JPS6246516A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPS6246516A JPS6246516A JP60185722A JP18572285A JPS6246516A JP S6246516 A JPS6246516 A JP S6246516A JP 60185722 A JP60185722 A JP 60185722A JP 18572285 A JP18572285 A JP 18572285A JP S6246516 A JPS6246516 A JP S6246516A
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- JP
- Japan
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- wafer
- heat treatment
- heat
- temperature
- lamp
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
- H10P34/422—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing using incoherent radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野］
本発明は熱処理技術、特に半導体装置の製造におけるウ
ェハのアニール処理に適用して有効な技術に関する。
ェハのアニール処理に適用して有効な技術に関する。
［背景技術］
イオン注入によって半導体ウェハ（以下単にウェハとい
う）に導入された不純物の活性化や、イオン注入によっ
て発生した不純物導入部の結晶欠陥の回復、消滅等を図
るためにウェハのアニール処理を行う熱処理装置がある
： この熱処理装置としては、複数枚のウェハを立設した状
態でチューブ内に載置し、該チューブの周囲に設けられ
たブロックヒータにより加熱処理を行う電気炉アニール
装置が知られているが、この電気炉アニール装置による
アニールではウェハを載せた石英ボードの熱容量が大き
すぎるため、ウェハの中心部と周辺部とでは温度差を生
じ、ウェハの全面にわたって均一なアニール処理を行う
ことができない場合がある。
う）に導入された不純物の活性化や、イオン注入によっ
て発生した不純物導入部の結晶欠陥の回復、消滅等を図
るためにウェハのアニール処理を行う熱処理装置がある
： この熱処理装置としては、複数枚のウェハを立設した状
態でチューブ内に載置し、該チューブの周囲に設けられ
たブロックヒータにより加熱処理を行う電気炉アニール
装置が知られているが、この電気炉アニール装置による
アニールではウェハを載せた石英ボードの熱容量が大き
すぎるため、ウェハの中心部と周辺部とでは温度差を生
じ、ウェハの全面にわたって均一なアニール処理を行う
ことができない場合がある。
このことから、ウェハを一枚ずつハロゲンランプ等の熱
源で照射して加熱処理を行う、いわゆるランプアニール
装置が考えられる。このランプアニール装置は、例えば
石英ガラス等で構成されたチャンバ内に被処理物である
ウェハを回転可能な状態で載置して、その上下両面方向
から反射板を備えたハロゲンランプによって回転するウ
ェハを照射して熱処理を行うものである。
源で照射して加熱処理を行う、いわゆるランプアニール
装置が考えられる。このランプアニール装置は、例えば
石英ガラス等で構成されたチャンバ内に被処理物である
ウェハを回転可能な状態で載置して、その上下両面方向
から反射板を備えたハロゲンランプによって回転するウ
ェハを照射して熱処理を行うものである。
このようなランプアニール装置によれば、ハロゲンラン
プにより熱線をウェハの全面に均一に照射することがで
きるため、ウェハの均一な熱処理が実現できるものと考
えられいる。
プにより熱線をウェハの全面に均一に照射することがで
きるため、ウェハの均一な熱処理が実現できるものと考
えられいる。
ところが、上記のようなランプアニール装置構造におい
て、ウェハの全面を覆うように熱源であるハロゲンラン
プを配設したとしても、ウェハの中心部分に比べて周辺
部分方向に行くにしたがって温度降下を生じ、ウェハの
全面にわたって均一な熱処理を実現できない場合のある
ことが本発明者等によって明らかにされた。
て、ウェハの全面を覆うように熱源であるハロゲンラン
プを配設したとしても、ウェハの中心部分に比べて周辺
部分方向に行くにしたがって温度降下を生じ、ウェハの
全面にわたって均一な熱処理を実現できない場合のある
ことが本発明者等によって明らかにされた。
すなわち、このようなウェハの熱処理における部分的不
均一性について説明すると、第２図は上記構造のランプ
アニール装置を用いた場合のウェハの中心部から周辺部
にかけての温度特性を示すここで、上記ランプアニール
装置のハロゲンランプによってウェハの表面全体に均一
に熱線照射を受けた場合を仮定し、かつウェハの厚さ方
向の温度勾配が無視できる場合、ウェハの半径方向の温
度特性は次式に従う。
均一性について説明すると、第２図は上記構造のランプ
アニール装置を用いた場合のウェハの中心部から周辺部
にかけての温度特性を示すここで、上記ランプアニール
装置のハロゲンランプによってウェハの表面全体に均一
に熱線照射を受けた場合を仮定し、かつウェハの厚さ方
向の温度勾配が無視できる場合、ウェハの半径方向の温
度特性は次式に従う。
％式％
ｈ：ウェハの厚さ、
ｒ：半径方向距離、
Ｑ：単位面積、単位時間にウェハに供給されるパワー、
ρ：ステファン・ボルツマン定数、
ε；放射率、
ここで、
Ｔ（ｒ）＝ Ｔｏ ＋ ＬＣｒ）
＋２１Ｇ＝２σεＴ、
４ とおくとｆｉ１式は次式の如くなる。
＋２１Ｇ＝２σεＴ、
４ とおくとｆｉ１式は次式の如くなる。
ｒ ｄｒ ｄｒ λ２温度特性Ｔｌｒ
ｌは次式となる。
ｌは次式となる。
Ｈ０λ ｉｏ （ｒ／λ）
Ｋ Ｉ＋ （ａ／λ）
Ｔｏ ｆＸ） ：第１種の０次変形ベッセル関数、Ｌ（
ｘｉ：第１種の１次変形ベッセル関数、上記（４）式か
ら、直径１００ｎのウェハを１１００℃で加熱した場合
の半径方向の温度特性を第２図で示しである。
ｘｉ：第１種の１次変形ベッセル関数、上記（４）式か
ら、直径１００ｎのウェハを１１００℃で加熱した場合
の半径方向の温度特性を第２図で示しである。
この第２図からも明らかなように、ウェハの周縁部から
１０ｍｍ程度の周辺部領域で急激に温度低下が生じてい
ることが把握できる。
１０ｍｍ程度の周辺部領域で急激に温度低下が生じてい
ることが把握できる。
なお、ハロゲンランプアニール装置の例として記載され
ている文献としては以下のものがある。
ている文献としては以下のものがある。
■セミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒＷｏｒｌｄ ） １９８５年、第４巻、第４号、２
６２〜Ｐ６６、 ■セミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒＷｏｒｌｄ）１９８５年、第４巻、第４号、Ｐ１１
６〜Ｐ１２２、 ■電子材料、１９８５年、第２４巻、第３号、Ｐ１０４
〜Ｐ１０９゜ ［発明の目的］ 本発明の目的は、ウェハの全面にわたって均一な処理を
行うことのできる熱処理装置を提供することにある。
ｏｒＷｏｒｌｄ ） １９８５年、第４巻、第４号、２
６２〜Ｐ６６、 ■セミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒＷｏｒｌｄ）１９８５年、第４巻、第４号、Ｐ１１
６〜Ｐ１２２、 ■電子材料、１９８５年、第２４巻、第３号、Ｐ１０４
〜Ｐ１０９゜ ［発明の目的］ 本発明の目的は、ウェハの全面にわたって均一な処理を
行うことのできる熱処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、半導体装置の生産性を向上させる
ことにある。
ことにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要コ
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被処理物に熱線を照射する熱源が被処理物の
各領域の温度分布に対応して制御される複数の加熱ゾー
ンに分割された熱処理装置構造とすることにより、ウェ
ハ上での温度分布の不均一、特にウェハの周辺部での温
度低下を各ゾーンの熱源の制御により補償することがで
きるため、ウェハの全面にわたって均一な処理を行うこ
とができ大− ［実施例１］ 第１図は本発明の一実施例であるランプアニール装置を
示す概略断面図、第３図は各加熱ゾーンとウェハの位置
関係を示す概略図、第４図はウェハの半径方向の受光量
を示す図、第５図はウェハの半径方向の熱損失による温
度低下をランプの制御によって補正した場合を説明する
図である。
各領域の温度分布に対応して制御される複数の加熱ゾー
ンに分割された熱処理装置構造とすることにより、ウェ
ハ上での温度分布の不均一、特にウェハの周辺部での温
度低下を各ゾーンの熱源の制御により補償することがで
きるため、ウェハの全面にわたって均一な処理を行うこ
とができ大− ［実施例１］ 第１図は本発明の一実施例であるランプアニール装置を
示す概略断面図、第３図は各加熱ゾーンとウェハの位置
関係を示す概略図、第４図はウェハの半径方向の受光量
を示す図、第５図はウェハの半径方向の熱損失による温
度低下をランプの制御によって補正した場合を説明する
図である。
本実施例で示される熱処理装置としてのランプアニール
装置１は、回転式ランプアニール装置であり、炉体部分
は平行に配設された一対のランプ群２および３と、該ラ
ンプ群２，３に挟まれたチャンバ４とを有している。
装置１は、回転式ランプアニール装置であり、炉体部分
は平行に配設された一対のランプ群２および３と、該ラ
ンプ群２，３に挟まれたチャンバ４とを有している。
チャンバ４の内部は仕切板５により仕切られる上下二段
からなる空間６ａおよび６ｂを有しており、上部空間６
ａには円板状のホルダ７が仕切板５に形成された小凹部
５ａに中心突起部７ａを係合させた状態で載置されてい
る。さらに、ホルダ７の上には該ホルダ７と同心円状に
被処理物であるウェハ８が着脱自在の状態で載置されて
いる。
からなる空間６ａおよび６ｂを有しており、上部空間６
ａには円板状のホルダ７が仕切板５に形成された小凹部
５ａに中心突起部７ａを係合させた状態で載置されてい
る。さらに、ホルダ７の上には該ホルダ７と同心円状に
被処理物であるウェハ８が着脱自在の状態で載置されて
いる。
また、仕切板５には下部空間６ｂから上部空間６ａの方
向に貫通する複数の流体吹出口９が開設されており、こ
の流体吹出口９は上部空間６ａがらみで、前記仕切板５
の小凹部５ａを中心に各々偏心された状態で開設され、
この吹出口９から吹き出される流体により上部空間６ａ
のホルダは中心突起部７ａすなわち軸部を中心に回転さ
れるようになっている。
向に貫通する複数の流体吹出口９が開設されており、こ
の流体吹出口９は上部空間６ａがらみで、前記仕切板５
の小凹部５ａを中心に各々偏心された状態で開設され、
この吹出口９から吹き出される流体により上部空間６ａ
のホルダは中心突起部７ａすなわち軸部を中心に回転さ
れるようになっている。
このような構造のチャンバ４およびホルダ７はたとえば
透明な石英ガラスで構成され、上部空間６ａのホルダ７
に載置されるウェハ８の上下面にチャンバ４の外部から
赤外線等の熱線が照射可能な構造とされている。
透明な石英ガラスで構成され、上部空間６ａのホルダ７
に載置されるウェハ８の上下面にチャンバ４の外部から
赤外線等の熱線が照射可能な構造とされている。
また、チャンバ４の上部空間６ａの側面にはシャッタ機
構１０が設けられており、該シャッタ機構１０を通じて
フォーク等（図示せず）によりチャンバ４の内部、すな
わち上部空間６ａへのウェハ８の挿入および取り出し操
作を行うことが可能となっている。
構１０が設けられており、該シャッタ機構１０を通じて
フォーク等（図示せず）によりチャンバ４の内部、すな
わち上部空間６ａへのウェハ８の挿入および取り出し操
作を行うことが可能となっている。
なお、下部空間６ｂの側部には流体供給口１１が開設さ
れており、窒素ガス等の所定の流体が下部空間６ｂに供
給されるようになっている。
れており、窒素ガス等の所定の流体が下部空間６ｂに供
給されるようになっている。
前記チャンバ４の上下方向に配設されているランプ群２
．３は、本実施例では三つの加熱ゾーンＲ１，Ｒ２およ
びＲ３に分割されており、各加熱ゾーンＲ１〜３は各々
ウェハ８の中心部を主に照射する加熱ゾーンＲ２および
ウェハ８の周辺部を主に照射する加熱ゾーンＲ１，Ｒ３
とに分割されている。
．３は、本実施例では三つの加熱ゾーンＲ１，Ｒ２およ
びＲ３に分割されており、各加熱ゾーンＲ１〜３は各々
ウェハ８の中心部を主に照射する加熱ゾーンＲ２および
ウェハ８の周辺部を主に照射する加熱ゾーンＲ１，Ｒ３
とに分割されている。
なお、各加熱ゾーンＲ１〜３は制御部１２により各々独
立に制御される構造となっている。
立に制御される構造となっている。
さらに、各ランプ群２．３は背面側には各々反射板１４
．１５が取り付けられており、背面側への熱線も効率的
にチャンバ４の方向に照射されるようになっている。
．１５が取り付けられており、背面側への熱線も効率的
にチャンバ４の方向に照射されるようになっている。
次に本実施例の作用について説明する。
まず、チャンバ４の上部空間６ａにシャッタ機構１０を
通じてウェハ８が挿入され、ホルダ７の上に載置される
と、シャッタ機構１０が閉塞され流体供給口１１より窒
素ガス等の流体１３が下部空間６ｂに供給される。
通じてウェハ８が挿入され、ホルダ７の上に載置される
と、シャッタ機構１０が閉塞され流体供給口１１より窒
素ガス等の流体１３が下部空間６ｂに供給される。
下部空間６ｂに流体１３が充満して空間６ｂ内の内圧が
増加すると、流体１３は仕切板５の流体吹出口９から上
部空間６ａ内に噴出する。このとき、前記吹出口６．ａ
は各々偏心状態でホルダ７の下部に開設されているため
、該吹出口９からの流体１３の噴出によりホルダ７が回
転され、これにともないホルダ７上のウェハ８も回転状
態となる。
増加すると、流体１３は仕切板５の流体吹出口９から上
部空間６ａ内に噴出する。このとき、前記吹出口６．ａ
は各々偏心状態でホルダ７の下部に開設されているため
、該吹出口９からの流体１３の噴出によりホルダ７が回
転され、これにともないホルダ７上のウェハ８も回転状
態となる。
上記の動作とともに上下両方向のランプ群２゜３も点灯
され、熱線がチャンバ４内に照射されて徐々にウェハ８
の加熱が開始される。
され、熱線がチャンバ４内に照射されて徐々にウェハ８
の加熱が開始される。
このときランプ群２．３の各加熱ゾーンＲ１〜３の制御
は以下のように行われる。
は以下のように行われる。
すなわち、第３図に示すように各ゾーンＲ１゜Ｒ２，Ｒ
３が３分割されて、それぞれに加えられる電力比が１
：ｍ： １の場合、ウェハ８上のＡ（ｘ、ｙ）点が受け
る光量の直射光成分Ω（ｘ、 ｙ）はウェハ８が静止
している場合、次式（５）で与えられる。なお、ランプ
群２．３の直射光が照射する面積部分は一辺の長さが２
０の正方形であるとする。
３が３分割されて、それぞれに加えられる電力比が１
：ｍ： １の場合、ウェハ８上のＡ（ｘ、ｙ）点が受け
る光量の直射光成分Ω（ｘ、 ｙ）はウェハ８が静止
している場合、次式（５）で与えられる。なお、ランプ
群２．３の直射光が照射する面積部分は一辺の長さが２
０の正方形であるとする。
２ （ｃ−χ） （ｃ−ｙ）２
（ｃｒｙ） （ｃｒｙ）２
（ｃ−ｘ） （ｃｒｙ）２
（ｃｒｙ） （ｃ−ｙ）ウェハ８が
回転している場合には、ｘ、 ｙをｒ。
（ｃｒｙ） （ｃｒｙ）２
（ｃ−ｘ） （ｃｒｙ）２
（ｃｒｙ） （ｃ−ｙ）ウェハ８が
回転している場合には、ｘ、 ｙをｒ。
θに変換してθ方向について積分して円周の長さで割る
ことによって得られ、半径「の部位の受ける規格化受光
量Ω（ｒ、 θ）は次式のようになる。
ことによって得られ、半径「の部位の受ける規格化受光
量Ω（ｒ、 θ）は次式のようになる。
この（６）式を図で表したのが第４図である。
この第４図において、ｍ＝ｌの場合、すなわちＲ１−Ｒ
３の各ゾーンの出力を等しくした場合の温度特性を示し
たものが曲線４１である。また、Ｒ２の加熱ゾーンの出
力のみを制御して、たとえばｍ＝０．７５とした場合の
温度特性を示すのが曲線４２である。
３の各ゾーンの出力を等しくした場合の温度特性を示し
たものが曲線４１である。また、Ｒ２の加熱ゾーンの出
力のみを制御して、たとえばｍ＝０．７５とした場合の
温度特性を示すのが曲線４２である。
この図からも明らかなように、ｍ＝１の場合、すなわち
ウェハの周辺部分の加熱ゾーンと中心部分の加熱ゾーン
で同等の加熱を行った場合よりも、ｍ＝０．７５として
中心部分の加熱を若干抑制した場合のほうが、中心から
半径５０ｍｍ程度の距離までは均一の温度特性を得るこ
とができる。
ウェハの周辺部分の加熱ゾーンと中心部分の加熱ゾーン
で同等の加熱を行った場合よりも、ｍ＝０．７５として
中心部分の加熱を若干抑制した場合のほうが、中心から
半径５０ｍｍ程度の距離までは均一の温度特性を得るこ
とができる。
次に、ランプの反射板に反射する反射光成分については
、反射板の反射率をｎとすれば、ウェハが回転している
場合の規格化受光量Ω７（「）は、で与えられる。
、反射板の反射率をｎとすれば、ウェハが回転している
場合の規格化受光量Ω７（「）は、で与えられる。
この（７）式に基づいて、ｍ＝ｏニアｓでｎ＝０．２５
の場合の反射光成分の温度特性を示すものが曲線４３で
ある。
の場合の反射光成分の温度特性を示すものが曲線４３で
ある。
さらに、この反射光成分と直射光成分とを加えた温度特
性を示すものが曲線４４である。
性を示すものが曲線４４である。
この結果、曲線４４の特性によって第２図の特性が打ち
消されることになる。
消されることになる。
その−例として１１００℃の加熱条件ももとで、温度を
パワーに換算して第２図と第４図の曲線４４とを同一線
上で示したものが第５図である。ここで、曲線５１は第
２図の特性曲線に対応するものであり、曲線５２は第４
回の曲線４４に相当するものである。
パワーに換算して第２図と第４図の曲線４４とを同一線
上で示したものが第５図である。ここで、曲線５１は第
２図の特性曲線に対応するものであり、曲線５２は第４
回の曲線４４に相当するものである。
ここで、曲線５１と曲線５２の平均をとると、曲線５３
となり、中心から半径５０璽■の付近にわたってほぼ平
坦な温度特性を得られることが明らかである。これは、
直径Ｌｏｏｍのウェハに対して均一なアニール処理を実
現できることを意味するものである。
となり、中心から半径５０璽■の付近にわたってほぼ平
坦な温度特性を得られることが明らかである。これは、
直径Ｌｏｏｍのウェハに対して均一なアニール処理を実
現できることを意味するものである。
［効果コ
（１）、被処理物に熱線を照射する熱源が被処理物の各
領域の温度分布に対応して制御される複数の加熱ゾーン
に分割された熱処理装置構造とすることにより、ウェハ
上での温度分布の不均一、特にウェハの周辺部での温度
低下を各ゾーンの熱源の制御により補償することができ
るため、ウェハの全面にわたって均一な処理を行うこと
ができる。
領域の温度分布に対応して制御される複数の加熱ゾーン
に分割された熱処理装置構造とすることにより、ウェハ
上での温度分布の不均一、特にウェハの周辺部での温度
低下を各ゾーンの熱源の制御により補償することができ
るため、ウェハの全面にわたって均一な処理を行うこと
ができる。
（２）、前記ｆｉ＋により、各ゾーンの熱源の制御を行
うことにより、ウェハの大きさにかかわらずに均一な熱
処理を行うことができるため、ウェハの大口径化を促進
することができ、半導体装置の生産性を向上させること
ができる。
うことにより、ウェハの大きさにかかわらずに均一な熱
処理を行うことができるため、ウェハの大口径化を促進
することができ、半導体装置の生産性を向上させること
ができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例では図面が繁雑となるのを避けるため
に温度検知機構については雀略したが、放射温度計ある
いは熱電対形の温度センサを各加熱ゾーンに対応してチ
ャンバ内またはチャンバ外に設置してもよい。
に温度検知機構については雀略したが、放射温度計ある
いは熱電対形の温度センサを各加熱ゾーンに対応してチ
ャンバ内またはチャンバ外に設置してもよい。
また、実施例では加熱ゾーンを三つに分割した場合につ
いて説明したが、これに限るものでなく、これ以上のゾ
ーンに細分割してより微細な温度制御を行うものであっ
てもよい。
いて説明したが、これに限るものでなく、これ以上のゾ
ーンに細分割してより微細な温度制御を行うものであっ
てもよい。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるウェハのアニール処理
Ｗ＆に適用した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、たとえば酸化膜形成装置等の他の熱
処理装置に適用しても有効な技術である。
をその利用分野である、いわゆるウェハのアニール処理
Ｗ＆に適用した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、たとえば酸化膜形成装置等の他の熱
処理装置に適用しても有効な技術である。
第１図は本発明の一実施例であるランプアニール装置を
示す概略断面口、 第２図は背景技術で説明したランプアニール装置を用い
た場合のウェハの中心部から周辺部にかけての温度特性
を示す図、 第３図は各加熱ゾーンとウェハの位置関係を示す概略図
、 第４図はウェハの半径方向の受光量を示す図、第５図は
ウェハの半径方向の熱損失による温度低下をランプの制
御によって補正した場合を示す図である。 １・・・ランプアニール装置、２，３・・・ランプ群、
４・・・チャンバ、５・・・仕切板、５ａ・・・小凹部
、６ａ・・・上部空間、６ｂ・・・下部空間、７・・・
ホルダ、７ａ・・・中心突起部、８・・・ウェハ、９・
・・流体吹出口、１０・・・シャフタ機構、１１・・・
流体供給口、−１２・・・制御部、１３・・・流体、１
４．１５・・・反射板、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３・・・加熱ゾ
ーン。
示す概略断面口、 第２図は背景技術で説明したランプアニール装置を用い
た場合のウェハの中心部から周辺部にかけての温度特性
を示す図、 第３図は各加熱ゾーンとウェハの位置関係を示す概略図
、 第４図はウェハの半径方向の受光量を示す図、第５図は
ウェハの半径方向の熱損失による温度低下をランプの制
御によって補正した場合を示す図である。 １・・・ランプアニール装置、２，３・・・ランプ群、
４・・・チャンバ、５・・・仕切板、５ａ・・・小凹部
、６ａ・・・上部空間、６ｂ・・・下部空間、７・・・
ホルダ、７ａ・・・中心突起部、８・・・ウェハ、９・
・・流体吹出口、１０・・・シャフタ機構、１１・・・
流体供給口、−１２・・・制御部、１３・・・流体、１
４．１５・・・反射板、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３・・・加熱ゾ
ーン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、回転状態の被処理物に熱源から熱線を照射すること
によって処理を行う熱処理装置であって、前記被処理物
に熱線を照射する熱源が被処理物の各領域の温度分布に
対応して制御される複数の加熱ゾーンに分割されてなる
ことを特徴とする熱処理装置。 ２、被処理物が半導体ウエハであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の熱処理装置。 ３、熱源がハロゲンランプであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185722A JPS6246516A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185722A JPS6246516A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246516A true JPS6246516A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16175712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185722A Pending JPS6246516A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246516A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319934A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-26 | Siemens Ag | 電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法 |
| US5650082A (en) * | 1993-10-29 | 1997-07-22 | Applied Materials, Inc. | Profiled substrate heating |
| KR20010047141A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 정기로 | 급속열처리장치 |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP60185722A patent/JPS6246516A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319934A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-26 | Siemens Ag | 電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法 |
| US5650082A (en) * | 1993-10-29 | 1997-07-22 | Applied Materials, Inc. | Profiled substrate heating |
| US5790750A (en) * | 1993-10-29 | 1998-08-04 | Applied Materials, Inc. | Profiled substrate heating utilizing a support temperature and a substrate temperature |
| KR20010047141A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 정기로 | 급속열처리장치 |
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