JPH01316683A - Ｘ線検出装置 - Google Patents
Ｘ線検出装置Info
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- JPH01316683A JPH01316683A JP14951688A JP14951688A JPH01316683A JP H01316683 A JPH01316683 A JP H01316683A JP 14951688 A JP14951688 A JP 14951688A JP 14951688 A JP14951688 A JP 14951688A JP H01316683 A JPH01316683 A JP H01316683A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 14
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、螢光Ｘ線分析装置のように、半導体Ｘ線検出
器等のＸ線検出器を備えたＸ線検出装置に関する。
器等のＸ線検出器を備えたＸ線検出装置に関する。
従来、半導体検出器（例えば５Ｌ（Ｌｉ）検出器）を備
えたＸ線検出装置においては、第２図に示すように、Ｘ
線′ａ（図外）からのＸ線（−次Ｘ線）２０をコリメー
タ等のＸ線５４１体２１によりガイドして試料２２の表
面２２Ａに照射し、この表面２２Ａから発せられる二次
Ｘ線（ここで云う二次Ｘ線とは、螢光Ｘ線、回折Ｘ線、
コンプトン散乱Ｘ綿を総称したものである）２３が半導
体検出器２４に入射するように（即ち、図中の角度θ１
が角度θ２と等しくなるように）構成しているが、この
ように構成した場合、二次Ｘ線２３が照射点から全方位
に散乱するため、半導体検出器２４に捕捉される二次Ｘ
線２３が少なく、余り感度よく測定することができない
。
えたＸ線検出装置においては、第２図に示すように、Ｘ
線′ａ（図外）からのＸ線（−次Ｘ線）２０をコリメー
タ等のＸ線５４１体２１によりガイドして試料２２の表
面２２Ａに照射し、この表面２２Ａから発せられる二次
Ｘ線（ここで云う二次Ｘ線とは、螢光Ｘ線、回折Ｘ線、
コンプトン散乱Ｘ綿を総称したものである）２３が半導
体検出器２４に入射するように（即ち、図中の角度θ１
が角度θ２と等しくなるように）構成しているが、この
ように構成した場合、二次Ｘ線２３が照射点から全方位
に散乱するため、半導体検出器２４に捕捉される二次Ｘ
線２３が少なく、余り感度よく測定することができない
。
そこで、半導体検出器２４のＸ線入射窓２４Ａを大きく
したり、複数の半導体検出器２４を設けたり、或いは、
一系統のタライオスタットのコールドフィンガー尖端部
に複数の半導体検出器２４を固定することが行われてい
る。
したり、複数の半導体検出器２４を設けたり、或いは、
一系統のタライオスタットのコールドフィンガー尖端部
に複数の半導体検出器２４を固定することが行われてい
る。
しかしながら、このように構成しても次のような問題点
がある。即ち、 ■ 螢光Ｘ線の計測においては、単にＸ線入射窓の面積
を大きくしたり、或いは検出器の数を増加しても、その
大型化のために試料と検出器との間の距離が増大し、結
局、有効検出立体角を大きくすることがてきないため、
大幅な感度向上は期待できない。
がある。即ち、 ■ 螢光Ｘ線の計測においては、単にＸ線入射窓の面積
を大きくしたり、或いは検出器の数を増加しても、その
大型化のために試料と検出器との間の距離が増大し、結
局、有効検出立体角を大きくすることがてきないため、
大幅な感度向上は期待できない。
■ 回折Ｘ線の計測においては、回折Ｘ線がリング状で
ある場合や斑点形状になる場合、その一部だけを計測す
ることになり、測定の感度向上が機体できないと共に、
正確な強度測定を行えない。
ある場合や斑点形状になる場合、その一部だけを計測す
ることになり、測定の感度向上が機体できないと共に、
正確な強度測定を行えない。
■ コンプトン散乱Ｘ線のスペクトル計測においては、
散乱角範囲が大きくなるため、検出エネルギースペクト
ル分布を正確に測定できなくなる。
散乱角範囲が大きくなるため、検出エネルギースペクト
ル分布を正確に測定できなくなる。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的とするところは、上記問題点を悉く解決し、螢光Ｘ
線１回折Ｘ線、コンプトン散乱Ｘ線のスペクトル計測を
それぞれ精度よく行うことができるＸ線検出装置を提供
することにある。
目的とするところは、上記問題点を悉く解決し、螢光Ｘ
線１回折Ｘ線、コンプトン散乱Ｘ線のスペクトル計測を
それぞれ精度よく行うことができるＸ線検出装置を提供
することにある。
上述の目的を達成するため、本発明に係るＸ線検出装置
は、Ｘ線検出器を軸中空構造に形成してそのＸ線入射窓
をリング状に形成すると共に、Ｘ線源からのＸ線が前記
Ｘ線検出器の中空部を挿通するＸ線ガイド体を経て試料
に対して照射されるようにしている。
は、Ｘ線検出器を軸中空構造に形成してそのＸ線入射窓
をリング状に形成すると共に、Ｘ線源からのＸ線が前記
Ｘ線検出器の中空部を挿通するＸ線ガイド体を経て試料
に対して照射されるようにしている。
上記構成によれば、螢光Ｘ線の計測においては、有効検
出立体角を大きくすることができるので、検出悪魔を大
幅に向上させることができる。そして、回折Ｘ線の計測
においては、−次Ｘ線を中心とする軸対称にＸ線を計測
することができるので、回折Ｘ線がリング状である場合
や斑点形状になる場合においても、正確かつ感度よく計
測を行うことができる。又、コンプトン散乱Ｘ線のスペ
クトル計測においては、一定の散乱角が得られるので精
密なエネルギースペクトルの測定を行うことができ、し
かも、有効検出立体角を大きくすることができるので感
度が向上し、従って、上記目的は完全に達成される。
出立体角を大きくすることができるので、検出悪魔を大
幅に向上させることができる。そして、回折Ｘ線の計測
においては、−次Ｘ線を中心とする軸対称にＸ線を計測
することができるので、回折Ｘ線がリング状である場合
や斑点形状になる場合においても、正確かつ感度よく計
測を行うことができる。又、コンプトン散乱Ｘ線のスペ
クトル計測においては、一定の散乱角が得られるので精
密なエネルギースペクトルの測定を行うことができ、し
かも、有効検出立体角を大きくすることができるので感
度が向上し、従って、上記目的は完全に達成される。
以下、本発明の一実施例を、図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るＸ線検出装置の一例を示す要部の
縦断面図であって、同図において、１は例えばタライオ
スタット等のハウジングで、その−側にエンドキャップ
２が形成されており、これらハウジング１及びエンドキ
ャップ２の内部は真空に保たれている（図中の斜線部）
、。
縦断面図であって、同図において、１は例えばタライオ
スタット等のハウジングで、その−側にエンドキャップ
２が形成されており、これらハウジング１及びエンドキ
ャップ２の内部は真空に保たれている（図中の斜線部）
、。
３は例えば５ｉ（Ｌｉ）検出器等の半導体Ｘ線検出器で
、この半導体Ｘ線検出器３はその中ＩＣ弓こ中空部４を
有する軸中空構造に形成してあり、その前面（試料Ｓに
臨む側）に設けられる例えばベリリウム等よりなるＸ線
入射窓５はリング状に形成されている。６は例えばＦＥ
Ｔよりなるプリアンプで、半導体Ｘ線検出器３からの電
気信号を低ノイズで増幅することができる。
、この半導体Ｘ線検出器３はその中ＩＣ弓こ中空部４を
有する軸中空構造に形成してあり、その前面（試料Ｓに
臨む側）に設けられる例えばベリリウム等よりなるＸ線
入射窓５はリング状に形成されている。６は例えばＦＥ
Ｔよりなるプリアンプで、半導体Ｘ線検出器３からの電
気信号を低ノイズで増幅することができる。
７は図外のＸ線源からのＸ線８を試料Ｓ側に導く例えば
ガラスよりなる円筒状のＸ線ガイド体で、その内壁面は
Ｘ線８を全反射し得る平滑度を有し、Ｘ線検出器３の中
空部４を挿通させである。
ガラスよりなる円筒状のＸ線ガイド体で、その内壁面は
Ｘ線８を全反射し得る平滑度を有し、Ｘ線検出器３の中
空部４を挿通させである。
９は半導体ＸＮｆＡ検出器３及びプリアンプ６を冷却す
るための冷却パイプで、その一端はＸ線検出器３及びプ
リアンプ６に対して熱的に結合してあり、他端は図外の
デユワ−内の液体窒素に浸された冷却棒１０に対して熱
的に結合しである。尚、上記冷却パイプ９及び冷却棒１
０は例えば銅環熱良導体によって構成しである。
るための冷却パイプで、その一端はＸ線検出器３及びプ
リアンプ６に対して熱的に結合してあり、他端は図外の
デユワ−内の液体窒素に浸された冷却棒１０に対して熱
的に結合しである。尚、上記冷却パイプ９及び冷却棒１
０は例えば銅環熱良導体によって構成しである。
１１、１２はそれぞれ熱絶縁部材よりなる熱絶縁ホルダ
、熱絶縁板で、Ｘ線ガイド体７及び冷却バイブ９を所定
の状態に保持するスペーサとしての機能をも有している
。
、熱絶縁板で、Ｘ線ガイド体７及び冷却バイブ９を所定
の状態に保持するスペーサとしての機能をも有している
。
而して、上記構成のＸ線検出装置において、半導体Ｘ線
検出器３及びプリアンプ６は冷却バイブ９及び冷却棒ｌ
Ｏによって所定の温度になるように冷却される。
検出器３及びプリアンプ６は冷却バイブ９及び冷却棒ｌ
Ｏによって所定の温度になるように冷却される。
そして、Ｘ線源（・図外）からのＸ線８を、半導体Ｘ線
検出器３の中空部４を挿通するＸ線ガイド体７を経て試
料Ｓに照射すると、この試料Ｓの表面から二次Ｘ線（螢
光Ｘ線、回折Ｘ線、コンプトン散乱Ｘ線）が発生し、こ
の二次Ｘ線はリング状のＸ線入射窓５を経て半導体Ｘ線
検出器３に入射する、半導体Ｘ線検出器３は入射した各
二次Ｘ線のエネルギーに比例した電気信号を発生し、こ
の信号はプリアンプ６によって適宜増幅された後、取り
出される。これによって、所定の螢光Ｘ線の計測、回折
Ｘ線の計測、コンプトン散乱Ｘ線のスペクトル計測をそ
れぞれ行うことができる。
検出器３の中空部４を挿通するＸ線ガイド体７を経て試
料Ｓに照射すると、この試料Ｓの表面から二次Ｘ線（螢
光Ｘ線、回折Ｘ線、コンプトン散乱Ｘ線）が発生し、こ
の二次Ｘ線はリング状のＸ線入射窓５を経て半導体Ｘ線
検出器３に入射する、半導体Ｘ線検出器３は入射した各
二次Ｘ線のエネルギーに比例した電気信号を発生し、こ
の信号はプリアンプ６によって適宜増幅された後、取り
出される。これによって、所定の螢光Ｘ線の計測、回折
Ｘ線の計測、コンプトン散乱Ｘ線のスペクトル計測をそ
れぞれ行うことができる。
而して、上記構成によれば、外部のＸ線８を円筒状のＸ
線５４１体７により効率よく試料Ｓまで到達させること
ができ、しかも、Ｘ線５４１体７の端面と試料Ｓとの距
離ｌを任意に設定することができるので、螢光Ｘ線の計
測においては、前記距＃ｌをノ１＼さくすることによっ
て有効検出立体角θを大きくすることができ、検出感度
を大幅に向上させることができる。そして、回折Ｘ線の
計測においては、−次Ｘ線８を中心とする軸対称に二次
Ｘ線を計測することができるので、一定の回折角の回折
Ｘ線の全てを捕捉することができ、従って、回折Ｘ線が
リング状である場合や斑点形状である場合においても、
正確かつ感度よく計測を行うことができる。又、コンプ
トン散乱Ｘ線のスペクトル計測においては、一定の散乱
角θ。が得られるので、精密なエネルギースペクトルの
測定を行うことができ、しかも、有効検出立体角θを大
きくすることができるので感度が向上する。
線５４１体７により効率よく試料Ｓまで到達させること
ができ、しかも、Ｘ線５４１体７の端面と試料Ｓとの距
離ｌを任意に設定することができるので、螢光Ｘ線の計
測においては、前記距＃ｌをノ１＼さくすることによっ
て有効検出立体角θを大きくすることができ、検出感度
を大幅に向上させることができる。そして、回折Ｘ線の
計測においては、−次Ｘ線８を中心とする軸対称に二次
Ｘ線を計測することができるので、一定の回折角の回折
Ｘ線の全てを捕捉することができ、従って、回折Ｘ線が
リング状である場合や斑点形状である場合においても、
正確かつ感度よく計測を行うことができる。又、コンプ
トン散乱Ｘ線のスペクトル計測においては、一定の散乱
角θ。が得られるので、精密なエネルギースペクトルの
測定を行うことができ、しかも、有効検出立体角θを大
きくすることができるので感度が向上する。
本発明は、上述の実施例に限られるものではなく、種々
に変形して実施することができる。
に変形して実施することができる。
例えば半導体Ｘ線検出器３はピュアゲルマニウムを用い
たものであってもよい。更に、半導体Ｘ線検出器３に代
えて、Ｃｓ１（Ｔｆｆ）とＰＩＮとを組み合わせたジン
チレーンヨンＸ線検出器やガスシンチレータとＰＩＮと
を組み合わせたシンチレーシゴンＸ線検出器を用いても
よい。特に、Ｃｓ１（Ｔ４りとＰＩＮとを組み合わせた
ンンチレーシッンＸ線検出器を用いた場合、これを冷却
するための構成が不要となる。
たものであってもよい。更に、半導体Ｘ線検出器３に代
えて、Ｃｓ１（Ｔｆｆ）とＰＩＮとを組み合わせたジン
チレーンヨンＸ線検出器やガスシンチレータとＰＩＮと
を組み合わせたシンチレーシゴンＸ線検出器を用いても
よい。特に、Ｃｓ１（Ｔ４りとＰＩＮとを組み合わせた
ンンチレーシッンＸ線検出器を用いた場合、これを冷却
するための構成が不要となる。
又、Ｘ線５４１体７は鉛或いは真鍮よりなるコリメータ
によって構成してもよい。
によって構成してもよい。
以上説明したように、本発明に係るＸ線検出装置は、Ｘ
線検出器を軸中空構造に形成してそのＸ線入射窓をリン
グ状に形成すると共に、Ｘ線源からのＸ線が前記Ｘ線検
出器の中空部を挿通するＸ線ガイド体を経て試料に対し
て照射されるようにしているので、Ｘ線ガイド体により
外部からのＸ線を効率よく試料部まで到達させることが
でき、しかも、Ｘ線ガイド体の端部と試料との距離を一
定に保つことにより一次Ｘ線に対して一定の取り出し角
度が得られ、又、前記距離を極度に小さくすることによ
り大きな有効検出立体角を得ることができるので、螢光
Ｘ線１回折Ｘ線、コンプトン散乱Ｘ線のスペクトル計測
をそれぞれ精度よく行うことができる。
線検出器を軸中空構造に形成してそのＸ線入射窓をリン
グ状に形成すると共に、Ｘ線源からのＸ線が前記Ｘ線検
出器の中空部を挿通するＸ線ガイド体を経て試料に対し
て照射されるようにしているので、Ｘ線ガイド体により
外部からのＸ線を効率よく試料部まで到達させることが
でき、しかも、Ｘ線ガイド体の端部と試料との距離を一
定に保つことにより一次Ｘ線に対して一定の取り出し角
度が得られ、又、前記距離を極度に小さくすることによ
り大きな有効検出立体角を得ることができるので、螢光
Ｘ線１回折Ｘ線、コンプトン散乱Ｘ線のスペクトル計測
をそれぞれ精度よく行うことができる。
第１図は本発明に係るＸ線検出装置の一例を示す要部の
縦断面図である。 第２回は従来技術を説明するための図である。 ３・・・Ｘ線検出器、４・・・中空部、５・・・Ｘ線入
射窓、７・・・Ｘ線ガイド体、８・・・Ｘ線源からのＸ
線、Ｓ・・・試料。 第１図
縦断面図である。 第２回は従来技術を説明するための図である。 ３・・・Ｘ線検出器、４・・・中空部、５・・・Ｘ線入
射窓、７・・・Ｘ線ガイド体、８・・・Ｘ線源からのＸ
線、Ｓ・・・試料。 第１図
Claims (1)
- Ｘ線源からのＸ線を試料に対して照射し、この試料から
発せられる二次Ｘ線をＸ線検出器によって検出するよう
にしたＸ線検出装置において、前記Ｘ線検出器を軸中空
構造に形成してそのＸ線入射窓をリング状に形成すると
共に、Ｘ線源からのＸ線が前記Ｘ線検出器の中空部を挿
通するＸ線ガイド体を経て試料に対して照射されるよう
にしたことを特徴とするＸ線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149516A JP2799994B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | Ｘ線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149516A JP2799994B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | Ｘ線検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316683A true JPH01316683A (ja) | 1989-12-21 |
| JP2799994B2 JP2799994B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=15476847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63149516A Expired - Lifetime JP2799994B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | Ｘ線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2799994B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06186344A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Technos Kenkyusho:Kk | 半導体検出器 |
| KR20020031665A (ko) * | 2000-10-23 | 2002-05-03 | 추후보정 | 마이크로형광 ｘ선 분석기 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221886A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Measuring head of radiation measuring apparatus |
| JPS5474796A (en) * | 1977-11-28 | 1979-06-15 | Rigaku Denki Co Ltd | Xxray analyzer |
| JPS6136955U (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-07 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡等用ｘ線検出装置 |
| JPS62106352A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 走査型ｘ線顕微鏡 |
| JPS62240809A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 螢光ｘ線付着量測定装置 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP63149516A patent/JP2799994B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221886A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Measuring head of radiation measuring apparatus |
| JPS5474796A (en) * | 1977-11-28 | 1979-06-15 | Rigaku Denki Co Ltd | Xxray analyzer |
| JPS6136955U (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-07 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡等用ｘ線検出装置 |
| JPS62106352A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 走査型ｘ線顕微鏡 |
| JPS62240809A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 螢光ｘ線付着量測定装置 |
Cited By (2)
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| JPH06186344A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Technos Kenkyusho:Kk | 半導体検出器 |
| KR20020031665A (ko) * | 2000-10-23 | 2002-05-03 | 추후보정 | 마이크로형광 ｘ선 분석기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2799994B2 (ja) | 1998-09-21 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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