JPS6211236A - 化合物半導体の化学エツチング方法 - Google Patents
化合物半導体の化学エツチング方法Info
- Publication number
- JPS6211236A JPS6211236A JP60151077A JP15107785A JPS6211236A JP S6211236 A JPS6211236 A JP S6211236A JP 60151077 A JP60151077 A JP 60151077A JP 15107785 A JP15107785 A JP 15107785A JP S6211236 A JPS6211236 A JP S6211236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- forward mesa
- etching
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｇ ａ Ａ ｓ系ｍ−ｖ族化合物半導体の化
学エツチング方法に関するものである。
学エツチング方法に関するものである。
従来の技術
Ｇ ａ Ａ ｓやＧａＡｌＡｓ系の化合物半導体の化学
エツチングは、従来から研究されており、そのエツチン
グ特性については数多くの報告がある。エッチャントの
種類、エツチング速度、Ｇ ａ Ａ ｓあるいはＧａＡ
ｌＡｓの選択エッチャント、エツチングによる断面形状
などについて、その詳細が知られている。このような化
学エツチング技術を用いてＧａＡｓの表面処理やＧａＡ
ｓ／ＧａＡｎＡｓから成るウェハの選択エツチングなど
が行なわれてきた。
エツチングは、従来から研究されており、そのエツチン
グ特性については数多くの報告がある。エッチャントの
種類、エツチング速度、Ｇ ａ Ａ ｓあるいはＧａＡ
ｌＡｓの選択エッチャント、エツチングによる断面形状
などについて、その詳細が知られている。このような化
学エツチング技術を用いてＧａＡｓの表面処理やＧａＡ
ｓ／ＧａＡｎＡｓから成るウェハの選択エツチングなど
が行なわれてきた。
Ｇ ａ Ａ ｓ系化合物半導体は半導体レーザなどの発
光素子やＩＣなどの能動素子に幅広く用いられている。
光素子やＩＣなどの能動素子に幅広く用いられている。
Ｇ ａ Ａ ｓはＳｉに比べて電子の移動速度が１０倍
も速いため、高周波帯域の素子として使用されるが、そ
の結晶構造の違いによって化学エツチングによる断面形
状が異なり、不都合を生じる。ＳＬはダイヤモンド構造
であるため、第５図に示すように、（ｔｏｏ） Ｓ ｉ
基板１上に＜０１１＞方向および＜０１１＞方向に平行
なエツジをもつマスク２を通して化学的にエツチングを
行なったものでは、ともに順メサ状の形状となる。
も速いため、高周波帯域の素子として使用されるが、そ
の結晶構造の違いによって化学エツチングによる断面形
状が異なり、不都合を生じる。ＳＬはダイヤモンド構造
であるため、第５図に示すように、（ｔｏｏ） Ｓ ｉ
基板１上に＜０１１＞方向および＜０１１＞方向に平行
なエツジをもつマスク２を通して化学的にエツチングを
行なったものでは、ともに順メサ状の形状となる。
ところが第６図に示すように、（１００）ＧａＡｓ基板
３上に同様なマスク２を通してエツチングを行なうと、
＜０１１＞方向で順メサ状になるのに対し。
３上に同様なマスク２を通してエツチングを行なうと、
＜０１１＞方向で順メサ状になるのに対し。
（０１１）方向では逆メサ状となる。これはＧ ａ Ａ
ｓがジンクブレンド型の結晶構造であるためである。
ｓがジンクブレンド型の結晶構造であるためである。
発明が解決しようとする問題点
このように逆メサ状となることにより問題となるのは、
第７図（Ａ）に示すような電極４の断線である。順メサ
状では、第７図（Ｂ）ように電極４の断線が生じないた
め、多層配線も可能である。
第７図（Ａ）に示すような電極４の断線である。順メサ
状では、第７図（Ｂ）ように電極４の断線が生じないた
め、多層配線も可能である。
Ｓｉ基板では単に順メサ状のエツチング断面となるため
、ＩＣやＬＳＩを構成する上で断線などの問題が生じな
いが、ＧａＡｓ基板では結晶方向によって逆メサ状の断
面となるため、Ｓｉ基板と同様に考えることはできない
。すなわち、従来では断線を避けるために、配線をより
複雑にするか、あるいは第８図に示すように、ウェハ上
に樹脂５を塗布して、その上に配線するかしか手段がな
かった。
、ＩＣやＬＳＩを構成する上で断線などの問題が生じな
いが、ＧａＡｓ基板では結晶方向によって逆メサ状の断
面となるため、Ｓｉ基板と同様に考えることはできない
。すなわち、従来では断線を避けるために、配線をより
複雑にするか、あるいは第８図に示すように、ウェハ上
に樹脂５を塗布して、その上に配線するかしか手段がな
かった。
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、Ｇ ａ Ａ
ｓ基板上に結晶面に無関係に順メサ状のエツチング断
面を形成することのできる化合物半導体の化学エツチン
グ方法を提供することを目的とする。
ｓ基板上に結晶面に無関係に順メサ状のエツチング断
面を形成することのできる化合物半導体の化学エツチン
グ方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の化学物半導体の化
学エツチング方法は、ＧａＡｓ基板上にＡｕＡｓ混晶比
が０．２〜０．２７または０．３５以上のＧａＡｌＡｓ
層を形成する工程と、前記ＧａＡｌＡｓ層上にマスクを
形成する工程と、前記マスクを通して前記ＧａＡｓ基板
を化学的にエツチングする工程とを含むものである。
学エツチング方法は、ＧａＡｓ基板上にＡｕＡｓ混晶比
が０．２〜０．２７または０．３５以上のＧａＡｌＡｓ
層を形成する工程と、前記ＧａＡｌＡｓ層上にマスクを
形成する工程と、前記マスクを通して前記ＧａＡｓ基板
を化学的にエツチングする工程とを含むものである。
作用
このように、Ｇ ａ Ａ ｓ基板の表面に、Ａ ｎ Ａ
ｓ混晶比が０．２〜０．２７または０．３５以上のＧ
ａＡｌＡｓ層を設けることにより、Ｇ ａ Ａ ｓ基板
のエツチング断面は、結晶面に無関係に順メサ状となる
。
ｓ混晶比が０．２〜０．２７または０．３５以上のＧ
ａＡｌＡｓ層を設けることにより、Ｇ ａ Ａ ｓ基板
のエツチング断面は、結晶面に無関係に順メサ状となる
。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図に基づいて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体の化学
エツチング方法によりエツチングされる直前の化合物半
導体の斜視図、第２図は同化合物半導体の化学エツチン
グ方法によりエツチングされた化合物半導体の斜視図で
、（１００）ＧａＡｓ基板１１上にＧａ、−ｘＡＡ）ｃ
ＡｓＡｓ層上２上長させ、そのＧａ□−ｘＡｕｘＡｓ層
１２上につけたフォトマスク１３を通して（１００）Ｇ
ａＡｓ基板１１まで化学的にエツチングを行なったもの
である。第３図にＧ ａｌ−Ｘ、Ａ ｎ、ＡｓＭ１２の
ＡｕＡｓ混晶比Ｘと（０１１）面および（０１１）面の
エツチングプロファイルを示す。（０１１）面ではＸの
値にかかわらず順メサ状を示しているが、（０１１）面
ではあるＸの範囲で（１００）ＧａＡｓ基板１１は順メ
サ状となる。第４図は（０１１）面の断面において傾き
角θ、と０２とをプロットしたものである。
エツチング方法によりエツチングされる直前の化合物半
導体の斜視図、第２図は同化合物半導体の化学エツチン
グ方法によりエツチングされた化合物半導体の斜視図で
、（１００）ＧａＡｓ基板１１上にＧａ、−ｘＡＡ）ｃ
ＡｓＡｓ層上２上長させ、そのＧａ□−ｘＡｕｘＡｓ層
１２上につけたフォトマスク１３を通して（１００）Ｇ
ａＡｓ基板１１まで化学的にエツチングを行なったもの
である。第３図にＧ ａｌ−Ｘ、Ａ ｎ、ＡｓＭ１２の
ＡｕＡｓ混晶比Ｘと（０１１）面および（０１１）面の
エツチングプロファイルを示す。（０１１）面ではＸの
値にかかわらず順メサ状を示しているが、（０１１）面
ではあるＸの範囲で（１００）ＧａＡｓ基板１１は順メ
サ状となる。第４図は（０１１）面の断面において傾き
角θ、と０２とをプロットしたものである。
θ１は（１００）ＧａＡｓ基板１１とＧａｚ−ｘＡｉｘ
Ａｓ層１２との接合面とＧａニーｘＡｉｘＡ８層１２の
エツチング側面との成す角であり、θ２は前記接合面と
（１００）ＧａＡｓ基板１１のエツチング側面との成す
角である。
Ａｓ層１２との接合面とＧａニーｘＡｉｘＡ８層１２の
エツチング側面との成す角であり、θ２は前記接合面と
（１００）ＧａＡｓ基板１１のエツチング側面との成す
角である。
この第４図より明らかなように、ＡｕＡｓ混晶比が０．
２二〇、２７および０．３５以上の範囲で０２≧９０°
すなわち順メサ状となる。このようにしてエツチングし
たウェハのフォトマスク１３を除去し、さらにＮＨ，Ｏ
Ｈ＋Ｈ２Ｏ２系の選択エッチャントでＧａミニ−Ａ １
２．ｘ Ａ ｓ、１１２を取り除くと、（１００）Ｇａ
Ａｓ基板１１上に第２図に示すような順メサ状のエツチ
ングプロファイルが得られる。
２二〇、２７および０．３５以上の範囲で０２≧９０°
すなわち順メサ状となる。このようにしてエツチングし
たウェハのフォトマスク１３を除去し、さらにＮＨ，Ｏ
Ｈ＋Ｈ２Ｏ２系の選択エッチャントでＧａミニ−Ａ １
２．ｘ Ａ ｓ、１１２を取り除くと、（１００）Ｇａ
Ａｓ基板１１上に第２図に示すような順メサ状のエツチ
ングプロファイルが得られる。
発明の効果
以上述べたごとく本発明によれば、ＧａＡｓ基板におい
て、＜ＯＬＤおよび（０１丁〉方向に順メサ状のエツチ
ングプロファイルを形成できる。したがって、Ｇ ａ
Ａ ｓ基板上に電極を形成した場合でも、配線の断線が
生じないため、配線を自由に設計でき、その工業的利用
価値は極めて大である。
て、＜ＯＬＤおよび（０１丁〉方向に順メサ状のエツチ
ングプロファイルを形成できる。したがって、Ｇ ａ
Ａ ｓ基板上に電極を形成した場合でも、配線の断線が
生じないため、配線を自由に設計でき、その工業的利用
価値は極めて大である。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体の化学
エツチング方法によりエツチングされる直前の化合物半
導体の斜視図、第２図は同化学エツチング方法によりエ
ツチングされた化合物半導体の斜視図、第３図はＧａ、
−ｚＡ立ＸＡＳ層のＡ立Ａｓ混晶比とエツチングプロフ
ァイルとの関係の説明図、第４図はＧａ１−ｘＡ立Ｘ
Ａ ｓの又と傾き角θ□、θ２との関係の説明図、第５
図は（１００） Ｓ ｉ基板上に（Ｏｌｌ）および＜０
１丁〉方向に平行なエツジをもつマスクを通して化学エ
ツチングを行なった時のエツチングプロファイルを示す
斜視図、第６図は（１００） Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に
同様なマスクを通して化学エツチングを行なった時のエ
ツチングプロファイルを示す斜視図、第７図（Ａ）（Ｂ
）は第６図に示したＧａＡｓ基板上に電極を形成した状
態の断面図、第８図はＧａＡｓ基板上に樹脂等をコーテ
ィングしてその上に配線した状態の断面図である。 １ｌ−（１００）ＧａＡｓ基板、１２・・’Ｇａ、−ｘ
ＡｕｚＡｓ層。 １３・・・フォトマスク 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 第３図 第４図 （ｔｑ） Ａ１４ｓテ昆轟比 第５図 第７図 第β図
エツチング方法によりエツチングされる直前の化合物半
導体の斜視図、第２図は同化学エツチング方法によりエ
ツチングされた化合物半導体の斜視図、第３図はＧａ、
−ｚＡ立ＸＡＳ層のＡ立Ａｓ混晶比とエツチングプロフ
ァイルとの関係の説明図、第４図はＧａ１−ｘＡ立Ｘ
Ａ ｓの又と傾き角θ□、θ２との関係の説明図、第５
図は（１００） Ｓ ｉ基板上に（Ｏｌｌ）および＜０
１丁〉方向に平行なエツジをもつマスクを通して化学エ
ツチングを行なった時のエツチングプロファイルを示す
斜視図、第６図は（１００） Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に
同様なマスクを通して化学エツチングを行なった時のエ
ツチングプロファイルを示す斜視図、第７図（Ａ）（Ｂ
）は第６図に示したＧａＡｓ基板上に電極を形成した状
態の断面図、第８図はＧａＡｓ基板上に樹脂等をコーテ
ィングしてその上に配線した状態の断面図である。 １ｌ−（１００）ＧａＡｓ基板、１２・・’Ｇａ、−ｘ
ＡｕｚＡｓ層。 １３・・・フォトマスク 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 第３図 第４図 （ｔｑ） Ａ１４ｓテ昆轟比 第５図 第７図 第β図
Claims (1)
- １、ＧａＡｓ基板上にＡｌＡｓ混晶比が０．２〜０．２
７または０．３５以上のＧａＡｌＡｓ層を形成する工程
と、前記ＧａＡｌＡｓ層上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを通して前記ＧａＡｓ基板を化学的にエッチ
ングする工程とを含む化合物半導体の化学エッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151077A JPS6211236A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 化合物半導体の化学エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151077A JPS6211236A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 化合物半導体の化学エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211236A true JPS6211236A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15510806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151077A Pending JPS6211236A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 化合物半導体の化学エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555193A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-03-05 | Honda Motor Co Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
| JP2003282528A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-10-03 | Sharp Corp | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60151077A patent/JPS6211236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555193A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-03-05 | Honda Motor Co Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
| JP2003282528A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-10-03 | Sharp Corp | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7294201B2 (en) | Method of manufacturing crystal of III-V compound of the nitride system, crystal substrate of III-V compound of the nitride system, crystal film of III-V compound of the nitride system, and method of manufacturing device | |
| CA2026289A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor laser | |
| JPH0677205A (ja) | 化合物半導体の微細構造形成方法 | |
| US5665612A (en) | Method for fabricating a planar buried heterostructure laser diode | |
| JP3474917B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20010020440A1 (en) | Method of manufacturing crystal of III-V compound of the nitride system, crystal substrate of III-V compound of the nitride system, crystal film of III-V compound of the nitride system, and method of manufacturing device | |
| JP2002299249A (ja) | 半導体基板、半導体素子および半導体層の形成方法 | |
| JPH02260636A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6174382A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS6223191A (ja) | リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| KR900008408B1 (ko) | Iii-v족 화합물 반도체소자의 전극 형성방법 | |
| US5963786A (en) | Method of making semiconductor laser with inverted mesa shaped ridge with cervical surface | |
| JPH0213926B2 (ja) | ||
| JP3215504B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法、及び半導体発光装置 | |
| JPH07170000A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| EP0173558A2 (en) | Mesa structure comprising a compound semiconductor | |
| JPS60201684A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| KR970003749B1 (ko) | 레이저다이오드의 제조방법 | |
| JPH03129833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02114583A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3120439B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0410683A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH03222488A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS60213072A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH0719757B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 |