JPH0132027Y2 - - Google Patents
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- JPH0132027Y2 JPH0132027Y2 JP19240181U JP19240181U JPH0132027Y2 JP H0132027 Y2 JPH0132027 Y2 JP H0132027Y2 JP 19240181 U JP19240181 U JP 19240181U JP 19240181 U JP19240181 U JP 19240181U JP H0132027 Y2 JPH0132027 Y2 JP H0132027Y2
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- 238000012795 verification Methods 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、電気シヤツタにおいて、露光制御の
ための基準電圧と、輝度検定のための基準電圧と
を一つの電圧設定部から導くと共に、光導電素子
の輝度−抵抗特性（低輝度域）のバラツキの補償
を該電圧設定部の調整により行う場合、輝度検定
の基準電圧としてずれが増長されるのを補償し得
るようにした露光制御・輝度検定回路に関する。
ための基準電圧と、輝度検定のための基準電圧と
を一つの電圧設定部から導くと共に、光導電素子
の輝度−抵抗特性（低輝度域）のバラツキの補償
を該電圧設定部の調整により行う場合、輝度検定
の基準電圧としてずれが増長されるのを補償し得
るようにした露光制御・輝度検定回路に関する。
先ず、第１図により本考案の構成を説明しなが
ら、本考案の目的を述べる。
ら、本考案の目的を述べる。
R1はCdSの如き光導電素子、R2は低輝度検定
用の比較抵抗、Ｃは光量積分用のコンデンサ、
CP1は露光制御用のコンパレータ回路、CP2は低
輝度検定用のコンパレータ回路、OPは反転増幅
用の演算増幅回路、R3は露光制御のための基準
電圧と輝度検定のための基準電圧とを設定すると
共に、光導電素子R1の輝度−抵抗特性における
低輝度域のバラツキをその調整により補償し得る
ポテンシヨメータ、R4は入力抵抗、R5は帰還抵
抗、T1，T2はトランジスタ、I1，I2はインバータ
回路、SWは輝度検定モードと露光制御モードの
切換並びに露光制御開始用のスイツチ、T0は露
光制御出力、L0は輝度検定出力である。
用の比較抵抗、Ｃは光量積分用のコンデンサ、
CP1は露光制御用のコンパレータ回路、CP2は低
輝度検定用のコンパレータ回路、OPは反転増幅
用の演算増幅回路、R3は露光制御のための基準
電圧と輝度検定のための基準電圧とを設定すると
共に、光導電素子R1の輝度−抵抗特性における
低輝度域のバラツキをその調整により補償し得る
ポテンシヨメータ、R4は入力抵抗、R5は帰還抵
抗、T1，T2はトランジスタ、I1，I2はインバータ
回路、SWは輝度検定モードと露光制御モードの
切換並びに露光制御開始用のスイツチ、T0は露
光制御出力、L0は輝度検定出力である。
本考案は、比較抵抗R2と光導電素子R1とコン
デンサＣとをその順に直列接続し、輝度検定モー
ドと露光制御モードとにより、不要素子（コンデ
ンサＣと比較抵抗R2）を半導体スイツチ（トラ
ンジスタT2とT1）によつて夫々シヨートすると
共に、夫々独立したコンパレータ回路（CP2CP1）
を２個用いて、輝度検定回路と露光制御回路とを
構成させるものである。
デンサＣとをその順に直列接続し、輝度検定モー
ドと露光制御モードとにより、不要素子（コンデ
ンサＣと比較抵抗R2）を半導体スイツチ（トラ
ンジスタT2とT1）によつて夫々シヨートすると
共に、夫々独立したコンパレータ回路（CP2CP1）
を２個用いて、輝度検定回路と露光制御回路とを
構成させるものである。
なお、比較抵抗と光導電素子とコンデンサと
を、光導電素子、コンデンサ（比較抵抗）、比較
抵抗（コンデンサ）の順に直列接続して、輝度検
定モードと露光制御モードとにより、不要素子を
半導体スイツチによつてシヨートして、輝度検定
回路と露光制御回路とを構成させる方式もある
が、スイツチ飽和特性VCESが及ぼすシヤツタ秒時
の影響やスイツチングトランジスタのベース電流
の不安定性等各回路の本来の動作において、不都
合な面がある。
を、光導電素子、コンデンサ（比較抵抗）、比較
抵抗（コンデンサ）の順に直列接続して、輝度検
定モードと露光制御モードとにより、不要素子を
半導体スイツチによつてシヨートして、輝度検定
回路と露光制御回路とを構成させる方式もある
が、スイツチ飽和特性VCESが及ぼすシヤツタ秒時
の影響やスイツチングトランジスタのベース電流
の不安定性等各回路の本来の動作において、不都
合な面がある。
本考案の構成において、露光制御のための基準
電圧と輝度検定のための基準電圧とを一つのポテ
ンシヨメータR3によつて共通に得る時、単純に
はコンパレータ回路CP2の基準電圧として、ポテ
ンシヨメータR3の中間タツプ端子を、反転入力
端（−）に接続して与えればよい。即ち、基本的
には、光導電素子R1のある標準の輝度−抵抗特
性を基準にして、例えば、コンパレータ回路CP1
の反転入力端子（−）に与える基準電圧をVcc／
２（Ｋ＝0.5）に設定し、そして、その条件の下
に、所定秒時が得られるようにコンデンサＣの容
量値が選定される。一方、比較抵抗R2は、光導
電素子R1の標準の輝度−抵抗特性とコンパレー
タ回路CP2の反転入力端子（−）に与えられる基
準電圧（Vcc／２）との条件の下に、低輝度検定
レベルとしての抵抗値が設定される。こゝでＫ＝
0.5としたのは電源電圧の中央附近が最も使用頻
度が高い為で、別の値に選んでもよいことは勿論
である。
電圧と輝度検定のための基準電圧とを一つのポテ
ンシヨメータR3によつて共通に得る時、単純に
はコンパレータ回路CP2の基準電圧として、ポテ
ンシヨメータR3の中間タツプ端子を、反転入力
端（−）に接続して与えればよい。即ち、基本的
には、光導電素子R1のある標準の輝度−抵抗特
性を基準にして、例えば、コンパレータ回路CP1
の反転入力端子（−）に与える基準電圧をVcc／
２（Ｋ＝0.5）に設定し、そして、その条件の下
に、所定秒時が得られるようにコンデンサＣの容
量値が選定される。一方、比較抵抗R2は、光導
電素子R1の標準の輝度−抵抗特性とコンパレー
タ回路CP2の反転入力端子（−）に与えられる基
準電圧（Vcc／２）との条件の下に、低輝度検定
レベルとしての抵抗値が設定される。こゝでＫ＝
0.5としたのは電源電圧の中央附近が最も使用頻
度が高い為で、別の値に選んでもよいことは勿論
である。
個々に使用される光導電素子の特性にバラツキ
が無い場合には、上記の条件で全く問題無いが、
光導電素子の特性にはバラツキが有るので、その
補償をしなければならない。
が無い場合には、上記の条件で全く問題無いが、
光導電素子の特性にはバラツキが有るので、その
補償をしなければならない。
即ち、光導電素子の標準の特性に対してコンデ
ンサの容量値が選定されている状態において、光
導電素子の低輝度域における特性にバラツキが有
つた場合には、ポテンシヨメータR3を調整して
そのバラツキを補償する。
ンサの容量値が選定されている状態において、光
導電素子の低輝度域における特性にバラツキが有
つた場合には、ポテンシヨメータR3を調整して
そのバラツキを補償する。
例えば、増感傾向のバラツキの場合には、ポテ
ンシヨメータR3を、その分圧定数Ｋが0.5よりも
大きくなるように調整する。
ンシヨメータR3を、その分圧定数Ｋが0.5よりも
大きくなるように調整する。
これによつて、光導電素子の特性のバラツキに
よる露光秒時への誤差は補償される。
よる露光秒時への誤差は補償される。
しかしながら、上記の条件の下に比較抵抗R2
の抵抗が一定値に設定されている輝度検定回路に
おいては、光導電素子の低輝度域の特性において
増感傾向のバラツキが有つた場合には、コンパレ
ータ回路CP2の反転入力端子（−）に与えられる
基準電圧は、分圧定数Ｋが0.5よりも小さくなる
ように調整されなければならない。
の抵抗が一定値に設定されている輝度検定回路に
おいては、光導電素子の低輝度域の特性において
増感傾向のバラツキが有つた場合には、コンパレ
ータ回路CP2の反転入力端子（−）に与えられる
基準電圧は、分圧定数Ｋが0.5よりも小さくなる
ように調整されなければならない。
即ち、露光制御のためのコンパレータ回路CP1
と輝度検定のためのコンパレータ回路CP2との基
準電圧を単に共通のポテンシヨメータR3によつ
て与え、且つ該ポテンシヨメータR3の調整によ
り光導電素子の輝度−抵抗特性における低輝度域
のバラツキを補償すると、一方の回路の基準電圧
としては、そのバラツキを増長する方向に調整さ
れてしまう。
と輝度検定のためのコンパレータ回路CP2との基
準電圧を単に共通のポテンシヨメータR3によつ
て与え、且つ該ポテンシヨメータR3の調整によ
り光導電素子の輝度−抵抗特性における低輝度域
のバラツキを補償すると、一方の回路の基準電圧
としては、そのバラツキを増長する方向に調整さ
れてしまう。
本考案の目的は、上述の如く、露光制御のため
の第一のコンパレータ回路と輝度検定のための第
二のコンパレータ回路との基準電圧を共通のポテ
ンシヨメータにより与える方式において、露光制
御のための第一のコンパレータ回路の基準電圧と
してポテンシヨメータによる分圧電圧を与えると
共に、輝度検定のための第二のコンパレータ回路
の基準電圧としては、第一のコンパレータ回路の
基準電圧の設定中心値が基準電圧として設定され
ている反転増幅回路を介して与えるようにし、露
光制御回路において光導電素子の特性のバラツキ
をポテンシヨメータを調整して補償しても、輝度
検定回路において無調整で許容範囲の誤差として
吸収できるようにした電気シヤツタにおける露光
制御・輝度検定回路を提供するものである。
の第一のコンパレータ回路と輝度検定のための第
二のコンパレータ回路との基準電圧を共通のポテ
ンシヨメータにより与える方式において、露光制
御のための第一のコンパレータ回路の基準電圧と
してポテンシヨメータによる分圧電圧を与えると
共に、輝度検定のための第二のコンパレータ回路
の基準電圧としては、第一のコンパレータ回路の
基準電圧の設定中心値が基準電圧として設定され
ている反転増幅回路を介して与えるようにし、露
光制御回路において光導電素子の特性のバラツキ
をポテンシヨメータを調整して補償しても、輝度
検定回路において無調整で許容範囲の誤差として
吸収できるようにした電気シヤツタにおける露光
制御・輝度検定回路を提供するものである。
以下、第１図に基づいて本考案の実施例を説明
する。
する。
先ず、露光時間ｔ、コンデンサＣ、光導電素子
（抵抗）R1の関係は、 Vc＝V1＝Vcc（１−e-1/CR1） ｔ＝CRln（１／１−Ｋ） 但し、V1＝KVcc となる。
（抵抗）R1の関係は、 Vc＝V1＝Vcc（１−e-1/CR1） ｔ＝CRln（１／１−Ｋ） 但し、V1＝KVcc となる。
こゝで、コンデンサＣの値は、Ｋ＝0.5の附近
で規定秒時が得られるように設定するものと仮定
する。
で規定秒時が得られるように設定するものと仮定
する。
次に、光導電素子R1がバラついた場合の各点
の電圧関係を求める。
の電圧関係を求める。
コンパレータ回路CP1の基準電圧V1は、
V1＝Vcc（１−e-t0/CR10）
但し、R10はR1の中心値、t0はR10に対応した規
定秒時となる。
定秒時となる。
次に、演算増幅回路OPの出力電圧、即ち、コ
ンパレータ回路CP2の基準電圧V2は、 V2＝Vcc／２＋Ｇ（V1−Vcc／２） ＝Vcc／２（１−Ｇ）＋GVcc（１−e-t0/CR10） １＋Ｇ（１−2A）／２Vcc 但し、Ｇ＝−R5／R4，et0/CR10＝Ａ となる。
ンパレータ回路CP2の基準電圧V2は、 V2＝Vcc／２＋Ｇ（V1−Vcc／２） ＝Vcc／２（１−Ｇ）＋GVcc（１−e-t0/CR10） １＋Ｇ（１−2A）／２Vcc 但し、Ｇ＝−R5／R4，et0/CR10＝Ａ となる。
また、コンパレータ回路CP2の輝度比較電圧V3
は、 V3＝R10／R10＋R2Vcc となる。
は、 V3＝R10／R10＋R2Vcc となる。
そこで、R10のとき規定の検定基準レベルとな
るようなＧ，比較抵抗R2の関係を求めると、 V2＝V3より １＋Ｇ（１−2A）／２＝R10／R10＋R2 R2＝１−Ｇ（１−2A）／１＋Ｇ（１−2A）R10 となる。
るようなＧ，比較抵抗R2の関係を求めると、 V2＝V3より １＋Ｇ（１−2A）／２＝R10／R10＋R2 R2＝１−Ｇ（１−2A）／１＋Ｇ（１−2A）R10 となる。
比較抵抗R2の値が一定条件で、光導電素子の
特性のバラツキによりR10がずれているとき、検
定基準レベルがV2＝V3となるＧの条件を求める
と、 R1＝αR10より、（但し、αはバラツキ） (1)，(2)式より 上式を左辺にまとめて展開すると、 となる。
特性のバラツキによりR10がずれているとき、検
定基準レベルがV2＝V3となるＧの条件を求める
と、 R1＝αR10より、（但し、αはバラツキ） (1)，(2)式より 上式を左辺にまとめて展開すると、 となる。
そして、Ａ＝0.5のときのＧは、
として表わされる。
こゝで、Ａ，αに数値を代入して変換値Ｇを算
出すると、第２図のようになる。なお、αは、光
導電素子R10のバラツキの範囲として、2-1〜21倍
を想定している。
出すると、第２図のようになる。なお、αは、光
導電素子R10のバラツキの範囲として、2-1〜21倍
を想定している。
即ち、Ｇをα＝20（2-1/3と21/3の中間）に相当す
る0.723に設定しておくと、αが2-1〜21の範囲で
バラツいてもＧを固定化することによるコンパレ
ータ回路CP2の基準電圧の補正誤差は微差であ
り、輝度検定の誤差は光導電素子R1の抵抗値誤
差に換算して最大2±0.1程度に納まり、γ＝0.5と
した時Ev換算で＋0.2Ev〜−0.2Evの範囲に納ま
る。これは、カメラの通常規格の±1Evに対して
充分許容され得るものである。
る0.723に設定しておくと、αが2-1〜21の範囲で
バラツいてもＧを固定化することによるコンパレ
ータ回路CP2の基準電圧の補正誤差は微差であ
り、輝度検定の誤差は光導電素子R1の抵抗値誤
差に換算して最大2±0.1程度に納まり、γ＝0.5と
した時Ev換算で＋0.2Ev〜−0.2Evの範囲に納ま
る。これは、カメラの通常規格の±1Evに対して
充分許容され得るものである。
なお、演算増幅回路OPの基準電圧は固定設定
されるもので、電源電圧の1/2（Vcc／２）とし
ている。このVcc／２には絶対的な意味はない
が、電源電圧の1/2に設定しておけば、露光制御
の基準電圧がVcc／２に設定されるとは限らない
が、その設定に対して融通性が広いものである。
一方、Ａ≠0.5の場合も、同様に前記(3)式よりα
に対応したＧを算出できるが、そのように設定す
る積極的理由もないから説明は省略する。
されるもので、電源電圧の1/2（Vcc／２）とし
ている。このVcc／２には絶対的な意味はない
が、電源電圧の1/2に設定しておけば、露光制御
の基準電圧がVcc／２に設定されるとは限らない
が、その設定に対して融通性が広いものである。
一方、Ａ≠0.5の場合も、同様に前記(3)式よりα
に対応したＧを算出できるが、そのように設定す
る積極的理由もないから説明は省略する。
また、光導電素子R1の輝度−抵抗特性におけ
る高輝度域のバラツキの補正は、通常光導電素子
R1に半固定抵抗を直列接続して行うが、説明を
簡略化する為に省略してある。
る高輝度域のバラツキの補正は、通常光導電素子
R1に半固定抵抗を直列接続して行うが、説明を
簡略化する為に省略してある。
以上の如く、比較抵抗と光導電素子とコンデン
サとをその順に直列接続すると共に、露光制御回
路と輝度検定回路との基準電圧を一つのポテンシ
ヨメータにより共通に与える電気シヤツタにおけ
る露光制御・輝度検定回路において、輝度検定回
路の基準電圧を、電源電圧の設定中心値からの差
を負の所定の倍率で与えるようにしているので、
露光制御回路に対する光導電素子の輝度−抵抗特
性のバラツキを、ポテンシヨメータを調整して補
償しても、その調整による輝度検定回路に対する
影響は許容値内に吸収されるものである。
サとをその順に直列接続すると共に、露光制御回
路と輝度検定回路との基準電圧を一つのポテンシ
ヨメータにより共通に与える電気シヤツタにおけ
る露光制御・輝度検定回路において、輝度検定回
路の基準電圧を、電源電圧の設定中心値からの差
を負の所定の倍率で与えるようにしているので、
露光制御回路に対する光導電素子の輝度−抵抗特
性のバラツキを、ポテンシヨメータを調整して補
償しても、その調整による輝度検定回路に対する
影響は許容値内に吸収されるものである。
第１図は本考案の一実施例を示した回路図、第
２図は変換値Ｇの計算数値の図表である。 R1……光導電素子、R2……比較抵抗、Ｃ……
コンデンサ、T1，T2……トランジスタ、R3……
ポテンシヨメータ、CP1，OP2……コンパレータ
回路、OP……演算増幅回路、R4……入力抵抗、
R5……帰還抵抗。
２図は変換値Ｇの計算数値の図表である。 R1……光導電素子、R2……比較抵抗、Ｃ……
コンデンサ、T1，T2……トランジスタ、R3……
ポテンシヨメータ、CP1，OP2……コンパレータ
回路、OP……演算増幅回路、R4……入力抵抗、
R5……帰還抵抗。
Claims (1)
- 輝度検定用の比較抵抗R2と光電素子R1とコン
デンサＣとをその順に直列接続し、また比較抵抗
R2と並列に輝度検定モードでは遮断し露光制御
モードでは導通せしめられる第一の半導体スイツ
チ（トランジスタT1）を接続すると共に、コン
デンサＣと並列に輝度検定モードでは導通し露光
制御モードでは遮断せしめられる第二の半導体ス
イツチ（トランジスタT2）を接続し、更に光導
電素子R1とコンデンサＣの接続点の積分電位を
比較する第一のコンパレータ回路CP1の基準電圧
を、光導電素子R1の輝度−抵抗特性における低
輝度域のバラツキを補償するために調整可能な電
源電圧Vccを分圧するポテンシヨメータR3により
与え、また、前記ポテンシヨメータR3により与
えられる電圧を、反転増幅回路OPに入力して前
記調整不要時の基準電圧Vcc／２からの差を該反
転増幅回路OPの入力抵抗R4と帰還抵抗R5との比
で決まる負の倍率で該反転増幅回路OPの出力電
圧に変換し、そして前記比較抵抗R2と光導電素
子R1の接続点の電圧を比較する第二のコンパレ
ータ回路CP2の基準電圧として前記反転増幅回路
OPの出力電圧を与えるようにして、前記光導電
素子R1の輝度−抵抗特性のバラツキによる輝度
検定の誤差が±1Ev内に納まるようにしたことを
特徴とする電気シヤツタにおける露光制御・輝度
検定回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19240181U JPS5896518U (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 電気シヤツタにおける露光制御・輝度検定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19240181U JPS5896518U (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 電気シヤツタにおける露光制御・輝度検定回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896518U JPS5896518U (ja) | 1983-06-30 |
| JPH0132027Y2 true JPH0132027Y2 (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=30105814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19240181U Granted JPS5896518U (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 電気シヤツタにおける露光制御・輝度検定回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5896518U (ja) |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP19240181U patent/JPS5896518U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5896518U (ja) | 1983-06-30 |
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