JPH01312834A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造に用いる常圧ＣＶＤ装置に関
する。

〔従来の技術〕

従来、この種の常圧ＣＶＤ装置は、長方形のトレー上に
１枚又は２枚のウェハーを乗せ、このトレーを複数個つ
ないだものをキャタピラ−式に回転させトレーの上方の
ガス吹き出し口から気相成長ガスを吹き出して連続的に
気相成長を行っていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の常圧ＣＶＤ装置は、複数のトレーを有し
ているので、トレー毎に高さが異なり、固定された位置
にあるガス吹き出し口（以下がガスヘッドと称す）とト
レーとの間隔が一定でない為、トレー毎に気相成長によ
るウェハーの膜厚が異なるという欠点がある。又、トレ
ーをキャタピラ−式に回すので、トレーが戻る部分、ヒ
ーターによる予備加熱部分、ウェハーのローディング。

アンローディング部等で大きなスペースが必要となり装
置が大型化してしまう欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の常圧ＣＶＤ装置は、金属又はセラミ。

クスの板に、半導体基板を載置し、常圧下でウェハー上
に気相成長膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、円形
状のトレーに複数のウェハーを載置し気相成長を行う事
を特徴とする。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例の上面図、第２図は第１図の
縦断面図である。

ウェハーローダ−１によって回転する円板状のトレー４
に乗せられたウェハー３は、ガスヘッド５にて気相成長
さｈアンローダ２にてウェハーを収納する。この時、回
転するトレー４は下部よりヒーター６によって熱せられ
、間接的にウェハー３を熱する。又、トレー４周辺下部
には、回転時の高さを一定に保つ為、ベアリング７を取
付である。

〔発明の効果コ 以上説明したように本発明は、トレーを複数のウェハー
が載置できる回転する円板とした事で、ガスヘッドとト
レーの間隔が一定となり、気相成長による膜厚を安定さ
せることができるという効果がある。又、トレーが円板
なのでウェハーのローディング、アンローディングが一
ケ所ででき、かつ、トレーが単板で構成されているので
冷えにくいので予備加熱部も小さくできる。又、従来装
置の様にトレーが戻る部分もない為、装置を小型にでき
、連続で気相成長ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の常圧ＣＶＤ装置の上面図、
第２図は第１図の縦断面図である。 １・・・・・・ウェハーローター、２・・・・・・ウェ
ハーアンローダ−１３・・・・・・ウェハー、４トレー
、５・・・・・・ガスヘッド、６・・・・・・ヒーター
、７・・・・・・ベアリング。 代理人　弁理士　　内　原　　　音

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　金属又はセラミックスの板（以下トレーと称す）に、
   半導体基板（以下ウェハーと称す）を載置し、常圧下で
   ウェハー上に気相成長膜を形成する常圧ＣＶＤ装置にお
   いて、円形状のトレーに複数のウェハーを載置し気相成
   長を行う事を特徴とする常圧ＣＶＤ装置。