JPH0133357B2 - - Google Patents
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- JPH0133357B2 JPH0133357B2 JP54084223A JP8422379A JPH0133357B2 JP H0133357 B2 JPH0133357 B2 JP H0133357B2 JP 54084223 A JP54084223 A JP 54084223A JP 8422379 A JP8422379 A JP 8422379A JP H0133357 B2 JPH0133357 B2 JP H0133357B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
本発明は高密度エネルギー光の照射によつて熱
的に変形する記録層を有する記録材料に関するも
のである。 レーザ光等の高密度エネルギー光が照射される
とその記録層が高密度エネルギー光の熱によつて
融解、蒸発、凝集などの熱的な変形を生じ、その
変形した領域の光学的な特性が変化することによ
つて情報が記録される熱的（ヒート・モード）記
録材料が知られている。このような熱的記録材料
への記録方法における高密度エネルギー光の照射
方法としては、たとえば記録すべき情報を電気的
な時系列信号に変換し、その信号に応じてレーザ
光の強度を変調し、その変調したレーザ光を記録
材料上を走査させる方法や、２次元的な光学的情
報体を介してストロボ光によつて平面的に照射す
るかレーザ光などの走査によつて照射する方法な
どがあるが、きわめて短時間の照射のみで熱的な
変形を起こさせてしまうものが多く、照射すなわ
ち記録の完了であつて現像などの後処理が不要な
ものが一般である。 このような熱的記録材料の記録層としては金
属、染料、プラスチツク等の安価な材料を用いる
ことができるが、記録感度の高いものとしては特
定の金属を用いるものや各種の層構成のものが知
られている。たとえば特公昭46−40479号公報に
は記録層がゲルマニウム、ビスマス、セレンの三
層から構成されるものが記録されている。こゝで
ゲルマニウム層はビスマス層の照射光に対する反
射率を低下させるものであり、セレン層は蒸発し
易い層であり、いずれもビスマス単層の場合より
も少ないエネルギーによつて主なる記録層である
ビスマス層の熱的な変形を促進させる。さらに反
射減少ないし反射防止をするための層は特開昭50
−151151号公報や特公昭51−14263号公報にも記
載されている。また記録層とその支持体との間の
熱伝導を減少させる層を設けたものは特開昭50−
126237号公報や特開昭51−16026号公報に記載さ
れている。また本発明者等の出願による特開昭51
−78236号公報および特開昭52−20821号公報には
金属硫化物、金属ふつ化物あるいは金属酸化物を
金属と重層あるいは混合した記録層が記載されて
おり、また特開昭53−83617号公報には、ハロゲ
ン化物を金属と重層あるいは混合した記録層が記
載されている。本発明者はさらに鋭意研究を重ね
た結果上述の各記録材料より同等以上の高感度の
新しい記録材料を見出し、本発明に結びついたも
のである。 本発明の目的は高感度の熱的記録材料を提供す
ることである。また本発明の目的は記録画質のす
ぐれた高感度の熱的記録材料を提供することであ
る。また本発明の目的は公害発生の危険のない高
感度の記録材料を提供することである。さらに本
発明の目的は安価でしかも製造工程の少ない高感
度の記録材料を提供することである。 すなわち本発明は、基板上に設けられた高密度
エネルギー光の照射により熱的変形を生ずる記録
層が第１層として金属、第２層として有機物、第
３層として金属を蒸着により順次積層してなる記
録層であることを特徴とする記録材料である。 本発明において蒸着とは、通常の抵抗加熱方式
による真空蒸着はもちろん；電子ビーム加熱方式
の真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイ
ング及びプラズマデポジツシヨン等を含む方法の
ことである。 本発明に用いられる基板としてはプラスチツク
ス、紙、ガラス等従来より知られている一般の記
録材料の基板と同じものでよい。また高密度エネ
ルギー光とは集束されたレーザ光がストロボ光の
ごとき光であり記録材料の記録層を熱的に変形さ
せるものであればよい。熱的変形とは融解、蒸発
凝集、その他の熱が原因となつて起きる変形であ
り、その変形の結果非変形領域とは光学的な諸特
性たとえば透過率、反射率、光散乱性などに容易
に検知しうる差異を有する程度の変形であればよ
い。 本発明に用いられる金属としては各種のものが
可能であり、たとえば特開昭52−20821号公報に
開示されているものでよく、特に実用性の点から
Mg、Mn、Cu、Zn、Al、In、Sn、Biなどがよ
い。とりわけ低触点、仮反射率のものとしてIn、
Sn、Biなどが好ましい金属である。これらの金
属は単独であるいは２個以上または合金の状態で
本発明に用いられる。また第１層に使用する金属
と第３層として使用する金属は同一でもよいし、
異つていてもよい。 本発明に用いられる有機物質としては各種のも
のがある。それらの有機物質として必要な条件は
少なくとも常温で固体で真空蒸着が可能な性質を
有することである。融点、昇華温度などは可能な
限り低いことが好ましいが、その物質の蒸着前あ
るいは蒸着後の安定性のよいものが好ましい。し
かしながら有機物質の場合はその融点、昇華温度
は350℃程度のものが多いのでほとんどのものを
用いることができる。たとえば有機カルボン酸は
本発明に用いられる好ましい有機物質であり、ベ
ヘン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ミリスチ
ン酸などで例示される高級脂肪酸、フタール酸、
イソフタール酸、ピロメリツト酸、アニス酸、ク
マリン酸、ケイ皮酸などで例示される芳香環を有
するカルボン酸、フマール酸、コハク酸、セバシ
ン酸、シユウ酸、ピメリン酸などで例示される多
価カルボン酸、その他アビエチン酸などが好まし
いものである。これらの酸の塩およびエステル類
も同様に好ましいものである。またスルフアニル
酸のごとき芳香族スルホン酸も好ましい有機物質
である。高分子化合物も好ましい有機物質であ
り、たとえばポリメタクリル酸、ポリスチレン、
ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
オキサイド、メチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール、ポリメタアクリル酸メチル、ポリメタア
クリル酸イソブチル、ポリエチレン、ロジン樹脂
などがある。有機非環式硫黄化合物も好ましい有
機物質であり、たとえばチオ尿素およびその誘導
体、ジチゾンなどのチオセミカルバジドおよびそ
の誘導体、ジエチルジチオカルバミン酸などのチ
オカルバミン酸およびその誘導体、チオベンゾフ
エノンおよびその誘導体がある。窒素あるいは硫
黄を有するヘテロ環化合物も好ましい有機物質で
あり、たとえばベンツイミダゾール、２−メルカ
プトベンツイミダゾール等のイミダゾールおよび
その誘導体、ベンツトリアゾール等のトリアゾー
ルおよびその誘導体、メルカプト、フエニルテト
ラゾール等のテトラゾールおよびその誘導体等、
ベンツチアゾール、２メルカプトベンツチアゾー
ル、２−アミノベンツチアゾールなどのチアゾー
ルおよびその誘導体がある。さらに、核酸中に含
まれるピリミジン塩基であるシトシン、ウラシ
ル、チミン、５−メチルシトシン、オキシメチル
シトシンは、無毒性であり、好ましく用いられ
る。 これらの有機物質は単独であるいは適当な組み
合せで本発明に用いられる。 以下に図面により本発明の記録材料を説明す
る。第１図〜第４図は、従来からよく知られてい
る熱的記録材料の断面図であり、第５図は本発明
の記録材料の１例の断面図である。各図を通し
て、１は基板、２は金属層、３は反射防止層、４
は有機物層、５は金属と無機物又は有機物の混合
層である。 本発明の記録材料（第５図）において、基板１
に接して第１層の金属２が設けられており、上記
第１層の上に第２層の有機物４が設けられ、さら
に第２層上に第３層の金属６が設けられている。 本発明の記録材料（第５図）における第１層の
金属２は、公知の記録材料（第１図〜第４図）の
金属２もしくは金属と無機化合物あるいは有機化
合物の混合層５と同様に主として記録材料の光学
濃度を決定するものである。 第１層の金属２の膜厚は、100〜5000A、好ま
しくは200〜2000Aであるが、金属の光学的性質
やその他の物理的、化学的性質、製造条件、ある
いは記録材料の用途に応じて、適当に決定するこ
とができる。 本発明において、第２層の有機物４、第３層の
金属６は第１層上に順次積層することにより、記
録に要する高密度エネルギー光に対する反射率を
低下することができ、照射した光を記録層が有効
に吸収することができる。 有機物と金属とを順次積層することにより反射
率が低下する理由はかならずしも明らかではない
が、第２層の有機物４の上に第３層の金属６を蒸
着により設ける際に、有機物と金属とが何らかの
相互作用を起こしているか、もしくは、有機物上
に金属を蒸着することにより、金属が微少な島状
に分散するかして、反射率が低下するものと考え
られる。 第２層、第３層の膜厚は、有機物の種類、金属
の種類、製造条件等により異なるが、記録材料の
反射率が最低になるように適当に選ぶことができ
る。 第２層の有機物４の膜厚としては10A〜
3000A、好ましくは50A〜500Aであり、第３層の
金属６の膜厚は10A〜2000A、好ましくは30A〜
500Aである。 上記第１層金属、第２層有機物、第３層金属
は、いわゆる層状構造ではなく、島状構造、一部
互に反応したような構造でもよく、均一な層状で
ある必要はない。 有機物は一般に熱伝導性が悪いために、光が照
射された領域から逃げにくいので吸収された熱が
有効にその領域の記録物質の熱的変形に利用され
る。また熱的に変形した領域の記録物質は有機物
質のために容易に小さい球状に凝集するので記録
痕跡は非照射部との境界が明瞭であるので解像度
の良好な記録がなされる。 また、本発明の記録層を構成する金属及び有機
物はほとんど毒性はなく、安価であり、全て蒸着
により製造することができるので製造プロセスも
簡単となり高感度の記録材料を得ることが可能で
ある。 以下、実施例により、本発明を説明するが、本
発明はこれらによつて限定されるものではない。 実施例 １ 厚さ100μのポリエチレンテレフタレート基板
上に、真空度５×10-5torrでSnを300A蒸着した。
次いで同一真空装置内でポリエチレン（三洋化成
製、サンワツクス）を300A蒸着し、さらにSnを
100A蒸着して本発明試料を作成した。比較試料
１としてSnを300A蒸着しただけの試料、比較試
料２としてSn300A蒸着し、次にポリエチレン
300A蒸着した試料を用意した。 これらの記録材料にアルゴンイオンレーザ光
（波長5145A）を25mm径に集光して走査速度19
ｍ／secで照射し熱的変形を起こさせて照射部の
透過濃度を低下させることにより記録をおこなつ
た。この記録に要するレーザ光の最小出力強度
（以下閾値と称する）を求め、この閾値の大小で
各記録材料の相対的な感度評価を行つた。本発明
による記録材料は比較試料１、比較試料２に比べ
て記録に要する閾値が1/3より小さいから、本発
明によつて３倍以上の感度上昇が得られた。第１
表に上記の結果及び、可視光に対する透過濃度を
示す。
的に変形する記録層を有する記録材料に関するも
のである。 レーザ光等の高密度エネルギー光が照射される
とその記録層が高密度エネルギー光の熱によつて
融解、蒸発、凝集などの熱的な変形を生じ、その
変形した領域の光学的な特性が変化することによ
つて情報が記録される熱的（ヒート・モード）記
録材料が知られている。このような熱的記録材料
への記録方法における高密度エネルギー光の照射
方法としては、たとえば記録すべき情報を電気的
な時系列信号に変換し、その信号に応じてレーザ
光の強度を変調し、その変調したレーザ光を記録
材料上を走査させる方法や、２次元的な光学的情
報体を介してストロボ光によつて平面的に照射す
るかレーザ光などの走査によつて照射する方法な
どがあるが、きわめて短時間の照射のみで熱的な
変形を起こさせてしまうものが多く、照射すなわ
ち記録の完了であつて現像などの後処理が不要な
ものが一般である。 このような熱的記録材料の記録層としては金
属、染料、プラスチツク等の安価な材料を用いる
ことができるが、記録感度の高いものとしては特
定の金属を用いるものや各種の層構成のものが知
られている。たとえば特公昭46−40479号公報に
は記録層がゲルマニウム、ビスマス、セレンの三
層から構成されるものが記録されている。こゝで
ゲルマニウム層はビスマス層の照射光に対する反
射率を低下させるものであり、セレン層は蒸発し
易い層であり、いずれもビスマス単層の場合より
も少ないエネルギーによつて主なる記録層である
ビスマス層の熱的な変形を促進させる。さらに反
射減少ないし反射防止をするための層は特開昭50
−151151号公報や特公昭51−14263号公報にも記
載されている。また記録層とその支持体との間の
熱伝導を減少させる層を設けたものは特開昭50−
126237号公報や特開昭51−16026号公報に記載さ
れている。また本発明者等の出願による特開昭51
−78236号公報および特開昭52−20821号公報には
金属硫化物、金属ふつ化物あるいは金属酸化物を
金属と重層あるいは混合した記録層が記載されて
おり、また特開昭53−83617号公報には、ハロゲ
ン化物を金属と重層あるいは混合した記録層が記
載されている。本発明者はさらに鋭意研究を重ね
た結果上述の各記録材料より同等以上の高感度の
新しい記録材料を見出し、本発明に結びついたも
のである。 本発明の目的は高感度の熱的記録材料を提供す
ることである。また本発明の目的は記録画質のす
ぐれた高感度の熱的記録材料を提供することであ
る。また本発明の目的は公害発生の危険のない高
感度の記録材料を提供することである。さらに本
発明の目的は安価でしかも製造工程の少ない高感
度の記録材料を提供することである。 すなわち本発明は、基板上に設けられた高密度
エネルギー光の照射により熱的変形を生ずる記録
層が第１層として金属、第２層として有機物、第
３層として金属を蒸着により順次積層してなる記
録層であることを特徴とする記録材料である。 本発明において蒸着とは、通常の抵抗加熱方式
による真空蒸着はもちろん；電子ビーム加熱方式
の真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイ
ング及びプラズマデポジツシヨン等を含む方法の
ことである。 本発明に用いられる基板としてはプラスチツク
ス、紙、ガラス等従来より知られている一般の記
録材料の基板と同じものでよい。また高密度エネ
ルギー光とは集束されたレーザ光がストロボ光の
ごとき光であり記録材料の記録層を熱的に変形さ
せるものであればよい。熱的変形とは融解、蒸発
凝集、その他の熱が原因となつて起きる変形であ
り、その変形の結果非変形領域とは光学的な諸特
性たとえば透過率、反射率、光散乱性などに容易
に検知しうる差異を有する程度の変形であればよ
い。 本発明に用いられる金属としては各種のものが
可能であり、たとえば特開昭52−20821号公報に
開示されているものでよく、特に実用性の点から
Mg、Mn、Cu、Zn、Al、In、Sn、Biなどがよ
い。とりわけ低触点、仮反射率のものとしてIn、
Sn、Biなどが好ましい金属である。これらの金
属は単独であるいは２個以上または合金の状態で
本発明に用いられる。また第１層に使用する金属
と第３層として使用する金属は同一でもよいし、
異つていてもよい。 本発明に用いられる有機物質としては各種のも
のがある。それらの有機物質として必要な条件は
少なくとも常温で固体で真空蒸着が可能な性質を
有することである。融点、昇華温度などは可能な
限り低いことが好ましいが、その物質の蒸着前あ
るいは蒸着後の安定性のよいものが好ましい。し
かしながら有機物質の場合はその融点、昇華温度
は350℃程度のものが多いのでほとんどのものを
用いることができる。たとえば有機カルボン酸は
本発明に用いられる好ましい有機物質であり、ベ
ヘン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ミリスチ
ン酸などで例示される高級脂肪酸、フタール酸、
イソフタール酸、ピロメリツト酸、アニス酸、ク
マリン酸、ケイ皮酸などで例示される芳香環を有
するカルボン酸、フマール酸、コハク酸、セバシ
ン酸、シユウ酸、ピメリン酸などで例示される多
価カルボン酸、その他アビエチン酸などが好まし
いものである。これらの酸の塩およびエステル類
も同様に好ましいものである。またスルフアニル
酸のごとき芳香族スルホン酸も好ましい有機物質
である。高分子化合物も好ましい有機物質であ
り、たとえばポリメタクリル酸、ポリスチレン、
ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
オキサイド、メチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール、ポリメタアクリル酸メチル、ポリメタア
クリル酸イソブチル、ポリエチレン、ロジン樹脂
などがある。有機非環式硫黄化合物も好ましい有
機物質であり、たとえばチオ尿素およびその誘導
体、ジチゾンなどのチオセミカルバジドおよびそ
の誘導体、ジエチルジチオカルバミン酸などのチ
オカルバミン酸およびその誘導体、チオベンゾフ
エノンおよびその誘導体がある。窒素あるいは硫
黄を有するヘテロ環化合物も好ましい有機物質で
あり、たとえばベンツイミダゾール、２−メルカ
プトベンツイミダゾール等のイミダゾールおよび
その誘導体、ベンツトリアゾール等のトリアゾー
ルおよびその誘導体、メルカプト、フエニルテト
ラゾール等のテトラゾールおよびその誘導体等、
ベンツチアゾール、２メルカプトベンツチアゾー
ル、２−アミノベンツチアゾールなどのチアゾー
ルおよびその誘導体がある。さらに、核酸中に含
まれるピリミジン塩基であるシトシン、ウラシ
ル、チミン、５−メチルシトシン、オキシメチル
シトシンは、無毒性であり、好ましく用いられ
る。 これらの有機物質は単独であるいは適当な組み
合せで本発明に用いられる。 以下に図面により本発明の記録材料を説明す
る。第１図〜第４図は、従来からよく知られてい
る熱的記録材料の断面図であり、第５図は本発明
の記録材料の１例の断面図である。各図を通し
て、１は基板、２は金属層、３は反射防止層、４
は有機物層、５は金属と無機物又は有機物の混合
層である。 本発明の記録材料（第５図）において、基板１
に接して第１層の金属２が設けられており、上記
第１層の上に第２層の有機物４が設けられ、さら
に第２層上に第３層の金属６が設けられている。 本発明の記録材料（第５図）における第１層の
金属２は、公知の記録材料（第１図〜第４図）の
金属２もしくは金属と無機化合物あるいは有機化
合物の混合層５と同様に主として記録材料の光学
濃度を決定するものである。 第１層の金属２の膜厚は、100〜5000A、好ま
しくは200〜2000Aであるが、金属の光学的性質
やその他の物理的、化学的性質、製造条件、ある
いは記録材料の用途に応じて、適当に決定するこ
とができる。 本発明において、第２層の有機物４、第３層の
金属６は第１層上に順次積層することにより、記
録に要する高密度エネルギー光に対する反射率を
低下することができ、照射した光を記録層が有効
に吸収することができる。 有機物と金属とを順次積層することにより反射
率が低下する理由はかならずしも明らかではない
が、第２層の有機物４の上に第３層の金属６を蒸
着により設ける際に、有機物と金属とが何らかの
相互作用を起こしているか、もしくは、有機物上
に金属を蒸着することにより、金属が微少な島状
に分散するかして、反射率が低下するものと考え
られる。 第２層、第３層の膜厚は、有機物の種類、金属
の種類、製造条件等により異なるが、記録材料の
反射率が最低になるように適当に選ぶことができ
る。 第２層の有機物４の膜厚としては10A〜
3000A、好ましくは50A〜500Aであり、第３層の
金属６の膜厚は10A〜2000A、好ましくは30A〜
500Aである。 上記第１層金属、第２層有機物、第３層金属
は、いわゆる層状構造ではなく、島状構造、一部
互に反応したような構造でもよく、均一な層状で
ある必要はない。 有機物は一般に熱伝導性が悪いために、光が照
射された領域から逃げにくいので吸収された熱が
有効にその領域の記録物質の熱的変形に利用され
る。また熱的に変形した領域の記録物質は有機物
質のために容易に小さい球状に凝集するので記録
痕跡は非照射部との境界が明瞭であるので解像度
の良好な記録がなされる。 また、本発明の記録層を構成する金属及び有機
物はほとんど毒性はなく、安価であり、全て蒸着
により製造することができるので製造プロセスも
簡単となり高感度の記録材料を得ることが可能で
ある。 以下、実施例により、本発明を説明するが、本
発明はこれらによつて限定されるものではない。 実施例 １ 厚さ100μのポリエチレンテレフタレート基板
上に、真空度５×10-5torrでSnを300A蒸着した。
次いで同一真空装置内でポリエチレン（三洋化成
製、サンワツクス）を300A蒸着し、さらにSnを
100A蒸着して本発明試料を作成した。比較試料
１としてSnを300A蒸着しただけの試料、比較試
料２としてSn300A蒸着し、次にポリエチレン
300A蒸着した試料を用意した。 これらの記録材料にアルゴンイオンレーザ光
（波長5145A）を25mm径に集光して走査速度19
ｍ／secで照射し熱的変形を起こさせて照射部の
透過濃度を低下させることにより記録をおこなつ
た。この記録に要するレーザ光の最小出力強度
（以下閾値と称する）を求め、この閾値の大小で
各記録材料の相対的な感度評価を行つた。本発明
による記録材料は比較試料１、比較試料２に比べ
て記録に要する閾値が1/3より小さいから、本発
明によつて３倍以上の感度上昇が得られた。第１
表に上記の結果及び、可視光に対する透過濃度を
示す。
【表】
実施例 ２
厚さ100μのポリエチレンテレフタレート基板
上に、真空度５×10-5torrでSnを300A蒸着した。
次いで同一真空装置内でウラシルを200A蒸着し、
さらにInを80A蒸着した。比較試料３として、Sn
を300A蒸着し、その上にGeSをさらに200A蒸着
した試料を用意した。 実施例１と同様の方法で感度評価を行つたとこ
ろ、第２表に示すごとく本発明の試料は閾値が
100ｍＷ、比較試料３は125ｍＷであり、本発明の
記録材料の方が20％以上高感度であつた。
上に、真空度５×10-5torrでSnを300A蒸着した。
次いで同一真空装置内でウラシルを200A蒸着し、
さらにInを80A蒸着した。比較試料３として、Sn
を300A蒸着し、その上にGeSをさらに200A蒸着
した試料を用意した。 実施例１と同様の方法で感度評価を行つたとこ
ろ、第２表に示すごとく本発明の試料は閾値が
100ｍＷ、比較試料３は125ｍＷであり、本発明の
記録材料の方が20％以上高感度であつた。
第１図〜第４図は公知の記録材料の断面図、第
５図は本発明の記録材料の層構成を示す断面図で
ある。 図中、１は基板、２は金属層、３は金属もしく
は無機物もしくは有機物の反射防止層、４は有機
物層、５は金属と無機物または有機物の混合層、
６は本発明の第３層としての金属層を示す。
５図は本発明の記録材料の層構成を示す断面図で
ある。 図中、１は基板、２は金属層、３は金属もしく
は無機物もしくは有機物の反射防止層、４は有機
物層、５は金属と無機物または有機物の混合層、
６は本発明の第３層としての金属層を示す。
Claims (1)
- １ 基板上に設けられた高密度エネルギー光の照
射により熱的変形を生ずる記録層が、第１層とし
て金属、第２層として有機物、第３層として金属
を蒸着により順次積層してなり、第１層及び第３
層の金属はMg、Mn、Cu、Zn、Al、In、Sn及び
Biからなる群から選ばれかつ膜厚がそれぞれ200
〜2000A及び30〜500Aであり、第２層の膜厚が
50〜500Aであることを特徴とする記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8422379A JPS568294A (en) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | Recording material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8422379A JPS568294A (en) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | Recording material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS568294A JPS568294A (en) | 1981-01-28 |
| JPH0133357B2 true JPH0133357B2 (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=13824472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8422379A Granted JPS568294A (en) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | Recording material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS568294A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121149A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-07-19 | Fujitsu Ltd | 記録媒体 |
| JPS59168948A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
| JPS6078786A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 光記録材料 |
| JPS60147391A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-03 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録担体 |
| WO2010062723A2 (en) * | 2008-11-03 | 2010-06-03 | Brigham Young University | Data storage media containing magnesium metal layer |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53141040A (en) * | 1977-05-16 | 1978-12-08 | Hitachi Ltd | Information recording material |
| JPS5454606A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-01 | Canon Inc | Recording medium |
| JPS5522961A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
-
1979
- 1979-07-03 JP JP8422379A patent/JPS568294A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS568294A (en) | 1981-01-28 |
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