JPH0136453B2 - - Google Patents
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- JPH0136453B2 JPH0136453B2 JP3286781A JP3286781A JPH0136453B2 JP H0136453 B2 JPH0136453 B2 JP H0136453B2 JP 3286781 A JP3286781 A JP 3286781A JP 3286781 A JP3286781 A JP 3286781A JP H0136453 B2 JPH0136453 B2 JP H0136453B2
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Landscapes
- Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式()
(式中、RはC4〜C10の直鎖アルキル基又は分枝
アルキル基を、Xはカルボキシル基又はシアノ基
を意味する)で表わされる新規なシクロヘキサン
誘導体に関するものである。
アルキル基を、Xはカルボキシル基又はシアノ基
を意味する)で表わされる新規なシクロヘキサン
誘導体に関するものである。
本発明の化合物は文献未載の新規化合物であ
り、抗腫瘍作用、抗アレルギー作用、肝機能改善
作用、抗リウマチ作用等の薬理作用を有し医薬品
として非常に有用な化合物である。
り、抗腫瘍作用、抗アレルギー作用、肝機能改善
作用、抗リウマチ作用等の薬理作用を有し医薬品
として非常に有用な化合物である。
従来、抗腫瘍剤としては一般にアルキル化剤、
代謝拮抗剤等が臨床上用いられているが、概して
副作用が強くその使用が制限されているのが現状
である。そこで本発明者等は副作用の弱い新規な
抗腫瘍活性化合物を求め鋭意研究を重ねた結果、
一般式()で表わされる新規化合物の合成に成
功し、薬理作用について種々検討したところ、こ
れらの化合物が顕著な抗腫瘍作用、抗アレルギー
作用、肝機能改善作用、抗リウマチ作用等の薬理
作用を有し、且つ副作用が皆無に等しいことを見
出し本発明を完成したのである。
代謝拮抗剤等が臨床上用いられているが、概して
副作用が強くその使用が制限されているのが現状
である。そこで本発明者等は副作用の弱い新規な
抗腫瘍活性化合物を求め鋭意研究を重ねた結果、
一般式()で表わされる新規化合物の合成に成
功し、薬理作用について種々検討したところ、こ
れらの化合物が顕著な抗腫瘍作用、抗アレルギー
作用、肝機能改善作用、抗リウマチ作用等の薬理
作用を有し、且つ副作用が皆無に等しいことを見
出し本発明を完成したのである。
次に本発明の製造法について説明するが、これ
は一例にすぎず勿論他の化学的類似方法によつて
も製造できるものである。
は一例にすぎず勿論他の化学的類似方法によつて
も製造できるものである。
但し、式中RはC4〜C10の直鎖アルキル基又は
分枝アルキル基、Xはカルボキシル基、アルコキ
シカルボニル基又はシアノ基を意味する。
分枝アルキル基、Xはカルボキシル基、アルコキ
シカルボニル基又はシアノ基を意味する。
但し、式中R及びXは前記と同じ意味を有す
る。
る。
但し、式中Rは前記と同じ意味を有し、Xはア
ルコキシカルボニル基又はシアノ基を意味する。
ルコキシカルボニル基又はシアノ基を意味する。
但し、式中Rは前記と同じ意味を有する。
尚、製造法Aの出発物質である一般式()で
表わされる化合物は本願出願人が特許を受けるべ
く本願と並行して出願中の特許出願に記載の方法
により合成すればよい。
表わされる化合物は本願出願人が特許を受けるべ
く本願と並行して出願中の特許出願に記載の方法
により合成すればよい。
又、製造法Bの出発物質である化合物()は
例えばジヨン・マークス(JOhn N. Marx)等
のジヤーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサエテイー(Journal of the American
Chemical Society)96、2121(’74)に準じて合
成すればよい。
例えばジヨン・マークス(JOhn N. Marx)等
のジヤーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサエテイー(Journal of the American
Chemical Society)96、2121(’74)に準じて合
成すればよい。
前記製造法について具体的に説明すると、製造
法Aは一般式()で表わされる化合物を触媒
(例えばラネーニツケル、パラジウム炭素、二酸
化白金、白金炭素等)の存在下で不活性溶媒(例
えばメタノール、エタノール、ジオキサン、酢酸
等)中、20〜150℃、1〜100気圧の範囲で水素添
加させるか、還元剤(例えば水素化アルミニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、ジボラン
等)の存在下で不活性溶媒(例えばジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン等)中、還元させれば
よい。
法Aは一般式()で表わされる化合物を触媒
(例えばラネーニツケル、パラジウム炭素、二酸
化白金、白金炭素等)の存在下で不活性溶媒(例
えばメタノール、エタノール、ジオキサン、酢酸
等)中、20〜150℃、1〜100気圧の範囲で水素添
加させるか、還元剤(例えば水素化アルミニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、ジボラン
等)の存在下で不活性溶媒(例えばジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン等)中、還元させれば
よい。
製造法Bは一般式()で表わされる化合物を
ラネーニツケルを触媒として不活性溶媒(例えば
酢酸エチル、メタノール、エタノール等)中、水
素添加させればよい。
ラネーニツケルを触媒として不活性溶媒(例えば
酢酸エチル、メタノール、エタノール等)中、水
素添加させればよい。
製造法C及びDは一般式()及び()で表
わされる化合物をアルカリ(例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等)又は酸(例えば塩酸、
硫酸等)を用いて加水分解させればよい。
わされる化合物をアルカリ(例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等)又は酸(例えば塩酸、
硫酸等)を用いて加水分解させればよい。
以下に実施例を示し本発明を更に具体的に説明
する。
する。
実施例 1
1−イソブチル−4−オキソシクロヘキサンカ
ルボニトリル37gとテトラヒドロフラン300mlと
の混合物に水素化ホウ素ナトリウム8.7gを少量
の水に溶解した溶液を徐々に加え8時間室温にて
撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し残渣に氷水
を加えエーテル抽出した。エーテル層を水洗、脱
水後溶媒を留去し残渣をイソプロピルエーテル・
ヘキサン混合溶媒より再結晶すると無色針状晶の
シス−4−ヒドロキシ−1−イソブチルシクロヘ
キサンカルボニトリル32.8gを得た。
ルボニトリル37gとテトラヒドロフラン300mlと
の混合物に水素化ホウ素ナトリウム8.7gを少量
の水に溶解した溶液を徐々に加え8時間室温にて
撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し残渣に氷水
を加えエーテル抽出した。エーテル層を水洗、脱
水後溶媒を留去し残渣をイソプロピルエーテル・
ヘキサン混合溶媒より再結晶すると無色針状晶の
シス−4−ヒドロキシ−1−イソブチルシクロヘ
キサンカルボニトリル32.8gを得た。
この物質の融点及び元素分析値は次の通りであ
つた。
つた。
融点 59〜61℃
元素分析値 C11H19NO
理論値 C:72.88 H:10.57 N:7.73
実測値 C:72.84 H:10.59 N:7.78
実施例 2
1−n−ブチル−4−オキソ−2−シクロヘキ
セン−1−カルボニトリル11gを酢酸エチル50ml
に溶解し、ラネーニツケル5gの存在下で室温、
3気圧下にて水素添加させた。反応終了後、触媒
を別し液は留去した。残渣をシリカゲル・イ
ソプロピルエーテルカラムクロマトグラフイーに
付して精製し減圧蒸留すると無色油状のシス−1
−n−ブチル−4−ヒドロキシシクロヘキサンカ
ルボニトリル7.6gを得た。
セン−1−カルボニトリル11gを酢酸エチル50ml
に溶解し、ラネーニツケル5gの存在下で室温、
3気圧下にて水素添加させた。反応終了後、触媒
を別し液は留去した。残渣をシリカゲル・イ
ソプロピルエーテルカラムクロマトグラフイーに
付して精製し減圧蒸留すると無色油状のシス−1
−n−ブチル−4−ヒドロキシシクロヘキサンカ
ルボニトリル7.6gを得た。
この物質の沸点及び元素分析値は次の通りであ
つた。
つた。
沸点 113〜115℃/0.9mmHg
元素分析値 C11H19NO
理論値 C:72.88 H:10.57 N:7.73
実測値 C:72.94 H:10.51 N:7.69
実施例 3
シス−1−n−ヘキシル−4−ヒドロキシシク
ロヘキサンカルボニトリル16gと水酸化カリウム
20gとを含水メタノール300mlに溶解し、オート
クレーブ中160℃で24時間反応させた。反応終了
後、溶媒を留去し残渣に水を加えて溶解し塩酸酸
性とした。析出した結晶を取し水洗、乾燥後ア
セトニトリルより再結晶すると無色柱状晶のシス
−1−n−ヘキシル−4−ヒドロキシシクロヘキ
サンカルボン酸14.3gを得た。
ロヘキサンカルボニトリル16gと水酸化カリウム
20gとを含水メタノール300mlに溶解し、オート
クレーブ中160℃で24時間反応させた。反応終了
後、溶媒を留去し残渣に水を加えて溶解し塩酸酸
性とした。析出した結晶を取し水洗、乾燥後ア
セトニトリルより再結晶すると無色柱状晶のシス
−1−n−ヘキシル−4−ヒドロキシシクロヘキ
サンカルボン酸14.3gを得た。
この物質の融点及び元素分析値は次の通りであ
つた。
つた。
融点 124〜126℃
元素分析値 C13H24O3
理論値 C:68.38 H:10.59
実測値 C:68.35 H:10.61
実施例 4
4−n−ペンチル−2−オキサビシクロ〔2,
2,2〕オクタン−3−オン20gと水酸化ナトリ
ウム6gとを含水エタノール200mlに溶解し30分
間還流させた。反応終了後、溶媒を留去し残渣に
水を加えて溶解し塩酸酸性とした。析出した結晶
を取し水洗、乾燥後アセトニトリルより再結晶
すると無色針状晶のシス−4−ヒドロキシ−1−
n−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸18.6gを
得た。
2,2〕オクタン−3−オン20gと水酸化ナトリ
ウム6gとを含水エタノール200mlに溶解し30分
間還流させた。反応終了後、溶媒を留去し残渣に
水を加えて溶解し塩酸酸性とした。析出した結晶
を取し水洗、乾燥後アセトニトリルより再結晶
すると無色針状晶のシス−4−ヒドロキシ−1−
n−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸18.6gを
得た。
この物質の融点及び元素分析値は次の通りであ
つた。
つた。
融点 124〜125℃
元素分析値 C12H22O3
理論値 C:67.25 H:10.35
実測値 C:67.33 H:10.28
以下前記実施例の方法に準じて次の化合物を合
成した。
成した。
シス−1−n−ヘキシル−4−ヒドロキシシク
ロヘキサンカルボニトリル 融点46〜46.5℃ シス−1−n−ブチル−4−ヒドロキシシクロ
ヘキサンカルボン酸 融点142〜143℃ シス−4−ヒドロキシ−1−n−ペンチルシク
ロヘキサンカルボニトリル 融点56〜57℃ シス−4−ヒドロキシ−1−イソヘキシルシク
ロヘキサンカルボン酸。
ロヘキサンカルボニトリル 融点46〜46.5℃ シス−1−n−ブチル−4−ヒドロキシシクロ
ヘキサンカルボン酸 融点142〜143℃ シス−4−ヒドロキシ−1−n−ペンチルシク
ロヘキサンカルボニトリル 融点56〜57℃ シス−4−ヒドロキシ−1−イソヘキシルシク
ロヘキサンカルボン酸。
融点154〜155℃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、RはC4〜C10の直鎖アルキル基又は分枝
アルキル基を、Xはカルボキシル基又はシアノ基
を意味する)で表わされるシクロヘキサン誘導
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286781A JPS57145836A (en) | 1981-03-05 | 1981-03-05 | Novel cyclohexane deivative |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286781A JPS57145836A (en) | 1981-03-05 | 1981-03-05 | Novel cyclohexane deivative |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57145836A JPS57145836A (en) | 1982-09-09 |
| JPH0136453B2 true JPH0136453B2 (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=12370800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3286781A Granted JPS57145836A (en) | 1981-03-05 | 1981-03-05 | Novel cyclohexane deivative |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57145836A (ja) |
-
1981
- 1981-03-05 JP JP3286781A patent/JPS57145836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57145836A (en) | 1982-09-09 |
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