−エポキシペンタ
ン、1−ブロモ−4−エチル−2,3−エポキシペンタ
ン、4−クロロ−2−メチル、2,3−エポキシペンタ
ン、1−クロロ−2,3−エポキシオクタン、1−クロロ
−2−メチル−2,3−エポキシオクタン、または1−ク
ロロ−2,3−エポキシデカンなどで代表される、対応す
るモノヒドロキシエポキシアルカン類の塩化物または臭
化物でエピクロヒドリンを置換することにより製造され
る。
テル類は特に好ましいものであるが、大きな数の炭素原
子のエポキシアルコキシ基を含むエポキシポリマもまた
好適なものである。これらは1−クロロ−2,3−エポキ
シブタン、1−クロロ−3,4−エポキシブタン、2−ク
ロロ−3,4−エポキシブタン、1−クロロ−2−メチル
−2,3−エポキシ−プロパン、1−ブロモ−2,3−エポキ
シ−ペンタン、2−クロロメチル−1,2−エポキシブタ
ン、1−ブロモ−4−メチル−3,4−エポキシペンタ
ン、1−ブロモ−4−エチル−2,3−エポキシペンタ
ン、4−クロロ−2−メチル、2,3−エポキシペンタ
ン、1−クロロ−2,3−エポキシオクタン、1−クロロ
−2−メチル−2,3−エポキシオクタン、または1−ク
ロロ−2,3−エポキシデカンなどで代表される、対応す
るモノヒドロキシエポキシアルカン類の塩化物または臭
化物でエピクロヒドリンを置換することにより製造され
る。
使用されるポリイミド類は良く知られており市場で入手
できる。これらは或る場合にはポリアミド酸またはポリ
イミド/アミドポリマと呼ばれている。
できる。これらは或る場合にはポリアミド酸またはポリ
イミド/アミドポリマと呼ばれている。
イミド基は重合体鎖の酸基とアミド体の縮合により得ら
れる。かかるポリマは一般に少なくとも1つのジアミン
を少なくとも1つのポリカルボン酸と、および/または
その酸無水物と、および/またはそのエステルと反応さ
せることによつて作られる。種々のポリイミド/アミド
の提案が米国特許第2,710,853号;同第2,712,543号;同
第2,731,447号;同第2,880,230号;同第3,037,966号;
同第3,073,784号;同第3,073,785号;同第3,179,631
号;同第3,179,632号;同第3,179,633号;同第3,179,63
4号;同第3,179,635号および同第3,190,853号などの中
で見られ、これらの開示をここに参考例として挙げてお
く。使用される好ましいポリイミドポリマは芳香族ジア
ミンを、芳香族テトラカルボン酸無水物と反応させるこ
とにより得られたものである。
れる。かかるポリマは一般に少なくとも1つのジアミン
を少なくとも1つのポリカルボン酸と、および/または
その酸無水物と、および/またはそのエステルと反応さ
せることによつて作られる。種々のポリイミド/アミド
の提案が米国特許第2,710,853号;同第2,712,543号;同
第2,731,447号;同第2,880,230号;同第3,037,966号;
同第3,073,784号;同第3,073,785号;同第3,179,631
号;同第3,179,632号;同第3,179,633号;同第3,179,63
4号;同第3,179,635号および同第3,190,853号などの中
で見られ、これらの開示をここに参考例として挙げてお
く。使用される好ましいポリイミドポリマは芳香族ジア
ミンを、芳香族テトラカルボン酸無水物と反応させるこ
とにより得られたものである。
ポリイミドを作るのに際して用いられる無水物の例はピ
ロメリト酸ジ無水物;メリト酸無水物;トリメリト酸無
水物;2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸ジ無水
物;1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸ジ無水物;
3,3′,4,4′−ジフエニルテトラカルボン酸ジ無水物;
2,2′,3,3′−ジフエニルテトラカルボン酸ジ無水物;
3,3′,4,4′−ジフエニルメタンテトラカルボン酸ジ無
水物;ビス(3,4−カルボキシフエニル)エーテルジ無
水物;ビス(2,3−ジカルボキシフエニル)スルホンジ
無水物;3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン
酸ジ無水物;3,3′,4,4′−スチルベンテトラカルボン
酸ジ無水物;2,3,6,7−アンスラセンテトラカルボン酸
ジ無水物;1,2,7,8−フエナンスレンテトラカルボン酸
ジ無水物;2,3,6,7−ナフタセンテトラカルボン酸ジ無
水物;2,3,8,9−クリセンテトラカルボン酸ジ無水物;
2,3,6,7−トリフエニレンテトラカルボン酸ジ無水物;
ピレン−4,5,9,10−テトラカルボン酸ジ無水物;ペリレ
ン−3,4,9,10−テトラカルボン酸ジ無水物;およびコロ
ネン−1,2,7,8−テトラカルボン酸ジ無水物などであ
る。
ロメリト酸ジ無水物;メリト酸無水物;トリメリト酸無
水物;2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸ジ無水
物;1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸ジ無水物;
3,3′,4,4′−ジフエニルテトラカルボン酸ジ無水物;
2,2′,3,3′−ジフエニルテトラカルボン酸ジ無水物;
3,3′,4,4′−ジフエニルメタンテトラカルボン酸ジ無
水物;ビス(3,4−カルボキシフエニル)エーテルジ無
水物;ビス(2,3−ジカルボキシフエニル)スルホンジ
無水物;3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン
酸ジ無水物;3,3′,4,4′−スチルベンテトラカルボン
酸ジ無水物;2,3,6,7−アンスラセンテトラカルボン酸
ジ無水物;1,2,7,8−フエナンスレンテトラカルボン酸
ジ無水物;2,3,6,7−ナフタセンテトラカルボン酸ジ無
水物;2,3,8,9−クリセンテトラカルボン酸ジ無水物;
2,3,6,7−トリフエニレンテトラカルボン酸ジ無水物;
ピレン−4,5,9,10−テトラカルボン酸ジ無水物;ペリレ
ン−3,4,9,10−テトラカルボン酸ジ無水物;およびコロ
ネン−1,2,7,8−テトラカルボン酸ジ無水物などであ
る。
脂肪族有機ジアミンの例はエチレンジアミン;N−メチ
ルエチレンジアミン;トリメチレンジアミン;テトラメ
チレンジアミン;1,5−ジアミノペンタン;ヘキサメチ
レンジアミン;1,4−ジアミノシクロヘキサン;1,3−ジ
アミノシクロペンタン;1,3−ジアミノ−2−メチルプ
ロパン;1,6−ジアミノ−4−メチルヘキサン;1,4−ジ
アミノ−2−メチルブタン;1−(N−プロピルアミ
ノ)−6−アミノヘキサン;および1,3−ジアミノ−2
−フエニルプロパンなどである。
ルエチレンジアミン;トリメチレンジアミン;テトラメ
チレンジアミン;1,5−ジアミノペンタン;ヘキサメチ
レンジアミン;1,4−ジアミノシクロヘキサン;1,3−ジ
アミノシクロペンタン;1,3−ジアミノ−2−メチルプ
ロパン;1,6−ジアミノ−4−メチルヘキサン;1,4−ジ
アミノ−2−メチルブタン;1−(N−プロピルアミ
ノ)−6−アミノヘキサン;および1,3−ジアミノ−2
−フエニルプロパンなどである。
芳香−脂肪ジアミンの例はパラアミノフエニルメチルア
ミン、およびメタ−アミノフエニルメチルアミンであ
る。芳香族有機ジアミンの例は2,2−ジ(4−アミノフ
エニル)プロパン;4,4′−ジアミノジフエニルメタ
ン;ベンジジン;モノ−N−メチルベンジジン;3,3′
−ジクロロベンジジン;4,4′−ジアミノジフエニルサ
ルフアイド;3,3′−ジアミノジフエニルスルホン;4,
4′−ジアミノジフエニルスルホン;4,4′−ジアミノジ
フエニルエーテル;1,5−ジアミノナフタレン;メタ−
フエニレンジアミン;パラフエニレンジアミン;3,3′
−ジメチル−4,4′−ビフエニルジアミン;3,3′−ジメ
トキシベンジジン;1−イソプロピル−2,4−フエニレ
ンジアミン;3,5−ジアミノオルトキシレン;3,5−ジア
ミノジフエニル;1,3−ジアミノナフタレン;2,6−ジア
ミノアンスラセン;および4,4′−ジアミノスチルベン
などである。もつとも好ましい芳香族ジアミン類は4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル、4,4′−ジアミノジ
フエニルメタン、およびパラフエニレンジアミンなどで
ある。
ミン、およびメタ−アミノフエニルメチルアミンであ
る。芳香族有機ジアミンの例は2,2−ジ(4−アミノフ
エニル)プロパン;4,4′−ジアミノジフエニルメタ
ン;ベンジジン;モノ−N−メチルベンジジン;3,3′
−ジクロロベンジジン;4,4′−ジアミノジフエニルサ
ルフアイド;3,3′−ジアミノジフエニルスルホン;4,
4′−ジアミノジフエニルスルホン;4,4′−ジアミノジ
フエニルエーテル;1,5−ジアミノナフタレン;メタ−
フエニレンジアミン;パラフエニレンジアミン;3,3′
−ジメチル−4,4′−ビフエニルジアミン;3,3′−ジメ
トキシベンジジン;1−イソプロピル−2,4−フエニレ
ンジアミン;3,5−ジアミノオルトキシレン;3,5−ジア
ミノジフエニル;1,3−ジアミノナフタレン;2,6−ジア
ミノアンスラセン;および4,4′−ジアミノスチルベン
などである。もつとも好ましい芳香族ジアミン類は4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル、4,4′−ジアミノジ
フエニルメタン、およびパラフエニレンジアミンなどで
ある。
ポリアミド類は良く知られておりまた市場で入手でき
る。これらはポリマチエンの構成部分としてくり返しの
アミド基(CONH)を含む縮合生成物である。このポリアミ
ドは、例えばジアミンと2塩基酸の縮合から作ることが
できる。
る。これらはポリマチエンの構成部分としてくり返しの
アミド基(CONH)を含む縮合生成物である。このポリアミ
ドは、例えばジアミンと2塩基酸の縮合から作ることが
できる。
β−ジケトンとポリマ性材料との相対的な量は、通常ポ
リマ性材料の反応性の基の少なくとも0.1%から約80
%までが、好ましくは約5%〜約60%が反応されるよ
うな量である。
リマ性材料の反応性の基の少なくとも0.1%から約80
%までが、好ましくは約5%〜約60%が反応されるよ
うな量である。
本発明の好ましい見地において、β−ジケトンは完全に
反応すべきであつて、組成物中に遊離のβ−ジケトンが
あつてはならない。
反応すべきであつて、組成物中に遊離のβ−ジケトンが
あつてはならない。
ポリマ性材料とβ−ジケトン間の反応は、通常有機溶剤
中で行われ、温度は約100℃から約200℃の間、代
表的には約150℃である。反応は普通約0.5〜5時間
で完了し、代表的には約2〜2.5時間である。
中で行われ、温度は約100℃から約200℃の間、代
表的には約150℃である。反応は普通約0.5〜5時間
で完了し、代表的には約2〜2.5時間である。
溶剤にはジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホオキサイド、および1−メチル−2
−ピロリジノンなどが含まれる。使用する溶剤の量は、
β−ジケトンとポリマ性材料との合計量を基準として、
通常約30%から約70%の間である。
ド、ジメチルスルホオキサイド、および1−メチル−2
−ピロリジノンなどが含まれる。使用する溶剤の量は、
β−ジケトンとポリマ性材料との合計量を基準として、
通常約30%から約70%の間である。
反応は触媒として作用する無機塩基の存在下に好ましく
行われる。代表的な物質には水酸化ナトリウムと水酸化
カリウムとが含まれる。
行われる。代表的な物質には水酸化ナトリウムと水酸化
カリウムとが含まれる。
ポリマ性材料は急速な架橋結合をさけるために、β−ジ
ケトンのすべてと反応するのに必要な量の少なくとも約
2倍の量となるように、大過剰で存在させねばならな
い。
ケトンのすべてと反応するのに必要な量の少なくとも約
2倍の量となるように、大過剰で存在させねばならな
い。
反応生成物は、無電解メツキ浴からその上に金属をメツ
キするための面として反応生成物が役立つことができる
ように、金属イオンとのコンプレツクスを形成させるた
めに、金属イオンを含む組成物と接触さすことができ
る。好ましい金属はパラジウム、白金、ルテニウム、ニ
ツケル、および銅のようなものである。
キするための面として反応生成物が役立つことができる
ように、金属イオンとのコンプレツクスを形成させるた
めに、金属イオンを含む組成物と接触さすことができ
る。好ましい金属はパラジウム、白金、ルテニウム、ニ
ツケル、および銅のようなものである。
一般に、金属の量は反応生成物中のβ−ジケトンからの
メチレン連結基をもとにして約0.1〜約20重量%、好
ましくは約1〜約10重量%である。金属イオンとのコ
ンプレツクス化はトリメチルアミンまたはトリエチルア
ミンのような第3アミン;および水酸化カリウムおよび
水酸化ナトリウムのような無機塩基などのような塩基性
触媒の存在下に達成される。
メチレン連結基をもとにして約0.1〜約20重量%、好
ましくは約1〜約10重量%である。金属イオンとのコ
ンプレツクス化はトリメチルアミンまたはトリエチルア
ミンのような第3アミン;および水酸化カリウムおよび
水酸化ナトリウムのような無機塩基などのような塩基性
触媒の存在下に達成される。
金属との反応は普通ほぼ室温から約100℃の温度、好
ましくはほぼ室温で行われる。この反応は通常0.5分か
ら約2時間、好ましくは1分から約1時間で完了する。
反応は通常1−メチル−2−プロリドンのような有機溶
剤中で行われる。
ましくはほぼ室温で行われる。この反応は通常0.5分か
ら約2時間、好ましくは1分から約1時間で完了する。
反応は通常1−メチル−2−プロリドンのような有機溶
剤中で行われる。
金属イオンとコンプレツクス化した反応生成物が、無電
解メツキ浴からその上に金属をメツキするために基板中
で用いられるとき、この基板はそれのみで用いることも
できるし、あるいはこのような目的のために普通用いら
れているエポキシ、ポリアミド、およびポリイミドなど
を含むこの他の誘電性材料と混合して用いることもでき
る。
解メツキ浴からその上に金属をメツキするために基板中
で用いられるとき、この基板はそれのみで用いることも
できるし、あるいはこのような目的のために普通用いら
れているエポキシ、ポリアミド、およびポリイミドなど
を含むこの他の誘電性材料と混合して用いることもでき
る。
組成物は充填材および/またはガラス繊維のような補強
材を含むポリマの成型製品とすることができる。この
他、良く知られているような促進剤と硬化剤とを加える
のが望ましい。例えば、エポキシ組成物のための適当な
硬化剤にはポリアミン類;第1、第2、および第3アミ
ン類;ポリアミド類;ポリスルホン類;尿素−フエノー
ル−ホルムアルデヒド;および酸類またはその無水物な
どが含まれる。また、適当な硬化剤にはBF3およびその
コンプレツクスのようなルイス酸触媒が含まれる。
材を含むポリマの成型製品とすることができる。この
他、良く知られているような促進剤と硬化剤とを加える
のが望ましい。例えば、エポキシ組成物のための適当な
硬化剤にはポリアミン類;第1、第2、および第3アミ
ン類;ポリアミド類;ポリスルホン類;尿素−フエノー
ル−ホルムアルデヒド;および酸類またはその無水物な
どが含まれる。また、適当な硬化剤にはBF3およびその
コンプレツクスのようなルイス酸触媒が含まれる。
通常基板は充填材および/またはガラス繊維のような補
強材を含んでいる。このような繊維を含む組成物は、普
通ポリマ組成物を繊維にしみこますことによつて作られ
る。繊維と結合させたときのポリマ組成物の量は、通常
繊維とポリマ組成物の固体の全量の約30〜約70重量
%、そしてさらに一般的には約55〜約65重量%であ
る。
強材を含んでいる。このような繊維を含む組成物は、普
通ポリマ組成物を繊維にしみこますことによつて作られ
る。繊維と結合させたときのポリマ組成物の量は、通常
繊維とポリマ組成物の固体の全量の約30〜約70重量
%、そしてさらに一般的には約55〜約65重量%であ
る。
補強用繊維と組合せた後に、組成物はB−段階までに硬
化されそして板のような所望の形状に成型される。板と
して用いられるとき、厚みは普通約1.5ミル(0.038mm)
〜約8ミル(0.20mm)で、さらに普通には約2ミル(0.
05mm)〜約3ミル(0.076mm)である。B−段階の硬化
は普通約80°〜約110℃の温度を用いて、約3〜約
10分の時間で達成される。
化されそして板のような所望の形状に成型される。板と
して用いられるとき、厚みは普通約1.5ミル(0.038mm)
〜約8ミル(0.20mm)で、さらに普通には約2ミル(0.
05mm)〜約3ミル(0.076mm)である。B−段階の硬化
は普通約80°〜約110℃の温度を用いて、約3〜約
10分の時間で達成される。
この基板は一般に行われているように別の支持用基板上
にラミネートすることもできる。この基板の接着は、何
枚かの基板シートをプレシーテツドラミネートプレス中
で、所定の温度と圧力で、例えば約180℃において約
200〜約500psi(14.06〜35.15Kg/cm2)さらに普
通は約250〜約300psi(17.58〜21.09Kg/cm2)の
圧力でプレスして行うことができる。このプレス工程の
時間は、使用された材料と付与する圧力とにより変化す
る。前記の条件では約1時間が適当である。
にラミネートすることもできる。この基板の接着は、何
枚かの基板シートをプレシーテツドラミネートプレス中
で、所定の温度と圧力で、例えば約180℃において約
200〜約500psi(14.06〜35.15Kg/cm2)さらに普
通は約250〜約300psi(17.58〜21.09Kg/cm2)の
圧力でプレスして行うことができる。このプレス工程の
時間は、使用された材料と付与する圧力とにより変化す
る。前記の条件では約1時間が適当である。
その上に引続きメツキをするため金属を活性化するのに
先立つて、基板中の必要とされる貫通孔は適切に清浄化
され、そしてもし必要ならば従来されていたように、前
処理された貫通孔を誘電体中に作ることができる。
先立つて、基板中の必要とされる貫通孔は適切に清浄化
され、そしてもし必要ならば従来されていたように、前
処理された貫通孔を誘電体中に作ることができる。
反応生成物はコンプレツクス化された金属イオンを、酸
素プラズマ処理によるなどで金属の触媒粒子に転換する
ことで、特定の区域を活性とすることができる。この活
性化は酸素を含む気体と、ポリマ表面をエツチングする
のに適したフツ素化合物とのガス状プラズマを用いて行
うことができる。使用される好ましい酸素含有気体は酸
素自体である。適当なフツ素化合物にはCF4、C2F6、CFC
l3、CF3Cl、SF6、CCl2F2、およびNF3などが含まれ、もつと
も好ましいフツ素化合物はCF4である。フツ素化合物中
の酸素含有気体の相対的な量は、用いられた特定のフツ
素化合物と誘電体基板材料とに依存している。しかしな
がら、この量は種々の供給ガス組成の関数として、最高
エツチ速度を単に測定することにより、余計な実験をす
ることなく容易に決定できる。例えば、フツ素化合物と
してCF4ではO2対CF4のモル比は60〜90:40〜10
が適当である。この活性化工程は普通約1分〜約40
分、そしてさらに普通は約10分〜約25分以内で完了
し、一般にはほぼ室温から反応生成物の分解温度以下の
温度の間で行われる。ガスの滞留時間は普通約1秒〜約
5分、さらに普通は約1秒〜約1分である。
素プラズマ処理によるなどで金属の触媒粒子に転換する
ことで、特定の区域を活性とすることができる。この活
性化は酸素を含む気体と、ポリマ表面をエツチングする
のに適したフツ素化合物とのガス状プラズマを用いて行
うことができる。使用される好ましい酸素含有気体は酸
素自体である。適当なフツ素化合物にはCF4、C2F6、CFC
l3、CF3Cl、SF6、CCl2F2、およびNF3などが含まれ、もつと
も好ましいフツ素化合物はCF4である。フツ素化合物中
の酸素含有気体の相対的な量は、用いられた特定のフツ
素化合物と誘電体基板材料とに依存している。しかしな
がら、この量は種々の供給ガス組成の関数として、最高
エツチ速度を単に測定することにより、余計な実験をす
ることなく容易に決定できる。例えば、フツ素化合物と
してCF4ではO2対CF4のモル比は60〜90:40〜10
が適当である。この活性化工程は普通約1分〜約40
分、そしてさらに普通は約10分〜約25分以内で完了
し、一般にはほぼ室温から反応生成物の分解温度以下の
温度の間で行われる。ガスの滞留時間は普通約1秒〜約
5分、さらに普通は約1秒〜約1分である。
使用される圧力は一般に約100ミリトル〜約500ミ
リトルである。代表的な出力レベルは、処理される基板
の1つの主要面の1cm2当り約0.05〜約2ワツトであ
る。
リトルである。代表的な出力レベルは、処理される基板
の1つの主要面の1cm2当り約0.05〜約2ワツトであ
る。
この活性化工程を行うのに適したプラズマリアクタは市
販されており、ここで詳述する必要はない。代表的な市
販のプラズマリアクタの適当なものはブランソンIPC−
パラレスプレートリアクタ74−15型;コサイ社から得ら
れるイン−ラインプラズマシステム、アプライドプラズ
マシステムズ、プラズマリアクタズ;およびテクニクス
のプラズマリアクタなどである。
販されており、ここで詳述する必要はない。代表的な市
販のプラズマリアクタの適当なものはブランソンIPC−
パラレスプレートリアクタ74−15型;コサイ社から得ら
れるイン−ラインプラズマシステム、アプライドプラズ
マシステムズ、プラズマリアクタズ;およびテクニクス
のプラズマリアクタなどである。
活性化が行われた後、基板は活性化された基板の区域を
メツキするために、無電解メツキ浴からその上に電導性
金属をメツキする用意が整つたことになる。適当な金属
はニツケル、金、および好ましくは銅である。好ましい
無電解銅メツキ浴とその使用法は、米国特許第3,844,79
9号および同第4,152,467号中に述べられており、この説
明をここに参考例として挙げておく。
メツキするために、無電解メツキ浴からその上に電導性
金属をメツキする用意が整つたことになる。適当な金属
はニツケル、金、および好ましくは銅である。好ましい
無電解銅メツキ浴とその使用法は、米国特許第3,844,79
9号および同第4,152,467号中に述べられており、この説
明をここに参考例として挙げておく。
無電解銅メツキ浴は一般に銅イオンの供給源、還元剤、
銅イオンのための錯化剤、およびpH調整剤などを含んだ
水性組成物である。メツキ浴はまた通常シアンイオン源
と表面活性剤とを含んでいる。
銅イオンのための錯化剤、およびpH調整剤などを含んだ
水性組成物である。メツキ浴はまた通常シアンイオン源
と表面活性剤とを含んでいる。
一般に用いられる銅イオンの供給源は、硫酸銅または使
用された錯化剤の第2銅塩である。硫酸銅を使用すると
き、その分量は約3g/から約15g/が好まし
く、さらに好ましくは約8g/から約12g/の量
である。使用されるもつとも普通の還元剤はホルムアル
デヒドであり、その好ましい様式では約0.7g/から
約7g/、さらに通常は約0.7g/から約2.2g/
の分量で用いられる。この他の適当な還元剤の例にはパ
ラホルムアルデヒド、トリオキザン、ジメチルヒダント
インおよびグリオキザールのようなホルムアルデヒドの
前駆体または誘導体;アルカリ金属ボロハイドライド
(ナトリウムまたはカリウムボロハイドライド)のよう
なボロハイドライド類、およびアミンボラン(イソプロ
ピルアミンボランおよびモルホリンボラン)のようなボ
ラン類が含まれる。ハイポフオスフアイト還元剤も、無
電解NiおよびCuメツキ浴の両方に用いることができる。
用された錯化剤の第2銅塩である。硫酸銅を使用すると
き、その分量は約3g/から約15g/が好まし
く、さらに好ましくは約8g/から約12g/の量
である。使用されるもつとも普通の還元剤はホルムアル
デヒドであり、その好ましい様式では約0.7g/から
約7g/、さらに通常は約0.7g/から約2.2g/
の分量で用いられる。この他の適当な還元剤の例にはパ
ラホルムアルデヒド、トリオキザン、ジメチルヒダント
インおよびグリオキザールのようなホルムアルデヒドの
前駆体または誘導体;アルカリ金属ボロハイドライド
(ナトリウムまたはカリウムボロハイドライド)のよう
なボロハイドライド類、およびアミンボラン(イソプロ
ピルアミンボランおよびモルホリンボラン)のようなボ
ラン類が含まれる。ハイポフオスフアイト還元剤も、無
電解NiおよびCuメツキ浴の両方に用いることができる。
適当な錯化剤の例にはロツシエル塩、エチレンジアミン
テトラ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸のモノ−、ジ
−、トリ−およびテトラナトリウム塩、ニトリロテトラ
酢酸およびそのアルカリ塩、グルコン酸、グルコン酸
塩、トリエタノールアミン、グルコノ(γ−ラクト
ン)、N−ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸
塩のような変成されたエチレンジアミン酢酸塩などが含
まれる。この他に多数のその他の銅錯化剤が米国特許第
2,996,408号;同第3,075,855号;同第3,075,856号;お
よび同第2,938,805号中で提案されている。錯化剤の分
量は溶液中に存在する第2銅イオンの量に関連し、一般
に約20g/から約50g/の量または3〜4モル
倍過剰量である。
テトラ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸のモノ−、ジ
−、トリ−およびテトラナトリウム塩、ニトリロテトラ
酢酸およびそのアルカリ塩、グルコン酸、グルコン酸
塩、トリエタノールアミン、グルコノ(γ−ラクト
ン)、N−ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸
塩のような変成されたエチレンジアミン酢酸塩などが含
まれる。この他に多数のその他の銅錯化剤が米国特許第
2,996,408号;同第3,075,855号;同第3,075,856号;お
よび同第2,938,805号中で提案されている。錯化剤の分
量は溶液中に存在する第2銅イオンの量に関連し、一般
に約20g/から約50g/の量または3〜4モル
倍過剰量である。
メツキ浴はまた塗布される面を湿らせるのを助ける表面
活性剤を含んでいる。良好な表面活性剤は、例えば「ガ
フアク(Gafac)RE-610」の商品名の下に入手しうる有
機リン酸エステルである。一般に、表面活性剤は約0.02
g/から0.3g/の分量で存在する。この他、浴のp
Hは一般に水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムのよ
うな塩基性化合物を、所望のpHが達成される分量加えら
れて調整される。浴のpHは通常11.6〜11.8の範囲であ
る。
活性剤を含んでいる。良好な表面活性剤は、例えば「ガ
フアク(Gafac)RE-610」の商品名の下に入手しうる有
機リン酸エステルである。一般に、表面活性剤は約0.02
g/から0.3g/の分量で存在する。この他、浴のp
Hは一般に水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムのよ
うな塩基性化合物を、所望のpHが達成される分量加えら
れて調整される。浴のpHは通常11.6〜11.8の範囲であ
る。
メツキ浴はまたシアン化物イオンを普通含んでおり、通
常は浴中のシアン化物濃度が0.0002〜0.0004モルの範囲
内とするために約10mg/〜約25mg/の量を含んでい
る。使用することのできるシアン化物の例はアルカリ金
属、アルカリ土類金属、およびアムモニウムのシアン化
物などである。またメツキ浴にはその他の小量の添加物
を含ますことができる。
常は浴中のシアン化物濃度が0.0002〜0.0004モルの範囲
内とするために約10mg/〜約25mg/の量を含んでい
る。使用することのできるシアン化物の例はアルカリ金
属、アルカリ土類金属、およびアムモニウムのシアン化
物などである。またメツキ浴にはその他の小量の添加物
を含ますことができる。
メツキ浴は普通1,060〜1,080の範囲の比重を有してい
る。また浴の温度は70℃と80℃の間、さらに普通は
70℃と75℃の間に維持される。好ましいシアン化物
濃度と好ましい温度とを関連させた説明については米国
特許第3,844,799号を参照されたい。
る。また浴の温度は70℃と80℃の間、さらに普通は
70℃と75℃の間に維持される。好ましいシアン化物
濃度と好ましい温度とを関連させた説明については米国
特許第3,844,799号を参照されたい。
浴の酸素含有量は、米国特許第4,152,467号中で論じら
れているように、約2ppmから約4ppm、さらに普通は約
2.5〜約3.5ppmの間に維持される。この酸素含有量は浴
中に酸素と不活性ガスとを注入することによつて調節で
きる。浴中へのガスの全体の流通量は、浴の1000ガロン
(3785.3)当り通常1SCFM(28.3/分)から約20S
CFM(56.6/分)、さらに普通は約3SCFM(84.9/
分)から約8SCFM(226.4/分)である。
れているように、約2ppmから約4ppm、さらに普通は約
2.5〜約3.5ppmの間に維持される。この酸素含有量は浴
中に酸素と不活性ガスとを注入することによつて調節で
きる。浴中へのガスの全体の流通量は、浴の1000ガロン
(3785.3)当り通常1SCFM(28.3/分)から約20S
CFM(56.6/分)、さらに普通は約3SCFM(84.9/
分)から約8SCFM(226.4/分)である。
本発明をさらに説明するために実施例を示すがこれらは
本発明を限定するものではない。
本発明を限定するものではない。
実施例1 500mの丸底2首フラスコ中のジメチルホルムアミド2
00mに、エピクロヒドリン−ビスフエノール−Aポリ
マ(シエル化学社のエポン828)約76gと、水酸化ナ
トリウム約1gとを溶解した。フラスコを攪拌しつつ約
150℃に加熱した。この液にマロンアミド約0.5gを加
え、溶解したときさらに0.5gを加えた。このようにし
て合計約5gまでのマロンアミドを、溶液に段階的に添
加した。この液を約150℃でさらに2時間保つた。過
剰のエポキシポリマ(約4倍)中にマロンアミドを段階
的に加えるのは、ポリマの急速な架橋化を確実にさける
ためである。反応生成物をはげしく攪拌しながら約1,00
0mの脱イオン水中に注加して、生成物の沈殿をつく
りこれを過して集めた。
00mに、エピクロヒドリン−ビスフエノール−Aポリ
マ(シエル化学社のエポン828)約76gと、水酸化ナ
トリウム約1gとを溶解した。フラスコを攪拌しつつ約
150℃に加熱した。この液にマロンアミド約0.5gを加
え、溶解したときさらに0.5gを加えた。このようにし
て合計約5gまでのマロンアミドを、溶液に段階的に添
加した。この液を約150℃でさらに2時間保つた。過
剰のエポキシポリマ(約4倍)中にマロンアミドを段階
的に加えるのは、ポリマの急速な架橋化を確実にさける
ためである。反応生成物をはげしく攪拌しながら約1,00
0mの脱イオン水中に注加して、生成物の沈殿をつく
りこれを過して集めた。
この集めた反応生成物の約10gを1−メチル−2−ピ
ラゾリドンの約10g中についで溶解した。別の容器中
で、硝酸パラジウムの約0.74gを1−メチル−2−ピラ
ゾリジノンの約15m中に溶解し、この硝酸パラジウ
ム液にトリエチルアミンの約0.8mを加えた。この硝
酸パラジウム液を、つぎによく攪拌しながらマロンアミ
ド−エポキシ反応生成物に添加した。約1時間攪拌後、
この種付けされたポリマを約1,000mの脱イオン水中
に、はげしく攪拌しながら注加して溶液から沈殿させ、
生成物を過して集めた。
ラゾリドンの約10g中についで溶解した。別の容器中
で、硝酸パラジウムの約0.74gを1−メチル−2−ピラ
ゾリジノンの約15m中に溶解し、この硝酸パラジウ
ム液にトリエチルアミンの約0.8mを加えた。この硝
酸パラジウム液を、つぎによく攪拌しながらマロンアミ
ド−エポキシ反応生成物に添加した。約1時間攪拌後、
この種付けされたポリマを約1,000mの脱イオン水中
に、はげしく攪拌しながら注加して溶液から沈殿させ、
生成物を過して集めた。
得られた生成物の1−メチル−2−ピロリジノン中の2
0%溶液が調製され、この液に等量のエポキシ、エポン
828(シエル化学社)を加え、エポキシ用の触媒を加
え、そして銅ホイル(sacrificial copper foil)の処理
される側に皮膜を被着(キヤスト)し、約100℃で部
分的に硬化させた。この銅ホイルは次に8層のエポキシ
−ガラス繊維プリプレグと共にラミネートされた。銅ホ
イルの塩化第1銅中でのエツチング後に、暗褐色のコン
ポジツトが得られた。
0%溶液が調製され、この液に等量のエポキシ、エポン
828(シエル化学社)を加え、エポキシ用の触媒を加
え、そして銅ホイル(sacrificial copper foil)の処理
される側に皮膜を被着(キヤスト)し、約100℃で部
分的に硬化させた。この銅ホイルは次に8層のエポキシ
−ガラス繊維プリプレグと共にラミネートされた。銅ホ
イルの塩化第1銅中でのエツチング後に、暗褐色のコン
ポジツトが得られた。
この表面はつぎに約10%のCF4を含む酸素−CF4プラズ
マにより、約250ミリトルの圧力の下でエツチングさ
れた。11インチ(27.9cm)の電極上に250ワツトのR
F出力を約10分間付与した。このコンポジツトはつぎ
に無電解銅メツキ浴中に入れた。無電解銅メツキ浴は一
般に銅イオン源、還元剤、銅イオンに対する錯化剤、お
よびpH調整剤を含む水性組成物である。メツキ浴はまた
一般にシアン化物イオンの供給源と表面活性剤とを含ん
でいる。銅は酸素−CF4プラズマで処理した区域にはメ
ツキされたが、基板のその他の区域上にはメツキされな
かつた。
マにより、約250ミリトルの圧力の下でエツチングさ
れた。11インチ(27.9cm)の電極上に250ワツトのR
F出力を約10分間付与した。このコンポジツトはつぎ
に無電解銅メツキ浴中に入れた。無電解銅メツキ浴は一
般に銅イオン源、還元剤、銅イオンに対する錯化剤、お
よびpH調整剤を含む水性組成物である。メツキ浴はまた
一般にシアン化物イオンの供給源と表面活性剤とを含ん
でいる。銅は酸素−CF4プラズマで処理した区域にはメ
ツキされたが、基板のその他の区域上にはメツキされな
かつた。
実施例2 2000mの2首フラスコ中のジメチルホルムアミド約10
00mに、エピクロヒドリン−ビスフエノール−Aポリ
マ(シエル化学社のエポン828)約380gと、水酸化ナト
リウム約2gとを溶解した。この液を攪拌しつつ約150
℃に加熱した。マロンアミドの約25gをこの液に0.5
gずつ6時間の期間に添加した。反応生成物は室温にま
で冷却し、そしてはげしく攪拌しながら約1,000mの
脱イオン水中に注加して、生成物の沈殿を作り過して
これを集めた。
00mに、エピクロヒドリン−ビスフエノール−Aポリ
マ(シエル化学社のエポン828)約380gと、水酸化ナト
リウム約2gとを溶解した。この液を攪拌しつつ約150
℃に加熱した。マロンアミドの約25gをこの液に0.5
gずつ6時間の期間に添加した。反応生成物は室温にま
で冷却し、そしてはげしく攪拌しながら約1,000mの
脱イオン水中に注加して、生成物の沈殿を作り過して
これを集めた。
この集めた反応生成物の約10gをつぎに1−メチル−
2−ピラゾリジノンの約10g中に溶解した。別の容器
中で、硝酸パラジウムの約710mgを1−メチル−2−ピ
ラゾリジノンの約25m中に溶解した。この硝酸パラ
ジウム溶液を、つぎによく攪拌しながらマロンアミド−
エポキシ反応生成物に加え、そしてトリエチルアミンの
約0.859mを加えた。約1時間攪拌した後、この種付
けされたポリマを約1,000mの脱イオン水中に、はげ
しく攪拌しながら注加して溶液から沈殿させ、生成物を
過により集めた。この生成物はエポン828出発材料と
反応生成物との混合物である。この生成物を水で充分に
洗浄し、100℃のオーブン中で一晩乾燥した。
2−ピラゾリジノンの約10g中に溶解した。別の容器
中で、硝酸パラジウムの約710mgを1−メチル−2−ピ
ラゾリジノンの約25m中に溶解した。この硝酸パラ
ジウム溶液を、つぎによく攪拌しながらマロンアミド−
エポキシ反応生成物に加え、そしてトリエチルアミンの
約0.859mを加えた。約1時間攪拌した後、この種付
けされたポリマを約1,000mの脱イオン水中に、はげ
しく攪拌しながら注加して溶液から沈殿させ、生成物を
過により集めた。この生成物はエポン828出発材料と
反応生成物との混合物である。この生成物を水で充分に
洗浄し、100℃のオーブン中で一晩乾燥した。
得られたこの生成物の1−メチル−2−ピロリジノン中
の20%溶液が調製され、この液に等量のエポキシ、エ
ポン828(シエル化学社)を加え、エポキシ用の触媒を
加え、そして銅ホイルの処理される側に皮膜を被着し、
約100℃で部分的に硬化させた。この銅ホイルは次に
8層のエポキシ−ガラス繊維プリプレグと共にラミネー
トされた。銅ホイルの塩化第1銅中でのエツチングの後
で、暗褐色のコンポジツトが得られた。
の20%溶液が調製され、この液に等量のエポキシ、エ
ポン828(シエル化学社)を加え、エポキシ用の触媒を
加え、そして銅ホイルの処理される側に皮膜を被着し、
約100℃で部分的に硬化させた。この銅ホイルは次に
8層のエポキシ−ガラス繊維プリプレグと共にラミネー
トされた。銅ホイルの塩化第1銅中でのエツチングの後
で、暗褐色のコンポジツトが得られた。
この表面はつぎに約10%のCF4を含む酸素−CF4プラズ
マにより、約250ミリトルの全圧力の下でエツチング
された。11インチ(27.9cm)の電極上に250ワツト
のRF出力を約10分間付与した。このコンポジツトはつ
ぎに無電解銅メツキ浴中に入れた。無電解銅メツキ浴は
一般に銅イオン源、還元剤、銅イオンに対する錯化剤、
およびpH調整剤を含む水性組成物である。メツキ浴はま
た一般にシアン化物イオンの供給源と表面活性剤とを含
んでいる。銅は酸素−CF4プラズマで処理した区域には
メツキされたが、基板のその他の区域にはメツキされな
かつた。
マにより、約250ミリトルの全圧力の下でエツチング
された。11インチ(27.9cm)の電極上に250ワツト
のRF出力を約10分間付与した。このコンポジツトはつ
ぎに無電解銅メツキ浴中に入れた。無電解銅メツキ浴は
一般に銅イオン源、還元剤、銅イオンに対する錯化剤、
およびpH調整剤を含む水性組成物である。メツキ浴はま
た一般にシアン化物イオンの供給源と表面活性剤とを含
んでいる。銅は酸素−CF4プラズマで処理した区域には
メツキされたが、基板のその他の区域にはメツキされな
かつた。
以上本発明を詳細に説明したが、本発明はさらに以下の
各項によつてこれを要約して示すことができる。
各項によつてこれを要約して示すことができる。
1)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつポリ
マ性材料との反応生成物。
マ性材料との反応生成物。
2)ポリマ性材料は熱硬化性ポリマである、前項1記載の
反応生成物。
反応生成物。
3)ポリマ性材料はエポキシ、ポリイミドおよびポリアミ
ドよりなる群から選ばれるものである、前項1記載の反
応生成物。
ドよりなる群から選ばれるものである、前項1記載の反
応生成物。
4)ポリマ性材料はエポキシである、前項1記載の反応生
成物。
成物。
5)エポキシはビスフエノール−A型のものである、前項
4記載の反応生成物。
4記載の反応生成物。
6)β−ジケトンは前記ポリマ性材料の反応性基の約0.1
%から約80%と反応するものである、前項1記載の反
応生成物。
%から約80%と反応するものである、前項1記載の反
応生成物。
7)ポリマ性材料はβ−ジケトンの全量と反応するのに必
要な量の少なくとも2倍の量で存在するものである、前
項1記載の反応生成物。
要な量の少なくとも2倍の量で存在するものである、前
項1記載の反応生成物。
8)β−ジケトンはマロンアミドである、前項1記載の反
応生成物。
応生成物。
9)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつポリ
マ性材料との反応生成物、および前記の反応生成物とコ
ンプレツクスを形成した金属からなる、無電解メツキ浴
からその上に活性金属をメツキするのに適した基質。
マ性材料との反応生成物、および前記の反応生成物とコ
ンプレツクスを形成した金属からなる、無電解メツキ浴
からその上に活性金属をメツキするのに適した基質。
10)ポリマ性材料は熱硬化性ポリマである、前項9記載
の基質。
の基質。
11)ポリマ性材料はエポキシ、ポリイミドおよびポリア
ミドよりなる群から選ばれたものである、前項9記載の
基質。
ミドよりなる群から選ばれたものである、前項9記載の
基質。
12)ポリマ性材料はエポキシである、前項9記載の基
質。
質。
13)エポキシはビスフエノール−A型のものである、前
項12記載の基質。
項12記載の基質。
14)β−ジケトンは前記ポリマ性材料の反応性基の約0.1
%から約80%と反応するものである、前項9記載の基
質。
%から約80%と反応するものである、前項9記載の基
質。
15)ポリマ性材料はβ−ジケトンの全量と反応するのに
必要な量の少なくとも2倍の量で存在するものである、
前項9記載の基質。
必要な量の少なくとも2倍の量で存在するものである、
前項9記載の基質。
16)β−ジケトンはマロンアミドである、前項9記載の
基質。
基質。
17)金属は貴金属である、前項9記載の基質。
18)金属はパラジウム、白金、ルテニウム、ニツケル、
銅またはこれらの混合物である、前項9記載の基質。
銅またはこれらの混合物である、前項9記載の基質。
19)β−ジケトンとこのジケトンに反応性の基をもつポ
リマ性材料との反応生成物からなる基質を準備し; 活性金属をこの反応生成物とコンプレツクス化し; このコンプレツクス化した金属を活性化し;そして この上に金属をメツキするために無電解金属メツキ浴と
前記基質とを接触させる ことからなる無電解メツキ浴から誘電性基体にメツキを
する方法。
リマ性材料との反応生成物からなる基質を準備し; 活性金属をこの反応生成物とコンプレツクス化し; このコンプレツクス化した金属を活性化し;そして この上に金属をメツキするために無電解金属メツキ浴と
前記基質とを接触させる ことからなる無電解メツキ浴から誘電性基体にメツキを
する方法。
20)活性化は酸素プラズマ処理からなるものである、前
項19記載の方法。
項19記載の方法。
21)コンプレツクス化する金属はパラジウムであり、そ
してメツキ浴は銅メツキ浴である、前項19記載の方
法。
してメツキ浴は銅メツキ浴である、前項19記載の方
法。
22)有機溶剤中のβ−ジケトンとポリマとの混合物を準
備し; この混合物を触媒量の塩基の存在下に約100℃〜200℃の
温度に加熱する ことからなるβ−ジケトンに反応性の基をもつポリマと
β−ジケトンとの反応方法。
備し; この混合物を触媒量の塩基の存在下に約100℃〜200℃の
温度に加熱する ことからなるβ−ジケトンに反応性の基をもつポリマと
β−ジケトンとの反応方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭49−76996(JP,A) 特開 昭49−77996(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】β−ジケトンとエポキシ樹脂との反応生成
物からなる基質を準備し; この反応生成物を活性金属とコンプレックス化し; このコンプレックス化した金属を活性化し; そして 前記基体を無電解金属メッキ浴と接触させてその上に金
属をメッキする ことからなる、無電解金属メッキ浴から誘電性基体をメ
ッキする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US183101 | 1988-04-19 | ||
| US07/183,101 US4868253A (en) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | β-diketone-polymer reaction product |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01311119A JPH01311119A (ja) | 1989-12-15 |
| JPH0645668B2 true JPH0645668B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=22671449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064048A Expired - Lifetime JPH0645668B2 (ja) | 1988-04-19 | 1989-03-17 | 誘電性基体をメッキする方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4868253A (ja) |
| EP (1) | EP0340392B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0645668B2 (ja) |
| DE (1) | DE68922523T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5183692A (en) * | 1991-07-01 | 1993-02-02 | Motorola, Inc. | Polyimide coating having electroless metal plate |
| US6645557B2 (en) | 2001-10-17 | 2003-11-11 | Atotech Deutschland Gmbh | Metallization of non-conductive surfaces with silver catalyst and electroless metal compositions |
| US9255172B1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-09 | International Business Machines Corporation | High-performance, filler-reinforced, recyclable composite materials |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319040B2 (ja) * | 1972-11-27 | 1978-06-19 | ||
| JPS5023879B2 (ja) * | 1972-11-30 | 1975-08-11 | ||
| US3973438A (en) * | 1973-08-21 | 1976-08-10 | Westinghouse Electric Corporation | Composition for forming thermo-particulating coating which protects electrical apparatus |
| US3995489A (en) * | 1975-04-15 | 1976-12-07 | Westinghouse Electric Corporation | Malonic acid derivative composition for forming thermoparticulating coating |
| US4087411A (en) * | 1975-09-17 | 1978-05-02 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for preparing oxymethylene polymers |
| US4271275A (en) * | 1979-12-14 | 1981-06-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluoroelastomer composition containing oxirane acid acceptor |
| US4321305A (en) * | 1980-10-02 | 1982-03-23 | Ppg Industries, Inc. | Beta-diketone-epoxy resin reaction products useful for providing corrosion resistance |
| JPS61108195A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 基板上に電気的に連続した層を形成する方法 |
| US4602070A (en) * | 1985-07-02 | 1986-07-22 | The Dow Chemical Company | Thermosettable epoxy resins with improved impact resistance |
| US4701351A (en) * | 1986-06-16 | 1987-10-20 | International Business Machines Corporation | Seeding process for electroless metal deposition |
-
1988
- 1988-04-19 US US07/183,101 patent/US4868253A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-02-13 EP EP89102417A patent/EP0340392B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-13 DE DE68922523T patent/DE68922523T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-17 JP JP1064048A patent/JPH0645668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0340392A3 (en) | 1990-01-31 |
| EP0340392B1 (en) | 1995-05-10 |
| DE68922523T2 (de) | 1996-01-18 |
| JPH01311119A (ja) | 1989-12-15 |
| DE68922523D1 (de) | 1995-06-14 |
| EP0340392A2 (en) | 1989-11-08 |
| US4868253A (en) | 1989-09-19 |
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