JPH01319108A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特にトラッ
ク幅寸法ばらつきを小さくできる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。

〔従来の技術〕

＃膜磁気ヘッドのトラック幅寸法を決定する磁気コアの
形成方法としては、電気めっき法、スパッタリング法が
一般に用いられている。電気めっき法では、まず、スパ
ッタリング法を用いて基板全面に、必要となる磁気コア
の厚さの１０分の１以下の厚さの通電用磁性層を堆積し
、この後に基板上にホトレジストを用いて磁気コア形状
の抜きパターどを形成し、その上に電気めっきを行ない
磁気コアを作製する。このとき、トラック幅寸法はホト
レジストのパターン寸法だけで決定され、ホトレジスト
の膜厚には制約されな（・。したがってホトレジストの
塗布膜厚に対する基板上にある電気絶縁層パターンの段
差の影響を無視できる程度に厚くホトレジストを塗布可
能となシ、トラック幅寸法ばらつきを低くおさえること
ができる。−方、スパッタリング法では、第１磁気コア
、磁気ギャップ層、コイル、電気絶縁層を形成した基板
上のほぼ全面に磁性層を堆積した後、ホトレジストで夷
２磁気コアとほぼ相似となる形のマスクパターン′！！
″形成し、イオンミリング法によシ磁性層−をエツチン
グし、第２磁気コアを作製する。このとき、ホトレジス
トの膜厚はイオンミリング法によるエツチング時に再付
着が発生しないという条件によシ、電気絶縁層パターン
の影響を無視できる程度に厚くホトレジスト塗布ｍ布す
ることはできない。従って、電気絶縁層の近傍でホトレ
ジストの膜厚変化が大きくなり、トラック幅寸法ばらつ
きが大きくなる。トラック幅寸法ばらつきを小さくする
ためには、電気絶縁層の近傍でホトレジストの膜厚を均
一にする必要がある。

高段差のパターン近傍でホトレジスト膜厚を均一に塗布
する方法としては、特開昭６２−７１００５号公報に記
載されているように、高段差のパターンとなる電気絶縁
膜パターン形成時までの各堆積層を電気絶縁膜パターン
近傍に残すことによって達成できる。この方法は、従来
使用しているホトマスクの一部に所定のパターンを追加
しておくだけで新たな工程を設ける必要がなく簡便な方
法である。しかし、ホトレジスト膜厚を均一にするため
のパターンはホトレジスト塗布、磁性層のエッチ−フグ
時にのみ存在するだけで良く、後工程にまで残った場合
には、膜堆積時に磁気ヘッド素子に悪影！！ｌ及ぼすこ
とが考えられる。特に、磁気ヘッド素子形成のＲＩ８段
階で堆積される素子保護用アルミナ膜は２０〜４０μｍ
の膜厚が必要となるため素子近傍の高段差パターンの影
響を受は易く、素子完成後、基板を切断して磁気ヘッド
スライダ−に加工する工程においてアルミナ膜が欠は易
くなることが考えられる。従って、高段差パターン近傍
にはホトレジスト塗布、磁性層のエツチング時にのみパ
ターンが存在し、磁性層エツチング後は容易に除宍でき
ることが望ましい。

〔発明が解決しよ５とする課題〕 上記従来技術では、磁気ヘッド素子となる高段差パター
ンの近傍に模擬パターンを形成することＫよってホトレ
ジスト膜厚を均一に塗布可能としているが、後工程に対
する模擬パターンの悪影響については配慮されておらず
、スダイダーに加工する工程において不良が多発するこ
とが考えられる。

本発明の目的は、後工程に悪影響を及ぼすことなく、薄
膜磁気ヘッドのトラック幅寸法精度を向上する方法を提
供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、高段差パターン近傍に設ける模擬パターン
を磁性層エツチング後に容易に除失できる材料で形成す
るととＫよシ達成される。

模擬パターンとして使用可能な材料としては、形成しや
すさを考慮するとホトレジスト等の感光性樹脂が適して
おシ、また、磁性層エツチング時に使用するホトレジス
トの溶媒に侵されない材料が適している。一般に、金属
膜のエツチングにはポジ型のホトレジストが用いられる
ため、模擬パターンはゴム系ネガ型ホトレジストで作製
すれば良い。

〔作用〕

高段差のパターン上にホトレジスト等の樹脂を塗布した
場合、その膜厚は段差上部で薄く、段差下部で厚くなる
。また、段差下部では、パターンに近い位置はど膜厚は
厚くなり、パターンから遠く離れるに従って、序々に簿
くなっていき、ある。

寸法以上離れると膜厚は一定になる。

高段差パターンから所定寸法離れた位置に高段差パター
ンとほぼ同一の高さの模擬パターンを設けた後、ホトレ
ジストを塗布した場合には、高段差パターンと模擬パタ
ーンとの間にホトレジストが溜り、この部分のホトレジ
スト膜厚が均一になる。従って、高段差パターン下部で
寸法精度が必要となるトラック幅は高段差パターンと模
擬パターンの間でははぼ一定寸法とすることができる。

また、模擬パターンをゴム型ネガをのホトレジストで形
成しておけば、磁性層エツチング後に専用の除去剤によ
って容易に除失可能であυ、後工程へ悪影響はない。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例全第１図により説明するＯ 第１図（ｂ）に示すように基板１上に下地アルミナ膜２
をスパッタリングによシ堆積し、この上にパーマロイ膜
をスパッタリングによシ堆積した後、−ホトレジストパ
ターン全マスクとしてイオンミリング法によυエツチン
グし、第１磁気コア５を形成する。次に磁気ギャップと
なるアルミナ膜４をスパッタリングにより堆横した後、
磁気コア接続部分をイオンミリング法により窩あけする
。次に第１有機絶縁膜５となるポリイミド樹脂をスピン
コーターで塗布してから硬化した後、ネガ型ホトレジス
トパターンを形成し、ポリイミド樹脂をウェットエツチ
ングする。この上に第１コイル６となる銅の膜をスパッ
タリングで堆積した後、ホトレジストをマスクとしてイ
オンミリングしコイル６を形成する。同様にして第２有
機絶縁膜７．第２コイル８を形成した後、第３有機絶縁
膜９を塗布、硬化してから、第３．第２．および第１有
機絶縁膜を一括してウェットエツチングし、第１図（α
）に示す段差パターン９１１ｒ形成する。この上に第２
磁気コアとなるパーマロイ膜１０をスパッタリングによ
シ堆積する。

次に、パーマロイ膜１０の上にネガ型のホトレジストを
塗布、＠！化した後に露光現像して模擬パーターン１１
を作製する。同様にして模擬パターン１２ｔ−作製する
。この上にパーマロイ膜１０ヲエツチングす名際のホト
レジストパターン１３を形成する。この後パーマロイ膜
１０をイオンミリング法によりエツチングし第２磁気コ
アを作製する。

４ｉＪ［パターン１１および１２がない場合はホトレジ
ストパターン１３の膜厚は第１図（ｂ）の破線に示すよ
うＫなり従ってホトレジストパターン１３のトラック幅
部は第１図（α）の破線に示すようになシ、高段差パタ
ーン９から離れるに従がってトラック幅寸法が小さくな
る。このためスライダー加工時に決定されるギャップ深
さ位置Ｂ−Ｂ’によってトラック幅寸法が変化してしま
い、トラック幅のばらつきが大きくなる。パーマロイ膜
１０１５−エッチンク後ホトレジスト１３．および模擬
パターン１１１２を除失すれば高段差パターン近傍に後
工程に悪影響を及ぼす段差パターンはなくなる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、後工程に悪影響全与えずに、高精度な
トラック幅加工を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（α）は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッド
素子部の部分平面図、第１図（ｂ）は第１図（α）のＡ
　−Ａ’線断面図である。 １・・・基板、２・・・下地アルミナ膜、３・・・第１
磁気コア、４・・・ギャップ膜、５・・・第１有機絶縁
膜、６・・・第１コイル、７・・・第２有機絶縁膜、８
・・・第２コイル、９・・・第３有機絶縁膜、１０・・
・パーマ占イ膜１１・・・模擬ハターン、１２・・・模
染パターン、１５・・・ホトレジストパターン。 代理人弁理士　小　　川　　勝　　勇 名　１　図 ／３　ホトレジストノでターン （ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、第１磁気コア、磁気ギャップ層、電気絶縁層、コイ
   ルを形成した上に堆積した磁性層をエッチングしてトラ
   ック幅を決定する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
   上記磁性層のエッチング時に、電気絶縁層パターンより
   所定寸法離れた位置にホトレジスト等の感光性樹脂パタ
   ーンを形成する工程と、上記磁性層をエッチングして得
   る第２磁気コアとほぼ相似となる別のホトレジストパタ
   ーンを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッドの製造方法。