JPH01318233A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体製造装置に係り、さらに詳しくはＩ
Ｃ，ＬＳＩなどの半導体クエハブロセスに使用されるエ
ツチング装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来のこの種の半導体製造装置の概略図を第４図に示す
。この図で、１はエツチング室を形成するための石英あ
るいはステンレス鋼などで形成されたチャンバ、２はエ
ツチングガスを前記チャンバ１内に供給するガス供給口
、３は前記チャンバ１内を真空排気するための排気口、
４は高周波電圧を印加するための上部電極、５は同じく
下部電極、６はこれらの各電極４．５に電圧を印加する
高周波電源、７はこの高周波電源６と上、下部電極４．
５を結ぶ導線、８は半導体装置が組み込まれるシリコン
などの半導体ウェハである。９は前記チャンバ１内に供
給するガス流量を制御するガス流量制御計である。

次に動作について説明する。

上記のような構成のエツチング装置において、半導体基
板がチャンバ１内に搬入されて下部電極５上に載置固定
された後、真空ポンプ（図示は省略）によって排気口３
よりチャンバ１内の排気を開始して、１０−６〜１０−
’Ｔｏｒｒ程度の真空度に達すると、ガス供給口２より
ＣＦ４．Ｏ□、Ｃ１２゜ＢＣｌ２などの反応ガスがガス
流量制御計９によリガスの流量が制御されてチャンバ１
内に供給され、数ｍ　Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの真空度に
制御される。この後、高周波電源６によって、上、下部
ｔ８ｉ４゜５間に高周波電圧が印加されると、チャンバ
１内にプラズマが発生してエツチングが開始され、所定
の時間が経過後に前記高周波電圧の印加ならびにガスの
供給が停止される。

次いで、排気口３からチャンバ１内のガスの排気が行わ
れ、この排気が終了すると窒素ガス（Ｎ２）や乾燥空気
（ＤＡ）がチャンバ１内に供給されて、チャンバ１内が
大気圧に戻る。そして、半導体ウェハ８をチャンバ１内
より外部へ搬出する。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来のエツチング装置では、第５図に示す
ように、ガスは上方から各場所に等玉供給されるため、
第６図に示すように、ガスの流れが周辺部に吸気され半
導体ウェハ８の中心部と周辺部とでは供給されるガス量
が大きく異なっている。このため、エツチングの均一性
を向上させることがむずかしい。また、均一性を少しで
も上げるためにはその他のエツチング特性、例えば選択
性、　ＣＤ、　Ｌｏｓｓ、エツチング形状等を多少なり
とも犠牲にしなければならないといった問題点があった
。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、均一性の良い特性を得ることができる半導
体製造装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体製造装置は、チャンバ内に供給す
るガス流量がチャンバ内の中央部および周辺部とで均一
になるようにチャバン内に供給するガスの流量あるは圧
力をチャンバ内の中央部と周辺部とで個別に制御するガ
ス供給制御器を複数個備えたものである。

〔作用〕

この発明においては、チャンバ内に供給するガス流量を
制御するガス供給制御器を複数個設けたことにより、チ
ャンバ内の場所によるガスの供給量が変わり、半導体ウ
ェハに供給されているガス量が中央部と周辺部とで同じ
になる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図面について説明する。

第１図はこの発明の一実施例を示すエツチング装置の概
略構成図であり、第２図、第３図はこの発明によるガス
の供給量を説明するための図である。第１図〜第３図に
おいて、１〜８は第４図に示したものと同じものを示し
、９Ａは前記半導体ウェハ８の中央部に供給するガス流
量を制御するためのガス供給制御器、９Ｂは同じく周辺
部に供給するガス流量を制御するためのガス供給制御器
である。

この第１図の実施例では２つのガス供給制御器９Ａ、９
Ｂを設けたものであり、同一のガスを２つのガス供給制
御計９Ａ、９Ｂによってチャンバ１内に供給するように
なっている。

第１図の装置では、２つのガス供給制御器９Ａ、９Ｂを
設けたため、チャンバ１内に供給するガス流量を独立に
制御できる。このため、中央でエツチングレートが遅い
ときには、第２図に示すようにエツチング中に供給する
ガス量は周辺より多く供給する。このようにすると、第
６図に示したように周辺にガスが吸気されても中央のガ
ス供給量が多いためにエツチング中の均一性は良くなる
。

また、均一性のプロセスマージンが広がるため、その他
のエツチング特性（選択性、　ＣＤ、Ｌｏｓｓ。

エツチング形状等）の改善へもつながる。

さらに、ガス供給制御器を３個以上に増やして、ガス流
量を制御すれば第３図に示すように半導体クエへへのガ
ス供給がより一様になり、均一性の向上につながる。

なお、上記実施例では、チャンバ１内の中央のガス流量
を増やす場合について説明したが、これは中央のガス流
量を少なくしても良い。

また、この発明は枚葉式のエツチング装置について説明
したが、これはハツチ式のエツチング装置であても良い
。

また、エツチング装置だけではなく、ＣＶＤ装置、スパ
ッタ装置などの真空を利用した半導体製造装置であって
も良い。

さらに、この発明は、ガス供給流量を制御するガス供給
制御器について説明したが、これはガス供給圧力を制御
するガス供給制御器であってもよい。

（発明の効果） 以上説明したように、この発明は、チャンバ内に供給す
るガス流量がチャンバ内の中央部および周辺部とで均一
になるようにチャンバ内に供給するガスの流量あるは圧
力をチャンバの中央部と周辺部とで個別に制御するガス
供給制御器を複数個備えたので、これをエツチング装置
に用いた場合にはチャンバ内の半導体ウェハのエツチン
グの均一性の向上を実現できるととも、精度の高い半導
体製造装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例のエツチング装置の構成を
示す模式図、第２図は、第１図のエツチング中のガスの
流れを示す模式図、第３図はこの発明の他の実施例を示
すエツチング中のガスの流れを示す模式図、第４図は従
来のエツチング装置の構成を示す模式図、第５図、第６
図は従来のエツチング中のガスの流れを示す模式図であ
る。 図において、１はチャンバ、２はガス供給口、３は排気
口、４は上部電極、５は下部電極、８は半導体ウェハ、
９Ａ、９Ｂはガス流量制御器である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図 Ａ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 １、事件の表示　　　特願昭１ｉ３−ＩＦｉ３０８２号
２８発明の名称　　゛ヒ導体製造装置 ３、補正をする者 事件との関係　↑キ許出願人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内部丁目２番３号名
　称　　（６０１）三菱電機株式会社代表者　志　岐　
守　哉 ４、代理人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 ５、　？ｌ１１正の射撃 明細書の特許請求の範囲の欄２発明の詳細な説明の欄２
図面の簡単な説明の欄および図面６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正ずろ
１Ｊ （２）明ｍ占第４頁３行、第６頁９行の１−ＣＤ、ｌ、
ｏｓｓ、１を、いずれもｒｃＤＬｏｓｓＪと補正する。 。 （３）同じく第４頁１３行の「グ↑バ、内」を、１ｒ−
ヤシバ内」と補正する。。 （４）　　ｉＴｌじく第４頁１４行、第７頁１２行の「
ガス、の」を、いずれも［’　ｌｉｄ　−＝−：ｈ″！
、ｕ、ｊ　Ｊと補正する。。 （５）同じく第５頁１７行の１−ガスｔ１（袷制御計９
Ａ、９［３Ｊを、「ガス供給制御器９Ａ、９１３Ｊと補
正する。 （６）同じく第８頁８行のｒ９Ａ、９Ｂはガス流１５制
御器」を、「９Ａ、９ｎはガス供給制御器」と補正する
。Ｊ （７）図面中、第１図を別紙のように補正する。 以　　上 ２、特許請求の範囲 千ヤンバ内に所要のガスを供給して半導体ウェハを処理
する半導体製造装置において、前記チャシバ内に供給ず
ろガス流量が前記チャンバ内の中央部おＪ、び周辺部と
で均一になるように前記チャ上方向に供給ずろ上［ニガ
スの流量ある易は圧力を前記チャンバ内の中央部と周辺
部とで個別に制御するガス供給制御器を複数個備九たこ
とを特徴とす；Ｃ半導体製造装置″・“ｔ。 第１図 Ａ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　チャンバ内に所要のガスを供給して半導体ウェハを処
   理する半導体製造装置において、前記チャンバ内に供給
   するガス流量が前記チャンバ内の中央部および周辺部と
   で均一になるように前記チャバン内に供給するガスの流
   量あるは圧力を前記チャンバ内の中央部と周辺部とで個
   別に制御するガス供給制御器を複数個備えたことを特徴
   とする半導体製造装置。