JPH01316472A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01316472A JPH01316472A JP14879488A JP14879488A JPH01316472A JP H01316472 A JPH01316472 A JP H01316472A JP 14879488 A JP14879488 A JP 14879488A JP 14879488 A JP14879488 A JP 14879488A JP H01316472 A JPH01316472 A JP H01316472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- magnetic field
- dry etching
- ion beams
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンビームを用いたドライエツチング装置に
関する。
関する。
従来、この種のドライエツチング装置では、第２図に示
すように、排気系により真空チャンバ２０内を高真空に
した後、基板ホルダ２１にセットされた基板に対しイオ
ン源２３からイオンビーム２４を照射しエツチングを行
なっていたが、エツチングを行なう際に基板ホ′ルダと
ホルダを指示する回転ステージ２２が回転方向２６に回
転する事により基板に回転方向２５の自公転を与え、イ
オンビームが均一に当るようにしてエツチングの均一化
をはかっていた。
すように、排気系により真空チャンバ２０内を高真空に
した後、基板ホルダ２１にセットされた基板に対しイオ
ン源２３からイオンビーム２４を照射しエツチングを行
なっていたが、エツチングを行なう際に基板ホ′ルダと
ホルダを指示する回転ステージ２２が回転方向２６に回
転する事により基板に回転方向２５の自公転を与え、イ
オンビームが均一に当るようにしてエツチングの均一化
をはかっていた。
上述した従来のドライエツチング装置は、基板の自公転
の為の動力を大気側のモータから歯車及びチェーンで伝
達しているため、チェーンがはずれたり、押さえネジの
ゆるみ等によって伝達ミスが生じやすく、真空のシール
部分での動力伝達によりリークが生じやすく、あるいは
イオンビームによるエツチングレートがイオン源の中心
軸に対し正規分布をなしているために基板が自公転を行
なっても口１０ｃｍ基板内で±１０％程度のエツチング
量のばらつきが生じるなどの欠点がある。
の為の動力を大気側のモータから歯車及びチェーンで伝
達しているため、チェーンがはずれたり、押さえネジの
ゆるみ等によって伝達ミスが生じやすく、真空のシール
部分での動力伝達によりリークが生じやすく、あるいは
イオンビームによるエツチングレートがイオン源の中心
軸に対し正規分布をなしているために基板が自公転を行
なっても口１０ｃｍ基板内で±１０％程度のエツチング
量のばらつきが生じるなどの欠点がある。
本発明のドライエツチング装置は、イオンビ−ムが不活
性ガスの正イオンの流れである事を利用して磁界を作り
、その磁界の向きを変える事により、イオンビームの流
れの方向を制御し、ステージ上の全ての点に対してイオ
ンビームを均等に照射できるようなイオンビームコント
ローラを有している。
性ガスの正イオンの流れである事を利用して磁界を作り
、その磁界の向きを変える事により、イオンビームの流
れの方向を制御し、ステージ上の全ての点に対してイオ
ンビームを均等に照射できるようなイオンビームコント
ローラを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１０は真空チャンバ、１１は基板ホルダ、１２はステー
ジ、１３はイオン源、１４はイオンコントローラ、１５
はイオンコントローラによって生じた磁界の向き、１６
はイオンビームの流れ（Ｖ）である。
ジ、１３はイオン源、１４はイオンコントローラ、１５
はイオンコントローラによって生じた磁界の向き、１６
はイオンビームの流れ（Ｖ）である。
第１図に示されるよに、イオンコントローラ１４によっ
て生じた磁界の向き（Ｂ）が紙面を裏から表に向かうも
のとすると、イオンビームの構（電荷ｑ）はＦ＝ｑｖＸ
Ｂより紙面上向きで太きさがｌｑｌ ・１ｖｘＢ１の力
を受る。そこで磁界の大きさを一定とし、向きをイオン
源の中心軸回りに３６０’回転させるとイオンビームの
受ける力の向きは磁界の向きと９０°のずれを持ってい
るためイオンビームはステージ上にある半径の円ビーム
に働く力Ｆの大きさによるので、磁界Ｂの大きさを変え
る事により任意の半径を得る事ができる。これより、イ
オンビームコントローラを用いて磁界の向きをイオン源
の中心軸回りに３６０°回転させ、同時に磁界の大きさ
を必要な大きさまで変える事によりイオンビームはステ
ージ全体に照射されホルダに納められた基板を均一にエ
ツチングする事が可能である。
て生じた磁界の向き（Ｂ）が紙面を裏から表に向かうも
のとすると、イオンビームの構（電荷ｑ）はＦ＝ｑｖＸ
Ｂより紙面上向きで太きさがｌｑｌ ・１ｖｘＢ１の力
を受る。そこで磁界の大きさを一定とし、向きをイオン
源の中心軸回りに３６０’回転させるとイオンビームの
受ける力の向きは磁界の向きと９０°のずれを持ってい
るためイオンビームはステージ上にある半径の円ビーム
に働く力Ｆの大きさによるので、磁界Ｂの大きさを変え
る事により任意の半径を得る事ができる。これより、イ
オンビームコントローラを用いて磁界の向きをイオン源
の中心軸回りに３６０°回転させ、同時に磁界の大きさ
を必要な大きさまで変える事によりイオンビームはステ
ージ全体に照射されホルダに納められた基板を均一にエ
ツチングする事が可能である。
以上説明したように本発明は、イオンビームコントロー
ラによって発生させた磁界によりイオンビームの流れの
方向を制御し、ステージ内でのエツチング量のばらつき
を例えば±５％以内におさえることができる。
ラによって発生させた磁界によりイオンビームの流れの
方向を制御し、ステージ内でのエツチング量のばらつき
を例えば±５％以内におさえることができる。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来例
の縦断面図である。 １０・・・真空チャンバ、１１・・・基板ホルダ、１２
・・・回転ステージ、１３・・・イオン源、１４・・・
イオンコントローラ、１５・・・磁界の向き（Ｂ）、１
６・・・イオンビームの流れ（Ｖ）。
の縦断面図である。 １０・・・真空チャンバ、１１・・・基板ホルダ、１２
・・・回転ステージ、１３・・・イオン源、１４・・・
イオンコントローラ、１５・・・磁界の向き（Ｂ）、１
６・・・イオンビームの流れ（Ｖ）。
Claims (1)
- 真空チャンバ、イオン源、基板ホルダ、ステージ、イ
オン源を有し、被エッチング物に対しイオンビームをら
せん状に照射する様に制御を行なうイオンコントローラ
を有することを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14879488A JPH01316472A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14879488A JPH01316472A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316472A true JPH01316472A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15460845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14879488A Pending JPH01316472A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707228B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-03-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for adjusting frequency of electronic component |
| US9129843B1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-09-08 | Globalfoundries Inc. | Integrated inductor |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14879488A patent/JPH01316472A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707228B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-03-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for adjusting frequency of electronic component |
| US9129843B1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-09-08 | Globalfoundries Inc. | Integrated inductor |
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