JPH01319920A - チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の粒界絶縁化方法 - Google Patents
チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の粒界絶縁化方法Info
- Publication number
- JPH01319920A JPH01319920A JP63152388A JP15238888A JPH01319920A JP H01319920 A JPH01319920 A JP H01319920A JP 63152388 A JP63152388 A JP 63152388A JP 15238888 A JP15238888 A JP 15238888A JP H01319920 A JPH01319920 A JP H01319920A
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- JP
- Japan
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- diffusing agent
- grain boundary
- semiconductor
- based semiconductor
- strontium titanate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体磁器の粒界絶縁化方法に関するものであ
る。
る。
（従来の技術）
従来、チタン酸ストロンチウム系半導体磁器は、その結
晶粒界を絶縁化することにより、大きな見掛誘電率を持
つ粒界絶縁型半導体磁器コンデンサが得られることが知
られている。この粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは小
型で大容量が得られることからテレビジョン、ビデオの
カップリング回路等に使用され、さらに多くの分野に応
用されている。
晶粒界を絶縁化することにより、大きな見掛誘電率を持
つ粒界絶縁型半導体磁器コンデンサが得られることが知
られている。この粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは小
型で大容量が得られることからテレビジョン、ビデオの
カップリング回路等に使用され、さらに多くの分野に応
用されている。
このような粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの結晶粒界
の絶縁化方法としては、金属酸化物とワニスを混練した
金属酸化物ペーストを半導体磁器に−様な厚さに塗着し
、乾燥させたのち、大気の中で熱処理する方法が一般的
である。
の絶縁化方法としては、金属酸化物とワニスを混練した
金属酸化物ペーストを半導体磁器に−様な厚さに塗着し
、乾燥させたのち、大気の中で熱処理する方法が一般的
である。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来の方法では、半導体磁器−枚一枚に拡散剤を塗
着する必要があり、しかも各々均一に等しい量の拡散剤
を塗着しなければならない。また、熱処理時に拡散剤に
よって素子間の接着現象が起こる。また、拡散剤塗着量
のばらつきのため電気特性のばらつきが大きくなり、製
品の歩留りが低下する欠点があった。
着する必要があり、しかも各々均一に等しい量の拡散剤
を塗着しなければならない。また、熱処理時に拡散剤に
よって素子間の接着現象が起こる。また、拡散剤塗着量
のばらつきのため電気特性のばらつきが大きくなり、製
品の歩留りが低下する欠点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、電気特性のばら
つきを低減する半導体磁器の粒界絶縁化方法を提供する
ことである。
つきを低減する半導体磁器の粒界絶縁化方法を提供する
ことである。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体磁器の粒界絶縁化方法は、拡散剤を半導
体磁器に直接塗着せず、熱処理時に使用する鞘に拡散剤
を塗着し、半導体磁器と拡散剤が接触しないように鞘詰
めしたのち、熱処理することによって結晶粒界を絶縁化
するものである。
体磁器に直接塗着せず、熱処理時に使用する鞘に拡散剤
を塗着し、半導体磁器と拡散剤が接触しないように鞘詰
めしたのち、熱処理することによって結晶粒界を絶縁化
するものである。
（作 用）
上記構成により、拡散剤による素子間の接着現象を防止
することができ、素子への拡散剤塗着量のばらつきも低
減することができるので、従来の絶縁化方法によるもの
と同等の電気特性を保ちながら、そのばらつきを低減さ
せることができる。
することができ、素子への拡散剤塗着量のばらつきも低
減することができるので、従来の絶縁化方法によるもの
と同等の電気特性を保ちながら、そのばらつきを低減さ
せることができる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づき説明す
る。
る。
ＳｒＴｉＯ３’９０モル％、ＣａＴｉｏｔｌＯモル％。
Ｎｂ、０，０．２モル％の組成比になるように混合し、
湿式ボットミルで混合したのち、乾燥する。ポリビニル
アルコール５％水溶液をバインダとして添加して造粒し
たのち、３０メツシユの篩を通して整粒し、油圧プレス
を用いて直径７ｍ、肉厚０．４ｍｍの円板に１０００ｋ
ｇ／ｃｄの圧力で成型する。成型円板を大気中において
４００℃で２時間加熱したのち、９０％Ｎ、−１０％Ｈ
２の混合ガス気流中において１４２０℃で２時間還元焼
成して、直径６ ｎｎ 、肉厚０．３５ｍの半導体磁器
素体を得る。
湿式ボットミルで混合したのち、乾燥する。ポリビニル
アルコール５％水溶液をバインダとして添加して造粒し
たのち、３０メツシユの篩を通して整粒し、油圧プレス
を用いて直径７ｍ、肉厚０．４ｍｍの円板に１０００ｋ
ｇ／ｃｄの圧力で成型する。成型円板を大気中において
４００℃で２時間加熱したのち、９０％Ｎ、−１０％Ｈ
２の混合ガス気流中において１４２０℃で２時間還元焼
成して、直径６ ｎｎ 、肉厚０．３５ｍの半導体磁器
素体を得る。
拡散剤としては、Ｃ１１，０３５モル％、Ｂｉｂ、６５
モル％とワニスを混練して作成した金属酸化物ペースト
を用いる。
モル％とワニスを混練して作成した金属酸化物ペースト
を用いる。
第１図に示すようにアルミナ質の鞘の底に所定量の拡散
剤を塗着し、乾燥させた高純度アルミナ板を設置し、さ
らにその上に穴のあいた５ｒＴｉＯ，板を置いて拡散剤
が直接半導体磁器に接触しないようにしてから、半導体
磁器素体をばら詰めする。
剤を塗着し、乾燥させた高純度アルミナ板を設置し、さ
らにその上に穴のあいた５ｒＴｉＯ，板を置いて拡散剤
が直接半導体磁器に接触しないようにしてから、半導体
磁器素体をばら詰めする。
第１図において、１はアルミナ質の鞘、２は高純度アル
ミナ板、３は塗着した拡散剤、４は穴のあいた５ｒＴｉ
Ｏ，板、５は半導体磁器素体、６はアルミナ質蓋であり
、７はＳｒＴｉＯ３側板である第１図に示すように鞘詰
めしたのち、大気中において１１００℃で４時間熱処理
する。熱処理によって拡散剤は蒸発し、Ｓ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ、板４の穴を通って半導体磁器の結晶粒界に拡散し
、絶縁化する。
ミナ板、３は塗着した拡散剤、４は穴のあいた５ｒＴｉ
Ｏ，板、５は半導体磁器素体、６はアルミナ質蓋であり
、７はＳｒＴｉＯ３側板である第１図に示すように鞘詰
めしたのち、大気中において１１００℃で４時間熱処理
する。熱処理によって拡散剤は蒸発し、Ｓ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ、板４の穴を通って半導体磁器の結晶粒界に拡散し
、絶縁化する。
比較のため、所定量の拡散剤を半導体磁器に直接塗着し
、乾燥したものを第２図に示すような従来のやりかたで
鞘に詰めて同様の熱処理を行なった。第２図において、
８は拡散剤を塗着した半導体磁器素体である。熱処理後
、全素子数に対する２枚以上接着した素子数を素子接着
率として計算した。
、乾燥したものを第２図に示すような従来のやりかたで
鞘に詰めて同様の熱処理を行なった。第２図において、
８は拡散剤を塗着した半導体磁器素体である。熱処理後
、全素子数に対する２枚以上接着した素子数を素子接着
率として計算した。
このようにして得られた粒界絶縁型半導体磁器の両面に
電極ペーストを塗布し、８５０℃で焼付けてコンデンサ
とし、見掛誘電率、誘電損失、破壊電圧を測定し、静電
容量のばらつきを算出した。
電極ペーストを塗布し、８５０℃で焼付けてコンデンサ
とし、見掛誘電率、誘電損失、破壊電圧を測定し、静電
容量のばらつきを算出した。
見掛誘電率および誘電損失は、ＩＶ、ＩＫＨｚの条件で
測定し、破壊電圧はコンデンサの電極間に１ｍＡ以上の
電流が流れる直前の電圧を測定した。静算出した。その
結果を表に示す。
測定し、破壊電圧はコンデンサの電極間に１ｍＡ以上の
電流が流れる直前の電圧を測定した。静算出した。その
結果を表に示す。
表
表から明らかなように、従来の方法では素子間の接着現
象が発生するが、本発明の方法を用いれば、素子間の接
着現象を防止することができる。
象が発生するが、本発明の方法を用いれば、素子間の接
着現象を防止することができる。
さらに、半導体磁器素体間の拡散剤塗着量のばらつきも
発生しないので、電気特性を従来の方法の同等のレベル
に保ちながら静電容量のばらつきを低減することができ
る。
発生しないので、電気特性を従来の方法の同等のレベル
に保ちながら静電容量のばらつきを低減することができ
る。
（発明の効果）
本発明によれば、拡散剤による素子間の接着現象を防止
することができ、しかも、従来法に比べて電気特性を低
下させず、ばらつきだけを低減させることができるので
１粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを歩留り良く製造す
ることができ、その実用上の効果は極めて大である。
することができ、しかも、従来法に比べて電気特性を低
下させず、ばらつきだけを低減させることができるので
１粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを歩留り良く製造す
ることができ、その実用上の効果は極めて大である。
第１図は本発明の一実施例における熱処理時の鞘の構成
を示す断面図、第２図は従来の熱処理時の鞘の構成を示
す断面図である。 １・・・アルミナ質鞘、 ２・・・高純度アルミナ板、
３ ・・・拡散剤、 ４ ・・・穴のあいた５ｒＴｉ
Ｏ，板、 ５・・・半導体磁器、６ ・・・アルミナ質
蓋、 ７・・・５ｒＴｉＯ。 側板。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 、６
を示す断面図、第２図は従来の熱処理時の鞘の構成を示
す断面図である。 １・・・アルミナ質鞘、 ２・・・高純度アルミナ板、
３ ・・・拡散剤、 ４ ・・・穴のあいた５ｒＴｉ
Ｏ，板、 ５・・・半導体磁器、６ ・・・アルミナ質
蓋、 ７・・・５ｒＴｉＯ。 側板。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 、６
Claims (1)
- 拡散剤を半導体磁器に直接塗着せず、熱処理時に使用す
る鞘に拡散剤を塗着し、前記半導体磁器と拡散剤が接触
しないように鞘詰めしたのち、熱処理することによって
結晶粒界を絶縁化することを特徴とする半導体磁器の粒
界絶縁化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152388A JP2687138B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の粒界絶縁化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152388A JP2687138B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の粒界絶縁化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319920A true JPH01319920A (ja) | 1989-12-26 |
| JP2687138B2 JP2687138B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=15539425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152388A Expired - Lifetime JP2687138B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の粒界絶縁化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687138B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5035222A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-04-03 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63152388A patent/JP2687138B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5035222A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-04-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2687138B2 (ja) | 1997-12-08 |
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