JPS6148951A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6148951A
JPS6148951A JP59169910A JP16991084A JPS6148951A JP S6148951 A JPS6148951 A JP S6148951A JP 59169910 A JP59169910 A JP 59169910A JP 16991084 A JP16991084 A JP 16991084A JP S6148951 A JPS6148951 A JP S6148951A
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JP
Japan
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lead
bonding
semiconductor device
sealed
resin
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JP59169910A
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English (en)
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Yuichi Yuki
幸　友一
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置にかかり、特１ζ樹脂封止型半導
体装置における樹脂の外囲器ケースとリードとの封着部
のリード形状に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来、リードフレーム１ζ半導体チップ、ボンディング
ワイヤのボンディングを施したのち樹脂封止を施して外
囲器ケースを形成することによって構成される樹脂封止
型の半導体装置における半導体チップ、ワイヤボンディ
ングのボンディングされたリードフレームを第３図に示
す。図において、（１０１ａ、１０１ｂ）はフレーム部
、（１０２）はチップベッドでフレーム部にタイバー（
１０３ａ　、　１０３ｂ）で固定され、ここに半導体チ
ップ（Ｚｏｏ）がボンディングされる。また、（１０５
ａ・・・、　１０５ｂ・・・）はリードでフレーム部（
ｌｏｌｃ、ｘｏｘｄ）とタイバー（１０３ｃ、１０３ｄ
）　ｌζよって支持され端部の破線枠（１１０）内の部
分（１１５ａ・・・、　１１５ｂ・・・）には半導体チ
ップの電極を導出するボンディングワイヤ（１２０，１
２０・・・）をボンディングするための表面平坦化加工
が施されている。
上記リードフレームは樹脂封止後、タイバー等の切除リ
ードフォーミングを施して第４図に示す形状になる。図
における（１２１）は樹脂の外囲器ケース、（１２５ａ
・・・、　１２５ｂ・・・）はリードフォーミングの施
されたリードを夫々示す。なお、ルートフレームに対す
る樹脂封止域（１２１ａ）　　を第３図（ａ）　ｌζ２
点鎖線枠で示す。次１ζ、各リード（１０５Ｊｌ・・・
、　１０５ｂ・・・）の外囲器ケース内端部を第５図Ｉ
こ示す。図１ζおける（Ｂ）域はボンディング域である
ので、ワイヤボンディングのための表面平坦化加工は（
Ｂ）よりもやや広い（Ｌｔ）域（１１５ａ　、　１１５
ｂ）に施されている。ｌ、　７’ｃ　−ＩＣＥつて、こ
の（Ｌｌ）域に加えられた（Ｌ、）域までが樹脂封止さ
れるインナーリード部である。
〔背景技術の問題点〕
上記背景技術によると、インナーリード部とこれに封着
した封止樹脂との接触面は気密封着できないため、この
接触界面から雰囲気とともに水が浸入するという重大な
問題がある。
〔発明の目的〕
この発明は上記背景技術の問題点に鑑みなされたもので
、リードの封止樹脂との封着面を改良し雰囲気や水の浸
入を防止する。
〔発明の概要〕
この発明にかかる半導体装置は、リードがその中間部ま
で樹脂の外囲器ケースに封着され一端を上記ケースから
突出させた半導体装置において、リードの封着部表面が
リードの長さ方向に凹凸の加工面に形成されたリードを
備えたことを特徴とし、リードの封止樹脂との封着面を
水の浸入に対し改良するものである。
〔発明の実施例〕
次にこの発明を実施例につき第１図および第２図を参照
して詳細に説明する。なお、背景技術と変わらない部分
（こりいては同じ符号を付けて示し説明を省略する。
図］こ示すようにリード（１，１１）　　が表面平坦化
加工されたワイヤボンディング予定域（ｌａ、１ｌａ）
と、このリードの長さ方向に凹凸の加工面域（ｌｂ、１
ｌｂ）とを備える。上記ワイヤボンディング予定域（１
ａ。
１１ａ）は、例えばコイニングによって表面平坦化をは
かり半導体素子の電極を導出するボンディングワイヤの
ボンディングを容易にする。さらにこれに続く封止部が
凹凸の加工面域（ｌｂ　、　１ｌｂ）　　で、第１図に
はリードの長さ方向と直角に溝（２）の山（２ａ）　、
またはｋ　（２ｂ）が穿設された例を、また、第２図に
は凹部■（３）が穿設された例を夫々示している。すな
わち、上記２例はリードの長さ方向に凹凸（こなるよう
に夫々加工されており、第１図に示す例では断面鉱山状
の折線、第２図に示す例では方形波状の折線でモールド
封止樹脂との密着性を向上させ、界面に沿って雰囲気ガ
スや水分の侵入を防止するようになっている。なお、上
記凹凸の加工面は表面平坦化加工のプレス工程で同時に
形成される。
〔発明の効果〕
この発明によれば凹凸に形成された加工面により封止（
モールド）ｍ脂との密着性が向上するので、リードの封
着面に沿って外部の雰囲気ガスや水が侵入するのを防止
でき、半導体素子に至らない。これにより半導体装置の
耐湿性が顕著に向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図と第２図はいずれも夫々がこの発明の実施例にか
かるリードｆζおける加工部を示すいずれも斜視図、第
３図（ａ）はリードフレームの上面図、同図（ｂ）は側
面図、第４図はＤＩＰ型ＩＣの斜視図、第５図はリード
の加工部を示す斜視図である。 １１１１リード １ａ＋　　ｌｌａ　　　　　　リードのワイヤボンディ
ング予定域ｌｂ、　ｌｌｂ　　　　　リードの凹凸の加
工面域２　　　　　加工面域の構 ３　　　　　加工面域の凹部ＧＬ） １２１　　　　　外囲器ケース 代理人　弁理士　　井　上　−男 第　　１　　図 第３図 （ｂ〕 第　　４　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードがその中間部を樹脂の外囲器ケースに封着され一
    端を上記ケースから突出させた半導体装置において、リ
    ードの封着部表面が凹凸の加工面に形成されたリードを
    備えたことを特徴とする樹脂封止型の半導体装置。
JP59169910A 1984-08-16 1984-08-16 半導体装置 Pending JPS6148951A (ja)

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