JPS5824148A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5824148A JPS5824148A JP56123205A JP12320581A JPS5824148A JP S5824148 A JPS5824148 A JP S5824148A JP 56123205 A JP56123205 A JP 56123205A JP 12320581 A JP12320581 A JP 12320581A JP S5824148 A JPS5824148 A JP S5824148A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoreceptor
- gas
- substrate
- glow discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
重置明灯、グロー放電分解法により生成されるアモルフ
ァスシリコンを光導電体とする電子写真感光体に関する
ものである。
ァスシリコンを光導電体とする電子写真感光体に関する
ものである。
電子写真感光体としては既に様々な形態のもの・ が掃
察されているが、この中でも広く実用化されているもの
として導電性基板上にセレンま７？：ハセレン合金ｒ真
空蒸着法により数１０ミクロン厚に或いは酸化亜鉛や硫
化カドミウムを樹脂バインダーとともに数１０ミクロン
厚に塗布により形成した所謂積層感光体と、例えば特公
昭４５−５５４９号で４される如くセレンまたはセレン
合金光導電体層の厚さ紫１ミクロン以下としその士に透
光性有機半導体であるポリビニルカルバゾール會形成し
た所謂積層感光体とがある。
察されているが、この中でも広く実用化されているもの
として導電性基板上にセレンま７？：ハセレン合金ｒ真
空蒸着法により数１０ミクロン厚に或いは酸化亜鉛や硫
化カドミウムを樹脂バインダーとともに数１０ミクロン
厚に塗布により形成した所謂積層感光体と、例えば特公
昭４５−５５４９号で４される如くセレンまたはセレン
合金光導電体層の厚さ紫１ミクロン以下としその士に透
光性有機半導体であるポリビニルカルバゾール會形成し
た所謂積層感光体とがある。
これら倒れの感光体も単層、積層を問わずその電子写真
物性ｈｅわめて優れているが、その反面環境汚染性、耐
熱性、表面襞間及び摩耗性等の点において問題があると
いう欠点ｔ′＊する。つまりセシン或いはセレン合金管
光導電体層とする感光体では複写機内の温麿が上昇する
と結晶化が促進しこの熱的不安定性に起因して使用不能
な状態にまで劣化するばかりか、セレンは人体への毒性
力強くセレンがその表面に露出した感光体では熱論のこ
と上述の如く積層構造とした感光体についても環境汚染
面からその取り扱いＫ［細心の注意を要する。ｔた酸化
亜鉛や硫化カドミウムｔ−樹脂と結合してなる光導電体
層を使用する感光体においても有害性が問題であり、し
かもこの種の感光体は製造工程がきわめて複雑であると
いう欠点に有する。更に加えてセレンや酸化亜鉛は表面
硬度、摩耗性の点において充分でなく残留トナー除去手
段としてファーブラシャ弾性ブレードｒ使用する書写機
では長期にわたる反復使用ができない。
物性ｈｅわめて優れているが、その反面環境汚染性、耐
熱性、表面襞間及び摩耗性等の点において問題があると
いう欠点ｔ′＊する。つまりセシン或いはセレン合金管
光導電体層とする感光体では複写機内の温麿が上昇する
と結晶化が促進しこの熱的不安定性に起因して使用不能
な状態にまで劣化するばかりか、セレンは人体への毒性
力強くセレンがその表面に露出した感光体では熱論のこ
と上述の如く積層構造とした感光体についても環境汚染
面からその取り扱いＫ［細心の注意を要する。ｔた酸化
亜鉛や硫化カドミウムｔ−樹脂と結合してなる光導電体
層を使用する感光体においても有害性が問題であり、し
かもこの種の感光体は製造工程がきわめて複雑であると
いう欠点に有する。更に加えてセレンや酸化亜鉛は表面
硬度、摩耗性の点において充分でなく残留トナー除去手
段としてファーブラシャ弾性ブレードｒ使用する書写機
では長期にわたる反復使用ができない。
本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、環境汚染
性耐熱性、表面硬度、摩耗性等に優れ、且つ、電子写真
特性としては従来と同様あるいはそれ以上に優れた電子
写真感光体管提供すること７目的とし、具体的ＫＨアモ
ルファスシリコン光導電体層ｒ有する電子写真感光体を
提供することｔ目的とする。
性耐熱性、表面硬度、摩耗性等に優れ、且つ、電子写真
特性としては従来と同様あるいはそれ以上に優れた電子
写真感光体管提供すること７目的とし、具体的ＫＨアモ
ルファスシリコン光導電体層ｒ有する電子写真感光体を
提供することｔ目的とする。
以下、本発明を説明すると、本願発明者は上記環境汚染
性、耐熱性罠優れた感光材料ｒ探索した結果、半導体分
野でその研究開発が進められつつあるグロー放電分解法
で生成されるアモルファスシリコン（ａｙｍｏｒｐｈｏ
ｕｓ ５ｉｌｉｃｏｎ以下ａ−ｓｉ と略す）Ｋ着目
し、電子写真感光体分野への応用を意図している。
性、耐熱性罠優れた感光材料ｒ探索した結果、半導体分
野でその研究開発が進められつつあるグロー放電分解法
で生成されるアモルファスシリコン（ａｙｍｏｒｐｈｏ
ｕｓ ５ｉｌｉｃｏｎ以下ａ−ｓｉ と略す）Ｋ着目
し、電子写真感光体分野への応用を意図している。
グロー放電分解法で生成されるａ−ａｌはエネルギーギ
ャップ内の欠陥準位密度が低く、一般のアモルファスは
半導体としてはむしろ例外的な電気特性を示すことに加
えて、比較的低コストで大面積の膜が製作可能な製造面
での有用性をも合わせ有する為、従来結晶シリコン會主
体に進められてきた太陽電池、フォトセル等の半導体応
用技術分野では、このａ−ｓｉｔ使用した技術開発が急
速に進められつつある。
ャップ内の欠陥準位密度が低く、一般のアモルファスは
半導体としてはむしろ例外的な電気特性を示すことに加
えて、比較的低コストで大面積の膜が製作可能な製造面
での有用性をも合わせ有する為、従来結晶シリコン會主
体に進められてきた太陽電池、フォトセル等の半導体応
用技術分野では、このａ−ｓｉｔ使用した技術開発が急
速に進められつつある。
このよう九半導体応用技術分野でその有用性が認められ
つつあるａ−ｓｉ金管電子写真感光材料、特に光導電体
としての応用を研究した結果、従来の感光体が欠如して
いた無公害性、耐熱性、表面硬度、摩耗性に対し理想的
な特性ｒ有し且つ鮮明な画ｇＩｔ形成するに充分な電子
写真特性管有することｔ見出した。
つつあるａ−ｓｉ金管電子写真感光材料、特に光導電体
としての応用を研究した結果、従来の感光体が欠如して
いた無公害性、耐熱性、表面硬度、摩耗性に対し理想的
な特性ｒ有し且つ鮮明な画ｇＩｔ形成するに充分な電子
写真特性管有することｔ見出した。
ａ−ｓｉｉｊグロー放電分解法における基板温ｆｒ約５
０℃乃至２５０℃の範囲に設定することより不純物音−
切含有しない場合においても基板温ｆ ′の低
下に従ってその体積抵抗が約１０１０・譚から１０１１
Ωτ譚近くまで向上すること、純粋なａ−８１汀比視感
ＩＨに近い分光特性含有し光導電体として優れているこ
と、硼索會約１６０ ｐｐｍ程度まで含有することによ
り体積抵抗が１０１１０・保以上まで向上し、％に硼累
含有量が約９０乃至１６０ ｐｐｍでａ−６１は真性半
導体となり、電荷保持力、暗減衰率が一段と向上し単層
感光体としてカールソン方式に充分使用できること、更
に燐を約５ ｐｐｍまで含有した場合でも体積抵抗は低
下するものの積層構造の感光体として使用できること、
そして全体としてａ−６１感光体は無公害、耐熱性、表
面硬度、摩耗性に優れ、且つ電子写真特性としても従来
の感光体と比して何らひけのとらないものであることを
見出した〇 ここでグロー放電分解法について説明すると、第１図は
ａ −ｓｉ ’に生成するためのグロー放電分解装置ｒ
示し、図中の第１．第２．第３ポンプ（１）。
０℃乃至２５０℃の範囲に設定することより不純物音−
切含有しない場合においても基板温ｆ ′の低
下に従ってその体積抵抗が約１０１０・譚から１０１１
Ωτ譚近くまで向上すること、純粋なａ−８１汀比視感
ＩＨに近い分光特性含有し光導電体として優れているこ
と、硼索會約１６０ ｐｐｍ程度まで含有することによ
り体積抵抗が１０１１０・保以上まで向上し、％に硼累
含有量が約９０乃至１６０ ｐｐｍでａ−６１は真性半
導体となり、電荷保持力、暗減衰率が一段と向上し単層
感光体としてカールソン方式に充分使用できること、更
に燐を約５ ｐｐｍまで含有した場合でも体積抵抗は低
下するものの積層構造の感光体として使用できること、
そして全体としてａ−６１感光体は無公害、耐熱性、表
面硬度、摩耗性に優れ、且つ電子写真特性としても従来
の感光体と比して何らひけのとらないものであることを
見出した〇 ここでグロー放電分解法について説明すると、第１図は
ａ −ｓｉ ’に生成するためのグロー放電分解装置ｒ
示し、図中の第１．第２．第３ポンプ（１）。
＋２１ 、 ＋３１には夫々８１Ｈ４、ＰＨ３＠ Ｂｔ
）Ｔ６ガスが密封されている。これらガスは対応する第
１．第２．＠３ｐ整弁ｉ４１ Ｉ １５＋ 、 ＋６１
’ｊ開放することにより放出され、その流量がメータ
リングバルブ＋７１ ｓ ＋８１ ｍ （９１により規
制され主管α＠へと送られる。伺、Ｑｌ） 、 （１３
。
）Ｔ６ガスが密封されている。これらガスは対応する第
１．第２．＠３ｐ整弁ｉ４１ Ｉ １５＋ 、 ＋６１
’ｊ開放することにより放出され、その流量がメータ
リングバルブ＋７１ ｓ ＋８１ ｍ （９１により規
制され主管α＠へと送られる。伺、Ｑｌ） 、 （１３
。
（１３は流量計、ａ４Ｈ止め弁である。主管０１１通じ
て流れ為ガスは反応管ａｌへと送り込まれるが、この反
応管の周囲には共振振動コイルαＱが巻回されておりそ
れ自体の共振振動パワーは例えば１００〜３００ Ｗａ
ｔｔｓが適当である。反応管Ｃ１９内部にはその上にａ
−８１膜が形成される。例えばアルミニウムやＮＫＳＡ
ガラスのような基板ａηがモータαＩＩＫより回動可能
であるターンテーブル翰上に載貧されており、該基板卸
自体は適当な加熱手段により約５０乃至２．５０℃の温
度に加熱されている。まｔ反応管ａ扉内部はａ−ｓｉ膜
形成時に高度の真空状態（ガス圧：α５乃至２． ＯＴ
ｏｒｒ） ｋ必要とすることにより回動ポンプ（２）と
拡散ポンプｔ２υに連結されている。
て流れ為ガスは反応管ａｌへと送り込まれるが、この反
応管の周囲には共振振動コイルαＱが巻回されておりそ
れ自体の共振振動パワーは例えば１００〜３００ Ｗａ
ｔｔｓが適当である。反応管Ｃ１９内部にはその上にａ
−８１膜が形成される。例えばアルミニウムやＮＫＳＡ
ガラスのような基板ａηがモータαＩＩＫより回動可能
であるターンテーブル翰上に載貧されており、該基板卸
自体は適当な加熱手段により約５０乃至２．５０℃の温
度に加熱されている。まｔ反応管ａ扉内部はａ−ｓｉ膜
形成時に高度の真空状態（ガス圧：α５乃至２． ＯＴ
ｏｒｒ） ｋ必要とすることにより回動ポンプ（２）と
拡散ポンプｔ２υに連結されている。
以上の構成のグロー放電分解装置において、純粋なａ−
ｓｉ膜を基板収η上に形成するときは第１調整弁（４）
ｒ開放して第１ボンプロ）よりＳｉＨ，ガスｒ１また燐
あるいは硼累會含有するときは第２またけｍ５ｖＩ４整
、弁＋５＋ 、 １６１ Ｙ ４開放シテ第２．第３ポ
ンプ＋２１ 、 ＋３１よりＰＨ，ガス、Ｂ鵞Ｈ・ガス
會放出する０放出量はメータリングパルプＣフｌ 、
（８１、１９１により規制され、８１Ｈ，ガスあるい＃
′ｊ８１Ｈ，ガスとＰＨ，またＨ Ｂ、Ｅ−ガスとの混
合ガス反応管ａ！９へと送られる。
ｓｉ膜を基板収η上に形成するときは第１調整弁（４）
ｒ開放して第１ボンプロ）よりＳｉＨ，ガスｒ１また燐
あるいは硼累會含有するときは第２またけｍ５ｖＩ４整
、弁＋５＋ 、 １６１ Ｙ ４開放シテ第２．第３ポ
ンプ＋２１ 、 ＋３１よりＰＨ，ガス、Ｂ鵞Ｈ・ガス
會放出する０放出量はメータリングパルプＣフｌ 、
（８１、１９１により規制され、８１Ｈ，ガスあるい＃
′ｊ８１Ｈ，ガスとＰＨ，またＨ Ｂ、Ｅ−ガスとの混
合ガス反応管ａ！９へと送られる。
そして反応管ａ！９内部がα５乃至２． ＯＴｏｒｒ
程度のガス圧、基板温［５０乃至２５０℃、ｉた共振
振動コイルのパワーが１００乃至３００ Ｗａｔｔｓ＋
と設定されていることく相俟ってグロー放電が起こり、
送り込まれたガスが８１Ｈ４のみのときは８１Ｈ４→８
１ ＋ ２ Ｈ，の反応により純粋なａ−８１膜が、混
合ガスのときは２ （８１Ｈ４＋ ＰＨ１）→２８１＋
２Ｆ＋７Ｈ。
程度のガス圧、基板温［５０乃至２５０℃、ｉた共振
振動コイルのパワーが１００乃至３００ Ｗａｔｔｓ＋
と設定されていることく相俟ってグロー放電が起こり、
送り込まれたガスが８１Ｈ４のみのときは８１Ｈ４→８
１ ＋ ２ Ｈ，の反応により純粋なａ−８１膜が、混
合ガスのときは２ （８１Ｈ４＋ ＰＨ１）→２８１＋
２Ｆ＋７Ｈ。
またに８＾■番＋Ｂ、Ｈ−→日１＋Ｂ、＋５Ｈ雪の反応
により燐まｆｅは硼素を含有したａ−Ｓｉ膜が約（ｌＬ
ｌ乃至α５ミクロシ／分の早さで基板ａη上に形成され
る。
により燐まｆｅは硼素を含有したａ−Ｓｉ膜が約（ｌＬ
ｌ乃至α５ミクロシ／分の早さで基板ａη上に形成され
る。
ここて上記基板ｍｆの設定は得られるａ −ＢＬ膜の体
積抵抗に大きな影響を与え、基板温間の上昇に＃１は比
例して体積抵抗が低下す返傾向を示す。このことにより
本発明においては基板温度は約５０乃至２５０℃とする
のが望ましく最大１０３番Ω・国の抵抗のａ−Ｓｉ膜が
得られるものである。
積抵抗に大きな影響を与え、基板温間の上昇に＃１は比
例して体積抵抗が低下す返傾向を示す。このことにより
本発明においては基板温度は約５０乃至２５０℃とする
のが望ましく最大１０３番Ω・国の抵抗のａ−Ｓｉ膜が
得られるものである。
ｆた、本グロー故電分解法は、より広汎な物質に適用で
き、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ
素、その他の各種、酸化物、炭化物、窪化物が得られる
。しかも、アモルファス性状に形成することができる。
き、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ
素、その他の各種、酸化物、炭化物、窪化物が得られる
。しかも、アモルファス性状に形成することができる。
アモルファス窄化ケイ素（ａ−ｇｉＮＸ）ｔ”形成する
場合は、前述の方法と全く同様にして、Ｎ−ガス又’ｌ
’ｘＮｔガスと５ＩＨ４との反応による。即ち、８１１
（、＋ＮＨ，→Ｂ ｉ Ｎ ＋ ５ Ｈ。
場合は、前述の方法と全く同様にして、Ｎ−ガス又’ｌ
’ｘＮｔガスと５ＩＨ４との反応による。即ち、８１１
（、＋ＮＨ，→Ｂ ｉ Ｎ ＋ ５ Ｈ。
又は、日１Ｈ，＋ Ｎ！→ＳｉＮ＋ＮＨ，等の反応とみ
られる。但し、基板温Ｉｆｉｊ約５０乃至４００℃が望
ましく、最大１０１１Ω・備の抵抗値が得られ、前述の
ａ−８１膜よりも大きな抵抗値が得られる。
られる。但し、基板温Ｉｆｉｊ約５０乃至４００℃が望
ましく、最大１０１１Ω・備の抵抗値が得られ、前述の
ａ−８１膜よりも大きな抵抗値が得られる。
以下、実施例について説明する。
実施例１
前述した、第１図に示すグロー放電分解装置により、Ｓ
ｉＨ番とＮａ１分解し、アルミニウム眉板上に、厚さα
１ミクロン（Ｄ ａ −１３ｉ Ｎ ｘ膜を形成する。
ｉＨ番とＮａ１分解し、アルミニウム眉板上に、厚さα
１ミクロン（Ｄ ａ −１３ｉ Ｎ ｘ膜を形成する。
製作条件は、ガス組成ｆ １５４ ＳｉＨ＋含有のＮ、
ガス、ガス圧力ｆ （Ｌ Ｓ Ｔｏｒｒ ＆アルミニウ
ム基板温度ｔ３５０℃、共振−動パワーフ４Ｑ口ｗａｔ
ｔｓ、膜形成速度〒１分あたりα０４ミクロンに設定し
た。引きつづいて、ａ−８１膜の上に、ａ−８１膜紫デ
ポジツトして、積層構造を形成する。基板温間１２０℃
の下で、ａ −ＢＩＮｘ膜上に、厚さ５０ミクロンのａ
−日１膜管形成した。この感光体試料Ｗ （Ｃ）とする
。次いでこの感光体ｔコロナ帯電により約１００ボルト
の表面電位に荷電し光照射した。照射光はフィルター會
使用して波長域４０００乃至８０００オングストロ一ム
間七順次可変していき光電流との関係音測定した。この
結果Ｆ１ｔｍ３図のカーブ（Ｃ）−によって示される通
りで、これより明らかな様にａ−８１は比視感度に近い
約６７００オングストロームでビーク會持ち優れた分光
感度特性を有する。
ガス、ガス圧力ｆ （Ｌ Ｓ Ｔｏｒｒ ＆アルミニウ
ム基板温度ｔ３５０℃、共振−動パワーフ４Ｑ口ｗａｔ
ｔｓ、膜形成速度〒１分あたりα０４ミクロンに設定し
た。引きつづいて、ａ−８１膜の上に、ａ−８１膜紫デ
ポジツトして、積層構造を形成する。基板温間１２０℃
の下で、ａ −ＢＩＮｘ膜上に、厚さ５０ミクロンのａ
−日１膜管形成した。この感光体試料Ｗ （Ｃ）とする
。次いでこの感光体ｔコロナ帯電により約１００ボルト
の表面電位に荷電し光照射した。照射光はフィルター會
使用して波長域４０００乃至８０００オングストロ一ム
間七順次可変していき光電流との関係音測定した。この
結果Ｆ１ｔｍ３図のカーブ（Ｃ）−によって示される通
りで、これより明らかな様にａ−８１は比視感度に近い
約６７００オングストロームでビーク會持ち優れた分光
感度特性を有する。
次に同一の条件の下でアルミニウム基板Ｊ：ｖｃ２０
ｐｐｍの硼素を含有する厚さ３０ミクロンのａ−８１膜
を形成し、同様の方法で分光感度音測定した・ その結果は第３図のカーブφ）Ｋよって示される通りで
、ピークは約６０００オングストロームとこれも良好な
分光感度特性を有する。
ｐｐｍの硼素を含有する厚さ３０ミクロンのａ−８１膜
を形成し、同様の方法で分光感度音測定した・ その結果は第３図のカーブφ）Ｋよって示される通りで
、ピークは約６０００オングストロームとこれも良好な
分光感度特性を有する。
ここで、硼素ｒ含有せしめるためにＨ，Ｓｉｎ。
ガスにＢ、Ｈ−ガス會混合流入させてグロー放電を行な
う。この場合、Ｂ＊’Ｈｍ／ＢＩＨ＋のモル比を制御す
ることが肝要である。この様子に、第２図に示しである
。ムは、周知のＷ、Ｅ、Ｅｌｐｅａｒのデータであり、
ＢＦｉ本実験における数値である。
う。この場合、Ｂ＊’Ｈｍ／ＢＩＨ＋のモル比を制御す
ることが肝要である。この様子に、第２図に示しである
。ムは、周知のＷ、Ｅ、Ｅｌｐｅａｒのデータであり、
ＢＦｉ本実験における数値である。
次に、全く同様にして、厚さ１０．５，３．１ミクロン
のａ −８１膜ｒ形成した。さらに帯電試験用として、
アルミニウム基板の代りに、ネサガラス上にも、同様に
各種属みのａ−８ｉＮｘ／ａ−Ｅｌｉの膜を形成した。
のａ −８１膜ｒ形成した。さらに帯電試験用として、
アルミニウム基板の代りに、ネサガラス上にも、同様に
各種属みのａ−８ｉＮｘ／ａ−Ｅｌｉの膜を形成した。
これらの試料について、作儂実験、帯電特性。
暗減衰特性、光減衰特性の測定上行なった。作儂実験は
、同時靜電潜儂転写方式で行なっている。
、同時靜電潜儂転写方式で行なっている。
まず厚さ３０ミクロンのａ−８１膜を有する試料を導電
性基紙Ｊ：に誘電層を有する静電転写紙（クラウンゼロ
バック社製］と全面に渡って事実土接触させ、Ｎｌ！：
８Ａガラス基板上菅負極性電圧源に接続する一方、転写
紙ｒ接地した。この状態で電圧源より一５ＯＯボルトの
電圧上試料と転写紙間に印加すると同時に基板側より画
像露光し九〇尚電圧印加時間は、１００５秒とし、霧光
ｔけ８０口ｌｕｘ／秒とした。（伺、この様に電圧印加
時間を短時間とし露光ｔｔ高輝闇としたのは試料Ｅの抵
抗が低いためで通常１０１０Ω・α以下の抵抗の感光体
には電圧印加時間Ｈ１ｎ、ｏｔ乃至α００１秒、露光量
に１００乃至数１０００１ｕＸ／秒に設定する必要があ
る。）こうして靜電潜偉が形成された転写紙は次［２成
分現儂剤を使用して出猟ブラシ法により現像して画質ｗ
Ｒぺたところ画偉濃ｆは幾分低いものの全体として良好
な画像であった。、同様の実験ｔ、各厚み、＄０．５，
３．１ミクロンｔ＊する試料に対して、実施しｔ結果、
最後の１ミクロン厚みのものの他は、即ち１ミクロン以
上のものけ、全て、食好な画像が得られた。これは、従
前周知になっていた、２０〜５０ミクロンの厚みが必要
とされる事実と異なる現象である。
性基紙Ｊ：に誘電層を有する静電転写紙（クラウンゼロ
バック社製］と全面に渡って事実土接触させ、Ｎｌ！：
８Ａガラス基板上菅負極性電圧源に接続する一方、転写
紙ｒ接地した。この状態で電圧源より一５ＯＯボルトの
電圧上試料と転写紙間に印加すると同時に基板側より画
像露光し九〇尚電圧印加時間は、１００５秒とし、霧光
ｔけ８０口ｌｕｘ／秒とした。（伺、この様に電圧印加
時間を短時間とし露光ｔｔ高輝闇としたのは試料Ｅの抵
抗が低いためで通常１０１０Ω・α以下の抵抗の感光体
には電圧印加時間Ｈ１ｎ、ｏｔ乃至α００１秒、露光量
に１００乃至数１０００１ｕＸ／秒に設定する必要があ
る。）こうして靜電潜偉が形成された転写紙は次［２成
分現儂剤を使用して出猟ブラシ法により現像して画質ｗ
Ｒぺたところ画偉濃ｆは幾分低いものの全体として良好
な画像であった。、同様の実験ｔ、各厚み、＄０．５，
３．１ミクロンｔ＊する試料に対して、実施しｔ結果、
最後の１ミクロン厚みのものの他は、即ち１ミクロン以
上のものけ、全て、食好な画像が得られた。これは、従
前周知になっていた、２０〜５０ミクロンの厚みが必要
とされる事実と異なる現象である。
ａ−１３１ＮＸ層１７ａ−Ｅ１１膜と基板との間に積層
することにより、ａ−Ｓｔ膜の厚み２１ミクロンまで低
減できることが明らかにされた。
することにより、ａ−Ｓｔ膜の厚み２１ミクロンまで低
減できることが明らかにされた。
次に試料■■■■■■に対し帯電能、暗減衰速度、光減
衰速度の特性ｒ調べる実験會行った。まず帯電能特性の
実験は５０の高電圧源に接続されたコロナ帯電器でもっ
て夫々の試料を暗所で帯電しその表面電位を測定するこ
と罠より行った。そして暗減衰速饗の特性は帯電された
各試料管暗所に放置し表面電位の減衰を測定することに
より行った。これら結果は第４図に示される通りで体積
抵抗値に比例して帯電能が向上している。つまり層板温
度２００℃の下に形成された１ ５０ ｐｐｍの硼素を
含有するＩＬ−８１膜（試料■）はその体積抵抗値が８
Ｘ１０１１Ω・国であることによりコロナ帯電により荷
電される表面電位は約４００ボルトであったが、体積抵
抗が約９×１０□０・傷である試料■は帯電表面電位が
約５２０ボルト、また体積抵抗がａ ｘ’ｔ ｏ□Ω・
個である試料（υ框約５００ボルトと帯電能が向上して
いる。
衰速度の特性ｒ調べる実験會行った。まず帯電能特性の
実験は５０の高電圧源に接続されたコロナ帯電器でもっ
て夫々の試料を暗所で帯電しその表面電位を測定するこ
と罠より行った。そして暗減衰速饗の特性は帯電された
各試料管暗所に放置し表面電位の減衰を測定することに
より行った。これら結果は第４図に示される通りで体積
抵抗値に比例して帯電能が向上している。つまり層板温
度２００℃の下に形成された１ ５０ ｐｐｍの硼素を
含有するＩＬ−８１膜（試料■）はその体積抵抗値が８
Ｘ１０１１Ω・国であることによりコロナ帯電により荷
電される表面電位は約４００ボルトであったが、体積抵
抗が約９×１０□０・傷である試料■は帯電表面電位が
約５２０ボルト、また体積抵抗がａ ｘ’ｔ ｏ□Ω・
個である試料（υ框約５００ボルトと帯電能が向上して
いる。
ここで、■は３０．■と■は１０．■は５．■Ｖｉｓｅ
■は１ミクロン厚みである。
■は１ミクロン厚みである。
次に、試料を上記と同様にコロナ帯電し２８００γのタ
ングステンランプでもって全面露光し、各試料の光減衰
特性ｒ測定した。この結果は第５図に示す如くに、■會
除いて、何れ本良好な特性を示している。
ングステンランプでもって全面露光し、各試料の光減衰
特性ｒ測定した。この結果は第５図に示す如くに、■會
除いて、何れ本良好な特性を示している。
以上に説述Ｌｌ如くに、ａ −ＳｉＮｘ ＃ｌＩ’（ａ
−８ｉ膜の下に積層して、ａ −Ｓ ｉ ／ ａ −Ｓ
ｉ Ｎ Ｘ ／基板の構成を有する電子写真感光体は
、従前のａ−８１膜単体の４のに比較して、薄く製造す
ることができ、従って、量産時のスループットが大きく
とれ、生産上、有効である。また、ａ−１１１１１ＮＸ
が緻密に形成し易いため、絶縁の確保が容易で、従って
製造歩留も向上できる。
−８ｉ膜の下に積層して、ａ −Ｓ ｉ ／ ａ −Ｓ
ｉ Ｎ Ｘ ／基板の構成を有する電子写真感光体は
、従前のａ−８１膜単体の４のに比較して、薄く製造す
ることができ、従って、量産時のスループットが大きく
とれ、生産上、有効である。また、ａ−１１１１１ＮＸ
が緻密に形成し易いため、絶縁の確保が容易で、従って
製造歩留も向上できる。
また、ａ−８１ＮＫは、！＃的に結晶パターンの確認で
きる膜でも、既述の効果は確認できており、組成的にも
、ａ−８１ＮＸＯｙＣｚ の組成がイオンマイクロアナ
ライザーで確認できるものでも同様に効果は確認できて
いる。ｔたグロー放電分解の特質上、水素化されており
、Ｈｆ当然含んでいる膜である。
きる膜でも、既述の効果は確認できており、組成的にも
、ａ−８１ＮＸＯｙＣｚ の組成がイオンマイクロアナ
ライザーで確認できるものでも同様に効果は確認できて
いる。ｔたグロー放電分解の特質上、水素化されており
、Ｈｆ当然含んでいる膜である。
第１図にアモルファスシリコンを生成するためのクロｌ
−放電分散装置の概略図、第２図はアモルファスシリコ
ンに硼素及び燐を含有し友場合の体積抵抗の変化ｒ示す
図、第３図はアモルファスシリコン膜の分光感度特性管
示す図、第４図はアモルファスシリコンの帯電及び暗減
衰特性管示す図そして第５図はアモルファスシリコンの
光減衰特性を示す図である。 １１１ 、 （２１、＋３１・・・第１．第２．第５ポ
ンプＯＩ・・・主管 ａｌ・・・反応管 αｅ・・・共振振動コイル （Ｌη・・・基板 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 第１図 逼１（Ａ） 第３図 第２図 第５図
−放電分散装置の概略図、第２図はアモルファスシリコ
ンに硼素及び燐を含有し友場合の体積抵抗の変化ｒ示す
図、第３図はアモルファスシリコン膜の分光感度特性管
示す図、第４図はアモルファスシリコンの帯電及び暗減
衰特性管示す図そして第５図はアモルファスシリコンの
光減衰特性を示す図である。 １１１ 、 （２１、＋３１・・・第１．第２．第５ポ
ンプＯＩ・・・主管 ａｌ・・・反応管 αｅ・・・共振振動コイル （Ｌη・・・基板 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 第１図 逼１（Ａ） 第３図 第２図 第５図
Claims (1)
- グロー放電分解法により生成されるアモルファスシリコ
ン（ドーピングされた元素を含む）及びアモルファス９
化シリコン（ドーピングされた元素を含む）の２層積層
構造會有する光導電体層より成ることをＩＰ＃１とする
電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123205A JPS5824148A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123205A JPS5824148A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5824148A true JPS5824148A (ja) | 1983-02-14 |
Family
ID=14854794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56123205A Pending JPS5824148A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883855A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758160A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Canon Inc | Photoconductive member |
-
1981
- 1981-08-06 JP JP56123205A patent/JPS5824148A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758160A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Canon Inc | Photoconductive member |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883855A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
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