JPH01321645A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01321645A
JPH01321645A JP63155843A JP15584388A JPH01321645A JP H01321645 A JPH01321645 A JP H01321645A JP 63155843 A JP63155843 A JP 63155843A JP 15584388 A JP15584388 A JP 15584388A JP H01321645 A JPH01321645 A JP H01321645A
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JP
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electrode
ball
ultrasonic vibration
thin metal
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JP63155843A
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Michitaka Kimura
通孝 木村
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体
チップの表面電極と金属細線との接続方法に関するもの
である。
〔従来の技術〕
第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来の表面電極と金属細線との
接続、特にボールボンド工程を説明するための概略図で
ある。第２図において、１は半導体チップ、１ａはこの
半導体チップ１の表面電極、２はこの表面電極１ａに接
続される金属細線、３はこの金属細線２を表面電極１ａ
に押え付けるキャピラリ、４は前記金属細線２の先端に
金属ボールを形成する電気トーチである。
次に従来の接続方法について説明する。なお、ここでは
特にボールボンド工程に対するものであり、各部の材料
として、表面、電極１ａはＡｕ２またはＡｆＬ−Ｓｔ金
合金Ａｎ電極という）、金属細線２はＡｕ　（Ａｕ線と
いう）を用いる。
へ１電極１ａとＡｕ線２の接続には、まず電気トーチ４
を用いてＡｕ線２を溶解し、生成したＡｕボール２ａを
キャピラリ３によってＡｕ２電極１ａに押え付ける。Ａ
ｎ電極１ａとＡｕボール２ａの接触後、Ａｕボール２ａ
に超音波振動を発生させる。この超音波振動と、あらか
じめ半導体チップに施しておいた熱のエネルギーによっ
てＡｆＬ電極１ａの表面酸化膜を破壊し、Ａｕ２とＡｕ
の合金を形成することによりＡｎ電極１ａとＡｕ線２を
接続するものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
このような従来の半導体装置の製造方法はＡｕボール２
ａをＡｕ２電極１ａに接続する際、Ａで電極１ａの表面
酸化膜を十分破壊することができず、Ａｕ２とＡｕの間
に接続不良が発生し、最悪の場合にはこれらが剥離する
という問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、半導体チップの表面電極と金属細線との接続に際
して、この接続部での初期的な接続不良を防止すること
ができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする
。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ
の表面電極と金属細線とを接続する際、金属細線を表面
電極との接触前後に超音波振動させて接続するものであ
る。
〔作用〕
この発明においては、半導体チップの表面電極と金属細
線とを接続する際、その接触前後に金属細線を超音波振
動させることから、Ａｕ電極の表面酸化膜を効率的に破
壊することができ、ＡｎとＡｕの初期接合性か向上する
。
〔実施例〕
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例を説明する
ための工程図であり、Ａｕボールの生成からＡｕボール
を表面電極に接続するまでを示すものである。なお、符
号は第２図と同じものを示す。
まず、第１図（ａ）に示すように、電気トーチ４を用い
てＡｕ線２を溶解し、第１図（ｂ）に示すように、Ａｕ
ボール２ａを生成する。次いで、Ａｕボール２ａをＡ℃
電極１ａとの接触前に超音波振動させる。次いで、第１
図（Ｃ）に示すように、表面電極１ａにＡｕボール２ａ
を接触させた後、さらに超音波振動させ、この超音波振
動と、あらかじめ半導体チップ１に加えておいた熱のエ
ネルギーによって、Ａｎ電極１ａの表面酸化膜を破壊し
、ＡＪＺとＡｕの合金を形成することにより、Ａ１電極
１ａとＡｕ線２の接続を行う。
上記のような半導体装置の製造方法によれば、Ａｕボー
ル２ａをＡｆｌ電極１ａとの接触前にも超音波振動させ
るので、Ａｕ２電極１ａの表面酸化膜を効率的に破壊す
ることができ、ＡｕとＡｕ２の初期的な接続不良あるい
は初期的な剥離を防止できる。
なお、上記実施例では金属細線がＡｕ線の場合について
示したが、金属細線がＡｕ線あるはＣｕ線の場合でもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
この発明は、以上説明したように、金属細線を表面電極
に接続する際、金属細線を表面電極との接続前後に超音
波振動させて接続するようにしたので、表面電極の表面
酸化膜を効率的に破壊することができ、接続部での接続
不良あるいは剥離を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｃ）はこの発明の一実施例を説明する
ための工程図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来例を説明す
るための工程図である。 図において、１は半導体チップ、１ａは表面電極、２は
金属細線、２ａはＡｕボール、３はキャピラリ、４は電
気トーチである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図 ４　馬ジ気トーチ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　金属フレーム上に搭載された半導体チップの表面電極
    に金属細線を接続する方法において、前記金属細線と表
    面電極とを接触させる前後に前記金属細線を超音波振動
    させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP63155843A 1988-06-22 1988-06-22 半導体装置の製造方法 Pending JPH01321645A (ja)

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