JPH01314015A - 論理ゲート - Google Patents
論理ゲートInfo
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- JPH01314015A JPH01314015A JP1106108A JP10610889A JPH01314015A JP H01314015 A JPH01314015 A JP H01314015A JP 1106108 A JP1106108 A JP 1106108A JP 10610889 A JP10610889 A JP 10610889A JP H01314015 A JPH01314015 A JP H01314015A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- PUAQLLVFLMYYJJ-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropiophenone Chemical compound CC(N)C(=O)C1=CC=CC=C1 PUAQLLVFLMYYJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150098207 NAAA gene Proteins 0.000 description 1
- 241000370985 Parides Species 0.000 description 1
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- AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N piperazine;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.C1CNCCN1 AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/096—Synchronous circuits, i.e. using clock signals
- H03K19/0963—Synchronous circuits, i.e. using clock signals using transistors of complementary type
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- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/0948—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ディジタル論理回路に関し、更に詳細には、
様々な回路において使用できる、複数の人力を有する改
善されたANDおよびORゲートに関する。
様々な回路において使用できる、複数の人力を有する改
善されたANDおよびORゲートに関する。
〔発明の背景]
多くのコンピュータ・システムにおいては、ディジタル
回路の一部として、ANDおよびORゲートを使用する
必要がある。代表的には、回路においてANDまたはO
Rゲートを使用しても、特定の論理ゲートへの入力の数
が少ないので、回路の速度に対して悪影響を及ぼすこと
はない。しかし、測子または何百の人力の1つが高レベ
ルまたは低レベルであるかを、論理ゲートが検出しなけ
ればならない場合には、ゲートから成るディジタル論理
回路は、決定を行なうのに何百ナノ秒もの時間がかかつ
てしまう。このように、測子または何百の入力を有する
ANDまたはORゲートを使用し之場合、ディジタル回
路の速度に対してかな9の悪影響を及ぼし、かつゲート
が出力全発生するのに要する時間が長いため、有効な回
路動作に対して障害となっている。
回路の一部として、ANDおよびORゲートを使用する
必要がある。代表的には、回路においてANDまたはO
Rゲートを使用しても、特定の論理ゲートへの入力の数
が少ないので、回路の速度に対して悪影響を及ぼすこと
はない。しかし、測子または何百の人力の1つが高レベ
ルまたは低レベルであるかを、論理ゲートが検出しなけ
ればならない場合には、ゲートから成るディジタル論理
回路は、決定を行なうのに何百ナノ秒もの時間がかかつ
てしまう。このように、測子または何百の入力を有する
ANDまたはORゲートを使用し之場合、ディジタル回
路の速度に対してかな9の悪影響を及ぼし、かつゲート
が出力全発生するのに要する時間が長いため、有効な回
路動作に対して障害となっている。
後述するように、本発明は、論理ゲートに多くの入力を
要する様々な回路において使用できる改善されたAND
およびORゲートを提供する。本発明は、3つのレール
構造により、単一の論理ゲートを使用している論理AN
DまたはOR機能を非常に速〈実施することができ、ま
たシステムの実行時間を大幅に改善することができる。
要する様々な回路において使用できる改善されたAND
およびORゲートを提供する。本発明は、3つのレール
構造により、単一の論理ゲートを使用している論理AN
DまたはOR機能を非常に速〈実施することができ、ま
たシステムの実行時間を大幅に改善することができる。
ディジタル回路においてANDまたはORゲートとして
使用するという特定の用途を有している、マルチ入力論
理ゲートについて説明する。本発明のORゲートは、ド
ライブ・レール、センス・レール、およびリフアレンス
・レールを有している。
使用するという特定の用途を有している、マルチ入力論
理ゲートについて説明する。本発明のORゲートは、ド
ライブ・レール、センス・レール、およびリフアレンス
・レールを有している。
複数の入力ラインは、ドライブおよびセンス・レールの
間に配置された複数のNチャネル・トランジスタのゲー
トに、1つのトランジスタにつき1つの入力ラインで接
続している。ドライブ・レールは、Nチャネル・トラン
ジスタを介してアースに接続し、そのゲートは、検出ラ
インの状態により制御される。センスおよびリフアレン
ス・レールは、Pチャネル・トランジスタを介して電圧
源(Vda)に接続し、そのゲートも、検出ラインに接
続している。センス・レールに接続しているPチャネル
・トランジスタは、リフアレンス・レールにおけるそれ
に対応するトランジスタよりも多くの電流を流すような
大きさである。センス・アンプは、センスおよびリフア
レンス・レールに接続し、レールの電圧差の関数として
所定の信号を出力する。
間に配置された複数のNチャネル・トランジスタのゲー
トに、1つのトランジスタにつき1つの入力ラインで接
続している。ドライブ・レールは、Nチャネル・トラン
ジスタを介してアースに接続し、そのゲートは、検出ラ
インの状態により制御される。センスおよびリフアレン
ス・レールは、Pチャネル・トランジスタを介して電圧
源(Vda)に接続し、そのゲートも、検出ラインに接
続している。センス・レールに接続しているPチャネル
・トランジスタは、リフアレンス・レールにおけるそれ
に対応するトランジスタよりも多くの電流を流すような
大きさである。センス・アンプは、センスおよびリフア
レンス・レールに接続し、レールの電圧差の関数として
所定の信号を出力する。
動作において、プリチャージ回路は、先ず、ドライブ・
レール、センス・レール、およびリフアレンス・レール
を既知の電圧までプI>チャージする。次に、入力に信
号が供給され、安定化される。
レール、センス・レール、およびリフアレンス・レール
を既知の電圧までプI>チャージする。次に、入力に信
号が供給され、安定化される。
検出信号が発生され、センスおよびリフアレンス・レー
ルに接続したPチャネル・トランジスタと、ドライブ・
レールとアースの間に接続したNチャネル・トランジス
タをオンにする。全ての入力が低い場合、センス・レー
ルの電圧は、リフアレンス・レールの電圧ようも速く高
くなり、この電圧差は、センス・アンプにより検出され
、入力が高くないことを表わしている所定の信号を出力
する。
ルに接続したPチャネル・トランジスタと、ドライブ・
レールとアースの間に接続したNチャネル・トランジス
タをオンにする。全ての入力が低い場合、センス・レー
ルの電圧は、リフアレンス・レールの電圧ようも速く高
くなり、この電圧差は、センス・アンプにより検出され
、入力が高くないことを表わしている所定の信号を出力
する。
また、1つ以上の入力が高い場合、ドライブ・レールと
センス・レールの間に接続した対応するNチャネル・ト
ランジスタはオンにされ、それにより、センス・レール
はアース電位にされる。その後、センス・アンプは、リ
フアレンス・レールの電圧が、センス・レールの電圧を
超えていることを検出し、少なくとも1つの入力が高い
ことを表わしている信号を出力する。さらに、本発明は
、多数の入力の全てが、真であるかどうかを有効的に決
定できる改善されたANDゲートを含んでいる。
センス・レールの間に接続した対応するNチャネル・ト
ランジスタはオンにされ、それにより、センス・レール
はアース電位にされる。その後、センス・アンプは、リ
フアレンス・レールの電圧が、センス・レールの電圧を
超えていることを検出し、少なくとも1つの入力が高い
ことを表わしている信号を出力する。さらに、本発明は
、多数の入力の全てが、真であるかどうかを有効的に決
定できる改善されたANDゲートを含んでいる。
以下、添付の図面に基いて、本発明の実施例に関し説明
する。
する。
ディジタル回路においてORまたはANDゲートとして
使用される、改良された多入力論理ゲートについて説明
する。以下の説明において、特定のトランジスタ、回路
デイバイス、回路アーキテクチュア、構成素子などの特
定の記載は、本発明の理解を助ける念めのものであって
、本発明はこれら詳細な記載に限定されないことは、当
業者には明白であろう。なお、周知の回路やデイバイス
については、本発明を不明瞭にしないよう詳細な説明は
省略する。
使用される、改良された多入力論理ゲートについて説明
する。以下の説明において、特定のトランジスタ、回路
デイバイス、回路アーキテクチュア、構成素子などの特
定の記載は、本発明の理解を助ける念めのものであって
、本発明はこれら詳細な記載に限定されないことは、当
業者には明白であろう。なお、周知の回路やデイバイス
については、本発明を不明瞭にしないよう詳細な説明は
省略する。
第1図は、多入力In1OO〜In199を有する従来
技術のORゲートを示している。第1図の従来技術のO
R回路では、100個の入力について述べられているが
、ここに示した従来技術の回路の動作の説明は、N個の
入力を有するOR回路についても適用できる。図示のよ
うに、各入力(たとえば、入力100)は、Nチャネル
・トランジスタ302のゲートの他、Pチャネル・トラ
ンジスタ300のゲートに接続している。第1図の従来
回路の出力は、いずれかの入力が高い場合に高く、全て
の入力が低い場合のみ低くなる。動作において、Pチャ
ネル・トランジスタ300は、ゲート入力が高い場合、
オフになり、これらトランジスタに電流が流れない。逆
に、Nチャネル・トランジスタ302は、Nチャネル・
トランジスタのゲート入力が低い場合、オフ(これらに
電流は流れない)になる。したがって、全ての入力が低
い場合、Pチャネル・トランジスタ300は全てオンに
なり、これらには、電流源Vddからの電流は流れない
。したがって、Nチャネル・トランジスタ302ハオフ
になり、第1図の回路の出力は、インバータ304があ
るので低くなる。
技術のORゲートを示している。第1図の従来技術のO
R回路では、100個の入力について述べられているが
、ここに示した従来技術の回路の動作の説明は、N個の
入力を有するOR回路についても適用できる。図示のよ
うに、各入力(たとえば、入力100)は、Nチャネル
・トランジスタ302のゲートの他、Pチャネル・トラ
ンジスタ300のゲートに接続している。第1図の従来
回路の出力は、いずれかの入力が高い場合に高く、全て
の入力が低い場合のみ低くなる。動作において、Pチャ
ネル・トランジスタ300は、ゲート入力が高い場合、
オフになり、これらトランジスタに電流が流れない。逆
に、Nチャネル・トランジスタ302は、Nチャネル・
トランジスタのゲート入力が低い場合、オフ(これらに
電流は流れない)になる。したがって、全ての入力が低
い場合、Pチャネル・トランジスタ300は全てオンに
なり、これらには、電流源Vddからの電流は流れない
。したがって、Nチャネル・トランジスタ302ハオフ
になり、第1図の回路の出力は、インバータ304があ
るので低くなる。
入力(In100〜199)のいずれかが高い場合、高
い入力ラインに接続したPチャネル・トランジスタはオ
フになり、高い入力ラインに関する対応するNチャネル
・トランジスタはオンになる。Nチャネル・トランジス
タがエネーブルすると、第1図の回路はアースまで引き
下げられ、インバータ304の出力は高くなる。しかし
、全ての入力がもう一度引き下げられると、インバータ
304の入力を高パリド状態にチャージするのに十分な
電流がVddからPチャネル・トランジスタ300に流
れるまでに、かなりの時間が経過する。概算では、図示
された200個のトランジスタ(PおよびNチャネル)
を介して第1図のORゲートが安定するまでに、何方ナ
ノ秒もの時間がかかる。1つのトランジスタを介してア
ースに電流が流れればよいので、回路は非常に速く低状
態になることができるが、全ての入力が低いという高状
態を得るには、電流は第1図に示した100個全てのト
ランジスタを流れなければならない。し九がって、第1
図に示すようなORゲートを使用した場合、最近のディ
ジタル回路、特に、高速データ処理装置に内蔵されてい
るディジタル回路の速度に対してかなりの悪影響を与え
ることがわかつ九。後述するように、本発明は、コンピ
ュータ装置において用いられる高速ディジタル回路にお
いて特に使用され、かつ第1図に示した従来装置の限界
を克服する改良されたORおよびANDゲートを提供す
る。
い入力ラインに接続したPチャネル・トランジスタはオ
フになり、高い入力ラインに関する対応するNチャネル
・トランジスタはオンになる。Nチャネル・トランジス
タがエネーブルすると、第1図の回路はアースまで引き
下げられ、インバータ304の出力は高くなる。しかし
、全ての入力がもう一度引き下げられると、インバータ
304の入力を高パリド状態にチャージするのに十分な
電流がVddからPチャネル・トランジスタ300に流
れるまでに、かなりの時間が経過する。概算では、図示
された200個のトランジスタ(PおよびNチャネル)
を介して第1図のORゲートが安定するまでに、何方ナ
ノ秒もの時間がかかる。1つのトランジスタを介してア
ースに電流が流れればよいので、回路は非常に速く低状
態になることができるが、全ての入力が低いという高状
態を得るには、電流は第1図に示した100個全てのト
ランジスタを流れなければならない。し九がって、第1
図に示すようなORゲートを使用した場合、最近のディ
ジタル回路、特に、高速データ処理装置に内蔵されてい
るディジタル回路の速度に対してかなりの悪影響を与え
ることがわかつ九。後述するように、本発明は、コンピ
ュータ装置において用いられる高速ディジタル回路にお
いて特に使用され、かつ第1図に示した従来装置の限界
を克服する改良されたORおよびANDゲートを提供す
る。
第2図は、本発明のORゲートの回路図である。
図示のように、ORゲートは、ドライブ・レール310
、センス・レール315、およびリフアレンス・レール
320を有している。ドライブ・レール310とセンス
・レール315は、Nチャネル・トランジスタQ1〜Q
nのソースおよびドレイ/にそれぞれ接続している。入
力I!〜Inは、図示のようにNチャネル・トランジス
タQ1〜Qnのゲートにそれぞれ接続している。複数の
ダミー・トランジスタQdは、レール310 、315
、320のキャパシタンスを等しくするため、リフア
レンス・レール320とアースの間に接続している。ド
ライブ・レール31Gは、トランジスタQp3111の
ドレインに接続し、センス・レール315は、トランジ
スタQ p ss4のドレインIc接続L、リフアレン
ス・レール320 ハ、トランジスタQ psssのド
レインに接続している。
、センス・レール315、およびリフアレンス・レール
320を有している。ドライブ・レール310とセンス
・レール315は、Nチャネル・トランジスタQ1〜Q
nのソースおよびドレイ/にそれぞれ接続している。入
力I!〜Inは、図示のようにNチャネル・トランジス
タQ1〜Qnのゲートにそれぞれ接続している。複数の
ダミー・トランジスタQdは、レール310 、315
、320のキャパシタンスを等しくするため、リフア
レンス・レール320とアースの間に接続している。ド
ライブ・レール31Gは、トランジスタQp3111の
ドレインに接続し、センス・レール315は、トランジ
スタQ p ss4のドレインIc接続L、リフアレン
ス・レール320 ハ、トランジスタQ psssのド
レインに接続している。
トランジスタQ pJss + Q P2S51 Q
psssのソースは、電圧源Vddに接続している。さ
らに、Nチャネル・トランジスタQ。qua tは、図
示のようにドライブ・レール310.センス・レール3
15. リフアレンス・レール320の間に接続し、
プリチャージ・ライン360は−トランジスタQp3s
* + Qpssm +Qp3sa !Qequa1の
ゲートに接続している。
psssのソースは、電圧源Vddに接続している。さ
らに、Nチャネル・トランジスタQ。qua tは、図
示のようにドライブ・レール310.センス・レール3
15. リフアレンス・レール320の間に接続し、
プリチャージ・ライン360は−トランジスタQp3s
* + Qpssm +Qp3sa !Qequa1の
ゲートに接続している。
Pチャネル・トランジスタQ362は、電圧源Vddと
センス・レール315の間に接続し、Pチャネル・トラ
ンジスタQ364は、図示のように電圧源vddとリフ
アレンス・レール3200間に接続している。後述する
ように、トランジスタQ sagは。
センス・レール315の間に接続し、Pチャネル・トラ
ンジスタQ364は、図示のように電圧源vddとリフ
アレンス・レール3200間に接続している。後述する
ように、トランジスタQ sagは。
トランジスタQ364 よシも多くの電流が流れるよう
な大きさである。センス・アンプ366は、リフアレン
ス・レール320 、!:センス・レール3150間に
接続している。センス・アンプ366は、出力3TOカ
、リフアレンス・レール320 、!:センス・レール
315の電圧間の差により表示される状態にあるような
差動増幅器として動作する。検出ライン375は、イン
バータ380に接続し、さらにPチャネル・トランジス
タQsax + Q3114のゲートとセンス・アンプ
366のエネーブル・ポートに接続している。検出ライ
ン375は、Nチャネル・トランジスタQ38!のゲー
トに接続し、そのソースは、ドライブ・レール310に
接続し、ドレインは、アースに接続している。
な大きさである。センス・アンプ366は、リフアレン
ス・レール320 、!:センス・レール3150間に
接続している。センス・アンプ366は、出力3TOカ
、リフアレンス・レール320 、!:センス・レール
315の電圧間の差により表示される状態にあるような
差動増幅器として動作する。検出ライン375は、イン
バータ380に接続し、さらにPチャネル・トランジス
タQsax + Q3114のゲートとセンス・アンプ
366のエネーブル・ポートに接続している。検出ライ
ン375は、Nチャネル・トランジスタQ38!のゲー
トに接続し、そのソースは、ドライブ・レール310に
接続し、ドレインは、アースに接続している。
第2.3.4図において、本発明のOR回路の動作につ
いて説明する。プリチャージ・ライン360が、高レベ
ルに駆動されると、トランジスタQ p3sz + Q
P3S41 Q pJssおよび2つのトランジスタ
Q aqua Iがオンになり、それらに電流が流れる
。
いて説明する。プリチャージ・ライン360が、高レベ
ルに駆動されると、トランジスタQ p3sz + Q
P3S41 Q pJssおよび2つのトランジスタ
Q aqua Iがオンになり、それらに電流が流れる
。
シタがって、ドライブ・レール310、センス・レール
315、リフアレンス・レール320id、高レベルに
駆動され、同じ電圧になる。第2図に示した回路構成に
より、ドライブ・レール3101センス・レール315
、リフアレンス・レール320のt圧U、式、V=Vd
(1−vthにしたがって安定化される。
315、リフアレンス・レール320id、高レベルに
駆動され、同じ電圧になる。第2図に示した回路構成に
より、ドライブ・レール3101センス・レール315
、リフアレンス・レール320のt圧U、式、V=Vd
(1−vthにしたがって安定化される。
Vthは、使用される特定のMOS )ランジスタ・デ
イバイスの閾値電圧である。代表的には、Vth。
イバイスの閾値電圧である。代表的には、Vth。
値は約0.6ボルトで、ドライブ・レール、センス・レ
ール、リフアレンス・レールの電圧は約vdd/2であ
る。第3図および第4図のタイミング図に示すように、
プリチャージ期間の後、入力11〜Inが供給され、所
定の期間安定化される。検出信号はライン375に供給
され、トランジスタQsax+Qsaaの他、トランジ
スタQ38!をオンにする。
ール、リフアレンス・レールの電圧は約vdd/2であ
る。第3図および第4図のタイミング図に示すように、
プリチャージ期間の後、入力11〜Inが供給され、所
定の期間安定化される。検出信号はライン375に供給
され、トランジスタQsax+Qsaaの他、トランジ
スタQ38!をオンにする。
トランジスタQ38!に電流が流れることによシ、ドラ
イブ・レール310は、すぐさまアースに引き下げられ
る。全ての入力11〜Inが低い場合、トランジスタQ
1〜Qnはオフのままである。前述したように、トラン
ジスタQ31は、トランジスタQ364 よりも多くの
電流が流れるような大きさである。ライン375に検出
信号が供給されると、トランジスタQss* + Qs
s*はオンになり、センス・レール315.!:リフア
レンス・レール320 ハVddt圧になる。第3図に
示すように、センス・レールの電圧は、トランジスタQ
36!の大きさにしたがって、リフアレンス・レールの
電圧よりもわずかに速く増加する。センス・アンプ36
6は、センス・レールの高い電圧を検出し、どの入力も
高くないことを示す低信号を出力する。
イブ・レール310は、すぐさまアースに引き下げられ
る。全ての入力11〜Inが低い場合、トランジスタQ
1〜Qnはオフのままである。前述したように、トラン
ジスタQ31は、トランジスタQ364 よりも多くの
電流が流れるような大きさである。ライン375に検出
信号が供給されると、トランジスタQss* + Qs
s*はオンになり、センス・レール315.!:リフア
レンス・レール320 ハVddt圧になる。第3図に
示すように、センス・レールの電圧は、トランジスタQ
36!の大きさにしたがって、リフアレンス・レールの
電圧よりもわずかに速く増加する。センス・アンプ36
6は、センス・レールの高い電圧を検出し、どの入力も
高くないことを示す低信号を出力する。
第2図の回路への入力(11〜In)の1つが高いと仮
定する。前述したように、ドライブ・レール310、セ
ンス・レール315、リフアレンス・レール320のプ
リチャージの後に、トランジスタQ1〜Qnに入力信号
を供給すると、入力の1つ(たとえば、!3 )が高く
、したがって、Nチャネル・トランジスタQ3はオンに
なる。ライン375に検出信号を供給して、トランジス
タQssz + Q362 +Q364がオンになると
、ドライブ・レール310ハ、センス・レール315に
沿ってトランジスタQ3を介してアースに引き下げられ
る。第4図に示すように、前述し之場合と同様に、トラ
ンジスタQ、64は、リフアレンス・レール320を高
い電圧vddに引き上げ、センス・アンプ366は、リ
フアレンス・レールの電圧がセンス・レールの電圧より
も高いことを検出し、かつ入力(Is〜In)の少なく
とも1つが高く、かつそのためORゲートの出力が高い
(すなわち、真)ことを表わしている信号をライン37
0に出力する。したがって、1つ以上の入力が高い場合
、センス・レール315は、単一の入力だけが高い場合
よりも速くアース電位になる。
定する。前述したように、ドライブ・レール310、セ
ンス・レール315、リフアレンス・レール320のプ
リチャージの後に、トランジスタQ1〜Qnに入力信号
を供給すると、入力の1つ(たとえば、!3 )が高く
、したがって、Nチャネル・トランジスタQ3はオンに
なる。ライン375に検出信号を供給して、トランジス
タQssz + Q362 +Q364がオンになると
、ドライブ・レール310ハ、センス・レール315に
沿ってトランジスタQ3を介してアースに引き下げられ
る。第4図に示すように、前述し之場合と同様に、トラ
ンジスタQ、64は、リフアレンス・レール320を高
い電圧vddに引き上げ、センス・アンプ366は、リ
フアレンス・レールの電圧がセンス・レールの電圧より
も高いことを検出し、かつ入力(Is〜In)の少なく
とも1つが高く、かつそのためORゲートの出力が高い
(すなわち、真)ことを表わしている信号をライン37
0に出力する。したがって、1つ以上の入力が高い場合
、センス・レール315は、単一の入力だけが高い場合
よりも速くアース電位になる。
なお、本発明は、後述するように、AND機能と同様に
、OR機能を決定する速度を大幅に増すことができる。
、OR機能を決定する速度を大幅に増すことができる。
第5図は、AND論理ゲートの他、ドライブ・レール4
00、センス・レール410. リフアレンス・レー
ル415を有する本発明の回路図を示している。
00、センス・レール410. リフアレンス・レー
ル415を有する本発明の回路図を示している。
第5図のANDゲートの入力(Is〜In)は、Pチャ
ネル・トランジスタQp+5Qpnのゲートに接続して
いる。これらトランジスタは、ドライブ・レール400
とセンス・レール410の間に接続シている。複数のダ
ミー・トランジスタQdは、レール400 、410
、415のキャパシタンスを等しくスるため、リフアレ
ンス・レール415とVddの間に接続している。Pチ
ャネル・トランジスタQ p4geは、第5図に示すよ
うに、ドライブ・レール400とVddに接続している
。ブリディスチャージ回路は、ライン426に接続した
インバータ425ヲ含んでいる。Pチャネル・トランジ
スタQ nag *Q P4so +Qp*s鵞u、
トライ7’・レール、センス・レール、リフアレンス・
レールとアースにそれぞれ接続しティる。Pチャネル等
化トランジスタQ、。ハ、図示のように、ドライブ・レ
ール400、センス・レール41G、 リフアレンス
・レール415Ki続L、トランジスタQpe + Q
p42a I Q +)4301 Q p432
のゲートは、ライン426に接続している。検出回路は
、ライン442に接続したインバータ440を有してい
る。ライン442は、トランジスタQP4!Oのゲート
に接続し、かつインバータ444’に介してNチャネル
・トランジスタQ naaa r Q nanoのゲー
トに接続している。図示のように、トランジスタQ n
<am ハ、センス・レール41(B=アースの間に接
続し、かつトランジスタQn4soは、リフアレンス・
レール415とアースの間に接続している。センス・レ
ール410とリフアレンス・レール415は、検出ライ
ン442によシエネーブルされるセンス・アンプ460
に接続している。
ネル・トランジスタQp+5Qpnのゲートに接続して
いる。これらトランジスタは、ドライブ・レール400
とセンス・レール410の間に接続シている。複数のダ
ミー・トランジスタQdは、レール400 、410
、415のキャパシタンスを等しくスるため、リフアレ
ンス・レール415とVddの間に接続している。Pチ
ャネル・トランジスタQ p4geは、第5図に示すよ
うに、ドライブ・レール400とVddに接続している
。ブリディスチャージ回路は、ライン426に接続した
インバータ425ヲ含んでいる。Pチャネル・トランジ
スタQ nag *Q P4so +Qp*s鵞u、
トライ7’・レール、センス・レール、リフアレンス・
レールとアースにそれぞれ接続しティる。Pチャネル等
化トランジスタQ、。ハ、図示のように、ドライブ・レ
ール400、センス・レール41G、 リフアレンス
・レール415Ki続L、トランジスタQpe + Q
p42a I Q +)4301 Q p432
のゲートは、ライン426に接続している。検出回路は
、ライン442に接続したインバータ440を有してい
る。ライン442は、トランジスタQP4!Oのゲート
に接続し、かつインバータ444’に介してNチャネル
・トランジスタQ naaa r Q nanoのゲー
トに接続している。図示のように、トランジスタQ n
<am ハ、センス・レール41(B=アースの間に接
続し、かつトランジスタQn4soは、リフアレンス・
レール415とアースの間に接続している。センス・レ
ール410とリフアレンス・レール415は、検出ライ
ン442によシエネーブルされるセンス・アンプ460
に接続している。
動作において、ブリディスチャージ・ラインを高レベル
に駆動すると、インバータ425t−通過した後、ライ
ン426は低信号となる。ライン426の低信号は、等
化トランジスタQ、。の他、トランジスタQ p4xs
+ Q 943111 Q p43mをオンにするよ
う作用する。ゲート状態が高い場合、トランジスタは通
常オフであるので、検出信号がないと、Q、4.。
に駆動すると、インバータ425t−通過した後、ライ
ン426は低信号となる。ライン426の低信号は、等
化トランジスタQ、。の他、トランジスタQ p4xs
+ Q 943111 Q p43mをオンにするよ
う作用する。ゲート状態が高い場合、トランジスタは通
常オフであるので、検出信号がないと、Q、4.。
はオフである。また、トランジスタQ、。は、ブリディ
スチャージ相の間、オンであるので、ドライブ・レール
400 、センス・レール41G、リフアレンス・レー
ル415は、アースよシ高い閾値電圧までディスチャー
ジされる。ブリディスチャージ相が終ると、ライン42
6はトランジスタQp…。
スチャージ相の間、オンであるので、ドライブ・レール
400 、センス・レール41G、リフアレンス・レー
ル415は、アースよシ高い閾値電圧までディスチャー
ジされる。ブリディスチャージ相が終ると、ライン42
6はトランジスタQp…。
Q P2S51 Q p4ssと等化トランジスタQp
eをオフにする。その後、入力信号が、久方■1〜工。
eをオフにする。その後、入力信号が、久方■1〜工。
に供給され、それを安定化することができる。
検出ラインを高レベルに駆動すると、インバータ440
を通過した後、ライン442は低信号になシ、トランジ
スタQ peso ’I:オンにし、それにより電圧源
Vddからドライブ・レール400に電流が流れる。
を通過した後、ライン442は低信号になシ、トランジ
スタQ peso ’I:オンにし、それにより電圧源
Vddからドライブ・レール400に電流が流れる。
さらに、ライ/442に低信号が供給されると、Nチャ
ネル・トランジスタQ naam 、 Q n456は
、オンになシ、それによシ、センス・レール410トI
J7アレンス・レール415は、アースに引き下げられ
る。第5図に示した本発明において、トランジスタQn
<amは、トランジスタQn4soよシも多くの電流が
流れるような大きさであり、センス・レール410の電
圧は、リフアレンス・レール415の電圧よシも速くア
ースに向けて動く。周知のように、ANDゲートは、A
NDゲートの全ての入力が高い場合だけ、センス・アン
プ460の出力480が高くなければならず、他の全て
の入力状態は、センスアンプ460から低信号が出力さ
れることになる。
ネル・トランジスタQ naam 、 Q n456は
、オンになシ、それによシ、センス・レール410トI
J7アレンス・レール415は、アースに引き下げられ
る。第5図に示した本発明において、トランジスタQn
<amは、トランジスタQn4soよシも多くの電流が
流れるような大きさであり、センス・レール410の電
圧は、リフアレンス・レール415の電圧よシも速くア
ースに向けて動く。周知のように、ANDゲートは、A
NDゲートの全ての入力が高い場合だけ、センス・アン
プ460の出力480が高くなければならず、他の全て
の入力状態は、センスアンプ460から低信号が出力さ
れることになる。
入力II”Inのいずれか1つが低い場合、AND条件
は満たされない。ドライブ・レール400を通過した電
流は、センス・レール410を通過し、その電圧’k
IJファレンス・レールの電圧よりも高くし、それがセ
ンス・アンプ460により検出されると、AND条件が
満たされていないことを表わす低信号をライン480に
出力する。
は満たされない。ドライブ・レール400を通過した電
流は、センス・レール410を通過し、その電圧’k
IJファレンス・レールの電圧よりも高くし、それがセ
ンス・アンプ460により検出されると、AND条件が
満たされていないことを表わす低信号をライン480に
出力する。
以上のように、本発明は、高速論理機能を実行すること
のできる改良されたORおよびANDゲートヲ提供して
いる。また、本発明は、高速ディジタル・コンピュータ
において使用する用途を有しており、様々な回路に組み
込むこともできる。本発明の実施例について、第1〜5
図に基いて説明してきたが、本発明は、これら実施例に
限定されないことは、当業者には明白であろう。
のできる改良されたORおよびANDゲートヲ提供して
いる。また、本発明は、高速ディジタル・コンピュータ
において使用する用途を有しており、様々な回路に組み
込むこともできる。本発明の実施例について、第1〜5
図に基いて説明してきたが、本発明は、これら実施例に
限定されないことは、当業者には明白であろう。
第1図は、100個の入力を有する従来のORゲートの
回路図、第2図は、3個のレールを有する本発明のOR
ゲートの回路図、第3図は、どの入力も低い場合の、第
2図のORゲートから成る様々なラインの状態を示した
タイミング図、第4図は、少なくとも1つの入力が高い
場合の第2図のORゲートから成る様々なラインの状態
を示したタイミング図、第5図は、本発明の技術を使用
しているANDゲートの回路図である。 300・・・9Pチヤネル・トランジスタ、302・・
・・Nチャネル・トランジスタ、304・・・争インバ
ータ、310 、400・拳・・ドライブ・レール、3
15 、410−・・・センス・レール、32o。 415・・Φ・リフアレンス・レール、3B6 、46
0・・―・センス・アンプ、360・・・・プリチャー
ジ・ライン、375 @−・・検出ライン、304゜3
80 、440 、444・・・・インバータ。
回路図、第2図は、3個のレールを有する本発明のOR
ゲートの回路図、第3図は、どの入力も低い場合の、第
2図のORゲートから成る様々なラインの状態を示した
タイミング図、第4図は、少なくとも1つの入力が高い
場合の第2図のORゲートから成る様々なラインの状態
を示したタイミング図、第5図は、本発明の技術を使用
しているANDゲートの回路図である。 300・・・9Pチヤネル・トランジスタ、302・・
・・Nチャネル・トランジスタ、304・・・争インバ
ータ、310 、400・拳・・ドライブ・レール、3
15 、410−・・・センス・レール、32o。 415・・Φ・リフアレンス・レール、3B6 、46
0・・―・センス・アンプ、360・・・・プリチャー
ジ・ライン、375 @−・・検出ライン、304゜3
80 、440 、444・・・・インバータ。
Claims (2)
- (1)ドライブ・レール・ラインと、 センス・レール・ラインと、 リフアレンス・レール・ラインと、 上記ドライブ・レールと上記センス・レールの間に接続
し、上記ドライブおよびセンス・レール間に電流を選択
的に流す第1トランジスタ装置と、1つの入力ラインが
第1状態にある場合、上記入力ラインに接続したトラン
ジスタに電流を流すように、上記第1トランジスタ装置
のゲートにそれぞれ接続した複数の入力ラインと、 既知の電圧源(V_d_d)と上記センス・レールとの
間に接続した第2トランジスタ装置と、 上記電圧源(V_d_d)と上記リフアレンス・レール
との間に接続し、上記第2トランジスタ装置よりも少な
い電流が流れるような大きさの第3トランジスタ装置と
、 上記ドライブ・レールとアースとの間に接続した第4ト
ランジスタ装置と、 検出信号を発生し、かつ第2、第3、第4トランジスタ
装置のゲートに上記信号を供給し、それらが上記信号を
受信すると、上記第2、第3、第4トランジスタ装置に
電流が流れるよりにした検出信号装置と、 上記センス・レールおよびリフアレンス・レールに接続
し、上記レールの電圧を検出し、かつ上記レールの1つ
の電圧が他のレールの電圧を超えると、所定の出力を発
生する検出装置と、 から成ることを特徴とする論理ゲート。 - (2)ドライブ・レール・ラインと、 センス・レール・ラインと、 リフアレンス・レール・ラインと、 上記ドライブ・レールと上記センス・レールの間に接続
し、上記ドライブおよびセンス・レール間に電流を選択
的に流す第1トランジスタ装置と、1つの入力ラインが
第1状態にある場合、上記入力ラインに接続したトラン
ジスタに電流を流すように、上記第1トランジスタ装置
のゲートにそれぞれ接続した複数の入力ラインと、 上記ドライブ・レールと既知の電圧(V_d_d)の間
に接続した第2トランジスタ装置と、 上記センス・レールとアースの間に接続した第3トラン
ジスタ装置と、 上記リフアレンス・レールとアースの間に接続し、上記
第3トランジスタ装置よりも少ない電流が流れるような
大きさの第4トランジスタ装置と、検出信号を発生し、
かつ第2、第3、第4トランジスタ装置のゲートに上記
信号を供給し、それらが上記信号を受信すると、上記第
2、第3、第4トランジスタ装置に電流が流れるように
した検出信号装置と、上記センス・レールおよびリフア
レンス・レールに接続し、上記レールの電圧を検出し、
かつ上記レールの1つの電圧が他のレールの電圧を超え
ると、所定の出力を発生する検出装置と、 から成ることを特徴とする論理ゲート。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/186,626 US4857768A (en) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | Triple rail logic gate |
| US186,626 | 1988-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01314015A true JPH01314015A (ja) | 1989-12-19 |
| JP2711716B2 JP2711716B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=22685675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1106108A Expired - Fee Related JP2711716B2 (ja) | 1988-04-27 | 1989-04-27 | 論理ゲート |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4857768A (ja) |
| JP (1) | JP2711716B2 (ja) |
| KR (1) | KR920003449B1 (ja) |
| AU (1) | AU609528B2 (ja) |
| CA (1) | CA1287382C (ja) |
| DE (1) | DE3913801C2 (ja) |
| FR (1) | FR2630870B1 (ja) |
| GB (1) | GB2217940B (ja) |
| HK (1) | HK64992A (ja) |
| SG (1) | SG58792G (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045723A (en) * | 1990-07-31 | 1991-09-03 | International Business Machines Corporation | Multiple input CMOS logic circuits |
| US5408194A (en) * | 1993-06-25 | 1995-04-18 | Synaptics, Incorporated | Adaptive analog minimum/maximum selector and subtractor circuit |
| KR960011207B1 (ko) * | 1993-11-17 | 1996-08-21 | 김광호 | 반도체 메모리 장치의 데이타 센싱방법 및 그 회로 |
| US5525917A (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-11 | Altera Corporation | Sense amplifier with feedback and stabilization |
| US5850365A (en) * | 1994-12-16 | 1998-12-15 | Altera Corporation | Sense amplifier with individually optimized high and low power modes |
| US5572150A (en) * | 1995-04-10 | 1996-11-05 | International Business Machines Corporation | Low power pre-discharged ratio logic |
| KR100293269B1 (ko) * | 1998-03-23 | 2001-11-30 | 김충환 | 반도체 소자 제조방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56103538A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Yamatake Honeywell Co Ltd | Logic circuit |
| DE3173056D1 (en) * | 1980-06-24 | 1986-01-09 | Nec Corp | Linear voltage-current converter |
| US4330722A (en) * | 1980-08-18 | 1982-05-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Clocked IGFET logic circuit |
| JPS5934728A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-25 | Sony Corp | アンドゲ−ト回路 |
| ATE68298T1 (de) * | 1987-03-16 | 1991-10-15 | Siemens Ag | Gatterschaltung mit mos-transistoren. |
| KR910005602B1 (ko) * | 1989-06-15 | 1991-07-31 | 삼성전자 주식회사 | 어드레스 변환 검출에 따른 출력버퍼의 프리챠아지 제어방법 |
-
1988
- 1988-04-27 US US07/186,626 patent/US4857768A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-27 GB GB8822664A patent/GB2217940B/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-14 KR KR8813436A patent/KR920003449B1/ko not_active Expired
- 1988-10-19 AU AU24033/88A patent/AU609528B2/en not_active Ceased
- 1988-12-20 FR FR888816824A patent/FR2630870B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-05 CA CA000587586A patent/CA1287382C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-26 DE DE3913801A patent/DE3913801C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-27 JP JP1106108A patent/JP2711716B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-03 SG SG587/92A patent/SG58792G/en unknown
- 1992-08-27 HK HK649/92A patent/HK64992A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2403388A (en) | 1989-11-02 |
| FR2630870A1 (fr) | 1989-11-03 |
| CA1287382C (en) | 1991-08-06 |
| DE3913801A1 (de) | 1989-11-09 |
| HK64992A (en) | 1992-09-04 |
| AU609528B2 (en) | 1991-05-02 |
| KR920003449B1 (en) | 1992-05-01 |
| DE3913801C2 (de) | 1997-08-21 |
| GB2217940B (en) | 1992-03-18 |
| FR2630870B1 (fr) | 1991-04-26 |
| GB2217940A (en) | 1989-11-01 |
| SG58792G (en) | 1992-09-04 |
| KR890016766A (ko) | 1989-11-30 |
| JP2711716B2 (ja) | 1998-02-10 |
| GB8822664D0 (en) | 1988-11-02 |
| US4857768A (en) | 1989-08-15 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |