JPH0133356B2 - - Google Patents
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- JPH0133356B2 JPH0133356B2 JP54084222A JP8422279A JPH0133356B2 JP H0133356 B2 JPH0133356 B2 JP H0133356B2 JP 54084222 A JP54084222 A JP 54084222A JP 8422279 A JP8422279 A JP 8422279A JP H0133356 B2 JPH0133356 B2 JP H0133356B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
本発明は高密度エネルギー光の照射によつて熱
的に変形する記録層を有する記録材料に関するも
のである。 ストロボ光やレーザ光等の高密度エネルギー光
が照射されるとその記録層が高密度エネルギー光
の熱によつて融解、蒸発、凝集などの熱的な変形
を生じ、その変形した領域の光学的な特性が変化
することによつて情報が記録される熱的（ヒート
モード）記録材料が知られている。このような熱
的記録材料への記録方法における高密度エネルギ
ー光の照射方法としては、たとえば記録すべき情
報を電気的な時系列信号に変換し、その信号に応
じてレーザ光の光度を変調し、その変調したレー
ザ光を記録材料上を走査させる方法や、二次元的
な光学的情報体を介してストロボ光によつて平面
的に照射するかレーザ光などの走査によつて照射
する方法などがあるが、きわめて短時間の照射の
みで熱的な変形を起こさせてしまうものが多く、
照射すなわち記録の完了であつて現像などの後処
理が不要なものが一般的であり、従来より多くの
研究がなされている。 例えば、特開昭48−19303号公報に記載の記録
方法は、基板上に分散性画像形成層例えばテル
ル、テルルもしくはセレンを含むカルコゲン化合
物、ビスマス、鉛のように画像形成層を設け、該
画像形成層に閾値以上のエネルギーを与えて、そ
の部分の画像形成物質を微少に分散させ光学的特
性を変化させる方法である。しかしながら、上記
特開昭48−19303号公報に記載の記録方法は、画
像形成に要するエネルギーが大きい、すなわち記
録材料の感度が低いという欠点を有している。 本発明は、上記の欠点を改良した高感度の記録
材料を提供するものである。 すなわち本発明は、基板上に設けられた高密度
エネルギー光の照射により熱的変形を生ずる記録
層が、第１層としてビスマス、第２層としてイン
ジウムを蒸着により順次積層してなる記録層であ
ることを特徴とする記録材料である。 本発明の記録材料を図面によつて説明する。 第１図は、本発明の記録材料の１例の断面図で
あり、基板１に接してビスマス２が設けられてお
り、そのビスマス２に接してインジウム３が順次
設けられた構造である。本発明においてビスマス
２、インジウム３の配列順序は本質的なものであ
り、この場合にのみ高感度の記録材料が得られ
る。 また、本発明の記録材料の別の特徴は、ビスマ
スおよびインジウムがそれぞれ単独で基板上に設
けられた場合の光学濃度の和、あるいは本発明の
構成要素を本発明以外の配列順序に積層した場合
の光学濃度、あるいは両構成要素を混合した場合
の光学濃度よりも本発明記録材料の光学濃度の方
がはるかに大きいことである。上記の関係は第１
表に示されており、本発明の記録層の光学濃度が
特異的に大きいことがわかる。 上記の高感度になる理由及び光学濃度が増大す
る理由は、かならずしも明らかではないが、第１
層のビスマス上に第２層のインジウムを蒸着する
ことにより、ビスマスとインジウムとの熱的に不
安定な構造が凍結されるからではないかと推定さ
れる。 本発明に用いられる基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリカーボネート等のプラ
スチツク、ガラス、紙、板状または箔状の金属等
の一般的な記録材料の基板でよい。 さらに上記した各基板上に、無機物、金属、有
機物、高分子化合物等からなる層を記録感度上昇
のためあるいはビスマスの固着性向上のために設
けてもよい。 本発明において、蒸着とは、通常の抵抗加熱方
式による真空蒸着はもちろんであるが、電子ビー
ム加熱方式の真空蒸着、スパツタリング、イオン
プレーテイング等を含むものである。このような
蒸着により設けられる第１層ビスマス２の膜厚は
50A〜10000A、好ましくは50A〜1000Aであり、
第２層インジウム３の膜厚は50A〜10000A、好
ましくは50A〜1000Aであるが、上記の膜厚は画
像として必要な光学濃度を与える膜厚を適宜選ぶ
ことができる。 さらに本発明の記録材料に公知の反射防止層、
および保護層を設けることは何ら制限されるもの
ではない。 反射防止層としては、例えばPbO、WO3、
TiO2、SiO、SiO2、ZrO2などの酸化物、Ge、In、
Sn、Cu、Ag、Fe、Bi、Al、Si、Zn、Ｖのカル
コゲン化物、As、Sb、Ｐ、Ge、Si、Teなどの蒸
着等によつて設けた層を使用できる。GeS、
SnS、PbI2などは特に好ましい反射防止層形成物
質である。保護層としては、Al2O3、SiO2、SiO、
MgO、ZnO、MgF2、CuF2などの無機物質、ポ
リスチレン、スチレン−無水マレイン酸樹脂のご
ときスチレン系樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニ
ルアルコール、ブチラール、ポリビニルホルマー
ルの如き酢酸ビニル系樹脂、ポリメタクリル酸イ
ソブチル、ポリメタクリル酸メチルのごときメタ
クリル酸エステル系樹脂、ポリダイアセトンアク
リルアミド、ポリアクリルアミドのごときアミド
系樹脂、エチルセルロース、酢酸ラク酸セルロー
ス、硝酸セルロース、ジアセチルセルロースのご
ときセルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、塩素化
ポリエチレンのごときポリハロゲン化オレフイ
ン、フエノール樹脂、可溶性ポリエステル、可溶
性ナイロン、ゼラチン等及びこれらの共重合物等
の有機高分子物質が用いられる。 本発明の記録材料を用いて記録する方式として
は、原稿のパターンに応じて熱パターンを本記録
材料に印加するサーモグラフ方式、高強度の閃光
を照射する方式、針状電極を本記録材料に接触走
査して記録層中に電流を流して熱を発生させ、熱
パターンを記録させる方式、さらにレーザー等の
高密度の光ビームを照射する方式等がある。 上記のごとき記録方式を使つて本記録材料に記
録すれば、直接もしくは間接的に熱エネルギーが
印加された領域の記録層は、融解、蒸発等の熱的
変形により微少な粒子に分散するため、光学濃度
が低下し、記録がなされる。 本発明の記録材料を用いれば、リアルタイムで
記録でき、一切の現像定着等を必要とせず、通常
の室内光で記録されないため暗室作業が不要で、
追加記録が可能であり、さらに従来の記録材料に
比べて高感度であるため、熱エネルギーを印加す
るための方式が簡単になりかつ高速度で記録でき
る等の利点がある。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 厚さ100μのポリエチレンテレフタレート基板
上に第１表に記載された金属を蒸着して記録層を
形成し、記録材料を作成した。真空度は５×
10-5torrであり、加熱ヒーターとしてはタングス
テンのボート型のものを使用し、膜厚は、米国ス
ローン社製DTM−200型水晶振動子式膜厚モニ
ターで読み取つた。各金属の蒸着速度は10〜
20A／秒であつた。なお第１表には各記録材料の
可視光線に対する透過濃度も示してある。記録材
料の感度は、銀塩マスクを記録材料に重ね、サン
パツク製ストロボオートズーム4000（ガイドナン
バー40）を銀塩マスクに密着して発光させマスク
像を露光し画像が得られるかどうかで判定した。
本発明の記録材料は試料番号１である。光学濃度
が高くかつ鮮明な画像が得られた（記録感度が高
い）のは番号１のみであつた。
的に変形する記録層を有する記録材料に関するも
のである。 ストロボ光やレーザ光等の高密度エネルギー光
が照射されるとその記録層が高密度エネルギー光
の熱によつて融解、蒸発、凝集などの熱的な変形
を生じ、その変形した領域の光学的な特性が変化
することによつて情報が記録される熱的（ヒート
モード）記録材料が知られている。このような熱
的記録材料への記録方法における高密度エネルギ
ー光の照射方法としては、たとえば記録すべき情
報を電気的な時系列信号に変換し、その信号に応
じてレーザ光の光度を変調し、その変調したレー
ザ光を記録材料上を走査させる方法や、二次元的
な光学的情報体を介してストロボ光によつて平面
的に照射するかレーザ光などの走査によつて照射
する方法などがあるが、きわめて短時間の照射の
みで熱的な変形を起こさせてしまうものが多く、
照射すなわち記録の完了であつて現像などの後処
理が不要なものが一般的であり、従来より多くの
研究がなされている。 例えば、特開昭48−19303号公報に記載の記録
方法は、基板上に分散性画像形成層例えばテル
ル、テルルもしくはセレンを含むカルコゲン化合
物、ビスマス、鉛のように画像形成層を設け、該
画像形成層に閾値以上のエネルギーを与えて、そ
の部分の画像形成物質を微少に分散させ光学的特
性を変化させる方法である。しかしながら、上記
特開昭48−19303号公報に記載の記録方法は、画
像形成に要するエネルギーが大きい、すなわち記
録材料の感度が低いという欠点を有している。 本発明は、上記の欠点を改良した高感度の記録
材料を提供するものである。 すなわち本発明は、基板上に設けられた高密度
エネルギー光の照射により熱的変形を生ずる記録
層が、第１層としてビスマス、第２層としてイン
ジウムを蒸着により順次積層してなる記録層であ
ることを特徴とする記録材料である。 本発明の記録材料を図面によつて説明する。 第１図は、本発明の記録材料の１例の断面図で
あり、基板１に接してビスマス２が設けられてお
り、そのビスマス２に接してインジウム３が順次
設けられた構造である。本発明においてビスマス
２、インジウム３の配列順序は本質的なものであ
り、この場合にのみ高感度の記録材料が得られ
る。 また、本発明の記録材料の別の特徴は、ビスマ
スおよびインジウムがそれぞれ単独で基板上に設
けられた場合の光学濃度の和、あるいは本発明の
構成要素を本発明以外の配列順序に積層した場合
の光学濃度、あるいは両構成要素を混合した場合
の光学濃度よりも本発明記録材料の光学濃度の方
がはるかに大きいことである。上記の関係は第１
表に示されており、本発明の記録層の光学濃度が
特異的に大きいことがわかる。 上記の高感度になる理由及び光学濃度が増大す
る理由は、かならずしも明らかではないが、第１
層のビスマス上に第２層のインジウムを蒸着する
ことにより、ビスマスとインジウムとの熱的に不
安定な構造が凍結されるからではないかと推定さ
れる。 本発明に用いられる基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリカーボネート等のプラ
スチツク、ガラス、紙、板状または箔状の金属等
の一般的な記録材料の基板でよい。 さらに上記した各基板上に、無機物、金属、有
機物、高分子化合物等からなる層を記録感度上昇
のためあるいはビスマスの固着性向上のために設
けてもよい。 本発明において、蒸着とは、通常の抵抗加熱方
式による真空蒸着はもちろんであるが、電子ビー
ム加熱方式の真空蒸着、スパツタリング、イオン
プレーテイング等を含むものである。このような
蒸着により設けられる第１層ビスマス２の膜厚は
50A〜10000A、好ましくは50A〜1000Aであり、
第２層インジウム３の膜厚は50A〜10000A、好
ましくは50A〜1000Aであるが、上記の膜厚は画
像として必要な光学濃度を与える膜厚を適宜選ぶ
ことができる。 さらに本発明の記録材料に公知の反射防止層、
および保護層を設けることは何ら制限されるもの
ではない。 反射防止層としては、例えばPbO、WO3、
TiO2、SiO、SiO2、ZrO2などの酸化物、Ge、In、
Sn、Cu、Ag、Fe、Bi、Al、Si、Zn、Ｖのカル
コゲン化物、As、Sb、Ｐ、Ge、Si、Teなどの蒸
着等によつて設けた層を使用できる。GeS、
SnS、PbI2などは特に好ましい反射防止層形成物
質である。保護層としては、Al2O3、SiO2、SiO、
MgO、ZnO、MgF2、CuF2などの無機物質、ポ
リスチレン、スチレン−無水マレイン酸樹脂のご
ときスチレン系樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニ
ルアルコール、ブチラール、ポリビニルホルマー
ルの如き酢酸ビニル系樹脂、ポリメタクリル酸イ
ソブチル、ポリメタクリル酸メチルのごときメタ
クリル酸エステル系樹脂、ポリダイアセトンアク
リルアミド、ポリアクリルアミドのごときアミド
系樹脂、エチルセルロース、酢酸ラク酸セルロー
ス、硝酸セルロース、ジアセチルセルロースのご
ときセルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、塩素化
ポリエチレンのごときポリハロゲン化オレフイ
ン、フエノール樹脂、可溶性ポリエステル、可溶
性ナイロン、ゼラチン等及びこれらの共重合物等
の有機高分子物質が用いられる。 本発明の記録材料を用いて記録する方式として
は、原稿のパターンに応じて熱パターンを本記録
材料に印加するサーモグラフ方式、高強度の閃光
を照射する方式、針状電極を本記録材料に接触走
査して記録層中に電流を流して熱を発生させ、熱
パターンを記録させる方式、さらにレーザー等の
高密度の光ビームを照射する方式等がある。 上記のごとき記録方式を使つて本記録材料に記
録すれば、直接もしくは間接的に熱エネルギーが
印加された領域の記録層は、融解、蒸発等の熱的
変形により微少な粒子に分散するため、光学濃度
が低下し、記録がなされる。 本発明の記録材料を用いれば、リアルタイムで
記録でき、一切の現像定着等を必要とせず、通常
の室内光で記録されないため暗室作業が不要で、
追加記録が可能であり、さらに従来の記録材料に
比べて高感度であるため、熱エネルギーを印加す
るための方式が簡単になりかつ高速度で記録でき
る等の利点がある。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 厚さ100μのポリエチレンテレフタレート基板
上に第１表に記載された金属を蒸着して記録層を
形成し、記録材料を作成した。真空度は５×
10-5torrであり、加熱ヒーターとしてはタングス
テンのボート型のものを使用し、膜厚は、米国ス
ローン社製DTM−200型水晶振動子式膜厚モニ
ターで読み取つた。各金属の蒸着速度は10〜
20A／秒であつた。なお第１表には各記録材料の
可視光線に対する透過濃度も示してある。記録材
料の感度は、銀塩マスクを記録材料に重ね、サン
パツク製ストロボオートズーム4000（ガイドナン
バー40）を銀塩マスクに密着して発光させマスク
像を露光し画像が得られるかどうかで判定した。
本発明の記録材料は試料番号１である。光学濃度
が高くかつ鮮明な画像が得られた（記録感度が高
い）のは番号１のみであつた。
【表】
○；鮮明な画像が得られた。
×；画像が得られなかつた。
×；画像が得られなかつた。
第１図は本発明の記録材料の１例の断面図であ
る。図において１は基板、２はビスマス、３はイ
ンジウムである。
る。図において１は基板、２はビスマス、３はイ
ンジウムである。
Claims (1)
- １ 基板上に設けられた高密度エネルギー光の照
射により熱的変形を生ずる記録層が、第１層とし
てビスマス、第２層としてインジウムを蒸着によ
り順次積層してなることを特徴とする記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8422279A JPS568293A (en) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | Recording material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8422279A JPS568293A (en) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | Recording material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS568293A JPS568293A (en) | 1981-01-28 |
| JPH0133356B2 true JPH0133356B2 (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=13824445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8422279A Granted JPS568293A (en) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | Recording material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS568293A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60147391A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-03 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録担体 |
| US6033752A (en) * | 1997-05-22 | 2000-03-07 | Kao Corporation | Optical recording medium and method for recording optical information |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928478B2 (ja) * | 1975-05-19 | 1984-07-13 | キヤノン株式会社 | レ−ザ−ビ−ム記録方法 |
| JPS5331108A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-24 | Hitachi Ltd | Information recording member |
-
1979
- 1979-07-03 JP JP8422279A patent/JPS568293A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS568293A (en) | 1981-01-28 |
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