JPH01320643A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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Publication number
JPH01320643A
JPH01320643A JP63155296A JP15529688A JPH01320643A JP H01320643 A JPH01320643 A JP H01320643A JP 63155296 A JP63155296 A JP 63155296A JP 15529688 A JP15529688 A JP 15529688A JP H01320643 A JPH01320643 A JP H01320643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering
perpendicularly magnetized
magnetized film
film
magnetic recording
Prior art date
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Pending
Application number
JP63155296A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Shinohara
紘一 篠原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH01320643A publication Critical patent/JPH01320643A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度記録再生特性の優れた垂直磁気記録媒体
の製造方法に関する。
従来の技術 高分子フィルム上に形成された磁性層の中で、膜面に垂
直な反平行磁化として残留した磁化状態を記録再生に利
用するいわゆる垂直磁気記録は、今後の高密度化に有効
であることから、実用化の為に多角的な研究開発がなさ
れている。かかる用途の磁気記録媒体の製造は、従来の
長手記録と異なり、確立した製造方法がなく、高周波ス
パッタリング等のいわゆるスパッタリング法や電子ビー
ム蒸着法でCo−0r合金の薄膜をポリイミド等の高分
子フィルム上に形成する方法が検討されてい:bC電子
通信学会論文誌Vol 、 J 63−C、&4 。
238〜245(1980)、特開昭61−77128
号公報、特公昭62−1561575号公報、特開昭6
2−275322号公報参照〕。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、 Co−(frやCo−Ta 、 Co
−0r−Wb 等のCo合金ターゲットを円筒キャンに
対向して配設し円筒キャンに沿わせてポリイミドやポリ
アミド等の高分子フィルムを巻取りながら、ムrガスを
放電ガスとして導入し、高周波グロー放電、直流マグネ
トロン放電等のグロー放電によりムrイオンによりスパ
ッタリングすることで垂直磁化膜を形成したものは、記
録密度が上昇するにつれて、帯域の広いディジタル記録
での雑音レベルが大きくなり、十分なO/N が確保で
きないことから改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、広帯域の
07Hの良好な垂直磁気記録用の磁気記録媒体を製造す
る方法を提供するものである。
課題を解決するだめの手段 上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、高分子フィルム上に垂直磁化膜をスパッタ
リング法で形成する際、スパッタリングを垂直磁化膜を
構成する元素のイオンビーム照射により行うようにした
ものである。
作用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成によ
り、垂直磁化膜中に放電ガスがとり込まれたり、グロー
放電により系内の構成材が不純物として不安定に取り込
まれたりしないことから、結晶配向が理想的になり、記
録波長が短かくなっても、磁化の均一性が微視的に保た
れるので、雑音が改良され、C/Nが良好となり、垂直
磁化膜を構成する結晶が異常成長するトリガーもなくな
るので、耐久性も改善されるから保護層を薄くして出力
の低下を最小限にとどめることもでき、良好な垂直磁気
記録用の磁気記録媒体を製造できることになる。
実施例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。図は本発明の実施に用いたスパッタリング装置
の要部断面図で、図で1は高分子フィルムで、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リエーテルエーテルケトン。
ポリイミド等が用いられる。2は円筒キャンで、他の回
転支持体例えば、回転ベルトなどでもよい。
3は送り出し軸、4は巻取り軸、6はGo −Or 。
Go−Ti、Go−Ta、Go−Mo、Go−W、Co
−0r−Nb等の垂直磁化膜を形成するのに用いるター
ゲットで、6はイオン銃、7はイオンビーム、8はスパ
ッタ原子を模式的に示したものである。9は真空容器、
10は真空排気系である。
本発明は、例えばCo−0r垂直磁化膜の形成の場合は
、Go−Orをターゲットにして、Orイオン又はGo
 イオンのいずれか一方又は両方のイオンをビーム化し
てターゲットに照射して、スパッタリングを行うもので
、高真空でスパッタリングが出来る上、垂直磁化膜を構
成する元素のイオンでスパッタリングを行うことから不
純物の混入が無視され極めて均一な垂直磁化膜が得られ
ることになる。
以下、更に具体的な実施例について、比較例との対比で
詳しく説明する。厚み11μmポリエチレンナフタレー
トフィルムを直径60口の円筒キャンを150″Cに加
熱した状態にし、その面に沿わせ、5 X 10−’ 
(Torr ) 〜8 X 10−6(Torr)の真
空中を2往復(2m/winさせた後Oo−Cr(co
:aewt%)をターゲットにして16に6VのOrイ
オンを120μA/dで照射し照射面積1幅方向16C
IR,長手方向12CM〕スパッタリングして、co−
cr(co:sowt%)垂直磁化膜を0.15μm形
成した。形成時の真空度は7X10−’〜9 X 10
  ’(Torr)  とした。尚製膜面積は幅13α
、長さ5oomである。
一方比較例は、あらかじめ6 X 10−’ (Tor
r)に排気した後、人rを0.08 (Torr)まで
導入し、co−cr(co :aowt%)をターゲッ
トにして13.156 (MH2)1.9(KW)の高
周波グロー放電による、いわゆる高周波スパッタリング
法でGo−Or(Go : 80wt%)垂直磁化膜を
0.16μm形成した。製膜面積は同じである。夫々パ
ーフルオロポリエーテルとして市販のモンテフルオス社
製の”フォンプリンZ−25”を溶液塗布法で約75人
塗布し、8ミリ幅の磁気テープに加工した。
夫々の磁気テープを実施例と比較例の中から各10巻ず
つ抽出し、改造した8ミリビデオにより、ビット長0.
2μm、)ラックピッチ5μmでディジタル信号を記録
再生し、帯域7 (MHz )でのC/Nを比較した。
初期値は、実施例の1巻を標準として0(dB)とする
と、平均値はo、1(dB)で最大最小偏差は0.2(
dB)であったのに対し、比較例は平均値が−1゜9(
dB)  で偏差は2.4(dB)あった。又耐久性を
みるのに、5℃10%RHでくり返し走行し、再生出力
を比較した結果実施例はGo回走行後の出力は−0,6
〜−0,9(dB) であったのに対し、比較例は−0
,9〜−s、3(dB)  とバラツキが大きがった。
発明の効果 以上のように本発明によれば、高密度記録特性の優れた
垂直磁気記録用の磁気記録媒体が製造できるといった優
れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明を実施するのに用いたスパッタリング装置の
要部断面図である。 1・・・・・・高分子フィルム、5・・・・・・ターゲ
ット、6・・・・・・イオン銃、7・・・・・・イオン
ビーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−一高分3フイルム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高分子フィルム上に垂直磁化膜をスパッタリング法で形
    成する際、スパッタリングを垂直磁化膜を構成する元素
    のイオンビーム照射により行うことを特徴とする磁気記
    録媒体の製造方法。
JP63155296A 1988-06-23 1988-06-23 磁気記録媒体の製造方法 Pending JPH01320643A (ja)

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