JPH01319502A - シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
シクロデキストリン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH01319502A JPH01319502A JP15315788A JP15315788A JPH01319502A JP H01319502 A JPH01319502 A JP H01319502A JP 15315788 A JP15315788 A JP 15315788A JP 15315788 A JP15315788 A JP 15315788A JP H01319502 A JPH01319502 A JP H01319502A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なシクロデキストリン誘導体及びその製
造方法に関し、さらに詳しくは、不斉識別能を有するシ
クロデキストリン誘導体及びその製造方法に関する。
造方法に関し、さらに詳しくは、不斉識別能を有するシ
クロデキストリン誘導体及びその製造方法に関する。
＝ ４ −
〔従来の技術〕
ンクロデキストリンは、Ｄ−グルコビラノースかα−１
，４ゲルコンド結合してなる円筒状の環状化合物であり
、環状化合物の円筒の外側は水酸基か多く親水性を有す
るが、円筒の内側は疎水性を有する。このシクロデキス
トリンは、円筒の内側か疎水性のため、フェニル基やナ
フチル基のような疎水性基を有する種々の有機化合物が
包接されるホスト化合物として知られている。また、シ
クロデキストリンは、Ｄ−グルコビラノース１分子あた
り５個の光学活性な炭素を有することから、不斉識別能
を有する化合物としても知られている。
，４ゲルコンド結合してなる円筒状の環状化合物であり
、環状化合物の円筒の外側は水酸基か多く親水性を有す
るが、円筒の内側は疎水性を有する。このシクロデキス
トリンは、円筒の内側か疎水性のため、フェニル基やナ
フチル基のような疎水性基を有する種々の有機化合物が
包接されるホスト化合物として知られている。また、シ
クロデキストリンは、Ｄ−グルコビラノース１分子あた
り５個の光学活性な炭素を有することから、不斉識別能
を有する化合物としても知られている。
近年、光学活性化合物の分離、精製の重要性か増し、シ
クロデキストリンか有する不斉識別能をこれに利用しよ
うとする傾向が強まってきた。例えば液体クロマトグラ
フィー用吸着担体としてシクロデキストリンをシリカゲ
ル等に担持させたものを使用して光学活性化合物を分離
、精製する方法、または液体クロマトグラフィーにおけ
る移動相にシフロブキスＩ・リンを添加させて光学活性
化合物を分離、精製する方法等か知られている。しかし
、これらの方法は、シクロデキストリンの不斉識別能か
不十分である。
クロデキストリンか有する不斉識別能をこれに利用しよ
うとする傾向が強まってきた。例えば液体クロマトグラ
フィー用吸着担体としてシクロデキストリンをシリカゲ
ル等に担持させたものを使用して光学活性化合物を分離
、精製する方法、または液体クロマトグラフィーにおけ
る移動相にシフロブキスＩ・リンを添加させて光学活性
化合物を分離、精製する方法等か知られている。しかし
、これらの方法は、シクロデキストリンの不斉識別能か
不十分である。
本発明の目的は、前記光学活性化合物の分離。
精製に使用されるシクロデキストリンの欠点を克服し、
不斉識別能にすぐれたシクロデキストリン誘導体及びそ
の製造方法を提供することにある。
不斉識別能にすぐれたシクロデキストリン誘導体及びそ
の製造方法を提供することにある。
本発明によって上記目的を達成し得るシクロデキストリ
ン誘導体及びその製造方法か提供される。
ン誘導体及びその製造方法か提供される。
即ち、本発明は、一般式
を表わす。ここでＲは水素、炭素数１〜４の低級アルキ
ル基及びそのヒドロキシル、アミノ、カルボキシル、カ
ルバモイル、メルカプト、メチルメルカプトまたはグア
ニジノモノ置換体、ベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジ
ル基、３−インドリルメチル基、４−イミダゾリルメチ
ル基を表イリす。たたし、Ｒ１が水酸基のときＲ２はた
は７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体に関する。
ル基及びそのヒドロキシル、アミノ、カルボキシル、カ
ルバモイル、メルカプト、メチルメルカプトまたはグア
ニジノモノ置換体、ベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジ
ル基、３−インドリルメチル基、４−イミダゾリルメチ
ル基を表イリす。たたし、Ｒ１が水酸基のときＲ２はた
は７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体に関する。
また本発明は、一般式（ＩＩＩ）
（以下余白）
〔式中、ｎは５，６または７を表わす〕で表わされるシ
クロデキストリンとｐ−トルエンスルホニルクロリドま
たはｍ−二トロフェニルーｐ−トルエンスルホン酸とを
反応させて一般式（ＩＩＩ） （ＩＩＩ） 〔式中、ｎは５，６または７を表わし、Ｒ３゜一 ８
− 表わす。ただし、Ｒ３が水素のときＲ４はトルエンスル
ホニル基を表わし、Ｒ４が水素のときＲ３はトルエンス
ルホニル基を表わす〕を形成させ、次いで該化合物にア
ミノ酸を反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） （Ｉ） を表わす。ここでＲは水素、炭素数１〜４の低級アルキ
ル基及びそのヒドロキシル、アミノ、カルボキシル、カ
ルバモイル、メルカプト、メチルメルカプトまたはグア
ニジノモノ置換体、ベンジル基、ｐ−ヒドロキンベンジ
ル基、３−インドリルメチル基、４−イミダゾリルメチ
ル＝ １０ 〜 基を表わす。ただし、Ｒか水酸基のときＲ２はま たは７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体の製造方法に関
する。
クロデキストリンとｐ−トルエンスルホニルクロリドま
たはｍ−二トロフェニルーｐ−トルエンスルホン酸とを
反応させて一般式（ＩＩＩ） （ＩＩＩ） 〔式中、ｎは５，６または７を表わし、Ｒ３゜一 ８
− 表わす。ただし、Ｒ３が水素のときＲ４はトルエンスル
ホニル基を表わし、Ｒ４が水素のときＲ３はトルエンス
ルホニル基を表わす〕を形成させ、次いで該化合物にア
ミノ酸を反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） （Ｉ） を表わす。ここでＲは水素、炭素数１〜４の低級アルキ
ル基及びそのヒドロキシル、アミノ、カルボキシル、カ
ルバモイル、メルカプト、メチルメルカプトまたはグア
ニジノモノ置換体、ベンジル基、ｐ−ヒドロキンベンジ
ル基、３−インドリルメチル基、４−イミダゾリルメチ
ル＝ １０ 〜 基を表わす。ただし、Ｒか水酸基のときＲ２はま たは７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体の製造方法に関
する。
さらに本発明は、一般式（ＩＩＩ）
（ｍ）
〔式中、ｎは５，６または７を表わし、Ｒａ。
Ｒ４は、水素またはトルエンスルホニル基を表わす。た
だし、Ｒか水素のときＲ４はトルエンスルホニル Ｒ３はトルエンスルホニル基を表イつず〕で表わされる
シクロデキストリン誘導体にヨウ化すトリウムを反応さ
せて一般式（ＩＶ）（Ｎ） 〔式中、ｎは５，６または７を表わし、Ｒ５。
だし、Ｒか水素のときＲ４はトルエンスルホニル Ｒ３はトルエンスルホニル基を表イつず〕で表わされる
シクロデキストリン誘導体にヨウ化すトリウムを反応さ
せて一般式（ＩＶ）（Ｎ） 〔式中、ｎは５，６または７を表わし、Ｒ５。
Ｒ は水酸基、ヨウ素を表わす。たたし、Ｒ。
が水酸基のときＲ はヨウ素を表わし、Ｒ６か水酸基の
ときＲ５はヨウ素を表わす〕 で表わされる化合物を得、次いて該化合物にアミノ酸を
反応させることを特徴とする一般式（１）％式％） を表わす。ここてＲは水素、炭素数１〜４の低級アルキ
ル基及びそのヒドロキシル、アミノ、カルボキシル、カ
ルバモイル、メルカプト、メチルメルカプトまたはグア
ニジノモノ置換体、ベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジ
ル基、３−インドリルメチル基、４−イミダゾリルメチ
ル基を表わす。ただし、Ｒ が水酸基のときＲ２は■ − １ ３ ＝ − ］ ２ − たは７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体の製造方法に関
する。
ときＲ５はヨウ素を表わす〕 で表わされる化合物を得、次いて該化合物にアミノ酸を
反応させることを特徴とする一般式（１）％式％） を表わす。ここてＲは水素、炭素数１〜４の低級アルキ
ル基及びそのヒドロキシル、アミノ、カルボキシル、カ
ルバモイル、メルカプト、メチルメルカプトまたはグア
ニジノモノ置換体、ベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジ
ル基、３−インドリルメチル基、４−イミダゾリルメチ
ル基を表わす。ただし、Ｒ が水酸基のときＲ２は■ − １ ３ ＝ − ］ ２ − たは７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体の製造方法に関
する。
以下、本発明に係る一般式（Ｉ）で表わされるシクロデ
キストリン誘導体及びその製造方法について説明する。
キストリン誘導体及びその製造方法について説明する。
本発明の一般式（Ｉ）で表わされるシクロデキストリン
誘導体は、ｐ−トルエンスルホニル基のような所謂脱離
基経由のＮ−アルキル化法によって製造することができ
る。
誘導体は、ｐ−トルエンスルホニル基のような所謂脱離
基経由のＮ−アルキル化法によって製造することができ
る。
一般式（１）で表わされるシクロデキストリン誘導体を
製造するに際しては、例えば以下に示す反応ルートＡ及
びＢに従って製造することかできる。ただし、反応ルー
トＡ及びＢ中のＲ１，Ｒ２。
製造するに際しては、例えば以下に示す反応ルートＡ及
びＢに従って製造することかできる。ただし、反応ルー
トＡ及びＢ中のＲ１，Ｒ２。
Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，ｎ及びＲは前記と同しである
。また、一般式 （Ｉ） −１， （１） −２
。
。また、一般式 （Ｉ） −１， （１） −２
。
（ｍ） −１， （Ｉｎ） −２及び （ＩＶ）
−１は、それぞれ一般式（Ｉ）、 （ｍ）、 （Ｉ
Ｖ）における一方か水酸基の化合物を表わす。
−１は、それぞれ一般式（Ｉ）、 （ｍ）、 （Ｉ
Ｖ）における一方か水酸基の化合物を表わす。
（反応ルートＡ）
ジメチルホルムアミド／炭酸緩衝液
□〉
Ｈ２Ｎ−ＣＨ−Ｃ０ＯＨ（Ｖ）
（Ｉ） −１
上記反応ルー１−Ａにおいて、一般式（ＩＩＩ）−１で
表わされる化合物（ｍ）−１を得るに際しては、例えば
テＩ・ラヘドロン・レタース（ＴｅＬｒａｈｅｄｒｏｎ
ｆｅｌｔ、、）第２３巻、 ３４５１頁（１，９８２年
）等に記載されているようにして行うことかできる。即
ち、シクロテキストリン（■）にｍ−ニトロフェニル−
ｐ−トルエンスルホン酸を１当量加え、ジメチルポルム
アミドと０．２モルの炭酸ナトリウム水溶液と０．２モ
ルの炭酸水素すＩ・リウム水溶液を同量加えてなる炭酸
緩衝液の混液中で６０°Ｃで１時間反応させるなとして
得ることができる。一般式（ＩＩＩ）−１で表わされる
化合物（ｍ）−１から、一般式（Ｉ）−１で表わされる
シクロデキストリン誘導体（Ｉ）−１を得るに際しては
、一般式（Ｉ［Ｉ）−１で表わされる化合物（ＩＩＩ）
−１を適当な溶媒、例えば１規定水酸化ナトリウム水溶
液、ピリジン、ジメチルホルムアミドまたは水酸化カリ
ウム水溶液などに溶解させた後、この溶液に一般式（Ｖ
）で表わされるアミノ酸（Ｖ）を１〜１０当量、好まし
くは２〜６当量添加して反応させる。この時の反応温度
は、２５〜５５°Ｃ１好ましくは３０〜４５°Ｃに保つ
。反応時間は、８〜４８時間、好ましくは１２〜３６時
間が適当である。反応生成物を通常の方法で後処理する
と、一般式（Ｉ）−１で表わされるシクロデキストリン
誘導体（Ｒ２が−ＮＨ−ＣＨＲ） （１）−１が得ら
れる。
表わされる化合物（ｍ）−１を得るに際しては、例えば
テＩ・ラヘドロン・レタース（ＴｅＬｒａｈｅｄｒｏｎ
ｆｅｌｔ、、）第２３巻、 ３４５１頁（１，９８２年
）等に記載されているようにして行うことかできる。即
ち、シクロテキストリン（■）にｍ−ニトロフェニル−
ｐ−トルエンスルホン酸を１当量加え、ジメチルポルム
アミドと０．２モルの炭酸ナトリウム水溶液と０．２モ
ルの炭酸水素すＩ・リウム水溶液を同量加えてなる炭酸
緩衝液の混液中で６０°Ｃで１時間反応させるなとして
得ることができる。一般式（ＩＩＩ）−１で表わされる
化合物（ｍ）−１から、一般式（Ｉ）−１で表わされる
シクロデキストリン誘導体（Ｉ）−１を得るに際しては
、一般式（Ｉ［Ｉ）−１で表わされる化合物（ＩＩＩ）
−１を適当な溶媒、例えば１規定水酸化ナトリウム水溶
液、ピリジン、ジメチルホルムアミドまたは水酸化カリ
ウム水溶液などに溶解させた後、この溶液に一般式（Ｖ
）で表わされるアミノ酸（Ｖ）を１〜１０当量、好まし
くは２〜６当量添加して反応させる。この時の反応温度
は、２５〜５５°Ｃ１好ましくは３０〜４５°Ｃに保つ
。反応時間は、８〜４８時間、好ましくは１２〜３６時
間が適当である。反応生成物を通常の方法で後処理する
と、一般式（Ｉ）−１で表わされるシクロデキストリン
誘導体（Ｒ２が−ＮＨ−ＣＨＲ） （１）−１が得ら
れる。
０ＯＨ
（以下余白）
（反応ルートＢ）
炭酸緩衝液
ＮａＩ／水
上記反応ルートＢにおいて、一般式（ＩＩ）で表わされ
るシクロデキストリン（ｎ）から、一般式（ｍ）−２で
表わされる化合物（ｍ）−２を得るに際しては、プリテ
ン・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Ｂｕｌｌ
、 Ｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｊｐｎ、、）第５３巻、
３２２１頁（１９８０年）等に記載されているように、
例えばシクロデキストリン（ＩＩ）を０．２モルの炭酸
すトリウム水溶液と０．２モルの炭酸水素ナトリウム水
溶液を９：１の比率で混合してなる炭酸緩衝液に溶解さ
せ、ｐ−トルエンスルホニルクロリドを１０当量加えた
アセトニトリル 下して鹸温て１時間反応させるなどして得ることができ
る。一般式（ＩＩＩ）−２で表わされる化合物（Ｉｆｆ
）−２から一般式（１）−２で表わされるシクロデキス
トリン誘導体（Ｉ）−２を得るに際しては、一般式（Ｉ
ＩＩ）−２で表わされる化合物（ｍ）−２を適当な溶媒
、例えば水に溶解させ、次いてヨウ化ナトリウムを２〜
６当量、好ましくは２〜３当量添加して反応させる。こ
の時の反応温度は６０〜９０°Ｃ５好ましくは７５〜８
５℃に保つ。反窓時間は、０５〜４時間、好ましくは１
〜２時間が適当である。この反応液に一般式（Ｖ）で表
わされるアミノ酸（Ｖ）を１〜８当量、好ましくは２〜
４当量添加して反応させる。この時の反応温度は、６０
〜９０℃、好ましくは７５〜８５℃に保つ。
るシクロデキストリン（ｎ）から、一般式（ｍ）−２で
表わされる化合物（ｍ）−２を得るに際しては、プリテ
ン・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Ｂｕｌｌ
、 Ｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｊｐｎ、、）第５３巻、
３２２１頁（１９８０年）等に記載されているように、
例えばシクロデキストリン（ＩＩ）を０．２モルの炭酸
すトリウム水溶液と０．２モルの炭酸水素ナトリウム水
溶液を９：１の比率で混合してなる炭酸緩衝液に溶解さ
せ、ｐ−トルエンスルホニルクロリドを１０当量加えた
アセトニトリル 下して鹸温て１時間反応させるなどして得ることができ
る。一般式（ＩＩＩ）−２で表わされる化合物（Ｉｆｆ
）−２から一般式（１）−２で表わされるシクロデキス
トリン誘導体（Ｉ）−２を得るに際しては、一般式（Ｉ
ＩＩ）−２で表わされる化合物（ｍ）−２を適当な溶媒
、例えば水に溶解させ、次いてヨウ化ナトリウムを２〜
６当量、好ましくは２〜３当量添加して反応させる。こ
の時の反応温度は６０〜９０°Ｃ５好ましくは７５〜８
５℃に保つ。反窓時間は、０５〜４時間、好ましくは１
〜２時間が適当である。この反応液に一般式（Ｖ）で表
わされるアミノ酸（Ｖ）を１〜８当量、好ましくは２〜
４当量添加して反応させる。この時の反応温度は、６０
〜９０℃、好ましくは７５〜８５℃に保つ。
反応時間は、２０〜８０時間、好ましくは４０〜６０時
間が適当である。反応生成物を通常の方法で後処理する
と、一般式（Ｉ）−２で表わされるシクロ（１）−２が
得られる。
間が適当である。反応生成物を通常の方法で後処理する
と、一般式（Ｉ）−２で表わされるシクロ（１）−２が
得られる。
反応ルートＡ及び反応ルートＢにおいて使用されるアミ
ノ酸としては、アラニン、グリシン、バリン、ロイシン
、イソロイシン、セリン、］・レオニン、リジン、アス
パラギン酸、グルタミン酸、システィン、メチオニン、
アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトフ
ァン、ヒスチジンなとかあげられる。
ノ酸としては、アラニン、グリシン、バリン、ロイシン
、イソロイシン、セリン、］・レオニン、リジン、アス
パラギン酸、グルタミン酸、システィン、メチオニン、
アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトフ
ァン、ヒスチジンなとかあげられる。
以下、実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明するか
、本発明の技術的範囲をこれらの実施例に限定するもの
でないことはいうまでもない。
、本発明の技術的範囲をこれらの実施例に限定するもの
でないことはいうまでもない。
実施例 ］
リンの製造
βーシンクロデキストリン１２ｇｍ−ニトロフェニル−
ｐ−トルエンスルホン酸３．１ｇをジメチルホルムアミ
ド１２０ｍｌに溶解し、０．２モル炭酸緩衝液（０．２
モル炭酸ナトリウム水溶液３６ｍｌに０．２モル炭酸水
素ナトリウム水溶液３６ｍｌを加えた溶液）を加えた後
、６０℃で１時間撹拌した。反応液を１規定塩酸で中和
した後、沈殿を濾過し、消液にアセトン７５０ｍｌを加
えた。次いて、生じた沈殿をさらに濾過し、消液にアセ
トン１２５０ｍｌを加えた。これによって生した沈殿を
ン濾過、アセトン洗浄して白色固体のモノ（２−ｐ−ｈ
ルエンスルホニロキシ−２−デオキシ）−βーシクロデ
キス）・リン１ｇを得た。
ｐ−トルエンスルホン酸３．１ｇをジメチルホルムアミ
ド１２０ｍｌに溶解し、０．２モル炭酸緩衝液（０．２
モル炭酸ナトリウム水溶液３６ｍｌに０．２モル炭酸水
素ナトリウム水溶液３６ｍｌを加えた溶液）を加えた後
、６０℃で１時間撹拌した。反応液を１規定塩酸で中和
した後、沈殿を濾過し、消液にアセトン７５０ｍｌを加
えた。次いて、生じた沈殿をさらに濾過し、消液にアセ
トン１２５０ｍｌを加えた。これによって生した沈殿を
ン濾過、アセトン洗浄して白色固体のモノ（２−ｐ−ｈ
ルエンスルホニロキシ−２−デオキシ）−βーシクロデ
キス）・リン１ｇを得た。
このモノ（２−ｐ−トルエンスルホニロキンー２−デオ
キシ）−β−シクロデキストリン０．２６ｇとＬ−フェ
ニルアラニンＯ，１，３ｇを４モル水酸化すトリウム水
溶液に溶解した後、４０°Ｃて２４１１．’ｊ間撹拌し
た。反応液を１規定塩酸で中和した後、アセトン２００
ｍ１を加え、生した沈殿をン濾過した。残渣を液体クロ
マトグラフィー（カラム・５ｈｏｄｅｘ■０Ｈｐａｋ
Ｂ−２００１，）により精製し、淡黄色固体のモノ （
２−ベンジルカルボキシ−（Ｓ）−メチルアミノ−２−
デオキシ）−β−シクロデキストリン００２ｇを得た。
キシ）−β−シクロデキストリン０．２６ｇとＬ−フェ
ニルアラニンＯ，１，３ｇを４モル水酸化すトリウム水
溶液に溶解した後、４０°Ｃて２４１１．’ｊ間撹拌し
た。反応液を１規定塩酸で中和した後、アセトン２００
ｍ１を加え、生した沈殿をン濾過した。残渣を液体クロ
マトグラフィー（カラム・５ｈｏｄｅｘ■０Ｈｐａｋ
Ｂ−２００１，）により精製し、淡黄色固体のモノ （
２−ベンジルカルボキシ−（Ｓ）−メチルアミノ−２−
デオキシ）−β−シクロデキストリン００２ｇを得た。
以下に、モノ（２−ベンジルカルボキシ−（Ｓ）−メチ
ルアミノー２−デオキシ）−β−シクロデキストリンの
スペクトルデータを示す。
ルアミノー２−デオキシ）−β−シクロデキストリンの
スペクトルデータを示す。
核磁気共鳴スペクトル（Ｄ２０．内部標準１− ＩＪメ
チルシリルプロパンスルホン酸塩）δ：３．１０−３．
３０（２旧冬重線）、３．４０−４．００（４３Ｈ，多
重線）、４．９６（７Ｈ，二重線）、７．１．８−７．
４０（５Ｎ、多重線）赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ）ｃ
ｍ−１：１．７２５．３４５０ （主なもののみ）実施
例 ２ α−シクロデキストリン５１０ｇを０．２モル炭酸緩衝
液（０，２モル炭酸すトリウム水溶液４６００ｍ１に０
．２モル炭酸水素ナトリウム水溶液４００ｍ１を加えた
溶液）に溶解し、室温でｐ−トルエンスルホニルクロリ
ド９５５ｇを少量のアセトニトリル（約４０００ｍ１．
）に溶解した溶液を１時間かけて滴下しながら撹拌し
た。さらに室温で１時間撹拌した後、１規定塩酸で中和
し、沈殿をン戸去した。ン戸液をイオン交換樹脂（Δｍ
ｂｅｒｌｉｔｅｏＭＢ−３）に通した後、液体クロマト
グラフィー（カラム ５ｈｏｄｅｘｏＯＨｐａｋＢ−５
００１）により精製し、白色固体のモノ（３−ｐ−トル
エンスルホニロキシ−３−デオキシ）−α−シクロデキ
ストリン１」５ｇを得た。
チルシリルプロパンスルホン酸塩）δ：３．１０−３．
３０（２旧冬重線）、３．４０−４．００（４３Ｈ，多
重線）、４．９６（７Ｈ，二重線）、７．１．８−７．
４０（５Ｎ、多重線）赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ）ｃ
ｍ−１：１．７２５．３４５０ （主なもののみ）実施
例 ２ α−シクロデキストリン５１０ｇを０．２モル炭酸緩衝
液（０，２モル炭酸すトリウム水溶液４６００ｍ１に０
．２モル炭酸水素ナトリウム水溶液４００ｍ１を加えた
溶液）に溶解し、室温でｐ−トルエンスルホニルクロリ
ド９５５ｇを少量のアセトニトリル（約４０００ｍ１．
）に溶解した溶液を１時間かけて滴下しながら撹拌し
た。さらに室温で１時間撹拌した後、１規定塩酸で中和
し、沈殿をン戸去した。ン戸液をイオン交換樹脂（Δｍ
ｂｅｒｌｉｔｅｏＭＢ−３）に通した後、液体クロマト
グラフィー（カラム ５ｈｏｄｅｘｏＯＨｐａｋＢ−５
００１）により精製し、白色固体のモノ（３−ｐ−トル
エンスルホニロキシ−３−デオキシ）−α−シクロデキ
ストリン１」５ｇを得た。
このモノ（３−ｐ−ｔ−ルエンスルホニロキシー３−デ
オキン）−α−ンクロデキストリン１１５ｇとヨウ化ナ
トリウム３０ｇを水に溶解し、８０°Ｃで］時間撹拌し
た。この反応液にＤ−ヒスチジン４．０ｇを添加し、さ
らに８０℃で４８時間撹拌した。次いで、エバポレータ
ーにより溶媒を留去した後、液体クロマトグラフィー（
カラム・５ｈｏｄｅｘ■０ＨｐａｋＢ−５００１）によ
り精製し、淡黄色固体のモノ（３−カルポキシイミダゾ
ール−４−イルメチル−（Ｒ）−メチルイミノ−３−デ
オキシ）−α−シクロデキストリン５ｇを得た。
オキン）−α−ンクロデキストリン１１５ｇとヨウ化ナ
トリウム３０ｇを水に溶解し、８０°Ｃで］時間撹拌し
た。この反応液にＤ−ヒスチジン４．０ｇを添加し、さ
らに８０℃で４８時間撹拌した。次いで、エバポレータ
ーにより溶媒を留去した後、液体クロマトグラフィー（
カラム・５ｈｏｄｅｘ■０ＨｐａｋＢ−５００１）によ
り精製し、淡黄色固体のモノ（３−カルポキシイミダゾ
ール−４−イルメチル−（Ｒ）−メチルイミノ−３−デ
オキシ）−α−シクロデキストリン５ｇを得た。
以下に、モノ（３−カルボキシイミダゾール−４−イル
メチル−（Ｉ？）−メチルイミノ−３−デオキシ）−α
−ンクロデキストリンのスペクトルデータを示す。
メチル−（Ｉ？）−メチルイミノ−３−デオキシ）−α
−ンクロデキストリンのスペクトルデータを示す。
核磁気共鳴スペクトル（Ｄ ２０ 、内部標準トリメチ
ルシリルプロパンスルホン酸塩）δ・３．４０−４．１
Ｏ（３７Ｈ，多重線）、５．４０（５Ｈ，二重線）。
ルシリルプロパンスルホン酸塩）δ・３．４０−４．１
Ｏ（３７Ｈ，多重線）、５．４０（５Ｈ，二重線）。
７．７０（ＬＨ，二重線）
紫外吸収スペクトル λ ｎｍ＋２２６ａＸ
以下に本発明のシクロデキストリン誘導体の不斉識別能
について代表的な試験例を示す。
について代表的な試験例を示す。
一 ２４ −
試験例 １
実施例２で得られたモノ（３−カルボキシイミダゾール
−４−イルメチル−（Ｒ）−メチルイミノ−３−デオキ
シ）−α−シクロデキストリン４．５ｇをジメチルホル
ムアミドに溶解し、ジシクロへキシルカルボジイミド３
．０ｇ及びグリンジルメタクリレートとエチレングリコ
ールメタクリレートから得られたエポキシ基含有ゲル状
共重合体に１，３−プロパンジアミンを反応させた末端
アミノ化ゲル（以下、ゲルと略記する）を加え、−晩装
置した。
−４−イルメチル−（Ｒ）−メチルイミノ−３−デオキ
シ）−α−シクロデキストリン４．５ｇをジメチルホル
ムアミドに溶解し、ジシクロへキシルカルボジイミド３
．０ｇ及びグリンジルメタクリレートとエチレングリコ
ールメタクリレートから得られたエポキシ基含有ゲル状
共重合体に１，３−プロパンジアミンを反応させた末端
アミノ化ゲル（以下、ゲルと略記する）を加え、−晩装
置した。
反応液を濾過、洗浄後、残渣を無水酢酸で処理して白色
固体のンクロデキストリン誘導体担持ゲル５．０ｇを得
た。こうして得られた吸着担体は乾燥ゲル１ｇ当り、β
−シクロデキストリンを１００μモル担持させているこ
とが、吸着担体を２規定塩酸でシクロデキストリンをグ
ルコース単位にした後、液体クロマトクラフィーによっ
て定量することで確かめられた。
固体のンクロデキストリン誘導体担持ゲル５．０ｇを得
た。こうして得られた吸着担体は乾燥ゲル１ｇ当り、β
−シクロデキストリンを１００μモル担持させているこ
とが、吸着担体を２規定塩酸でシクロデキストリンをグ
ルコース単位にした後、液体クロマトクラフィーによっ
て定量することで確かめられた。
この吸Ｍ担体を６．０ｍｍφＸ２５０ｍｍのステンレス
製カラムに充填し、高速液体クロマトグラフィーを用い
てダンシルフェニルアラニンを分析したところ、第１表
に示したような結果が得られた。
製カラムに充填し、高速液体クロマトグラフィーを用い
てダンシルフェニルアラニンを分析したところ、第１表
に示したような結果が得られた。
分析条件、溶離液：水−メタノール（５：５）溶離速度
： ０．５ｍｌ／ｍｉｎ 検出器：紫外分光光度計（２５４ｎｍ）また、比較例と
して本発明のモノ（３−カルボキシイミダゾール−４−
イルメチル−（Ｒ）−メチルイミノ−３−デオキシ）−
α−シクロデキストリンの代わりに非修飾β−シクロデ
キストリンをゲルに担持させたもの（担持量８２μモル
）についても試験を行った。
： ０．５ｍｌ／ｍｉｎ 検出器：紫外分光光度計（２５４ｎｍ）また、比較例と
して本発明のモノ（３−カルボキシイミダゾール−４−
イルメチル−（Ｒ）−メチルイミノ−３−デオキシ）−
α−シクロデキストリンの代わりに非修飾β−シクロデ
キストリンをゲルに担持させたもの（担持量８２μモル
）についても試験を行った。
第 １ 表
試験例 ２
ダンシル−Ｄ−フェニルアラニン２４ｇをジメチルホル
ムアミド５０ｍ１に溶解し、ジンクロヘキシル力ルボジ
イミｌ’２．５ｇ及び試験例１のケル５．Ｏｇを加え、
−晩装置した。反応液をン濾過、洗浄後、残渣を無水酢
酸で処理して淡黄色固体のダンンルーＤ−フェニルアラ
ニン担持ケル５１ｇを得た。こうして得られた吸着担体
は、乾燥ゲル１ｇ当りダンシル−Ｄ−フェニルアラニン
を１．１ｍモル担持させていることが、反応前のゲルの
アミノ基二からアセチル化前のアミノ基残量の差をとる
ことにより確かめられた。
ムアミド５０ｍ１に溶解し、ジンクロヘキシル力ルボジ
イミｌ’２．５ｇ及び試験例１のケル５．Ｏｇを加え、
−晩装置した。反応液をン濾過、洗浄後、残渣を無水酢
酸で処理して淡黄色固体のダンンルーＤ−フェニルアラ
ニン担持ケル５１ｇを得た。こうして得られた吸着担体
は、乾燥ゲル１ｇ当りダンシル−Ｄ−フェニルアラニン
を１．１ｍモル担持させていることが、反応前のゲルの
アミノ基二からアセチル化前のアミノ基残量の差をとる
ことにより確かめられた。
ダンシル−Ｄ−フェニルアラニン担持ゲルと同様の操作
により製造した。
により製造した。
これらの吸着担体を６ｍｍφＸ２５０＋ｎｍのステンレ
ス製カラムに充填し、高速液体クロマトグラフ装置を用
いてβ−シクロデキストリン及びその誘導体を分析した
ところ、第２表に示したような結果が得られた。
ス製カラムに充填し、高速液体クロマトグラフ装置を用
いてβ−シクロデキストリン及びその誘導体を分析した
ところ、第２表に示したような結果が得られた。
分析条件、溶離液：水−メタノール（５：５）溶離速度
： ０．５ｍｌ／ｍｉｎ 検出器＝紫外分光光度計（２５４ｎｍ）（以下余白） 第 ２ 表 絶対配置Ｒ４，７４，００，７ Ｒ２のＲがベンジル 絶対配置Ｓ ４．７ ３．７ １．、ＯＲ２の
Ｒがメチル 絶対配置Ｒ４，７４，１，Ｏ，Ｏ Ｒ２のＲがメチル 絶対配置Ｓ ４．７ ３．９ ０．８Ｒ２のＲ
かイソプロピル 絶対配置Ｒ４，７３，９０，８ Ｒ２のＲがイソプロピル 絶対配置Ｓ ４．７ ３．９ ０．８Ｒ２のＲ
がカルボキシメチル 絶対配置Ｒ４，７３，７１，０ Ｒ２のＲがカルボキンメチル 絶対配置Ｒ４，７３，８０，９ アミノ酸のＲかペンシル ４．８ ４．８
０α−シクロデキストリン ４．６ ４
．６ ０β−シクロデキストリン ４．７
４．７ ０（以下余白） −３ｎ − 第２表から明らかなことく、本発明により得られたシク
ロデキストリン誘導体は、光学異性体をそれぞれ担持し
ているカラムＤ、カラムＬを用いた場合、いずれも非修
飾シクロデキストリンに比して溶出容量の差が広かるこ
とから、不斉識別能が高くなったことか確認された。
： ０．５ｍｌ／ｍｉｎ 検出器＝紫外分光光度計（２５４ｎｍ）（以下余白） 第 ２ 表 絶対配置Ｒ４，７４，００，７ Ｒ２のＲがベンジル 絶対配置Ｓ ４．７ ３．７ １．、ＯＲ２の
Ｒがメチル 絶対配置Ｒ４，７４，１，Ｏ，Ｏ Ｒ２のＲがメチル 絶対配置Ｓ ４．７ ３．９ ０．８Ｒ２のＲ
かイソプロピル 絶対配置Ｒ４，７３，９０，８ Ｒ２のＲがイソプロピル 絶対配置Ｓ ４．７ ３．９ ０．８Ｒ２のＲ
がカルボキシメチル 絶対配置Ｒ４，７３，７１，０ Ｒ２のＲがカルボキンメチル 絶対配置Ｒ４，７３，８０，９ アミノ酸のＲかペンシル ４．８ ４．８
０α−シクロデキストリン ４．６ ４
．６ ０β−シクロデキストリン ４．７
４．７ ０（以下余白） −３ｎ − 第２表から明らかなことく、本発明により得られたシク
ロデキストリン誘導体は、光学異性体をそれぞれ担持し
ているカラムＤ、カラムＬを用いた場合、いずれも非修
飾シクロデキストリンに比して溶出容量の差が広かるこ
とから、不斉識別能が高くなったことか確認された。
本発明のシクロデキストリン誘導体は、試験例から明ら
かなように、非修飾シクロデキストリンに比べて極めて
高い不斉識別能を有するものであり、例えば高速液体ク
ロマトグラフィーにおける光学活性化合物の分離２分析
への応用や工業用の分離、精製設備への応用を計るため
の有力な手段となることは明らかである。
かなように、非修飾シクロデキストリンに比べて極めて
高い不斉識別能を有するものであり、例えば高速液体ク
ロマトグラフィーにおける光学活性化合物の分離２分析
への応用や工業用の分離、精製設備への応用を計るため
の有力な手段となることは明らかである。
また、本発明に係るシクロデキストリン誘導体は、食品
、医薬品、化粧品等の分野で分子カプセル化材料として
物質の安定化、可溶化、不揮発化。
、医薬品、化粧品等の分野で分子カプセル化材料として
物質の安定化、可溶化、不揮発化。
酸化防止化に利用されることが期待されるたけてなく、
酵素反応のモデル化合物としても期待される。
酵素反応のモデル化合物としても期待される。
Claims (2)
- （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は水酸基または▲数式、化学式
、表等があります▼を表わす。ここでＲは水素、炭素数
１〜４の低級アルキル基及びそのヒドロキシル、アミノ
、カルボキシル、カルバモイル、メルカプト、メチルメ
ルカプトまたはグアニジノモノ置換体、ベンジル基、ｐ
−ヒドロキシベンジル基、３−インドリルメチル基、４
−イミダゾリルメチル基を表わす。ただし、Ｒ＿１が水
酸基のときＲ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼
を表わし、Ｒ＿２が水酸基のとき Ｒ＿１は▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。 ｎは５、６ま たは７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体。 - （２）一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中ｎは５、６または７を表わす〕 で表わされるシクロデキストリンとｐ−トルエンスルホ
ニルクロリドまたはｍ−ニトロフェニル−ｐ−トルエン
スルホン酸とを反応させて一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中、ｎは５、６または７を表わし、Ｒ＿３、Ｒ＿４
は、水素またはトルエンスルホニル基を表わす。ただし
、Ｒ＿３が水素のときＲ＿４はトルエンスルホニル基を
表わし、Ｒ＿４が水素のときＲ＿３はトルエンスルホニ
ル基を表わす〕 を形成させ、次いで該化合物にアミノ酸を反応させるこ
とを特徴とする請求項（１）記載のシクロデキストリン
誘導体の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中、ｎは５、６または７を表わし、Ｒ＿３、Ｒ＿４
は、水素またはトルエンスルホニル基を表わす。ただし
、Ｒ＿３が水素のときＲ＿４はトルエンスルホニル基を
表わし、Ｒ＿４が水素のときＲ＿３はトルエンスルホニ
ル基を表わす〕 で表わされるシクロデキストリン誘導体にヨウ化ナトリ
ウムを反応させて一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、ｎは５、６または７を表わし、Ｒ＿５、Ｒ＿６
は水酸基、ヨウ素を表わす。ただし、Ｒ＿５が水酸基の
ときＲ＿６はヨウ素を表わし、Ｒ＿６が水酸基のときＲ
＿５はヨウ素を表わす〕 で表わされる化合物を得、次いで該化合物にアミノ酸を
反応させることを特徴とする請求項（１）記載のシクロ
デキストリン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15315788A JPH01319502A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15315788A JPH01319502A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319502A true JPH01319502A (ja) | 1989-12-25 |
Family
ID=15556279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15315788A Pending JPH01319502A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01319502A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519012A (en) * | 1992-04-16 | 1996-05-21 | Lek, Tovarna Farmacevtskih In Kemicnih Izdelkov, D.D., Ljubljana | Inclusion complexes of optically active 1,4-dihydropyridines with methyl-β-cyclodextrin |
| CN101864003A (zh) * | 2010-06-11 | 2010-10-20 | 漆又毛 | 一种6-脱氧硫醚氨基酸环糊精衍生物的合成方法 |
| JP2012082220A (ja) * | 2002-09-06 | 2012-04-26 | Cerulean Pharma Inc | 治療剤配送のためのシクロデキストリン基材重合体 |
| US9610360B2 (en) | 2007-01-24 | 2017-04-04 | Ceruliean Pharma Inc. | Polymer drug conjugates with tether groups for controlled drug delivery |
| US11464871B2 (en) | 2012-10-02 | 2022-10-11 | Novartis Ag | Methods and systems for polymer precipitation and generation of particles |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP15315788A patent/JPH01319502A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519012A (en) * | 1992-04-16 | 1996-05-21 | Lek, Tovarna Farmacevtskih In Kemicnih Izdelkov, D.D., Ljubljana | Inclusion complexes of optically active 1,4-dihydropyridines with methyl-β-cyclodextrin |
| JP2012082220A (ja) * | 2002-09-06 | 2012-04-26 | Cerulean Pharma Inc | 治療剤配送のためのシクロデキストリン基材重合体 |
| US9550860B2 (en) | 2002-09-06 | 2017-01-24 | Cerulean Pharma Inc. | Cyclodextrin-based polymers for therapeutics delivery |
| US9610360B2 (en) | 2007-01-24 | 2017-04-04 | Ceruliean Pharma Inc. | Polymer drug conjugates with tether groups for controlled drug delivery |
| CN101864003A (zh) * | 2010-06-11 | 2010-10-20 | 漆又毛 | 一种6-脱氧硫醚氨基酸环糊精衍生物的合成方法 |
| CN101864003B (zh) | 2010-06-11 | 2012-05-02 | 漆又毛 | 一种6-脱氧硫醚氨基酸环糊精衍生物的合成方法 |
| US11464871B2 (en) | 2012-10-02 | 2022-10-11 | Novartis Ag | Methods and systems for polymer precipitation and generation of particles |
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