JPH01319973A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH01319973A JPH01319973A JP63153717A JP15371788A JPH01319973A JP H01319973 A JPH01319973 A JP H01319973A JP 63153717 A JP63153717 A JP 63153717A JP 15371788 A JP15371788 A JP 15371788A JP H01319973 A JPH01319973 A JP H01319973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- sections
- wire
- thin metal
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC,)ランジスタ又はダイオード等のよう
な半導体装置に使用するリードフレーム、及び該リード
フレームを使用した半導体装置に関するものである。
な半導体装置に使用するリードフレーム、及び該リード
フレームを使用した半導体装置に関するものである。
一般に、ICは、第9図及び第10図に示すように、マ
ウント部2と、複数本又は−本のリード部3とを備えた
金属板製のリードフレーム1を使用し、前記マウント部
2に半導体チップ4をマウントし、該半導体チップ4と
前記各リード部3との間を、金線等の金運綱線5にてワ
イヤーボンディングしたのち、前記半導体チップ4及び
金属細線5の全体を合成樹脂のモールド等によりパッケ
ージする構成にしていることは周知の通りである。
ウント部2と、複数本又は−本のリード部3とを備えた
金属板製のリードフレーム1を使用し、前記マウント部
2に半導体チップ4をマウントし、該半導体チップ4と
前記各リード部3との間を、金線等の金運綱線5にてワ
イヤーボンディングしたのち、前記半導体チップ4及び
金属細線5の全体を合成樹脂のモールド等によりパッケ
ージする構成にしていることは周知の通りである。
そして、前記金運綱線5によるワイヤーボンディングの
一つの方法として、先づ、第11図に示すように、キャ
ピラリーツール6に挿通の金属綱線5の先端に形成した
ボール部5aを、前記キャピラリ−ツール6の下降で半
導体チップ4に押圧することによってボンディングし、
次いで、前記キャピラリーツール6を上昇した状態で、
金属細線5をノズル7かりの水素火炎にて溶断すると同
時に、両端部にボ・−ル部5a、5bを形成しく第12
図)、次いで、半導体チップ4にボンディングした側の
金庫細線5を、前記リード部3の表面に接当するように
湾曲した(第13図)のち、該ボール部5bを、圧着型
8にてリード部3に対して押圧する(第14図)ことに
よりボンディングすると云う、所謂ポール・ポールボン
ディング方法がある。
一つの方法として、先づ、第11図に示すように、キャ
ピラリーツール6に挿通の金属綱線5の先端に形成した
ボール部5aを、前記キャピラリ−ツール6の下降で半
導体チップ4に押圧することによってボンディングし、
次いで、前記キャピラリーツール6を上昇した状態で、
金属細線5をノズル7かりの水素火炎にて溶断すると同
時に、両端部にボ・−ル部5a、5bを形成しく第12
図)、次いで、半導体チップ4にボンディングした側の
金庫細線5を、前記リード部3の表面に接当するように
湾曲した(第13図)のち、該ボール部5bを、圧着型
8にてリード部3に対して押圧する(第14図)ことに
よりボンディングすると云う、所謂ポール・ポールボン
ディング方法がある。
しかし、この金属細線のポール・ポールボンディング方
法は、半導体チップ4にボンディングした金属細線5の
他端におけるポール部5bを、圧着型8にてリード部3
に対して押圧する場合において、金庫細線5を過度に押
し潰しすることにより、金庫細線5に渦が付いて導電不
良が発生したり、金庫細線を切断したりする事態がしば
しば発生するのである。
法は、半導体チップ4にボンディングした金属細線5の
他端におけるポール部5bを、圧着型8にてリード部3
に対して押圧する場合において、金庫細線5を過度に押
し潰しすることにより、金庫細線5に渦が付いて導電不
良が発生したり、金庫細線を切断したりする事態がしば
しば発生するのである。
そこで、これを防止するには、リード部3に対する押圧
を、前記のように金属細線5を過度に押し潰すことがな
い状態でホンディングができるように微細に調節しなけ
ればならず、この微調節に多大の手数と一1熟練とを必
要とするのであった。
を、前記のように金属細線5を過度に押し潰すことがな
い状態でホンディングができるように微細に調節しなけ
ればならず、この微調節に多大の手数と一1熟練とを必
要とするのであった。
本発明は、金庫細線のリード部に対するボンディングに
際して金庫細線に導電不良が発生したり、金泥細線に切
断が発生したりする、ことを防止できるリードフレーム
、及び該リードフレームを使用した半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。
際して金庫細線に導電不良が発生したり、金泥細線に切
断が発生したりする、ことを防止できるリードフレーム
、及び該リードフレームを使用した半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。
この目的を達成するため本発明のリードフレームは、半
導体チップをマウントするマウント部と、前記半導体装
ノブにボンディングした金属細線の他端をポンデイ′/
グするリード部とから成るリードフレームにおいて、前
記リード部の表面のうち当該リード部に対して前記金属
細線をボンディングする部分を、他の部分よりも適宜寸
法だけ低くする構成にした。
導体チップをマウントするマウント部と、前記半導体装
ノブにボンディングした金属細線の他端をポンデイ′/
グするリード部とから成るリードフレームにおいて、前
記リード部の表面のうち当該リード部に対して前記金属
細線をボンディングする部分を、他の部分よりも適宜寸
法だけ低くする構成にした。
また、本発明の半導体装置は、リードフレームにあける
マウント部にマウントした半導体チップと、リードフレ
ームにおけるリード部との間を金属細線にワイヤーボン
ディングし、前記半導体チップ及び前記金属細線の全体
を合成樹脂のモールド等にてパッケージして成る半導体
装置において、前記リード部の表面のうち当該リード部
に対して前記金属細線をホンディングする部分を、他の
部分よりも適宜寸法だけ低くする構成にした。
マウント部にマウントした半導体チップと、リードフレ
ームにおけるリード部との間を金属細線にワイヤーボン
ディングし、前記半導体チップ及び前記金属細線の全体
を合成樹脂のモールド等にてパッケージして成る半導体
装置において、前記リード部の表面のうち当該リード部
に対して前記金属細線をホンディングする部分を、他の
部分よりも適宜寸法だけ低くする構成にした。
このように、リードフレームにおけるリード部の表面の
うち当該リード部に対して前記金属細線をボンディング
する部分を、他の表面よりも適宜寸法だけ低くした構成
にすると、前記した所謂ボール・ポールボンディング方
法において、半導体チップにボンディングした金属細線
の他端におけるボール部を、圧着型にてリード部に対し
て押圧するに際して、圧着型はリード部の表面のうち他
の部分に接当して、圧着型による押圧がそれ以上に過度
になることがなく、換言すると、金庫細線の押し潰しを
一定の値に規制することができるから、リード部に対す
る金属細線のボンディングに際して、金属細線に傷を付
けて導電不良が発生したり、金属細線に切断が発生した
りすることを確実に防止できる。
うち当該リード部に対して前記金属細線をボンディング
する部分を、他の表面よりも適宜寸法だけ低くした構成
にすると、前記した所謂ボール・ポールボンディング方
法において、半導体チップにボンディングした金属細線
の他端におけるボール部を、圧着型にてリード部に対し
て押圧するに際して、圧着型はリード部の表面のうち他
の部分に接当して、圧着型による押圧がそれ以上に過度
になることがなく、換言すると、金庫細線の押し潰しを
一定の値に規制することができるから、リード部に対す
る金属細線のボンディングに際して、金属細線に傷を付
けて導電不良が発生したり、金属細線に切断が発生した
りすることを確実に防止できる。
従って本発明によると、圧着型にて金属細線をリード部
に対してボンディングするに際して、圧着型の押圧に?
R1調節を必要とすることなく、金属細線の押し潰しを
一定の値に規制することができることにより、金庫細線
のボンディング時における不良品の発生率を大幅に下げ
ることができ、半導体装置の製造コストを低減できる効
果を有する。
に対してボンディングするに際して、圧着型の押圧に?
R1調節を必要とすることなく、金属細線の押し潰しを
一定の値に規制することができることにより、金庫細線
のボンディング時における不良品の発生率を大幅に下げ
ることができ、半導体装置の製造コストを低減できる効
果を有する。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面について説明すると、図に
おいて符号1は、マウント部2と、二本のリード部3と
を形成するように、金属板から打ち抜いたリードフレー
ムを示し、前記各リード部3の表面のうちその先端の部
分3aを、第3図に示すように、他の部分3bよりも適
宜寸法(δ)だけ低クシ、た構成にする。
おいて符号1は、マウント部2と、二本のリード部3と
を形成するように、金属板から打ち抜いたリードフレー
ムを示し、前記各リード部3の表面のうちその先端の部
分3aを、第3図に示すように、他の部分3bよりも適
宜寸法(δ)だけ低クシ、た構成にする。
そして、前記マウント部2の上面に半導体チップ4をマ
ウントし、次いで、該半導体チップ4と、前記各リード
部3との間を、金属細線5にて前記した所謂ボール・ポ
ールボンディング方法でワイヤーボンディングするに際
して、金属細線5の他端におけるボール部5bを、前記
リード部3の表面のうち低くした部分3aに対して、第
4図に示すよ・うに、圧着型8によって押圧する。
ウントし、次いで、該半導体チップ4と、前記各リード
部3との間を、金属細線5にて前記した所謂ボール・ポ
ールボンディング方法でワイヤーボンディングするに際
して、金属細線5の他端におけるボール部5bを、前記
リード部3の表面のうち低くした部分3aに対して、第
4図に示すよ・うに、圧着型8によって押圧する。
すると、圧着型8による押圧は、第5図に示すように、
リード部3の表面のうち前記低い部分3.3以外の他の
部分3hに接当した位置において停止するから、金属細
線5の押し潰しは、前記低い部分3aと他の部分3bと
の高さ(δ)寸法に規制され、金属細線5が、前記高さ
(δ)以下に押し潰されることを防止できる。
リード部3の表面のうち前記低い部分3.3以外の他の
部分3hに接当した位置において停止するから、金属細
線5の押し潰しは、前記低い部分3aと他の部分3bと
の高さ(δ)寸法に規制され、金属細線5が、前記高さ
(δ)以下に押し潰されることを防止できる。
また、リード部3の表面のうち当該リード部3に対して
金属細線5をボンディングする部分3aを、他の部分3
bよりも適宜寸法(δ)だけ低くする構成としては、前
記実施例のように、リード部3の表面に一段の段差を付
けたものに限らず、第6図に示すように、リード部3の
表面に溝3cを形成することにより、該溝3cの底面を
、溝3Cの外側における他の部分3bよりも適宜寸法(
δ)だけ低い部分3aに形成するようにしたり、又は、
第7図に示すように、リード部3の途中に屈曲部3dを
設けることにより、該屈曲部3dより先端側の表面を、
屈曲部3dの上面における他の部分3bよりも適宜寸法
(δ)だけ低い部分3aに形成するようにしたり、或い
は、リード部3の表面を、第8図に示すように、二段の
段差にすることによって、先端部に、他の部分3bより
も適宜寸法(δ)だけ低い部分3aを形成するようにし
ても良(。勿論、リード部3の表面のうち金属細線5を
ボンディングする部分3aを、他の部分3bよりも低く
するものであれば、前記図示した以外の構成でも良いの
である。
金属細線5をボンディングする部分3aを、他の部分3
bよりも適宜寸法(δ)だけ低くする構成としては、前
記実施例のように、リード部3の表面に一段の段差を付
けたものに限らず、第6図に示すように、リード部3の
表面に溝3cを形成することにより、該溝3cの底面を
、溝3Cの外側における他の部分3bよりも適宜寸法(
δ)だけ低い部分3aに形成するようにしたり、又は、
第7図に示すように、リード部3の途中に屈曲部3dを
設けることにより、該屈曲部3dより先端側の表面を、
屈曲部3dの上面における他の部分3bよりも適宜寸法
(δ)だけ低い部分3aに形成するようにしたり、或い
は、リード部3の表面を、第8図に示すように、二段の
段差にすることによって、先端部に、他の部分3bより
も適宜寸法(δ)だけ低い部分3aを形成するようにし
ても良(。勿論、リード部3の表面のうち金属細線5を
ボンディングする部分3aを、他の部分3bよりも低く
するものであれば、前記図示した以外の構成でも良いの
である。
なお、前記のようにリード部3の表面のうち金属細線5
をボンディングする部分3aを、他の部分3bよりも適
宜寸法(δ)だけ低くするための加工は、金属板からリ
ードフレームを打ち抜くときに同時に、パンチングによ
って行ったり、或いは、リードフレームの金属板からの
打ち凄き後において、エツチングによって行ったりする
ようにしても良いのであり、また、本発明は、金属板か
ら打ち抜いたリードフレームに限らず、エツチングによ
って形成したリードフレームに対しても適用できること
は云うまでもない。
をボンディングする部分3aを、他の部分3bよりも適
宜寸法(δ)だけ低くするための加工は、金属板からリ
ードフレームを打ち抜くときに同時に、パンチングによ
って行ったり、或いは、リードフレームの金属板からの
打ち凄き後において、エツチングによって行ったりする
ようにしても良いのであり、また、本発明は、金属板か
ら打ち抜いたリードフレームに限らず、エツチングによ
って形成したリードフレームに対しても適用できること
は云うまでもない。
第1図〜第8図は本発明の実施例を示し、第1図はリー
ドフレームの平面図、第2図は第1図の要部拡大断面図
、。第3図はリード部の斜視図、第4図及び第5図はボ
ンディングの状態を示す図、第6図、第7図及び第8図
はリード部の別の実施例を示す斜視図、第9図は従来の
リードフレームの平面図、第10図は第9図の要部拡大
断面図、第11図、第12図、第13図及び第14図は
ボール・ボールボンディング方法を示す図である。 ■・・・・リードフレーム、2・・・・マウント部、3
・・・・リード部、4・・・・半導体チップ、5・・・
・金属細線、3a・・・・リード部の表面における低い
部分、3b・・・・リード部の表面における他の部分。 特許出願人 ローム 株式会社 第6図 第8図 )’7J −
ドフレームの平面図、第2図は第1図の要部拡大断面図
、。第3図はリード部の斜視図、第4図及び第5図はボ
ンディングの状態を示す図、第6図、第7図及び第8図
はリード部の別の実施例を示す斜視図、第9図は従来の
リードフレームの平面図、第10図は第9図の要部拡大
断面図、第11図、第12図、第13図及び第14図は
ボール・ボールボンディング方法を示す図である。 ■・・・・リードフレーム、2・・・・マウント部、3
・・・・リード部、4・・・・半導体チップ、5・・・
・金属細線、3a・・・・リード部の表面における低い
部分、3b・・・・リード部の表面における他の部分。 特許出願人 ローム 株式会社 第6図 第8図 )’7J −
Claims (2)
- (1)、半導体チップをマウントするマウント部と、前
記半導体チップにボンディングした金属細線の他端をボ
ンディングするリード部とから成るリードフレームにお
いて、前記リード部の表面のうち当該リード部に対して
前記金属細線をボンディングする部分を、他の部分より
も適宜寸法だけ低く構成したことを特徴とするリードフ
レーム。 - (2)、リードフレームにおけるマウント部にマウント
した半導体チップと、リードフレームにおけるリード部
との間を金属細線にワイヤーボンディングし、前記半導
体チップ及び前記金属細線の全体を合成樹脂のモールド
等にてパッケージして成る半導体装置において、前記リ
ード部の表面のうち当該リード部に対して前記金属細線
をボンディングする部分を、他の部分よりも適宜寸法だ
け低く構成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153717A JPH0828459B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153717A JPH0828459B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319973A true JPH01319973A (ja) | 1989-12-26 |
| JPH0828459B2 JPH0828459B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=15568564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153717A Expired - Lifetime JPH0828459B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828459B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334082A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Rohm Co Ltd | ボンディングパッド面の圧印加工方法 |
| CN114759004A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148951A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63153717A patent/JPH0828459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148951A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334082A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Rohm Co Ltd | ボンディングパッド面の圧印加工方法 |
| CN114759004A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| JP2022107327A (ja) * | 2021-01-08 | 2022-07-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN114759004B (zh) * | 2021-01-08 | 2025-02-21 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828459B2 (ja) | 1996-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7019388B2 (en) | Semiconductor device | |
| US5202577A (en) | Leadframe having a particular dam bar | |
| US20030071365A1 (en) | Electronic device fabrication method comprising twofold cutting of conductor member | |
| KR101160694B1 (ko) | 반도체장치의 제조 방법 | |
| US6402009B1 (en) | Apparatus and method for shaping lead frame for semiconductor device and lead frame for semiconductor device | |
| US5521430A (en) | Semiconductor apparatus and its manufacturing method | |
| KR100192870B1 (ko) | 리드 프레임 | |
| JPH01319973A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JP2776565B2 (ja) | Icのリード成形金型 | |
| JP4266429B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4475785B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2714526B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JP6494465B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2925375B2 (ja) | 電子部品におけるモールド部の成形方法 | |
| JPH0464256A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2661152B2 (ja) | Icカード用モジュールの製造方法 | |
| JP2700902B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| KR200160429Y1 (ko) | 리드프레임 패드 챔퍼용 금형 | |
| JPH0645497A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06163786A (ja) | リードフレーム | |
| JPH09312373A (ja) | リードフレームのインナーリード先端構造及びその加工方法 | |
| JP3422276B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2550725Y2 (ja) | 半導体装置の成形加工装置 | |
| KR200198124Y1 (ko) | 와이어본딩 장치 | |
| JPH06120287A (ja) | リードフレームを用いた半導体装置とその製造方法 |