JPH02222441A - 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02222441A JPH02222441A JP1043510A JP4351089A JPH02222441A JP H02222441 A JPH02222441 A JP H02222441A JP 1043510 A JP1043510 A JP 1043510A JP 4351089 A JP4351089 A JP 4351089A JP H02222441 A JPH02222441 A JP H02222441A
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- bis
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- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
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- C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
- C08G59/4014—Nitrogen containing compounds
- C08G59/4042—Imines; Imides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
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- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は優れた耐熱衝撃性、耐湿信頼性を有する硬化物
が得られる封止用樹脂組成物、及びこの封止用樹脂組成
物で封止された樹脂封止型半導体装置に関する。
が得られる封止用樹脂組成物、及びこの封止用樹脂組成
物で封止された樹脂封止型半導体装置に関する。
（従来の技術）
従来、半導体装置の封止用樹脂としては、フェノールノ
ボラック樹脂硬化のエポキシ樹脂組成物が用いられてお
り、その硬化物が耐湿性、高温電気特性、成形性などに
優れているため、モールド用樹脂の主流となっている。
ボラック樹脂硬化のエポキシ樹脂組成物が用いられてお
り、その硬化物が耐湿性、高温電気特性、成形性などに
優れているため、モールド用樹脂の主流となっている。
ところで、近年、半導体素子の高集積化に伴って、素子
上の各機能単位の細密化、素子ベレット自体の大型化が
急速に進んでいる。これらの素子ペレットの変化により
、従来の封止用樹脂では耐熱衝撃性などの要求が満足で
きなくなってきた。
上の各機能単位の細密化、素子ベレット自体の大型化が
急速に進んでいる。これらの素子ペレットの変化により
、従来の封止用樹脂では耐熱衝撃性などの要求が満足で
きなくなってきた。
すなわち、この系統の樹脂組成物を用いて大型でかつ微
細な表面構造を有するペレットを封止すると、素子ペレ
ット表面のアルミニウム（ＡＩり配線パターンを保護す
るためのリンケイ酸ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜や窒化ケイ
素（Ｓｉ、Ｎ４）膜に割れを生じたり、封止樹脂にクラ
ックを生じたりする。特に、冷熱サイクル試験を実施し
た場合にその傾向が非常に大きい。その結果、半導体装
置の外観不良や信頼性の低下を招いている。
細な表面構造を有するペレットを封止すると、素子ペレ
ット表面のアルミニウム（ＡＩり配線パターンを保護す
るためのリンケイ酸ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜や窒化ケイ
素（Ｓｉ、Ｎ４）膜に割れを生じたり、封止樹脂にクラ
ックを生じたりする。特に、冷熱サイクル試験を実施し
た場合にその傾向が非常に大きい。その結果、半導体装
置の外観不良や信頼性の低下を招いている。
また、半導体装置を表面実装する場合、基板に半田付け
をする際、装置全体が２（１０〜２８０ ’Ｃの高温雰
囲気中に５〜９０秒程度さらされるという過酷な熱衝撃
を受ける。この際、パッケージ内部に取り込まれた水分
の気化が主な原因となり、やはり封止樹脂のクラックを
生じることがある。
をする際、装置全体が２（１０〜２８０ ’Ｃの高温雰
囲気中に５〜９０秒程度さらされるという過酷な熱衝撃
を受ける。この際、パッケージ内部に取り込まれた水分
の気化が主な原因となり、やはり封止樹脂のクラックを
生じることがある。
これらの対策として、内部封入物（インサート）に対す
る応力を小さくし、かつ広い温度範囲で封止樹脂自体を
強靭化する必要がある。
る応力を小さくし、かつ広い温度範囲で封止樹脂自体を
強靭化する必要がある。
このうち、封止樹脂の内部応力の低減には、従来からシ
リコーンオイルや天然ゴムなどを樹脂マトリクスに細か
く分散させた、いわゆる海−島構造をとることが有効と
されており、事実、この方法によりかなりの改善効果を
上げることができる。
リコーンオイルや天然ゴムなどを樹脂マトリクスに細か
く分散させた、いわゆる海−島構造をとることが有効と
されており、事実、この方法によりかなりの改善効果を
上げることができる。
しかしながら、この手法は必然的に樹脂自体の強度を低
下させるという欠点を有するうえ、高温下での樹脂のク
ラックに対してはほとんどその有効性は期待できない。
下させるという欠点を有するうえ、高温下での樹脂のク
ラックに対してはほとんどその有効性は期待できない。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は前記課題を解決するためになされたものであり
、内部応力が小さく、かつ高温下での機械的特性が良好
で、優れた耐熱衝撃性及び耐湿信頼性を有する硬化物が
得られる封止用樹脂組成物、及びこの封止用樹脂組成・
物で封止された樹脂封止型半導体装置を提供することを
目的とする。
、内部応力が小さく、かつ高温下での機械的特性が良好
で、優れた耐熱衝撃性及び耐湿信頼性を有する硬化物が
得られる封止用樹脂組成物、及びこの封止用樹脂組成・
物で封止された樹脂封止型半導体装置を提供することを
目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の封止用樹脂組成物は、（ａ）ガラス転移温度が
１９０℃以上の熱硬化性樹脂、（ｂ）溶融シリカからな
る充填剤、（ｃ）ＭＢＳ又はＡＢＳからなる添加剤、（
ｄ）シリコーンゴム又はシリコーンゲルからなる添加剤
、及び（ｅ）金属キレート化合物を含む離型剤を含有す
ることを特徴とするものである。
１９０℃以上の熱硬化性樹脂、（ｂ）溶融シリカからな
る充填剤、（ｃ）ＭＢＳ又はＡＢＳからなる添加剤、（
ｄ）シリコーンゴム又はシリコーンゲルからなる添加剤
、及び（ｅ）金属キレート化合物を含む離型剤を含有す
ることを特徴とするものである。
本発明の封止用樹脂組成物においては、熱硬化性樹脂と
しては、エポキシ樹脂又はマレイミド樹脂を用いること
が望ましい。また、難燃助剤として、表面が疎水化処理
された三酸化アンチモンを含有することが望ましい。ま
た、溶融シリカからなる充填剤中のウラニウム含有濃度
は０．５１）９ｂ以下であることが望ましい。
しては、エポキシ樹脂又はマレイミド樹脂を用いること
が望ましい。また、難燃助剤として、表面が疎水化処理
された三酸化アンチモンを含有することが望ましい。ま
た、溶融シリカからなる充填剤中のウラニウム含有濃度
は０．５１）９ｂ以下であることが望ましい。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを前記
封止用樹脂組成物で封止したことを特徴とするものであ
る。
封止用樹脂組成物で封止したことを特徴とするものであ
る。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明において、（ａ）成分であるガラス転移温度が１
９０℃以上の熱硬化性樹脂とは、加熱により三次元架橋
を有する硬化物を生成するものであり、硬化物のガラス
転移温度が１９０℃以上であればいかなるものの組合せ
であってもよいが、好ましくはエポキシ系又はマレイミ
ド系の熱硬化性樹脂が用いられる。なお、ガラス転移温
度は、通常、熱膨張カーブの変曲点から求められる。す
なわち、温度と熱膨張との関係を示す特性線において、
傾きが急変する前後の曲線を直線と見なし、これらの直
線の対称軸をなす直線と前記特性線との交点の温度値を
ガラス転移温度とする。本発明におけるガラス転移温度
も、この方法で求められた温度を指す。
９０℃以上の熱硬化性樹脂とは、加熱により三次元架橋
を有する硬化物を生成するものであり、硬化物のガラス
転移温度が１９０℃以上であればいかなるものの組合せ
であってもよいが、好ましくはエポキシ系又はマレイミ
ド系の熱硬化性樹脂が用いられる。なお、ガラス転移温
度は、通常、熱膨張カーブの変曲点から求められる。す
なわち、温度と熱膨張との関係を示す特性線において、
傾きが急変する前後の曲線を直線と見なし、これらの直
線の対称軸をなす直線と前記特性線との交点の温度値を
ガラス転移温度とする。本発明におけるガラス転移温度
も、この方法で求められた温度を指す。
ガラス転移温度が１９０℃以上の熱硬化性樹脂を構成す
るエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキ
シ基を有するもので、あればいかなるものであってもよ
い。ただし、耐熱性の面からは、エポキシ当量が２５０
以下のエポキシ樹脂が好ましい。このようなエポキシ樹
脂を具体的に例示すると、例えばフェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
、ナフトールタイプのノボラック型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、フェノール
又はアルキルフェノール類とヒドロキシベンズアルデヒ
ドとの縮合物をエポキシ化して得られるトリス（ヒドロ
キシフェニル）アルカンベースのエポキシ化物、テトラ
（ヒドロキシフェニル）アルカンのエポキシ化物、２，
２°、４．４°−テ゛トラグリシドキシベンゾフェノン
、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポ
リアリルグリシジルエーテル、 １，３．５−トリグリ
シジルエーテルベンゼン、２．２’、４．４−テトラグ
リシドキシビフェニルなどが挙げられる。これらのエポ
キシ樹脂のうち１種又は２種以上が用いられる。
るエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキ
シ基を有するもので、あればいかなるものであってもよ
い。ただし、耐熱性の面からは、エポキシ当量が２５０
以下のエポキシ樹脂が好ましい。このようなエポキシ樹
脂を具体的に例示すると、例えばフェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
、ナフトールタイプのノボラック型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、フェノール
又はアルキルフェノール類とヒドロキシベンズアルデヒ
ドとの縮合物をエポキシ化して得られるトリス（ヒドロ
キシフェニル）アルカンベースのエポキシ化物、テトラ
（ヒドロキシフェニル）アルカンのエポキシ化物、２，
２°、４．４°−テ゛トラグリシドキシベンゾフェノン
、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポ
リアリルグリシジルエーテル、 １，３．５−トリグリ
シジルエーテルベンゼン、２．２’、４．４−テトラグ
リシドキシビフェニルなどが挙げられる。これらのエポ
キシ樹脂のうち１種又は２種以上が用いられる。
エポキシ樹脂に対しては、通常、硬化剤が用いられる。
エポキシ樹脂の硬化剤は、特に限定されず、例えばフェ
ノール樹脂、有機酸無水物、アミン類などが挙げられる
。
ノール樹脂、有機酸無水物、アミン類などが挙げられる
。
エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるフェノール樹脂
を具体的に例示すると、例えばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、Ｌｅｒｔ−ブチルフェ
ノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹
脂、ビスフェノールＦのノボラック樹脂、ビスフェノー
ルＡのノボラック樹脂、ナフトールのノボラック樹脂な
どノボラック型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレ
ンなどのポリオキシスチレン、２．２°−ジメトキシ−
ｐ−キシレンとフェノールモノマーとの縮合重合化合物
などのフェノールアラルキル樹脂、又は以下の構造式で
示されるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベース
の化合物などが挙げられる。
を具体的に例示すると、例えばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、Ｌｅｒｔ−ブチルフェ
ノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹
脂、ビスフェノールＦのノボラック樹脂、ビスフェノー
ルＡのノボラック樹脂、ナフトールのノボラック樹脂な
どノボラック型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレ
ンなどのポリオキシスチレン、２．２°−ジメトキシ−
ｐ−キシレンとフェノールモノマーとの縮合重合化合物
などのフェノールアラルキル樹脂、又は以下の構造式で
示されるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベース
の化合物などが挙げられる。
（式中、ＲＩ Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜２０の
アルキル基を表わし、それらの基は同一でもそれぞれ異
なっていてもよい。Ｒ３は単結合、又はメチレン、エチ
レンなどのアルキレン基を表わす。） これらのフェノール樹脂のうち１種又は２種以上が使用
される。
アルキル基を表わし、それらの基は同一でもそれぞれ異
なっていてもよい。Ｒ３は単結合、又はメチレン、エチ
レンなどのアルキレン基を表わす。） これらのフェノール樹脂のうち１種又は２種以上が使用
される。
エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる有機酸無水物は
、脂肪族、脂環式、もしくは芳香族の無水カルボン酸、
又はこれらの置換体であればいかなるものでもよい。こ
のような有機酸無水物を具体的に例示すると、例えば無
水マレイン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、無水テト
ラヒドロフタル酸、無水へキサヒドロフタル酸、無水ト
リメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（
３，８−エンドメチレン−１，２，３，８−テトラヒド
ロ無水フタル酸）、無水メチルナジック酸、３，３°。
、脂肪族、脂環式、もしくは芳香族の無水カルボン酸、
又はこれらの置換体であればいかなるものでもよい。こ
のような有機酸無水物を具体的に例示すると、例えば無
水マレイン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、無水テト
ラヒドロフタル酸、無水へキサヒドロフタル酸、無水ト
リメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（
３，８−エンドメチレン−１，２，３，８−テトラヒド
ロ無水フタル酸）、無水メチルナジック酸、３，３°。
４．４°−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、無
水テトラブロムフタル酸、無水クロレンディック酸など
が挙げられる。これらの有機酸無水物のうち１種又は２
Ｆｆｔ以上が用いられる。
水テトラブロムフタル酸、無水クロレンディック酸など
が挙げられる。これらの有機酸無水物のうち１種又は２
Ｆｆｔ以上が用いられる。
エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるアミン類として
は、４．４．”−ジアミノジシクロヘキシルメタン、１
．４−ジアミノシクロヘキサン、２．６−ジアミツピリ
ジン、Ｉ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、４．４−ジアミノジフェニルメタン、２．２−ビス
（４−アミノフェニル）プロパン、４，４゛−ジアミノ
ジフェニルオキシド、４，４°・−ジアミノジフェニル
スルホン、ビス（４−アミノフェニル）メチルホスフィ
ンオキシド、ビス（４−アミノフェニル）メチルアミン
、■、５−ジアミノナフタレン、■−キシリレンジアミ
ン、■、■−ビス（ｐ−アミノフェニル）フラツジ、ｐ
−キシリレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、６，
６°−ジアミノ−２，２゛−ジピリジル、４．４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４．４−ジアミノアゾベンゼン
、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１．１
−ビス（４−アミノフェニル）シクロへ牛サン、！、ｌ
−ビス（４−アミノフェニル−８−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、２．５−ビス（Ｉｌ−アミノフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール、２．５−ビス（Ｉ−
アミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２
．５−ビス（ｌ−アミノフェニル）チアゾロ（４，５−
ｄ）チアゾール、５，５°−ジ（−アミノフェニル）−
２，２’−ビス（１，３，４−オキサジアゾリル）、４
．４°−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ビス
（ｐ−アミノフェニル）−２，２’−ジチ°アゾール、
膳−ビス（４−ｐ−アミノフェニル−２−チアゾリル）
ベンゼン、４，４゛−ジアミノフェニルベンゾエート、
Ｎ、Ｎ’−ビス（４−アミノベンジル）−ｐ−フユニレ
ンジアミン、４，４°−メチレンビス（２−クロロアニ
リン）、２．２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、１．４−ビス（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１．３−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、１．３−ビス（３−アミノフェノキシ
）ベンゼンなどのジアミン、下記一般式で表わされる芳
香族多官能アミンなどが挙げられる。
は、４．４．”−ジアミノジシクロヘキシルメタン、１
．４−ジアミノシクロヘキサン、２．６−ジアミツピリ
ジン、Ｉ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、４．４−ジアミノジフェニルメタン、２．２−ビス
（４−アミノフェニル）プロパン、４，４゛−ジアミノ
ジフェニルオキシド、４，４°・−ジアミノジフェニル
スルホン、ビス（４−アミノフェニル）メチルホスフィ
ンオキシド、ビス（４−アミノフェニル）メチルアミン
、■、５−ジアミノナフタレン、■−キシリレンジアミ
ン、■、■−ビス（ｐ−アミノフェニル）フラツジ、ｐ
−キシリレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、６，
６°−ジアミノ−２，２゛−ジピリジル、４．４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４．４−ジアミノアゾベンゼン
、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１．１
−ビス（４−アミノフェニル）シクロへ牛サン、！、ｌ
−ビス（４−アミノフェニル−８−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、２．５−ビス（Ｉｌ−アミノフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール、２．５−ビス（Ｉ−
アミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２
．５−ビス（ｌ−アミノフェニル）チアゾロ（４，５−
ｄ）チアゾール、５，５°−ジ（−アミノフェニル）−
２，２’−ビス（１，３，４−オキサジアゾリル）、４
．４°−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ビス
（ｐ−アミノフェニル）−２，２’−ジチ°アゾール、
膳−ビス（４−ｐ−アミノフェニル−２−チアゾリル）
ベンゼン、４，４゛−ジアミノフェニルベンゾエート、
Ｎ、Ｎ’−ビス（４−アミノベンジル）−ｐ−フユニレ
ンジアミン、４，４°−メチレンビス（２−クロロアニ
リン）、２．２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、１．４−ビス（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１．３−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、１．３−ビス（３−アミノフェノキシ
）ベンゼンなどのジアミン、下記一般式で表わされる芳
香族多官能アミンなどが挙げられる。
ｐ龜
（式中、Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜２ｏのアルキル
基を表わし、それらの基は同一でも異なっていてもよい
。Ｒ２は単結合、又はメチレン、エチレンなどのアルキ
レン基を表わす。） これらのアミン類のうち１種又は２種以上が使用される
。
基を表わし、それらの基は同一でも異なっていてもよい
。Ｒ２は単結合、又はメチレン、エチレンなどのアルキ
レン基を表わす。） これらのアミン類のうち１種又は２種以上が使用される
。
硬化剤の配合量は、耐熱性、機械的性質、耐湿性の点か
ら、化学当量でエポキシ樹脂１に対して０．５〜１．５
、特に０．８〜１．２の範囲にあることが好ましい。
ら、化学当量でエポキシ樹脂１に対して０．５〜１．５
、特に０．８〜１．２の範囲にあることが好ましい。
また、エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進するために
、硬化触媒を用いてもよい。硬化触媒は、特に限定され
ない。このような硬化触媒としては、例えば２−メチル
イミダゾール、２．４−ジメチルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾ
ール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘ
プタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物；ト
リエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチル
ベンジルメチルジアミン、２−（ジメチルアミノメチル
）フェノール、２．４．８−）リス（ジメチルアミノメ
チル）フェノールなどの第３アミン化合物；トリブチル
ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチ
ルホスフィン、メチルジフェニルホスフィンなどの宜機
ホスフィン化合物；ジアザビシクロウンデセンなどが挙
げられる。これらの硬化触媒のうち１種又は２種以上が
用いられる。
、硬化触媒を用いてもよい。硬化触媒は、特に限定され
ない。このような硬化触媒としては、例えば２−メチル
イミダゾール、２．４−ジメチルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾ
ール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘ
プタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物；ト
リエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチル
ベンジルメチルジアミン、２−（ジメチルアミノメチル
）フェノール、２．４．８−）リス（ジメチルアミノメ
チル）フェノールなどの第３アミン化合物；トリブチル
ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチ
ルホスフィン、メチルジフェニルホスフィンなどの宜機
ホスフィン化合物；ジアザビシクロウンデセンなどが挙
げられる。これらの硬化触媒のうち１種又は２種以上が
用いられる。
硬化触媒は種類に応じて触媒活性が異なるため、その添
加量の好適範囲は一概には決められないが、エポキシ樹
脂と硬化剤との総量に対して０．１〜５重量％の範囲で
あることが好ましい。これは０．１重量％未満では、硬
化を充分に促進することができず、一方５重量％を超え
ると樹脂組成物の耐湿性を劣化させる傾向があるためで
ある。
加量の好適範囲は一概には決められないが、エポキシ樹
脂と硬化剤との総量に対して０．１〜５重量％の範囲で
あることが好ましい。これは０．１重量％未満では、硬
化を充分に促進することができず、一方５重量％を超え
ると樹脂組成物の耐湿性を劣化させる傾向があるためで
ある。
本発明において、ガラス転移温度が１９０℃以上の熱硬
化性樹脂を構成するマレイミド樹脂としては、下記一般
式 （式中、Ｘはアルキレン基、シクロアルキレン基、ｉｌ
ｌ環式もしくは多環式のアリレーン基など２価の炭化水
素基、又は−ＣＨ２Ｃ０− −ＳＯ２−もしくは−〇〇ＮＨ−など２価の原子団によ
って結合された２価の炭化水素基）で表わされるＮ、Ｎ
’−置換ビスマレイミド化合物、（式中、ｎは１〜５） で表わされるポリ（フェニル、メチレン）ポリマレイミ
ドが挙げられる。
化性樹脂を構成するマレイミド樹脂としては、下記一般
式 （式中、Ｘはアルキレン基、シクロアルキレン基、ｉｌ
ｌ環式もしくは多環式のアリレーン基など２価の炭化水
素基、又は−ＣＨ２Ｃ０− −ＳＯ２−もしくは−〇〇ＮＨ−など２価の原子団によ
って結合された２価の炭化水素基）で表わされるＮ、Ｎ
’−置換ビスマレイミド化合物、（式中、ｎは１〜５） で表わされるポリ（フェニル、メチレン）ポリマレイミ
ドが挙げられる。
マレイミド樹脂の具体例としては、Ｎ、Ｎ’−フェニレ
ンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレ
イミド、Ｎ、Ｎ’−ジフェニルメタンビスマレイミド、
Ｎ、Ｎ’−オキシ−ジ−ｐ−フェニレンビスマレイミド
、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ベンゾフェノンビスマレイミド
、Ｎ、Ｎ’−ｐ−ジフェニルスルホンビスマレイミド、
Ｎ、Ｎ’−（３，３°−ジメチル）メチレン−ジ−ルー
フユニレンビスマレイミド、ポリ （フェニルメチレン
）ポリマレイミド、２．２−ビス（４−フェノキシフェ
ニル）プロパン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイミド、ビス（４
−フェノキシフェニル）スルホン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレ
イミド、１．４−ビス（４−フェノキシ）ベンゼン−Ｎ
、Ｎ’−ビスマレイミド、１．３−ビス（４−フェノキ
シ）ベンゼン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイミド、１．３−ビ
ス（３−フェノキシ）ベンゼン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイ
ミドなどが挙げられる。これらのマレイミド樹脂のうち
１種又は２種以上が用いられる。
ンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレ
イミド、Ｎ、Ｎ’−ジフェニルメタンビスマレイミド、
Ｎ、Ｎ’−オキシ−ジ−ｐ−フェニレンビスマレイミド
、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ベンゾフェノンビスマレイミド
、Ｎ、Ｎ’−ｐ−ジフェニルスルホンビスマレイミド、
Ｎ、Ｎ’−（３，３°−ジメチル）メチレン−ジ−ルー
フユニレンビスマレイミド、ポリ （フェニルメチレン
）ポリマレイミド、２．２−ビス（４−フェノキシフェ
ニル）プロパン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイミド、ビス（４
−フェノキシフェニル）スルホン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレ
イミド、１．４−ビス（４−フェノキシ）ベンゼン−Ｎ
、Ｎ’−ビスマレイミド、１．３−ビス（４−フェノキ
シ）ベンゼン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイミド、１．３−ビ
ス（３−フェノキシ）ベンゼン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイ
ミドなどが挙げられる。これらのマレイミド樹脂のうち
１種又は２種以上が用いられる。
マレイミド樹脂を用いた場合、その有機酸の含有量が硬
化物の物性を大きく左右する。すなわち、マレイミド樹
脂の精製が不十分で有機酸が大量に残存する場合には、
半導体チップ上のＡｌｌ配線層の腐食を進行させ、硬化
物の耐湿性の低下を招くので、残存有機酸量が０．１％
以下のものが好ましい。マレイミド樹脂の製造方法は特
に限定されるものではなく、反応溶媒中でマレインアミ
ック酸を合成した後、マレインアミック酸を無水酢酸を
用いて脱水閉環してマレイミド樹脂とし、これを精製す
る方法、反応溶媒中でマレインアミック酸から直接脱水
閉環してマレイミド樹脂とし、これを精製する方法があ
る。ただし、前述したように残存有機酸量を極力減らす
反応としては、後者のほうが望ましい。
化物の物性を大きく左右する。すなわち、マレイミド樹
脂の精製が不十分で有機酸が大量に残存する場合には、
半導体チップ上のＡｌｌ配線層の腐食を進行させ、硬化
物の耐湿性の低下を招くので、残存有機酸量が０．１％
以下のものが好ましい。マレイミド樹脂の製造方法は特
に限定されるものではなく、反応溶媒中でマレインアミ
ック酸を合成した後、マレインアミック酸を無水酢酸を
用いて脱水閉環してマレイミド樹脂とし、これを精製す
る方法、反応溶媒中でマレインアミック酸から直接脱水
閉環してマレイミド樹脂とし、これを精製する方法があ
る。ただし、前述したように残存有機酸量を極力減らす
反応としては、後者のほうが望ましい。
また、マレイミド樹脂の作業性及び成形性を改善するた
めに、アミン化合物、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
又はビニル基もしくはアリル基を有する化合物を溶融混
合し、プレポリマー化してもよい。
めに、アミン化合物、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
又はビニル基もしくはアリル基を有する化合物を溶融混
合し、プレポリマー化してもよい。
マレイミド樹脂に添加されるアミン化合物としては、４
．４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、１．４−ジ
アミノシクロヘキサン、２．６−ジアミツビリジン、ｌ
−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，
４°−ジアミノジフェニルメタン、２．２’−ビス（４
−アミノフェニル）プロパン、４，４−ジアミノジフェ
ニルオキシド、４，４°−ジアミノジフェニルスルホン
、ビス（４−アミノフェニル）メチルホスフィンオキシ
ド、ビス（４−アミノフェニル）メチルアミン、Ｉ、５
−ジアミノナフタレン、■−キシリレンジアミン、１，
１−ビス（ｐ−アミノフェニル）フラツジ、ｐ−キシリ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、６．Ｂ゛−ジ
アミノ−２，２°−ジピリジル、４．４−ジアミノベン
ゾフェノン、４，４°−ジアミノアゾベンゼン、ビス（
４−アミノフェニル）フェニルメタン、１．１−ビス（
４−アミノフェニル）シクロヘキサン、１．ｆ−ビス（
４−アミノフェニル−３−メチルフェニル）シクロヘキ
サン、２，５−ビス（ｍ−アミノフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、２．５−ビス（ｐ−アミノフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス
（ｍ−アミノフェニル）チアゾロ（４゜５−ｄ）チアゾ
ール、５．５°−ジ（１−アミノフェニル）−２，２°
−ビス（１，３，４−オキサジアゾリル） 、４．４°
−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ビス（ｐ−
アミノフェニル）−２，２’−ジチアゾール、−ビス（
４−ｐ−アミノフェニル−２−チアゾリル）ベンゼン、
４゜４゛−ジアミノベンズアニリド、４．４°−ジアミ
ノフェニルベンゾエート、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−アミノ
ベンジル）−ｐ−フェニレンジアミン、４．４’−メチ
レンビス（２−クロロアニリン） 、２．２−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スル°ホン
、１．４−ビス（４−アミノフェノ・キシ）ベンゼン、
■、３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、■、
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンなどが挙げ
られる。
．４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、１．４−ジ
アミノシクロヘキサン、２．６−ジアミツビリジン、ｌ
−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，
４°−ジアミノジフェニルメタン、２．２’−ビス（４
−アミノフェニル）プロパン、４，４−ジアミノジフェ
ニルオキシド、４，４°−ジアミノジフェニルスルホン
、ビス（４−アミノフェニル）メチルホスフィンオキシ
ド、ビス（４−アミノフェニル）メチルアミン、Ｉ、５
−ジアミノナフタレン、■−キシリレンジアミン、１，
１−ビス（ｐ−アミノフェニル）フラツジ、ｐ−キシリ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、６．Ｂ゛−ジ
アミノ−２，２°−ジピリジル、４．４−ジアミノベン
ゾフェノン、４，４°−ジアミノアゾベンゼン、ビス（
４−アミノフェニル）フェニルメタン、１．１−ビス（
４−アミノフェニル）シクロヘキサン、１．ｆ−ビス（
４−アミノフェニル−３−メチルフェニル）シクロヘキ
サン、２，５−ビス（ｍ−アミノフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、２．５−ビス（ｐ−アミノフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス
（ｍ−アミノフェニル）チアゾロ（４゜５−ｄ）チアゾ
ール、５．５°−ジ（１−アミノフェニル）−２，２°
−ビス（１，３，４−オキサジアゾリル） 、４．４°
−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ビス（ｐ−
アミノフェニル）−２，２’−ジチアゾール、−ビス（
４−ｐ−アミノフェニル−２−チアゾリル）ベンゼン、
４゜４゛−ジアミノベンズアニリド、４．４°−ジアミ
ノフェニルベンゾエート、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−アミノ
ベンジル）−ｐ−フェニレンジアミン、４．４’−メチ
レンビス（２−クロロアニリン） 、２．２−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スル°ホン
、１．４−ビス（４−アミノフェノ・キシ）ベンゼン、
■、３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、■、
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンなどが挙げ
られる。
また、これらジアミン化合物のほか、ポリアミン化合物
も用いることができる。これらアミン化合物のうち１種
又は２ Ｐ１以上が用いられる。
も用いることができる。これらアミン化合物のうち１種
又は２ Ｐ１以上が用いられる。
前述したマレイミド樹脂及びアミン化合物は粉体混合、
加熱溶融混合などにより均一化することが望ましい。特
に、作業性、貯蔵安定性及び機械特性の点から、両者を
溶融混合してプレポリマー化することが好ましい。この
場合、マレイミド樹脂とアミン化合物との混合比は、マ
レイミド樹脂１モルに対し、アミン化合物０．２〜０．
８モルの範囲が好ましい。これはアミン化合物の混合比
が０．２モル未満では加工性が悪くなり、一方０．８モ
ルを超えると耐熱性及び高温強度が劣化するためである
。
加熱溶融混合などにより均一化することが望ましい。特
に、作業性、貯蔵安定性及び機械特性の点から、両者を
溶融混合してプレポリマー化することが好ましい。この
場合、マレイミド樹脂とアミン化合物との混合比は、マ
レイミド樹脂１モルに対し、アミン化合物０．２〜０．
８モルの範囲が好ましい。これはアミン化合物の混合比
が０．２モル未満では加工性が悪くなり、一方０．８モ
ルを超えると耐熱性及び高温強度が劣化するためである
。
マレイミド樹脂に添加されるエポキシ樹脂としては、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、耐熱性構造を有する三官能以上のエポキシ樹
脂、ハロゲンを含むエポキシ樹脂などが挙げられる。こ
れらエポキシ樹脂の好ましい具体例としては、ＥＳＣＮ
−１９５ＸＬ （住友化学） 、ＥＳＸ−２２０（住友
化学） 、１１：５ＭＮ−２２０（住友化学） 、ＥＰ
ＰＮ−５０２Ｎ（日本化薬） 、ＹＬ−９３３（油化シ
ェルエポキシ） 、ＹＬ−９３２Ｈ（油化シェルエポキ
シ）などが挙げられる。
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、耐熱性構造を有する三官能以上のエポキシ樹
脂、ハロゲンを含むエポキシ樹脂などが挙げられる。こ
れらエポキシ樹脂の好ましい具体例としては、ＥＳＣＮ
−１９５ＸＬ （住友化学） 、ＥＳＸ−２２０（住友
化学） 、１１：５ＭＮ−２２０（住友化学） 、ＥＰ
ＰＮ−５０２Ｎ（日本化薬） 、ＹＬ−９３３（油化シ
ェルエポキシ） 、ＹＬ−９３２Ｈ（油化シェルエポキ
シ）などが挙げられる。
エポキシ樹脂の配合割合は、マレイミド樹脂とアミノ化
合物との総量に対して５〜５０重量％の範囲であること
が好ましい。これはエポキシ樹脂が５重量％未満では硬
化物の成形性の低下を招き、一方５０重量％を超えると
耐熱性及び硬化性が低下する場合があるためである。
合物との総量に対して５〜５０重量％の範囲であること
が好ましい。これはエポキシ樹脂が５重量％未満では硬
化物の成形性の低下を招き、一方５０重量％を超えると
耐熱性及び硬化性が低下する場合があるためである。
なお、必要に応じて、マレイミド樹脂の硬化触媒として
有機ホスフィン化合物、イミダゾール化合物又はその誘
導体、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−７）又はそのフェノール塩、パーオキサイ
ドなどを用いることができる。耐湿信頼性の観点からは
、マレイミド樹脂の硬化触媒として有機ホスフィン化合
物を用いることが望ましい。
有機ホスフィン化合物、イミダゾール化合物又はその誘
導体、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−７）又はそのフェノール塩、パーオキサイ
ドなどを用いることができる。耐湿信頼性の観点からは
、マレイミド樹脂の硬化触媒として有機ホスフィン化合
物を用いることが望ましい。
マレイミド樹脂の硬化触媒として用いられる有機ホスフ
ィン化合物としては、例えばトリメチルホスフィン、ト
リエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン、トリ （ｐ−メチルフェニル）ホスフ
ィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、メチルジフ
ェニルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、トリ
シクロへキシルホスフィン、１．２−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メ
タンなどが挙げられる。これら有機ホスフィン化合物の
うち１種又は２種以上が用いられる。
ィン化合物としては、例えばトリメチルホスフィン、ト
リエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン、トリ （ｐ−メチルフェニル）ホスフ
ィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、メチルジフ
ェニルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、トリ
シクロへキシルホスフィン、１．２−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メ
タンなどが挙げられる。これら有機ホスフィン化合物の
うち１種又は２種以上が用いられる。
有機本スフィン化合物の配合量はマレイミド樹脂及びア
ミノ化合物の総量に対して０．１〜１０重量％が望まし
く、０．５〜５ｆｆｆ量％であれば更に良好な結果をも
たらす。これは有機ホスフィン化合物の配合量が０．１
重量％未満ではマレイミド系樹脂の硬化速度を向上させ
ることができず硬化物の成形性が劣り、一方１０ｆｆｉ
量％を超えると硬化物の耐熱性、耐湿性、電気特性が著
しく低下するためである。
ミノ化合物の総量に対して０．１〜１０重量％が望まし
く、０．５〜５ｆｆｆ量％であれば更に良好な結果をも
たらす。これは有機ホスフィン化合物の配合量が０．１
重量％未満ではマレイミド系樹脂の硬化速度を向上させ
ることができず硬化物の成形性が劣り、一方１０ｆｆｉ
量％を超えると硬化物の耐熱性、耐湿性、電気特性が著
しく低下するためである。
本発明において、（ｂ）成分である溶融シリカは、半導
体封止用樹脂の充填剤として用いられるものであればい
かなるものであってもよい。溶融シリカの配合量は、樹
脂組成物全体の６５〜９０重量％、更に好ましくは７０
〜８５重量％である。溶融シリカがｅｓｍｉ％未満では
、充分な耐熱衝撃性を得ることができず、９０重量％を
超えると溶融粘度が高すぎて成形性が劣る。
体封止用樹脂の充填剤として用いられるものであればい
かなるものであってもよい。溶融シリカの配合量は、樹
脂組成物全体の６５〜９０重量％、更に好ましくは７０
〜８５重量％である。溶融シリカがｅｓｍｉ％未満では
、充分な耐熱衝撃性を得ることができず、９０重量％を
超えると溶融粘度が高すぎて成形性が劣る。
溶融シリカ粉の形状及び粒径は特に限定されない。ただ
し、溶融シリカの形状が破砕状である場合、シリカの鋭
角部が素子表面に接触し、局部的に大きい応力を与え、
これに起因して半導体素子の誤動作を起こすおそれがあ
る。この誤動作を防止する観点から、破砕状溶融シリカ
の最大粒径は７５μ以下であることが望ましい。また、
ソフトエラー防止の観点から、溶融シリカ粉中のＵの合
計含有量は０．５ ｐｐｂ以下であることが望ましい。
し、溶融シリカの形状が破砕状である場合、シリカの鋭
角部が素子表面に接触し、局部的に大きい応力を与え、
これに起因して半導体素子の誤動作を起こすおそれがあ
る。この誤動作を防止する観点から、破砕状溶融シリカ
の最大粒径は７５μ以下であることが望ましい。また、
ソフトエラー防止の観点から、溶融シリカ粉中のＵの合
計含有量は０．５ ｐｐｂ以下であることが望ましい。
本発明において、＜Ｃ＞成分のうち、ＭＢＳとはメチル
メタクリレート・ブタジェン・スチレン共重合体の一般
名称である。ＭＢＳはラテックス状のスチレン・ブタジ
ェンゴム、ポリブタジェンゴムなどに、メチルメタクリ
レートとスチレンを主成分とするモノマーをグラフト重
合することにより製造される。このようなメチルメタク
リレート・ブタジェン・スチレン共重合体の具体例とし
ては、Ｂ−２２（鐘淵化学工業■、ＳＢＩ？成分約４５
％）、Ｂ−２８（鐘淵化学工業■、ＳＢＲ成分約４５％
） 、Ｂ−５８（鐘淵化学工業■、ＳＤＲ成分約６５９
６） 、６８に４ （日本合成ゴム■、ＳＢＲ成分約５
５％） 、ＢＴＡ７３１ （呉羽化学工業■） 、ＢＴ
Ａ ＩＩＩＮＸ （呉羽化学工業棟）などがある。
メタクリレート・ブタジェン・スチレン共重合体の一般
名称である。ＭＢＳはラテックス状のスチレン・ブタジ
ェンゴム、ポリブタジェンゴムなどに、メチルメタクリ
レートとスチレンを主成分とするモノマーをグラフト重
合することにより製造される。このようなメチルメタク
リレート・ブタジェン・スチレン共重合体の具体例とし
ては、Ｂ−２２（鐘淵化学工業■、ＳＢＩ？成分約４５
％）、Ｂ−２８（鐘淵化学工業■、ＳＢＲ成分約４５％
） 、Ｂ−５８（鐘淵化学工業■、ＳＤＲ成分約６５９
６） 、６８に４ （日本合成ゴム■、ＳＢＲ成分約５
５％） 、ＢＴＡ７３１ （呉羽化学工業■） 、ＢＴ
Ａ ＩＩＩＮＸ （呉羽化学工業棟）などがある。
これらのメチルメタクリレート・ブタジェン・スチレン
共重合体のうちでも、ブタジェン組成が７０％ｖｔ以下
、メチルメタクリレート組成がｔ５ｗｔ％以上のものが
好ましい。これはこの範囲外では成形品の外観が損なわ
れるためである。
共重合体のうちでも、ブタジェン組成が７０％ｖｔ以下
、メチルメタクリレート組成がｔ５ｗｔ％以上のものが
好ましい。これはこの範囲外では成形品の外観が損なわ
れるためである。
本発明において、（ｅ）成分のうち、ＡＢＳとはアクリ
ロニトリルやブタジェン・スチレン共重合体の一般名称
である。ＡＢＳはゴム成分である共役ジオレフィン（主
にブタジェン）を主体とする重合体に、アクリロニトリ
ル及び１種もしくはそれ以上の芳香族ビニル、又はアク
リロニトリル、１種もしくはそれ以上の芳香族ビニル及
びメタクリル酸エステルをグラフト重合させた共重合体
である。例えば、ポリブタジェンラテックス又はスチレ
ン／ブタジェン共重合体ラテックスの存在下にアクリロ
ニトリル単量体を乳化重合し凝固・乾燥して得られるも
の、アクリロニトリル／スチレン共重合体とアクリロニ
トリル／ブタジェン共重合体とを溶融混練して得られる
ものがある。また、これらの共重合体と重合可能な他の
単量体を少量添加したものもＡＢＳに含まれる。
ロニトリルやブタジェン・スチレン共重合体の一般名称
である。ＡＢＳはゴム成分である共役ジオレフィン（主
にブタジェン）を主体とする重合体に、アクリロニトリ
ル及び１種もしくはそれ以上の芳香族ビニル、又はアク
リロニトリル、１種もしくはそれ以上の芳香族ビニル及
びメタクリル酸エステルをグラフト重合させた共重合体
である。例えば、ポリブタジェンラテックス又はスチレ
ン／ブタジェン共重合体ラテックスの存在下にアクリロ
ニトリル単量体を乳化重合し凝固・乾燥して得られるも
の、アクリロニトリル／スチレン共重合体とアクリロニ
トリル／ブタジェン共重合体とを溶融混練して得られる
ものがある。また、これらの共重合体と重合可能な他の
単量体を少量添加したものもＡＢＳに含まれる。
ＡＢＳの具体例としては、クララスチックに−２５４０
（住友ノーガタック■、比重１．０１．熱変形温度８１
℃、曲げ弾性率１２０００ ｋｇ ／ ａｎ ２、引張
強度３００ ｋｇ／ａｍ２） 、クララスチックに−３
１２５（住友ノーガタック■、比重１．００．熱変形温
度７９℃、引張り強度２８０ｋｇ／国２）、チルアロイ
Ａ−１０（鐘淵化学工業■、比重１．０５） 、チルア
ロイＡ−５０（鐘淵化学工業■、比重１．０６） 、Ｊ
ＳＲＡＢＳＩＯ（日本合成ゴム■、比重１．０３、熱変
形温度８６℃、曲げ弾性率１８０００ ｋｇ／ａｍ２、
引張強度３５０ ｋｇ／ｃｏ＋２） 、ＪＳＲＡＢＳ１
５（１−１本合成ゴム■、比ｆｆｉ １．０５、熱変形
温度８９℃、曲げ弾性率２７０００ ｋｇ／ ｃｍ ２
、引張強度５００ ｋｇ／ａｓ２） 、ＪＳＲＡＢＳ４
２（日本合成ゴム■、比重１．０５、熱変形温度１０５
℃、曲げ弾性率２７０００ ）Ｃｇ ／ ａｍ ２引張
強度８００ ｋｓｒ／ａｍ２） 、ＪＳＲＡＢＳ４７（
日本合成ゴム■、比重１．０５、熱変形温度・ＩＨ℃、
曲げ弾性率２７０００ ｋｇ ／ ａｍ ２、引張強度
５３０ ｋｇ／ ａｍ２） 、ＪＳＲＡＢＳ５５（日本
合成ゴム■、比重ｌ、０７、熱変形温度８６℃、曲げ弾
性率２００００ ｋｇ ／ ｃｍ ２、引張強度４３０
ｋｇ／Ｃ１１２）などがある。
（住友ノーガタック■、比重１．０１．熱変形温度８１
℃、曲げ弾性率１２０００ ｋｇ ／ ａｎ ２、引張
強度３００ ｋｇ／ａｍ２） 、クララスチックに−３
１２５（住友ノーガタック■、比重１．００．熱変形温
度７９℃、引張り強度２８０ｋｇ／国２）、チルアロイ
Ａ−１０（鐘淵化学工業■、比重１．０５） 、チルア
ロイＡ−５０（鐘淵化学工業■、比重１．０６） 、Ｊ
ＳＲＡＢＳＩＯ（日本合成ゴム■、比重１．０３、熱変
形温度８６℃、曲げ弾性率１８０００ ｋｇ／ａｍ２、
引張強度３５０ ｋｇ／ｃｏ＋２） 、ＪＳＲＡＢＳ１
５（１−１本合成ゴム■、比ｆｆｉ １．０５、熱変形
温度８９℃、曲げ弾性率２７０００ ｋｇ／ ｃｍ ２
、引張強度５００ ｋｇ／ａｓ２） 、ＪＳＲＡＢＳ４
２（日本合成ゴム■、比重１．０５、熱変形温度１０５
℃、曲げ弾性率２７０００ ）Ｃｇ ／ ａｍ ２引張
強度８００ ｋｓｒ／ａｍ２） 、ＪＳＲＡＢＳ４７（
日本合成ゴム■、比重１．０５、熱変形温度・ＩＨ℃、
曲げ弾性率２７０００ ｋｇ ／ ａｍ ２、引張強度
５３０ ｋｇ／ ａｍ２） 、ＪＳＲＡＢＳ５５（日本
合成ゴム■、比重ｌ、０７、熱変形温度８６℃、曲げ弾
性率２００００ ｋｇ ／ ｃｍ ２、引張強度４３０
ｋｇ／Ｃ１１２）などがある。
ＭＢＳ又はＡＢＳはいずれも粒子又は粉末の形態で用い
られ、平均粒径は１００−以下であることが望ましい。
られ、平均粒径は１００−以下であることが望ましい。
これらのうち１種又は２種以上が用いられるが、その添
加量は樹脂組成物全体に対して、０．１〜ｌＯ重量％が
好ましい。添加量が０．１重量％以下では充分な耐熱衝
撃性が得られず、１０重量％を超えると溶融粘度が高く
なり、成形性に劣る。
加量は樹脂組成物全体に対して、０．１〜ｌＯ重量％が
好ましい。添加量が０．１重量％以下では充分な耐熱衝
撃性が得られず、１０重量％を超えると溶融粘度が高く
なり、成形性に劣る。
また、これらは予め加熱溶融した熱硬化性樹脂の構成成
分に混合し、分散させることによって更に良好な機械的
特性を付与することができる。混合方法は、フラスコ内
での混合羽根による撹拌、万能混合機による撹拌、溶融
釜内でのホモジナイザーによる方法などがある。
分に混合し、分散させることによって更に良好な機械的
特性を付与することができる。混合方法は、フラスコ内
での混合羽根による撹拌、万能混合機による撹拌、溶融
釜内でのホモジナイザーによる方法などがある。
本発明において、（ｄ）成分であるシリコーンゴム又は
シリコーンゲルは、１００℃以下で流動性を有し、加熱
によりゲル化するものであればいかなるものでもよい。
シリコーンゲルは、１００℃以下で流動性を有し、加熱
によりゲル化するものであればいかなるものでもよい。
こうしたシリコーンゴム又はシリコーンゲルとしては、
例えば付加型シリコーンゴムあるいはゲル、縮合型シリ
コーンゴムあるいはゲルなどが挙げられる。このような
シリコーンゲルの具体例としては、ＴＳＪ−３１５０（
東芝シリコーン■、２５℃での粘度１１００ｃＰ） 、
ＴＳＪ−３ｉ５１ （東芝シリコーン■、２５℃での粘
度２３００ｅＰ） 、ＴＳＪ−１１３０（東芝シリコー
ン■、２５℃での粘度３８００ｅＰ）ＴＳＪ−３１７５
（東芝シリコーン■、２５℃での粘度３１００ｅＰ）
、ＴＳＥ−３５０４（東芝シリコーン■、２５℃テノ粘
度１００００ｃＰ） 、ＴＳＩＥ−３０５１（東芝シリ
コーン■、２５℃での粘度７００ｅＰ） 、ＪＣＲ−Ｂ
ｌｏｔ （東しシリコーン■、２５℃での粘度Ｂ５００
ｃＰ）などがある。
例えば付加型シリコーンゴムあるいはゲル、縮合型シリ
コーンゴムあるいはゲルなどが挙げられる。このような
シリコーンゲルの具体例としては、ＴＳＪ−３１５０（
東芝シリコーン■、２５℃での粘度１１００ｃＰ） 、
ＴＳＪ−３ｉ５１ （東芝シリコーン■、２５℃での粘
度２３００ｅＰ） 、ＴＳＪ−１１３０（東芝シリコー
ン■、２５℃での粘度３８００ｅＰ）ＴＳＪ−３１７５
（東芝シリコーン■、２５℃での粘度３１００ｅＰ）
、ＴＳＥ−３５０４（東芝シリコーン■、２５℃テノ粘
度１００００ｃＰ） 、ＴＳＩＥ−３０５１（東芝シリ
コーン■、２５℃での粘度７００ｅＰ） 、ＪＣＲ−Ｂ
ｌｏｔ （東しシリコーン■、２５℃での粘度Ｂ５００
ｃＰ）などがある。
シリコーンゴム又はシリコーンゲルの添加方法は、樹脂
成分又は充填剤成分に、未硬化のシリコーンゲルを添加
撹拌する、いわゆるインテグラルブレンド法でもよいが
、前記ＭＢＳ、ＡＢＳと同様に、加熱溶融した熱硬化性
樹脂の構成成分に添加した後、撹拌・混合する方法が好
ましい。このような方法で混合することにより、分散性
が向上し、また樹脂組成物を成形した後、シリコーン成
分のブリードによる金型汚染も防止できる。
成分又は充填剤成分に、未硬化のシリコーンゲルを添加
撹拌する、いわゆるインテグラルブレンド法でもよいが
、前記ＭＢＳ、ＡＢＳと同様に、加熱溶融した熱硬化性
樹脂の構成成分に添加した後、撹拌・混合する方法が好
ましい。このような方法で混合することにより、分散性
が向上し、また樹脂組成物を成形した後、シリコーン成
分のブリードによる金型汚染も防止できる。
ただし、一般にシリコーンゴム又はシリコーンゲルは樹
脂成分との相溶性が悪いため、これらをを樹脂に分散さ
せる際、分散性を上げる目的で、溶融した熱硬化性樹脂
に予めシリコーン系、フッ素糸などの各種界面活性剤を
添加しておくことが好ましい。
脂成分との相溶性が悪いため、これらをを樹脂に分散さ
せる際、分散性を上げる目的で、溶融した熱硬化性樹脂
に予めシリコーン系、フッ素糸などの各種界面活性剤を
添加しておくことが好ましい。
界面活性剤の具体例としては、シリコーン系では！３Ｆ
−８４１９，５Ｐ−８４１０，５Ｐ−８４２１（東しシ
リコーン■）、フッ素系ではフロラードＦＣ４３０（住
友３Ｍ■）などが挙げられる。界面活性剤の添加量は熱
硬化性樹脂に対し、０．１〜１０重量％の範囲にあるこ
とが望ましい。これは、この範囲の下限未満では分散性
を上げる効果がなく、上限を超えると成形性、耐湿性に
劣るためである。
−８４１９，５Ｐ−８４１０，５Ｐ−８４２１（東しシ
リコーン■）、フッ素系ではフロラードＦＣ４３０（住
友３Ｍ■）などが挙げられる。界面活性剤の添加量は熱
硬化性樹脂に対し、０．１〜１０重量％の範囲にあるこ
とが望ましい。これは、この範囲の下限未満では分散性
を上げる効果がなく、上限を超えると成形性、耐湿性に
劣るためである。
シリコーンゴム又はシリコーンゲルの配合割合は、組成
物全体の０．１〜５重量％の範囲とすることが望ましい
。０．１重量％未満では内部応力の低減効果が少なく、
一方５重量％を超えると混線などの作業性に劣り、また
強度の低下も著しい。
物全体の０．１〜５重量％の範囲とすることが望ましい
。０．１重量％未満では内部応力の低減効果が少なく、
一方５重量％を超えると混線などの作業性に劣り、また
強度の低下も著しい。
本発明において、（ｅ）成分である金属キレート化合物
を含む離型剤としては、炭化水素系ワックス、脂肪酸系
ワックス、脂肪酸アミド系ワックス、エステル系ワック
スなどが挙げられる。具体例としては、耐湿性の点から
カルナバワックス、モンタンワックスなどのエステル系
ワックスが好ましく、その他にステアリン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウムなど
の長鎖カルボン酸及びそれらの金属塩、低分子量ポリエ
チレンワックスなどが挙げられる。これらの離型剤のう
ち１種又は２種以上が用いられる。
を含む離型剤としては、炭化水素系ワックス、脂肪酸系
ワックス、脂肪酸アミド系ワックス、エステル系ワック
スなどが挙げられる。具体例としては、耐湿性の点から
カルナバワックス、モンタンワックスなどのエステル系
ワックスが好ましく、その他にステアリン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウムなど
の長鎖カルボン酸及びそれらの金属塩、低分子量ポリエ
チレンワックスなどが挙げられる。これらの離型剤のう
ち１種又は２種以上が用いられる。
金属キレート化合物は、離型剤のリードフレーム及び素
子に耐する密着性、及び耐水性を改良するために用いら
れる。このような金属キレート化合物としては、２「キ
レート、Ｔｉキレート、Ａｆｌキレートが挙げられる。
子に耐する密着性、及び耐水性を改良するために用いら
れる。このような金属キレート化合物としては、２「キ
レート、Ｔｉキレート、Ａｆｌキレートが挙げられる。
Ｚｒキレート化合物としては、テトラキスアセチルアセ
トナトシルコニウム、モノブトキシトリスアセチルアセ
トナトシルコニウム、ジブトキシビスアセチルアセトナ
トジルコニウム、トリブトキシアセチルアセトナトシル
コニウム、テトラキスエチルアセチルアセテートジルコ
ニウム、ブトキシトリスエチルアセチルアセテートジル
コニウム、トリブトキシモノエチルアセチルアセテート
ジルコニウム、テトラキスエチルラクテートジルコニウ
ム、ジブトキシビスエチルラクテートジルコニウム、ビ
スアセチルアセトナトビスエチルアセチルアセトナトシ
ルコニウム、モノアセチルアセトナトトリスエチルアセ
チルアセトナトシルコニウム、モノアセチルアセトナト
ビスエチルアセチルアセトナトブトキシジルコニウム、
ビスアセチルアセトナトビスエチルラクトナトジルコニ
ウムなどが挙げられる。
トナトシルコニウム、モノブトキシトリスアセチルアセ
トナトシルコニウム、ジブトキシビスアセチルアセトナ
トジルコニウム、トリブトキシアセチルアセトナトシル
コニウム、テトラキスエチルアセチルアセテートジルコ
ニウム、ブトキシトリスエチルアセチルアセテートジル
コニウム、トリブトキシモノエチルアセチルアセテート
ジルコニウム、テトラキスエチルラクテートジルコニウ
ム、ジブトキシビスエチルラクテートジルコニウム、ビ
スアセチルアセトナトビスエチルアセチルアセトナトシ
ルコニウム、モノアセチルアセトナトトリスエチルアセ
チルアセトナトシルコニウム、モノアセチルアセトナト
ビスエチルアセチルアセトナトブトキシジルコニウム、
ビスアセチルアセトナトビスエチルラクトナトジルコニ
ウムなどが挙げられる。
Ｔｉキレート、Ａｇキレートとしては、β−ジケトン、
ヒドロキシカルボン酸、ケトエステル、ケトアルコール
、グリコールなど配位子を有する化合物が挙げられる。
ヒドロキシカルボン酸、ケトエステル、ケトアルコール
、グリコールなど配位子を有する化合物が挙げられる。
これらの金属キレートのうちでも、耐湿性、及び離型剤
との相溶性の点から２「キレート化合物が特に好ましい
。
との相溶性の点から２「キレート化合物が特に好ましい
。
離型剤及び金属キレート化合物は予め予備混合すること
が望ましい。両者の予備混合方法としては、離型剤の融
点以上の温度で混合する方法が好ましい。この方法では
両者が均一に相溶した状態となる。
が望ましい。両者の予備混合方法としては、離型剤の融
点以上の温度で混合する方法が好ましい。この方法では
両者が均一に相溶した状態となる。
離型剤と金属キレート化合物との混合割合は、離型剤に
対して金属キレートが０．１〜５０重量％であることが
好ましく、０．５〜３０重量部であることがより好まし
い。
対して金属キレートが０．１〜５０重量％であることが
好ましく、０．５〜３０重量部であることがより好まし
い。
金属キレート化合物を含有する離型剤は、樹脂組成物中
、０６０１〜３重量％、好ましくは０．１〜１重量％の
範囲で用いられる。配合割合が多すぎる場合には充分な
耐湿性が得られず、一方少なすぎる場合には金型からの
離型性が低下する。
、０６０１〜３重量％、好ましくは０．１〜１重量％の
範囲で用いられる。配合割合が多すぎる場合には充分な
耐湿性が得られず、一方少なすぎる場合には金型からの
離型性が低下する。
本発明に係る樹脂組成物は難燃助剤として三酸化アンチ
モンを含有することが望ましい。三酸化アンチモンは半
導体封止樹脂の難燃助剤として用いられるものであれば
いかなるものであってもよい。ただし、三酸化アンチモ
ンを用いた場合、封止樹脂に水分が侵入し、素子の発熱
などによって封止樹脂の温度が上昇すると、／％ロゲン
化エポキシ樹脂のハロゲン原子と反応したり、他の不純
物と接触するおそれがある。これらの欠点を防止するた
めに、三酸化アンチモンをアルコキシシランで処理し、
その裏付を疎水性の有機分子で覆うことが好ましい。
モンを含有することが望ましい。三酸化アンチモンは半
導体封止樹脂の難燃助剤として用いられるものであれば
いかなるものであってもよい。ただし、三酸化アンチモ
ンを用いた場合、封止樹脂に水分が侵入し、素子の発熱
などによって封止樹脂の温度が上昇すると、／％ロゲン
化エポキシ樹脂のハロゲン原子と反応したり、他の不純
物と接触するおそれがある。これらの欠点を防止するた
めに、三酸化アンチモンをアルコキシシランで処理し、
その裏付を疎水性の有機分子で覆うことが好ましい。
三酸化アンチモンの表面処理に用いられるアルコキシシ
ランは少なくとも１個の疎水性基を有するものであれば
いかなるものであってもよい。例えば、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメ
トキシシラン、ジメチルジェトキシシラン、トリメチル
メトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ヘキシル
トリメトキシシラン、フエニルジメチルエトキシシラン
、フエニルジエチルエトキシシラン、トリフェニルメト
キシシラン、フェニルトリペントキシシランなどが挙げ
られる。これらのうちでも、フェニルトリエトキシシラ
ン又はメチルトリエトキシシランが好ましい。
ランは少なくとも１個の疎水性基を有するものであれば
いかなるものであってもよい。例えば、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメ
トキシシラン、ジメチルジェトキシシラン、トリメチル
メトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ヘキシル
トリメトキシシラン、フエニルジメチルエトキシシラン
、フエニルジエチルエトキシシラン、トリフェニルメト
キシシラン、フェニルトリペントキシシランなどが挙げ
られる。これらのうちでも、フェニルトリエトキシシラ
ン又はメチルトリエトキシシランが好ましい。
この処理に使用されるアルコキシシランは、三酸化アン
チモン１００重量部に対して、通常、０．０１〜ＩＯ重
量部、好ましくは０．１〜５重量部蓋部される。アルコ
キシシランの配合割合が０．０１重量部未満の場合には
充分な耐湿性、耐熱衝撃性を発揮できず、一方１０重量
部を超えると成形品表面ににじみなどが発生することが
ある。
チモン１００重量部に対して、通常、０．０１〜ＩＯ重
量部、好ましくは０．１〜５重量部蓋部される。アルコ
キシシランの配合割合が０．０１重量部未満の場合には
充分な耐湿性、耐熱衝撃性を発揮できず、一方１０重量
部を超えると成形品表面ににじみなどが発生することが
ある。
アルコキシシランによる三酸化アンチモンの処理は、通
常、水の存在下で三酸化アンチモンとアルコキシシラン
とを接触させ、乾燥させればよい。
常、水の存在下で三酸化アンチモンとアルコキシシラン
とを接触させ、乾燥させればよい。
例えば、Ｖ型ブレンダーに三酸化アンチモンを入れて撹
拌しながらアルコジキシラン水溶液（又は水−有機溶媒
溶液）を空気又はＮ２ガスなどで噴霧させながら処理し
た後、乾燥させる方法；三酸化アンチモンを水又は有機
溶媒に分散させ、スラリー状にした後、アルコキシシラ
ンの水溶液及び／又は有機溶剤を添加し撹拌して静止し
、三酸化アンチモンを沈降分離して乾燥させる方法；加
熱炉から引き出された高温の三酸化アンチモンにアルコ
キシシラン水溶液及び／又は有機溶剤溶液をスプレー処
理する方法などが挙げられる。ただし、必ずしもこれら
の方法に限定されるものではない。
拌しながらアルコジキシラン水溶液（又は水−有機溶媒
溶液）を空気又はＮ２ガスなどで噴霧させながら処理し
た後、乾燥させる方法；三酸化アンチモンを水又は有機
溶媒に分散させ、スラリー状にした後、アルコキシシラ
ンの水溶液及び／又は有機溶剤を添加し撹拌して静止し
、三酸化アンチモンを沈降分離して乾燥させる方法；加
熱炉から引き出された高温の三酸化アンチモンにアルコ
キシシラン水溶液及び／又は有機溶剤溶液をスプレー処
理する方法などが挙げられる。ただし、必ずしもこれら
の方法に限定されるものではない。
三酸化アンチモンの配合割合は樹脂組成物全体の０．２
〜５重量％であることが好ましい。０．２重量％未満の
場合には多量の難燃エポキシ樹脂を加えないと充分な難
燃性が得られないため、樹脂組成物に高い耐湿性を付与
することができない。−方、５重量％を超える場合にも
前記と同様に耐湿性が不十分となる。好ましくは０．５
〜３重量％である。
〜５重量％であることが好ましい。０．２重量％未満の
場合には多量の難燃エポキシ樹脂を加えないと充分な難
燃性が得られないため、樹脂組成物に高い耐湿性を付与
することができない。−方、５重量％を超える場合にも
前記と同様に耐湿性が不十分となる。好ましくは０．５
〜３重量％である。
本発明の樹脂組成物には前記各成分のほかにも、必要に
応じて、シラン系、ボラン系、チタネート系などのカッ
プリング剤；リン化合物、臭素、塩素などを含む難燃剤
；カーボンブラックなどの顔料及び染料などを配合して
もよい。また、特に高い耐湿信頼性が要求される場合に
は、各種イオン捕捉剤の添加が有効である。イオン捕捉
剤の具体例とシテハ、ＤＨＴ−４Ａ （協和化学） 、
ＩＸＥ−Ｂｏｏ（東亜合成）などが挙げられる。
応じて、シラン系、ボラン系、チタネート系などのカッ
プリング剤；リン化合物、臭素、塩素などを含む難燃剤
；カーボンブラックなどの顔料及び染料などを配合して
もよい。また、特に高い耐湿信頼性が要求される場合に
は、各種イオン捕捉剤の添加が有効である。イオン捕捉
剤の具体例とシテハ、ＤＨＴ−４Ａ （協和化学） 、
ＩＸＥ−Ｂｏｏ（東亜合成）などが挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、前述した各成分を、加熱ロール
、ニーダ−あるいは押出機によって溶融混練したり、微
粉砕可能な特殊混合機によって混合したり、これらの各
方法の適宜な組み合わせで容易に製造することができる
。
、ニーダ−あるいは押出機によって溶融混練したり、微
粉砕可能な特殊混合機によって混合したり、これらの各
方法の適宜な組み合わせで容易に製造することができる
。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記樹脂組成物を用
い、半導体チップを樹脂封止することにより製造される
。この場合、最も一般的には低圧トランスファー成形が
用いられるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型
などによっても封止することができる。封止後の加熱硬
化は１５０℃以上の温度で行うことが望ましい。なお、
本発明の樹脂封止物によって封止される半導体チップは
特に限定されない。
い、半導体チップを樹脂封止することにより製造される
。この場合、最も一般的には低圧トランスファー成形が
用いられるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型
などによっても封止することができる。封止後の加熱硬
化は１５０℃以上の温度で行うことが望ましい。なお、
本発明の樹脂封止物によって封止される半導体チップは
特に限定されない。
（実施例）
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明する。
実施例１〜１１及び比較例１〜５
原料としては以下に示す各成分を用いた。
エポキシ樹脂Ａニドリス（ヒドロキシフェニル）メタン
ベースのエポキシ樹脂（ＥＰＰＭ−５０２、日本化薬製
、当量１６７）、 エポキシ樹脂Ｂニドリス（ヒドロキシアルキルフェニル
）メタンベースのエポキシ樹脂（ＥＳＸ−２２０、住友
化学製、当量２１３）、 エポキシ樹脂Ｃ：テトラヒドロキシフェニルエタンベー
スのエポキシ樹脂（Ｈ−１０３１８、油化シェルエポキ
シ製、当量１９６）、 エポキシ樹脂Ｄ：オルソクレゾールノボラックエホキシ
樹脂（ＥＳＣＮ−１９５ＸＬ、住友化学製、当量１９７
）、 エポキシ樹脂Ｅ：ビスフェノールＡ型臭素化エポキシ樹
脂（ＡＥＲ−７５５、脂化成製、当量４６０）、硬化剤
Ａ：フェノールノボラック樹脂、硬化剤Ｂニドリス（ヒ
ドロキシフェニル）メタン、硬化剤Ｃ：芳香族ポリアミ
ン（ＭＣ−８１０、三菱油化製、アミノ基当量１２４）
、 硬化剤Ｄ ： ３．３°、４．４’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物（分子量３２１）、 マレイミド樹脂Ａ：下記構造式で示されるジフェニルメ
タン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイミド（分子量３５８）１モ
ルに、 １．３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン０．５
モルを配合し、二軸押出機を用いて、樹脂温度１２０℃
で溶融混合することにより調製されたプレポリマー マレイミド樹脂Ｂ：下記構造式で示される２、２’−ビ
ス（４−フェノキシフェニル）プロパン−Ｎ、Ｎ −ビ
スマレイミド（分子ｆｆ１８００．５）１モルに、下記
構造式で示される１、３−ビス（４−アミノフェノキシ
）ベンゼン０．５モル を配合し、前記と同様に二軸押出機を用いて、樹脂温度
１２０℃で溶融混合することにより調製されたプレポリ
マー 硬化促進剤Ａニトリフェニルホスフィン（ＰＰ−３６０
、Ｋｌ化成製）、 硬化促進剤Ｂ：イミダゾール（Ｃ１７Ｚ、四国化成製）
、 シリコーンゲル：加熱硬化タイプ付加型シリコーンゲル
、 ＭＢＳ：平均粒径３０ｐ。
ベースのエポキシ樹脂（ＥＰＰＭ−５０２、日本化薬製
、当量１６７）、 エポキシ樹脂Ｂニドリス（ヒドロキシアルキルフェニル
）メタンベースのエポキシ樹脂（ＥＳＸ−２２０、住友
化学製、当量２１３）、 エポキシ樹脂Ｃ：テトラヒドロキシフェニルエタンベー
スのエポキシ樹脂（Ｈ−１０３１８、油化シェルエポキ
シ製、当量１９６）、 エポキシ樹脂Ｄ：オルソクレゾールノボラックエホキシ
樹脂（ＥＳＣＮ−１９５ＸＬ、住友化学製、当量１９７
）、 エポキシ樹脂Ｅ：ビスフェノールＡ型臭素化エポキシ樹
脂（ＡＥＲ−７５５、脂化成製、当量４６０）、硬化剤
Ａ：フェノールノボラック樹脂、硬化剤Ｂニドリス（ヒ
ドロキシフェニル）メタン、硬化剤Ｃ：芳香族ポリアミ
ン（ＭＣ−８１０、三菱油化製、アミノ基当量１２４）
、 硬化剤Ｄ ： ３．３°、４．４’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物（分子量３２１）、 マレイミド樹脂Ａ：下記構造式で示されるジフェニルメ
タン−Ｎ、Ｎ’−ビスマレイミド（分子量３５８）１モ
ルに、 １．３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン０．５
モルを配合し、二軸押出機を用いて、樹脂温度１２０℃
で溶融混合することにより調製されたプレポリマー マレイミド樹脂Ｂ：下記構造式で示される２、２’−ビ
ス（４−フェノキシフェニル）プロパン−Ｎ、Ｎ −ビ
スマレイミド（分子ｆｆ１８００．５）１モルに、下記
構造式で示される１、３−ビス（４−アミノフェノキシ
）ベンゼン０．５モル を配合し、前記と同様に二軸押出機を用いて、樹脂温度
１２０℃で溶融混合することにより調製されたプレポリ
マー 硬化促進剤Ａニトリフェニルホスフィン（ＰＰ−３６０
、Ｋｌ化成製）、 硬化促進剤Ｂ：イミダゾール（Ｃ１７Ｚ、四国化成製）
、 シリコーンゲル：加熱硬化タイプ付加型シリコーンゲル
、 ＭＢＳ：平均粒径３０ｐ。
ＡＢＳ：平均粒径ジ０μｓ、
離型剤：ジルコニウムキレート変性エステルワックス、
顔料二カーボンブラック（ＣＢ＄３０ 、三菱油化製）
、難燃助剤：三酸化アンチモン、 溶融シリカム：破砕状、平均粒径２Ｏｎ（ＵＳＴｈ濃度
０．１ ｐｐｂ） 溶融シリカＢ：平均粒径１４趨（Ｕ濃度０．１ ｐｐｂ
）イオン捕捉？’ＦＪ ： ＩＸＥ−ＧＱＯ＜東亜合成
化学Ｗ ）なお、シリコーンゲル及びＭＢＳ又はＡＢＳ
は、予め樹脂成分の一部に分散させて用いた。すなわち
、実施例１〜４．９．１Ｏ１１１では硬化剤Ａ又はＢ（
フェノ」フレ樹脂）、実施例５．６ではエポキシ樹脂Ａ
又はＤを、万能撹拌機中でそれぞれの樹脂の軟化点以上
の温度で加熱溶融し、シリコーンゲル及びＭＢＳ粉末又
はＡＢＳ粉末を添加した後、撹拌・混合し、これらを均
一分散させたものを用いた。また、実施例７．８につい
ては、マレイミドプレポリマーを二軸押出機で調製する
際、溶融した樹脂にシリコーンゲル及びＭＢＳを添加し
、高いせん断心力を加えて混合・分散させた。
、難燃助剤：三酸化アンチモン、 溶融シリカム：破砕状、平均粒径２Ｏｎ（ＵＳＴｈ濃度
０．１ ｐｐｂ） 溶融シリカＢ：平均粒径１４趨（Ｕ濃度０．１ ｐｐｂ
）イオン捕捉？’ＦＪ ： ＩＸＥ−ＧＱＯ＜東亜合成
化学Ｗ ）なお、シリコーンゲル及びＭＢＳ又はＡＢＳ
は、予め樹脂成分の一部に分散させて用いた。すなわち
、実施例１〜４．９．１Ｏ１１１では硬化剤Ａ又はＢ（
フェノ」フレ樹脂）、実施例５．６ではエポキシ樹脂Ａ
又はＤを、万能撹拌機中でそれぞれの樹脂の軟化点以上
の温度で加熱溶融し、シリコーンゲル及びＭＢＳ粉末又
はＡＢＳ粉末を添加した後、撹拌・混合し、これらを均
一分散させたものを用いた。また、実施例７．８につい
ては、マレイミドプレポリマーを二軸押出機で調製する
際、溶融した樹脂にシリコーンゲル及びＭＢＳを添加し
、高いせん断心力を加えて混合・分散させた。
これらの成分を第１表に示す配合割合（重量％）で配合
し、２本ロールで混練してシート状にし、これを粗粉砕
して半導体封止用樹脂組成物を調製した。
し、２本ロールで混練してシート状にし、これを粗粉砕
して半導体封止用樹脂組成物を調製した。
これら実施例１〜１１及び比較例１〜５のエポキシ樹脂
組成物について下記のような試験を行った。
組成物について下記のような試験を行った。
■各樹脂組成物を用い、１７５℃、３分の条件でトラン
スファー成形により試験片を作製し、１８０℃で８時間
アフターキュアした。これらの試験片について、熱膨張
率、ガラス転移温度、２１５℃での曲げ強さ、常温での
曲げ弾性率、１５０℃での体積抵抗率、及びフレーム材
である銅合金との接着力を測定した。
スファー成形により試験片を作製し、１８０℃で８時間
アフターキュアした。これらの試験片について、熱膨張
率、ガラス転移温度、２１５℃での曲げ強さ、常温での
曲げ弾性率、１５０℃での体積抵抗率、及びフレーム材
である銅合金との接着力を測定した。
なお、ガラス転移温度は測定器として真空理工■製ＤＬ
−１５００Ｈを用い、２．５．Ｘ２．５ Ｘ１５．０〜
２０，０の寸法のサンプルを昇温速度５℃／ａｋｉｎで
昇温することにより測定した。また、第２表中の熱膨張
率はガラス転移温度以下の値である。
−１５００Ｈを用い、２．５．Ｘ２．５ Ｘ１５．０〜
２０，０の寸法のサンプルを昇温速度５℃／ａｋｉｎで
昇温することにより測定した。また、第２表中の熱膨張
率はガラス転移温度以下の値である。
■耐熱衝撃性を調べるために以下の試験を行った。すな
わち、各樹脂組成物を用い、大型の耐熱衝撃性試験用デ
バイス（８ｍｌ×８關）を封止した後、−６５℃→室温
−１５０℃を１サイクルとする冷熱サイクルを５０〜４
００サイクル繰り返し、デバイスの動作特性チエツクに
より不良発生率を調べた。
わち、各樹脂組成物を用い、大型の耐熱衝撃性試験用デ
バイス（８ｍｌ×８關）を封止した後、−６５℃→室温
−１５０℃を１サイクルとする冷熱サイクルを５０〜４
００サイクル繰り返し、デバイスの動作特性チエツクに
より不良発生率を調べた。
■耐湿信頼性を調べるために以下の試験を行った。すな
わち、各樹脂組成物を用い、１７５℃、３分の条件で評
価用素子を封止し、１８０℃で８時間のアフタキュアを
行った。次いで、このパッケージを２．５気圧のプレッ
シャークツカー内に放置し、不良発生率を調べた。
わち、各樹脂組成物を用い、１７５℃、３分の条件で評
価用素子を封止し、１８０℃で８時間のアフタキュアを
行った。次いで、このパッケージを２．５気圧のプレッ
シャークツカー内に放置し、不良発生率を調べた。
■耐半田浸漬性を調べるために、以下の試験を行った。
すなわち、各樹脂組成物を用い、１７５℃、３分の条件
で評価用素子を封止し、１８０℃で８時間のアフタキュ
アを行った。次いで、このパッケージを８５℃°、相対
湿度８５％の雰囲気中に７２時間放置して吸湿処理を行
った後、これを２６０℃の半田浴に５秒間浸漬した。こ
の時点でパッケージのクラック発生率を調べた。更に、
この半田浸漬パッケージをプレッシャークツカー内で１
２７℃の飽和水蒸気雰囲気中に１００〜４００時間放置
し、不良（リーク不良、オーブン不良）発゛生率を調べ
た。
で評価用素子を封止し、１８０℃で８時間のアフタキュ
アを行った。次いで、このパッケージを８５℃°、相対
湿度８５％の雰囲気中に７２時間放置して吸湿処理を行
った後、これを２６０℃の半田浴に５秒間浸漬した。こ
の時点でパッケージのクラック発生率を調べた。更に、
この半田浸漬パッケージをプレッシャークツカー内で１
２７℃の飽和水蒸気雰囲気中に１００〜４００時間放置
し、不良（リーク不良、オーブン不良）発゛生率を調べ
た。
以上のΔ−１定結果を第２表にまとめて示す。
第２表に示されるように、実施例１〜１１の樹脂組成物
は、比較例１〜４の樹脂組成物に比べ、耐熱性及び密着
性が高く、高温下での耐クラツク性及びその後の耐湿信
頼性が極めて良好である。また、機械的特性のバランス
がよいため、優れた耐熱衝撃性を有する。
は、比較例１〜４の樹脂組成物に比べ、耐熱性及び密着
性が高く、高温下での耐クラツク性及びその後の耐湿信
頼性が極めて良好である。また、機械的特性のバランス
がよいため、優れた耐熱衝撃性を有する。
〔発明の効果］
以上詳述したように本発明の樹脂組成物の硬化物は、耐
熱衝撃性、耐半田浸漬性に優れ、半導体装置、特に表面
実装タイプの大容量メモリの封正に好適である。また、
本発明の樹脂封止型半導体装置は、耐熱衝撃性に優れ、
また表面実装を行ってもその後の耐湿性は良好であり、
高い信頼性を有するものである。
熱衝撃性、耐半田浸漬性に優れ、半導体装置、特に表面
実装タイプの大容量メモリの封正に好適である。また、
本発明の樹脂封止型半導体装置は、耐熱衝撃性に優れ、
また表面実装を行ってもその後の耐湿性は良好であり、
高い信頼性を有するものである。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (4)
- （１）（ａ）ガラス転移温度が１９０℃以上の熱硬化性
樹脂、 （ｂ）溶融シリカからなる充填剤、 （ｃ）ＭＢＳ又はＡＢＳからなる添加剤、 （ｄ）シリコーンゴム又はシリコーンゲルからなる添加
剤、及び （ｅ）金属キレート化合物を含む離型剤 を含有することを特徴とする封止用樹脂組成物。 - （２）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂又はマレイミド樹脂
であり、かつ難燃助剤として、表面が疎水化処理された
三酸化アンチモンを含有することを特徴とする請求項（
１）記載の封止用樹脂組成物。 - （３）溶融シリカからなる充填剤中のウラニウム含有濃
度が０．５ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項（
１）記載の封止用樹脂組成物。 - （４）半導体チップを請求項（１）記載の封止用樹脂組
成物で封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。
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|---|---|---|---|
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| KR1019900002342A KR930002803B1 (ko) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | 반도체 장치의 봉지재 |
| EP90301958A EP0384774B1 (en) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | Semiconductor device encapsulant |
| DE69029752T DE69029752T2 (de) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | Einkapselung einer Halbleiteranordnung |
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|---|---|---|---|
| JP1043510A JP2642470B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
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| JP2642470B2 JP2642470B2 (ja) | 1997-08-20 |
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ID=12665734
Family Applications (1)
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| JP1043510A Expired - Fee Related JP2642470B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346743A (en) * | 1992-03-13 | 1994-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin encapsulation type semiconductor device |
| KR20000018470A (ko) * | 1998-09-02 | 2000-04-06 | 유현식 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 |
| JP2002539313A (ja) * | 1999-03-16 | 2002-11-19 | バンティコ アクチエンゲゼルシャフト | 特別な性質の組合せを有する硬化性組成物 |
| WO2010035859A1 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | 東レ株式会社 | エポキシ樹脂組成物、プリプレグおよび繊維強化複合材料 |
| WO2019208614A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2010331A1 (en) * | 1989-03-02 | 1990-09-02 | James O. Peterson | Low stress epoxy encapsulant compositions |
| CA2066497A1 (en) * | 1991-05-01 | 1992-11-02 | Michael K. Gallagher | Epoxy molding composition for surface mount applications |
| DE4211250A1 (de) * | 1992-04-03 | 1993-10-07 | Siemens Ag | Reaktionsharze zum Vergießen von druckempfindlichen elektronischen Bauelementen |
| JPH07109337A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-04-25 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂注型材料 |
| US6960636B2 (en) | 1994-09-02 | 2005-11-01 | Henkel Corporation | Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds |
| US7645899B1 (en) | 1994-09-02 | 2010-01-12 | Henkel Corporation | Vinyl compounds |
| US6852814B2 (en) * | 1994-09-02 | 2005-02-08 | Henkel Corporation | Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds |
| EP0780435A1 (en) * | 1995-12-21 | 1997-06-25 | National Starch and Chemical Investment Holding Corporation | Flexible epoxy adhesives with low bleeding tendency |
| US20030055121A1 (en) * | 1996-09-10 | 2003-03-20 | Dershem Stephen M. | Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds |
| US6228688B1 (en) * | 1997-02-03 | 2001-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flip-chip resin-encapsulated semiconductor device |
| US6063828A (en) * | 1998-07-02 | 2000-05-16 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Underfill encapsulant compositions for use in electronic devices |
| US6350840B1 (en) | 1998-07-02 | 2002-02-26 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Underfill encapsulants prepared from allylated amide compounds |
| US6316566B1 (en) | 1998-07-02 | 2001-11-13 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Package encapsulant compositions for use in electronic devices |
| US6057381A (en) * | 1998-07-02 | 2000-05-02 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Method of making an electronic component using reworkable underfill encapsulants |
| SG105450A1 (en) | 1998-07-02 | 2004-08-27 | Nat Starch Chem Invest | Allylated amide compounds and die attach adhesives prepared therefrom |
| US6281314B1 (en) | 1998-07-02 | 2001-08-28 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Compositions for use in the fabrication of circuit components and printed wire boards |
| KR100540536B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2006-03-23 | 주식회사 케이씨씨 | 신뢰성이 향상된 반도체 봉지용 에폭시 수지조성물 |
| DE10001409A1 (de) † | 2000-01-14 | 2001-09-06 | Voith Paper Patent Gmbh | Elastische Walze und Verfahren zum Herstellen einer solchen |
| US7351784B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-04-01 | Intel Corporation | Chip-packaging composition of resin and cycloaliphatic amine hardener |
| BRPI0621083A2 (pt) * | 2005-12-22 | 2011-11-29 | Dow Global Technologies Inc | composição de resina epóxi curável contendo halogênio, artigo compósito reforçado com fibra, componente de circuito elétrico, processo para produzir um artigo revestido, pré- impregnado, laminado, placa de circuito impresso (pcb), processo para preparar um artigo revestido com resina, e artigo revestido com resina |
| US20080258318A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP5983590B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2016-08-31 | 株式会社デンソー | 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品 |
| JP6168005B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2017-07-26 | 株式会社デンソー | 電装部品 |
| JP6981390B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2021-12-15 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3717615A (en) * | 1969-04-25 | 1973-02-20 | Gen Electric | Polyimides |
| JPS5454168A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-28 | Hitachi Ltd | Epoxy resin composition |
| JPS5690827A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-23 | Toshiba Corp | Heat-resistant resin composition |
| JPS5834824A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
| US4552907A (en) * | 1983-07-29 | 1985-11-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Epoxy resin composition |
| US4719255A (en) * | 1984-08-23 | 1988-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Epoxy resin composition for encapsulation of semi-conductor device |
| JPS6222825A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| US4902732A (en) * | 1985-09-30 | 1990-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin-based curable compositions |
| JPS62184012A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-12 | Hitachi Ltd | 耐熱性樹脂組成物 |
| JPS62209126A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Toshiba Corp | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH0725994B2 (ja) * | 1986-11-21 | 1995-03-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH0791446B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1995-10-04 | 株式会社東芝 | 樹脂封止半導体装置 |
| JPH0648710B2 (ja) * | 1987-08-03 | 1994-06-22 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2877309B2 (ja) * | 1988-01-06 | 1999-03-31 | 株式会社東芝 | ゴム変性フェノール樹脂の製造方法 |
| US4985751A (en) * | 1988-09-13 | 1991-01-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor devices |
-
1989
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-
1990
- 1990-02-20 US US07/484,676 patent/US5258426A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1990-02-23 KR KR1019900002342A patent/KR930002803B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346743A (en) * | 1992-03-13 | 1994-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin encapsulation type semiconductor device |
| KR20000018470A (ko) * | 1998-09-02 | 2000-04-06 | 유현식 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 |
| JP2002539313A (ja) * | 1999-03-16 | 2002-11-19 | バンティコ アクチエンゲゼルシャフト | 特別な性質の組合せを有する硬化性組成物 |
| WO2010035859A1 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | 東レ株式会社 | エポキシ樹脂組成物、プリプレグおよび繊維強化複合材料 |
| US8658736B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-02-25 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin composition, prepreg and fiber-reinforced composite material |
| US9243139B2 (en) | 2008-09-29 | 2016-01-26 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin composition, prepreg and fiber-reinforced composite material |
| WO2019208614A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
| JPWO2019208614A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2021-05-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
| US11935803B2 (en) | 2018-04-26 | 2024-03-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer and semiconductor device |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |