JPH01316471A - エッチング液 - Google Patents
エッチング液Info
- Publication number
- JPH01316471A JPH01316471A JP63145928A JP14592888A JPH01316471A JP H01316471 A JPH01316471 A JP H01316471A JP 63145928 A JP63145928 A JP 63145928A JP 14592888 A JP14592888 A JP 14592888A JP H01316471 A JPH01316471 A JP H01316471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- soln
- gaas
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ層あるいは基板表面に
オーミックあるいはショットキー接合電極を形成する際
に良好な表面を顕出させたり、あるいは、ＧａＡｓ 、
Ｇａ１−ｘＡＺｘＡ” へテロ構造の基板をメサエッ
チングするのに好適なエツチング液に関する。
オーミックあるいはショットキー接合電極を形成する際
に良好な表面を顕出させたり、あるいは、ＧａＡｓ 、
Ｇａ１−ｘＡＺｘＡ” へテロ構造の基板をメサエッ
チングするのに好適なエツチング液に関する。
従来、Ｇａ４．、、ｘＡｌｘＡｓ層あるいは基板をエツ
チングするエツチング液としては、Ｈ２ＳＯ４系、 Ｎ
Ｈ４ＯＨ系。
チングするエツチング液としては、Ｈ２ＳＯ４系、 Ｎ
Ｈ４ＯＨ系。
ＨＦ系などがよく知られていた。
従来のＨ２ＳＯ４系、 ＮＨ４ＯＨ系、 ＨＦ系のエツ
チング液では、その組成比によって、ＧａＡｓとＧａ１
−ｘＡｌｘＡｓのエツチング量が異なってくるために、
ＧａＡｓ ｒＧ ａ １− ｘＡＺｘＡ ｓヘテロ構造
の基板のメサエッチングには不適であり、また、エツチ
ング表面にエッチピットができることがあるという問題
があった。
チング液では、その組成比によって、ＧａＡｓとＧａ１
−ｘＡｌｘＡｓのエツチング量が異なってくるために、
ＧａＡｓ ｒＧ ａ １− ｘＡＺｘＡ ｓヘテロ構造
の基板のメサエッチングには不適であり、また、エツチ
ング表面にエッチピットができることがあるという問題
があった。
本発明は、上記の事情て鑑みてなされたもので、表面の
酸化膜を増大させたり、エッチピットができることなく
、また、ＧａＡｓ ｒ Ｇａ 、 −ｘＡｌｘＡｓ ヘ
テロｍ造基板のメサエッチングに適したエラｆ ｙ り
ｇを提供することを目的とする。
酸化膜を増大させたり、エッチピットができることなく
、また、ＧａＡｓ ｒ Ｇａ 、 −ｘＡｌｘＡｓ ヘ
テロｍ造基板のメサエッチングに適したエラｆ ｙ り
ｇを提供することを目的とする。
本発明のエツチング液は、Ｈ２Ｏ２とＨ３ＰＯ４の混合
液で、室温において３０％Ｈ２Ｏ２と８５％Ｈ３ＰＯ４
の体積比が２．３以下で水を５０％以上含むものである
。
液で、室温において３０％Ｈ２Ｏ２と８５％Ｈ３ＰＯ４
の体積比が２．３以下で水を５０％以上含むものである
。
第１図にＧａＡｓ基板上に液相エビタキンヤル成長させ
たＧａｏ、７Ａｔｏ、、Ａｓ層の本発明のエツチングＵ
Ｋよるエツチング速度を示す・ Ｈ３ＰＯ４，Ｈ２Ｏ２１Ｈ２０の組成比が（１：１：２
０）。
たＧａｏ、７Ａｔｏ、、Ａｓ層の本発明のエツチングＵ
Ｋよるエツチング速度を示す・ Ｈ３ＰＯ４，Ｈ２Ｏ２１Ｈ２０の組成比が（１：１：２
０）。
（２：１：４０）、（４：１：８０）の場合、エツチン
グ速度はそれぞれ２０００Ｘ／ｒｒＩｉｎ、１０００Ｘ
／ｍｉｎ。
グ速度はそれぞれ２０００Ｘ／ｒｒＩｉｎ、１０００Ｘ
／ｍｉｎ。
５００ Ｘ／ｎ１ｉｎとなった〇
また、これらのエツチング液でエツチングした場合の表
面に形成された酸化膜厚をエリグリメータで測定した結
果、エツチング前の自然酸化膜厚から変化がなかった。
面に形成された酸化膜厚をエリグリメータで測定した結
果、エツチング前の自然酸化膜厚から変化がなかった。
また、第２図にＨ，ＰＯ４，Ｈ２Ｏ２、Ｈ２Ｏの組成比
が（４二１：８０）のエツチング液によるＧａＡｓ基板
と該基板上にエピタキシャル成長させたＧａｏ、７Ａｔ
（１，３Ａｌ層のエツチング量を示す。ＧａＡｔＡａと
ＧａＡｓにおいて、エツチング速度は同じであることが
確認された。
が（４二１：８０）のエツチング液によるＧａＡｓ基板
と該基板上にエピタキシャル成長させたＧａｏ、７Ａｔ
（１，３Ａｌ層のエツチング量を示す。ＧａＡｔＡａと
ＧａＡｓにおいて、エツチング速度は同じであることが
確認された。
また、ＧａＡｓ基板に分子線エピタキシャル成長させた
ＧａＡｓ／Ｇａ（１、７Ａｌ−６，３Ａｓ基板のメサエ
ッチングを行ない、断面形状をＳＥＭ （走査型電子顕
微鏡）で観察した結果、エツチングが非選択的に行なわ
れることが確認された。
ＧａＡｓ／Ｇａ（１、７Ａｌ−６，３Ａｓ基板のメサエ
ッチングを行ない、断面形状をＳＥＭ （走査型電子顕
微鏡）で観察した結果、エツチングが非選択的に行なわ
れることが確認された。
以上説明したように、本発明のエツチング液によれば、
Ｇａ １．、、ｘＡＺｘＡ ｓ層あるいは基板のエツチ
ングにおいて、エッチビットができたシすることなく、
良好なエツチング面が得られ、また、Ｇ、ａＡｓに対し
て選択性を示さないため、ＧａＡｓ／ＧａＡｔＡｓヘテ
ロ構造基板のメサエッチングを適切に行うことができる
という効果がある。
Ｇａ １．、、ｘＡＺｘＡ ｓ層あるいは基板のエツチ
ングにおいて、エッチビットができたシすることなく、
良好なエツチング面が得られ、また、Ｇ、ａＡｓに対し
て選択性を示さないため、ＧａＡｓ／ＧａＡｔＡｓヘテ
ロ構造基板のメサエッチングを適切に行うことができる
という効果がある。
第１図はＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長させたＧ
ａｏ、、Ａｔ、、、Ａｓ層の本発明のエツチング液によ
るエツチング速度を示すグラフ、第２図はＨ，ＰＯ４゜
Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏの組成比が（４：１：８０）のエツチ
ング液によるＧａＡｓ基板と該基板上のエピタキシャル
成長Ｑａ □ 、 ７ｋ１０．３Ａｌ層のエツチング量
を示すグラフである。 特許出願人 新日本無線株式会社
ａｏ、、Ａｔ、、、Ａｓ層の本発明のエツチング液によ
るエツチング速度を示すグラフ、第２図はＨ，ＰＯ４゜
Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏの組成比が（４：１：８０）のエツチ
ング液によるＧａＡｓ基板と該基板上のエピタキシャル
成長Ｑａ □ 、 ７ｋ１０．３Ａｌ層のエツチング量
を示すグラフである。 特許出願人 新日本無線株式会社
Claims (1)
- Ｈ＿２Ｏ＿２とＨ＿３ＰＯ＿４の混合液で、室温におい
て３０％Ｈ＿２Ｏ＿２と８５％Ｈ＿３ＰＯ＿４の体積比
が２．３以下で水を５０％以上含むＧａ＿１＿−＿ｘＡ
ｌ＿ｘＡｓ（０＜ｘ＜１．０）層あるいは基板をエッチ
ングするためのエッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145928A JPH01316471A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145928A JPH01316471A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | エッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316471A true JPH01316471A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15396320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145928A Pending JPH01316471A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669187A (ja) * | 1992-06-04 | 1994-03-11 | Micron Technol Inc | 半導体処理方法 |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63145928A patent/JPH01316471A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669187A (ja) * | 1992-06-04 | 1994-03-11 | Micron Technol Inc | 半導体処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1059242A (en) | Method of selectively etching aiiibv semiconductor materials | |
| EP0209194B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a layer of gallium arsenide is etched in a basic solution of hydrogen peroxide | |
| JP2525788B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| EP0414457B1 (en) | Selective etching process | |
| JP2841529B2 (ja) | 金属膜の選択的形成方法 | |
| JP3215504B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法、及び半導体発光装置 | |
| JPS6366414B2 (ja) | ||
| JP3201793B2 (ja) | Ｓｉ基体の加工方法 | |
| US5961718A (en) | Process for selectively depositing diamond films | |
| Huo et al. | New chemical solutions for the etching of (011) oriented V-grooves in InP (001) for CSBH laser diodes | |
| US5380398A (en) | Method for selectively etching AlGaAs | |
| JP2005191285A (ja) | ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体層用エッチング液、エッチング方法および半導体基板 | |
| JP3114942B2 (ja) | 半導体のエッチング方法 | |
| KR0141417B1 (ko) | 주기율표 iii-v족 화합물 반도체의 건식 에칭방법 | |
| JPH02246180A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH08288589A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2940021B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JPS63299343A (ja) | エッチング方法 | |
| JPS6329518A (ja) | ＧａＡｓ系基板のエツチング方法 | |
| JPS6233310B2 (ja) | ||
| JPS6211236A (ja) | 化合物半導体の化学エツチング方法 | |
| JP3324221B2 (ja) | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0415616B2 (ja) | ||
| JPS57122531A (en) | Etching method | |
| JPH01276724A (ja) | 半導体装置の製造方法 |