JPH01321682A - ポリイミド樹脂のエッチング方法 - Google Patents
ポリイミド樹脂のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH01321682A JPH01321682A JP15464888A JP15464888A JPH01321682A JP H01321682 A JPH01321682 A JP H01321682A JP 15464888 A JP15464888 A JP 15464888A JP 15464888 A JP15464888 A JP 15464888A JP H01321682 A JPH01321682 A JP H01321682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide resin
- mask
- etching
- copper
- kapton
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/002—Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はフレキシブルプリント配線板の絶縁基板やＴ
Ａ Ｂ （ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉ
ｎｇ）テープのキャリアテープとして使用されるポリイ
ミド樹脂のエツチング方法に関するものである。
Ａ Ｂ （ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉ
ｎｇ）テープのキャリアテープとして使用されるポリイ
ミド樹脂のエツチング方法に関するものである。
［従来の技術］
ポリイミド樹脂は耐熱性、電気絶縁性、耐屈曲性あるい
は耐薬品性等に優れた特性を有しており、フレキシブル
プリント配線板の絶縁基板やＴＡＢテープのキャリアテ
ープとして広く使用されている。これらの製造において
は、フレキシブルプリント配線板にあっては層間の導通
を確保するためにスルースホールを、また、ＴＡＢテー
プにあっては、半導体素子を装着するためのデバイスホ
ールやテープを搬送するためのスプロケットホール等を
形成することが必要である。ポリイミド樹脂にこれらの
孔を形成する方法としては、有機溶剤現像型のフォトレ
ジストを用いてポリイミド樹脂表面にマスクを形成した
後、従来より種々の溶剤を用いてポリイミド樹脂をエツ
チングし、その後前記マスクを剥離し、或いは溶解除去
する方法が採用されている。この際に用いるポリイミド
樹脂用のエツチング液としては、高濃度のアルカリ水溶
液や、ヒドラジンｌ水和物あるいはこれと各種のアミン
類の混合溶液などが知られているが、通常エツチング速
度の速いヒドラジン１永和物、或いは、ヒドラジン１水
和物と各種アミン類の混合溶液が使用される場合が多い
。
は耐薬品性等に優れた特性を有しており、フレキシブル
プリント配線板の絶縁基板やＴＡＢテープのキャリアテ
ープとして広く使用されている。これらの製造において
は、フレキシブルプリント配線板にあっては層間の導通
を確保するためにスルースホールを、また、ＴＡＢテー
プにあっては、半導体素子を装着するためのデバイスホ
ールやテープを搬送するためのスプロケットホール等を
形成することが必要である。ポリイミド樹脂にこれらの
孔を形成する方法としては、有機溶剤現像型のフォトレ
ジストを用いてポリイミド樹脂表面にマスクを形成した
後、従来より種々の溶剤を用いてポリイミド樹脂をエツ
チングし、その後前記マスクを剥離し、或いは溶解除去
する方法が採用されている。この際に用いるポリイミド
樹脂用のエツチング液としては、高濃度のアルカリ水溶
液や、ヒドラジンｌ水和物あるいはこれと各種のアミン
類の混合溶液などが知られているが、通常エツチング速
度の速いヒドラジン１永和物、或いは、ヒドラジン１水
和物と各種アミン類の混合溶液が使用される場合が多い
。
［発明が解決しようとする課題］
有機溶剤現像型のフォトレジストを用いて形成したマス
クとポリイミド樹脂用のエツチング液とを用いた従来の
ポリイミド樹脂のエツチング方法では、該マスクはエツ
チング液に対する耐食性に乏しく、侵食されるという問
題がある。また、該マスクはポリイミド樹脂との密着性
が悪（、マスクとポリイミド樹脂との間にエツチング液
が侵入するばかりでなく、高温度で且つ長時間のエツチ
ングを行なうとマスクがポリイミド樹脂より剥離すると
いう問題点があり、要求される形状の孔を正確且つ安定
的に形成することは困難である。
クとポリイミド樹脂用のエツチング液とを用いた従来の
ポリイミド樹脂のエツチング方法では、該マスクはエツ
チング液に対する耐食性に乏しく、侵食されるという問
題がある。また、該マスクはポリイミド樹脂との密着性
が悪（、マスクとポリイミド樹脂との間にエツチング液
が侵入するばかりでなく、高温度で且つ長時間のエツチ
ングを行なうとマスクがポリイミド樹脂より剥離すると
いう問題点があり、要求される形状の孔を正確且つ安定
的に形成することは困難である。
一方、上記問題点を解消するものとして印刷型のレジス
トインクの使用が提案されているが、該レジストインク
は永久レジストであり、エツチング終了後のレジストの
剥離、除去が困難であり、用途が限定されるという問題
点がある。
トインクの使用が提案されているが、該レジストインク
は永久レジストであり、エツチング終了後のレジストの
剥離、除去が困難であり、用途が限定されるという問題
点がある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らはポリイミド樹脂の表面上に銅被膜を形成し
、該銅被膜を用いてマスクを形成し、ポリイミド樹脂を
エツチングすれば、該マスクがエツチング液に侵される
ことなく、また、マスクとポリイミド樹脂との間にエツ
チング液が侵入することなく、更に、ポリイミド樹脂を
エツチングした後、ポリイミド樹脂に影響を与えること
なく、容易にマスクを溶解して除去することができるこ
とを見出し本発明に至った。
、該銅被膜を用いてマスクを形成し、ポリイミド樹脂を
エツチングすれば、該マスクがエツチング液に侵される
ことなく、また、マスクとポリイミド樹脂との間にエツ
チング液が侵入することなく、更に、ポリイミド樹脂を
エツチングした後、ポリイミド樹脂に影響を与えること
なく、容易にマスクを溶解して除去することができるこ
とを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明はポリイミド樹脂表面上に、その膜厚
が約２μｍ以上になるように形成された銅被膜をマスク
材として用いるポリイミド樹脂のエツチング方法である
。
が約２μｍ以上になるように形成された銅被膜をマスク
材として用いるポリイミド樹脂のエツチング方法である
。
［作用］
本発明において、ポリイミド樹脂の表面上に銅被膜を形
成する方法は特に限定するものではなく、無電解銅鍍金
法やスパッタリング法でよく、更に、無電解銅鍍金法や
スパッタリング法と電気銅鍍金法とを併用することも可
能である。
成する方法は特に限定するものではなく、無電解銅鍍金
法やスパッタリング法でよく、更に、無電解銅鍍金法や
スパッタリング法と電気銅鍍金法とを併用することも可
能である。
本発明において、銅被膜の膜厚が薄い場合には銅被膜中
に発生するピンホールをなくすことができず、該ピンホ
ール部よりエツチング液が侵入し、銅被膜とポリイミド
樹脂との剥離を引起こすのでポリイミド樹脂表面に形成
する銅被膜の厚さは約２μｍ以上が必要である。一方、
銅被膜があまり厚くなると、銅被膜をエツチングしてマ
スクを形成する際に時間がかかり、マスクの寸法精度を
低下させるので採用するエツチング条件に応じた膜厚以
上にすることは望ましくない。
に発生するピンホールをなくすことができず、該ピンホ
ール部よりエツチング液が侵入し、銅被膜とポリイミド
樹脂との剥離を引起こすのでポリイミド樹脂表面に形成
する銅被膜の厚さは約２μｍ以上が必要である。一方、
銅被膜があまり厚くなると、銅被膜をエツチングしてマ
スクを形成する際に時間がかかり、マスクの寸法精度を
低下させるので採用するエツチング条件に応じた膜厚以
上にすることは望ましくない。
銅被膜をエツチングしてマスクを形成する方法としては
通常の方法でよ（、例えば、銅被膜上にフォトレジスト
によりパターンを形成し、その後過硫酸アンモニウム水
溶液や、塩化第二鉄水溶液や、塩化第二銅水溶液や、過
酸化水素水と硫酸との混合溶液等を用いてパターン部以
外の銅を溶解し、除去する方法でよい。
通常の方法でよ（、例えば、銅被膜上にフォトレジスト
によりパターンを形成し、その後過硫酸アンモニウム水
溶液や、塩化第二鉄水溶液や、塩化第二銅水溶液や、過
酸化水素水と硫酸との混合溶液等を用いてパターン部以
外の銅を溶解し、除去する方法でよい。
なお、本発明の方法ではマスクとして銅被膜を使用する
ために、ポリイミド樹脂をエツチングした後にポリイミ
ド樹脂に影響を与えることなくマスクを除去することも
簡単にできる。
ために、ポリイミド樹脂をエツチングした後にポリイミ
ド樹脂に影響を与えることなくマスクを除去することも
簡単にできる。
［実施例−１１
ポリイミド樹脂としてフィルムの厚さが５０μｍの表面
処理がされ、片面が防蝕テープによりシールされたカプ
トン（東しデュボン社製）を、硫酸銅五水和物１０ ｇ
／ｌ 、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウムニ水和物
３０ ｇ／ｌ、ポリエチレングリコール（平均分子量１
，０００ ） ０．５ ｇ／ｌ、 ２．２−ビピリジル
２０ ｇ／ｌからなるｐＨ１２，５、液温６５゜Ｃの無
電解銅鍍金法に１０分間浸漬し、カプトンの片面上に０
．２〜０．３μｍの銅被膜を形成した。
処理がされ、片面が防蝕テープによりシールされたカプ
トン（東しデュボン社製）を、硫酸銅五水和物１０ ｇ
／ｌ 、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウムニ水和物
３０ ｇ／ｌ、ポリエチレングリコール（平均分子量１
，０００ ） ０．５ ｇ／ｌ、 ２．２−ビピリジル
２０ ｇ／ｌからなるｐＨ１２，５、液温６５゜Ｃの無
電解銅鍍金法に１０分間浸漬し、カプトンの片面上に０
．２〜０．３μｍの銅被膜を形成した。
その後、硫酸銅五水和物Ｚｏｏ ｇ／ｌ、硫酸６０ ｇ
／ｌからなる液温３Ｑ’Ｃの硫酸銅鍍金洛中で、電流密
度２ Ａ／ｄｍ”で７分間電気鍍金を行ないカプトン上
に膜厚２．１μｍの銅被膜を形成した。
／ｌからなる液温３Ｑ’Ｃの硫酸銅鍍金洛中で、電流密
度２ Ａ／ｄｍ”で７分間電気鍍金を行ないカプトン上
に膜厚２．１μｍの銅被膜を形成した。
この銅被膜上にフォトレジスト（アルカリ水溶液現像型
）を５〜７μｍ塗布し、露光し、現像した後、過酸化水
素水と硫酸の混合溶液を用いて銅被膜を溶解し、除去し
、次いでフォトレジストを剥離して、−辺が１０．０
ａｍ及び１．０ｍｍの２個の正方形のカプトンの露出面
をもつ銅被膜のマスクを形成した。
）を５〜７μｍ塗布し、露光し、現像した後、過酸化水
素水と硫酸の混合溶液を用いて銅被膜を溶解し、除去し
、次いでフォトレジストを剥離して、−辺が１０．０
ａｍ及び１．０ｍｍの２個の正方形のカプトンの露出面
をもつ銅被膜のマスクを形成した。
次に、カプトンの露出面に液温６０°Ｃのヒドラジン１
水和物とエチレンジアミンの容量比１：ｌの混合溶液を
エツチング液として４分間噴霧してカプトンのエツチン
グを行なった。エツチング終了後、銅のマスクを５００
ｇ／ｌの塩化第二鉄水溶液で溶解し、除去した。この
結果、−辺が１０゜２ ｍｍ及び１．２ｍｍの正方形の
直線性のよい開口部をもったカプトンを得ることができ
た。また、エツチングの間に銅マスクとカプトンとの剥
離は起きなかった。なお、マスク寸法に対して開口部の
寸法がそれぞれ０．２ｍｍ増加しているのは、エツチン
グの進行がカプトンの厚み方向と共に平面方向にも進行
するためである。
水和物とエチレンジアミンの容量比１：ｌの混合溶液を
エツチング液として４分間噴霧してカプトンのエツチン
グを行なった。エツチング終了後、銅のマスクを５００
ｇ／ｌの塩化第二鉄水溶液で溶解し、除去した。この
結果、−辺が１０゜２ ｍｍ及び１．２ｍｍの正方形の
直線性のよい開口部をもったカプトンを得ることができ
た。また、エツチングの間に銅マスクとカプトンとの剥
離は起きなかった。なお、マスク寸法に対して開口部の
寸法がそれぞれ０．２ｍｍ増加しているのは、エツチン
グの進行がカプトンの厚み方向と共に平面方向にも進行
するためである。
［実施例−２コ
ポリイミド樹脂としてフィルム厚１２５μｍの表面処理
後のカプトンを用いて、実施例１と同様に処理して銅の
マスクを形成し、カプトンのエツチングを８分間行ない
、つづいて銅のマスクを溶解し、除去した。その結果、
−辺１０．６ｍ＋＋＋および、−辺１．Ｂｙａｍの直線
性のよい正方形の開口部を得た。この間銅のマスクとカ
プトンとの剥離は起きなかった。
後のカプトンを用いて、実施例１と同様に処理して銅の
マスクを形成し、カプトンのエツチングを８分間行ない
、つづいて銅のマスクを溶解し、除去した。その結果、
−辺１０．６ｍ＋＋＋および、−辺１．Ｂｙａｍの直線
性のよい正方形の開口部を得た。この間銅のマスクとカ
プトンとの剥離は起きなかった。
［比較例］
実施例−１と同様の操作で膜厚１．２μｍの銅被膜を形
成したカプトンを用いて、実施例−１と同様に銅のマス
クを形成し、カプトンのエツチングを行なった。その結
果、エツチング液を噴霧して２分間経過したときに銅の
マスクとカプトンとの剥離が起こった。
成したカプトンを用いて、実施例−１と同様に銅のマス
クを形成し、カプトンのエツチングを行なった。その結
果、エツチング液を噴霧して２分間経過したときに銅の
マスクとカプトンとの剥離が起こった。
［発明の効果］
本発明の方法によれば、銅被膜はポリイミド樹脂のエツ
チング液に対する耐食性に優れ、高温度で且つ長時間の
エツチングにも適用可能である。
チング液に対する耐食性に優れ、高温度で且つ長時間の
エツチングにも適用可能である。
また、銅被膜とポリイミド樹脂との間へのエツチング液
の侵入やマスクの剥離は起きず、要求される形状の孔を
安定的に形成することができる。更に、本発明の方法の
マスクは銅であるがゆえにポリイミド樹脂のエツチング
終了後のマスクの剥１ｆｔｍや除去が極めて容易である
。
の侵入やマスクの剥離は起きず、要求される形状の孔を
安定的に形成することができる。更に、本発明の方法の
マスクは銅であるがゆえにポリイミド樹脂のエツチング
終了後のマスクの剥１ｆｔｍや除去が極めて容易である
。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (1)
- ポリイミド樹脂表面上に、銅被膜を２μｍ以上に形成
し、該銅被膜にホトエッチングを施してマスク形状に加
工した後、該銅被膜をマスク材としてエッチングするこ
とを特徴とするポリイミド樹脂のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464888A JPH01321682A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464888A JPH01321682A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01321682A true JPH01321682A (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=15588825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15464888A Pending JPH01321682A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01321682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006127721A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming via hole in substrate for flexible printed circuit board |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4956174A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-05-31 | ||
| JPS57143893A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of machining flexible circuit board |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15464888A patent/JPH01321682A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4956174A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-05-31 | ||
| JPS57143893A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of machining flexible circuit board |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006127721A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming via hole in substrate for flexible printed circuit board |
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