JPH0137003B2 - - Google Patents
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- JPH0137003B2 JPH0137003B2 JP58098237A JP9823783A JPH0137003B2 JP H0137003 B2 JPH0137003 B2 JP H0137003B2 JP 58098237 A JP58098237 A JP 58098237A JP 9823783 A JP9823783 A JP 9823783A JP H0137003 B2 JPH0137003 B2 JP H0137003B2
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- Japan
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- circuit
- substrate
- pattern
- coil
- dielectric substrate
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H5/00—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H5/02—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components without voltage- or current-dependent elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1783—Combined LC in series path
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- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波信号の伝送通路例えばテレビや
FMラジオ等のアンテナとチユーナーとの間に挿
入する複合LCフイルタに関するものである。
FMラジオ等のアンテナとチユーナーとの間に挿
入する複合LCフイルタに関するものである。
従来例の構成とその問題点
FMラジオやテレビ及びRFモジユレータ等の
高周波信号の伝送通路に使用するフイルタに、回
路を構成するコイルやコンデンサ等をパターンで
誘電体基板の両面に蒸着、メツキ、もしくは印刷
等によつて被着形成したフイルタがある。これら
は、一般に安価でしかも品質も均一に製造できる
ので広く使用されている。例えば、第１図に示す
回路があり、図中１は入力端子、２はアース端
子、３は出力端子、L1，L2はコイル、C1，C2，
C3はコンデンサである。ところで、第１図の回
路構成をスパイラル状のコイルパターンとコンデ
ンサパターンを使用して、誘電体基板に被着形成
し且つ小形にすることを考えると、次の点が必要
である。
高周波信号の伝送通路に使用するフイルタに、回
路を構成するコイルやコンデンサ等をパターンで
誘電体基板の両面に蒸着、メツキ、もしくは印刷
等によつて被着形成したフイルタがある。これら
は、一般に安価でしかも品質も均一に製造できる
ので広く使用されている。例えば、第１図に示す
回路があり、図中１は入力端子、２はアース端
子、３は出力端子、L1，L2はコイル、C1，C2，
C3はコンデンサである。ところで、第１図の回
路構成をスパイラル状のコイルパターンとコンデ
ンサパターンを使用して、誘電体基板に被着形成
し且つ小形にすることを考えると、次の点が必要
である。
コンデンサパターンを小さくするには、誘電
率の高い基板を使用する方法があるが、パター
ン相互間の浮遊容量を少なくすることを考慮す
ると、誘電率はできるだけ低く、基板の厚みｔ
は薄い方が良い。例えばｔ＝0.1〜0.5mm程度で
ある。浮遊容量は高周波信号の通り抜けが生じ
るので小さいのが望ましい。
率の高い基板を使用する方法があるが、パター
ン相互間の浮遊容量を少なくすることを考慮す
ると、誘電率はできるだけ低く、基板の厚みｔ
は薄い方が良い。例えばｔ＝0.1〜0.5mm程度で
ある。浮遊容量は高周波信号の通り抜けが生じ
るので小さいのが望ましい。
したがつて、小形化には基板の厚みを薄くす
るほか、パターンとパターンとの相互間隔をで
きるだけ狭くすることにより、基板の表面積に
対してパターンの占有率を大きくすることが必
要である。
るほか、パターンとパターンとの相互間隔をで
きるだけ狭くすることにより、基板の表面積に
対してパターンの占有率を大きくすることが必
要である。
コイルパターンについては、例えば、小形で
見かけ上のコイルのインダクタンスを大きくす
る方法として、磁性体の基板、例えばNi−Zz
系のフエライト基板にヘリカルコイルのパター
ンを被着形成すれば、同一形状でも誘電体基板
上に形成したコイルのインダクタンスより大き
いものが実現できる。しかし、こんどはＱの良
いコンデンサが同時に被着形成できないという
問題がある。
見かけ上のコイルのインダクタンスを大きくす
る方法として、磁性体の基板、例えばNi−Zz
系のフエライト基板にヘリカルコイルのパター
ンを被着形成すれば、同一形状でも誘電体基板
上に形成したコイルのインダクタンスより大き
いものが実現できる。しかし、こんどはＱの良
いコンデンサが同時に被着形成できないという
問題がある。
ところで、従来技術で第１図の回路を誘電体基
板の両面に回路パターン（ヘリカルコイルパター
ン、コンデンサパターン）を被着形成した例とし
て第２図がある。第２図のパターンは特性改善の
ため、シールドパターン等を含んでいるので、等
価回路は第１図と多少異なるが、本発明の主たる
目的と異なるので説明は省略する。
板の両面に回路パターン（ヘリカルコイルパター
ン、コンデンサパターン）を被着形成した例とし
て第２図がある。第２図のパターンは特性改善の
ため、シールドパターン等を含んでいるので、等
価回路は第１図と多少異なるが、本発明の主たる
目的と異なるので説明は省略する。
第２図において、１は入力端子、２はアース端
子、３は出力端子、５は誘電体基板、６は第１図
におけるコイルL1を構成するコイルパターン、
６ａは前記誘電体基板５の表面（以下Ａ面とい
う）、６ｂは同裏面（以下Ｂ面という）に被着形
成している。７は第１図におけるコイルL2のコ
イルパターンで、７ａはＡ面、７ｂはＢ面に被着
形成している。１０ａ，１０ｂは第１図における
コンデンサC3の平行電極で、第１図中、他のコ
ンデンサC1，C2は前記コイルパターン６及び７
の対向部分で分布容量として形成している。８，
９はＡ面とＢ面のパタンを電気的接続をするため
のスルーホールである。
子、３は出力端子、５は誘電体基板、６は第１図
におけるコイルL1を構成するコイルパターン、
６ａは前記誘電体基板５の表面（以下Ａ面とい
う）、６ｂは同裏面（以下Ｂ面という）に被着形
成している。７は第１図におけるコイルL2のコ
イルパターンで、７ａはＡ面、７ｂはＢ面に被着
形成している。１０ａ，１０ｂは第１図における
コンデンサC3の平行電極で、第１図中、他のコ
ンデンサC1，C2は前記コイルパターン６及び７
の対向部分で分布容量として形成している。８，
９はＡ面とＢ面のパタンを電気的接続をするため
のスルーホールである。
ところで、第２図に示す平面的な構造では小形
化を図るために、誘電体の基板の厚みを薄くし、
且つフエライトのような磁性体基板を組み合せて
も限度がある。すなわち、従来技術では実装密度
を上げ超小形化を図るには困難があつた。
化を図るために、誘電体の基板の厚みを薄くし、
且つフエライトのような磁性体基板を組み合せて
も限度がある。すなわち、従来技術では実装密度
を上げ超小形化を図るには困難があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、
特に、コイルとコンデンサを誘電体基板の両面に
回路パターンを利用して被着形成し、更に積層構
造にし層間の磁気的結合や静電結合を最少にした
超小形のフイルタを提供することを目的とするも
のである。
特に、コイルとコンデンサを誘電体基板の両面に
回路パターンを利用して被着形成し、更に積層構
造にし層間の磁気的結合や静電結合を最少にした
超小形のフイルタを提供することを目的とするも
のである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明は、複数のイ
ンダクタンスとキヤパシタンスとからなるフイル
タ回路を分割し、第１の回路は第１の誘電体基板
に第１の回路パターンを被着形成して構成すると
ともに、第２の回路パターンは第２の誘電体基板
に第２の回路パターンを被着形成して構成し、か
つ前記第１の誘電体基板と第２の誘電体基板とを
重ねて配設し、前記第１及び第２の誘電体基板の
間に第１のフエライト基板と第２のフエライト基
板とを重合して挿入し、前記第１の回路と前記第
２の回路とを電気的に接続したものである。
ンダクタンスとキヤパシタンスとからなるフイル
タ回路を分割し、第１の回路は第１の誘電体基板
に第１の回路パターンを被着形成して構成すると
ともに、第２の回路パターンは第２の誘電体基板
に第２の回路パターンを被着形成して構成し、か
つ前記第１の誘電体基板と第２の誘電体基板とを
重ねて配設し、前記第１及び第２の誘電体基板の
間に第１のフエライト基板と第２のフエライト基
板とを重合して挿入し、前記第１の回路と前記第
２の回路とを電気的に接続したものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第１図にて示した回路を、図中、４，−４′より
２つの回路に分割し、端子１，２、コンデンサ
C1及びコイルL1にて構成された第１の回路と、
端子３、コンデンサC2，C3及びコイルL2にて構
成された第２の回路とする。
２つの回路に分割し、端子１，２、コンデンサ
C1及びコイルL1にて構成された第１の回路と、
端子３、コンデンサC2，C3及びコイルL2にて構
成された第２の回路とする。
第３図は、前記端子１，２、コンデンサC1及
びコイルL1からなる第１の回路のパターンを誘
電体基板１１に被着形成したもので、１２はコイ
ルL1を構成するパターンである。１２ａは前記
誘電体基板１１の表面（以下Ｃ面という）のパタ
ーン、１２ｂは、前記誘電体基板１１の裏面（以
下Ｄ面という）のパターン、１３は前記パターン
１２ａ，１２ｂを電気的接続をするためのスルー
ホールである。１４，１５は第１と第２の回路の
接続用スルーホールである。前記コンデンサC1
は、前記パターン１２ａ，１２ｂの分布容量にて
形成している。
びコイルL1からなる第１の回路のパターンを誘
電体基板１１に被着形成したもので、１２はコイ
ルL1を構成するパターンである。１２ａは前記
誘電体基板１１の表面（以下Ｃ面という）のパタ
ーン、１２ｂは、前記誘電体基板１１の裏面（以
下Ｄ面という）のパターン、１３は前記パターン
１２ａ，１２ｂを電気的接続をするためのスルー
ホールである。１４，１５は第１と第２の回路の
接続用スルーホールである。前記コンデンサC1
は、前記パターン１２ａ，１２ｂの分布容量にて
形成している。
第４図は、端子３、コイルL2、コンデンサC2，
C3からなる第２の回路のパターンを誘電体基板
２１に被着形成したもので、２２はコイルL2の
パターン、２２ａは前記誘電体基板２１の表面
（以下Ｈ面という）のパターン、２２ｂは前記誘
電体基板２１の裏面（以下Ｉ面という）のパター
ン、２３はパターン２２ａ，２２ｂを電気的接続
するためのスルーホールである。２４，２５は前
記第１と第２の回路接続用のスルーホールであ
る。コンデンサC2は、前記パターン２２ａ，２
２ｂの分布容量で形成し、コンデンサC3は、パ
ターン２６ａ，２６ｂの電極で形成され２６ｂに
は端子３が接続されている。
C3からなる第２の回路のパターンを誘電体基板
２１に被着形成したもので、２２はコイルL2の
パターン、２２ａは前記誘電体基板２１の表面
（以下Ｈ面という）のパターン、２２ｂは前記誘
電体基板２１の裏面（以下Ｉ面という）のパター
ン、２３はパターン２２ａ，２２ｂを電気的接続
するためのスルーホールである。２４，２５は前
記第１と第２の回路接続用のスルーホールであ
る。コンデンサC2は、前記パターン２２ａ，２
２ｂの分布容量で形成し、コンデンサC3は、パ
ターン２６ａ，２６ｂの電極で形成され２６ｂに
は端子３が接続されている。
次に、第５図中、１６は、本発明に使用する磁
性体基板でNi−Zz系のフエライト基板である。
１７，１９は回路接続用のスルーホールとなつて
いるが、孔はそれぞれ閉じた円でなく、それぞれ
一箇所に切欠き部１８，２０を設けたものとなつ
ている。この理由は、スルーホール１７の切欠き
部１８、スルーホール１９の切欠部２０が閉じて
いれば、磁気回路として閉磁路を構成する。閉磁
路になれば、透磁率が高くなる反面tanσの周波
数特性が悪くなり、したがつて回路接合部の周波
数特性が悪くなるので、閉磁路にして使用する。
このフエライト基板１６の形状は、第５図のＥ−
E′から切断して前記スルーホール１７，１８を含
まないＦ部のみを使用しても良い。
性体基板でNi−Zz系のフエライト基板である。
１７，１９は回路接続用のスルーホールとなつて
いるが、孔はそれぞれ閉じた円でなく、それぞれ
一箇所に切欠き部１８，２０を設けたものとなつ
ている。この理由は、スルーホール１７の切欠き
部１８、スルーホール１９の切欠部２０が閉じて
いれば、磁気回路として閉磁路を構成する。閉磁
路になれば、透磁率が高くなる反面tanσの周波
数特性が悪くなり、したがつて回路接合部の周波
数特性が悪くなるので、閉磁路にして使用する。
このフエライト基板１６の形状は、第５図のＥ−
E′から切断して前記スルーホール１７，１８を含
まないＦ部のみを使用しても良い。
フエライト基板１６は、厚みが0.3〜1.2mm程度
のもので初透磁率は数十〜数百程度のものを使用
する。
のもので初透磁率は数十〜数百程度のものを使用
する。
仮りに、初透磁率が90程度のもので、形状が５
mm×５mm、厚みが0.5mmで、ヘリカルコイルの外
形を５mm×５mmに近設すれば、そのインダクタン
スは1.3〜1.6倍程度大きくできる効果がある。
mm×５mm、厚みが0.5mmで、ヘリカルコイルの外
形を５mm×５mmに近設すれば、そのインダクタン
スは1.3〜1.6倍程度大きくできる効果がある。
さてここで使用する誘電体基板１１，２１は、
誘電率が数十〜数百程度で、基板の厚みは0.2〜
0.5mm程度である。
誘電率が数十〜数百程度で、基板の厚みは0.2〜
0.5mm程度である。
第６図は、本発明の効果を説明する図である。
第３図の誘電体基板１１の下に第５図のフエライ
ト基板１６を重ねると第６図のようになる。第６
図にてＭは、コイルパターン１２が作る磁束の流
れをある時点で示したものである。コイルパター
ン１２はヘリカル状のコイルであるので、もれ磁
束が多い。
第３図の誘電体基板１１の下に第５図のフエライ
ト基板１６を重ねると第６図のようになる。第６
図にてＭは、コイルパターン１２が作る磁束の流
れをある時点で示したものである。コイルパター
ン１２はヘリカル状のコイルであるので、もれ磁
束が多い。
そこで、フエライト基板１６を、コイルパター
ン１２に近づけると、磁束が透磁率の高いフエラ
イト基板１６の方を通る。そして、第６図にて示
すように、フエライト基板１６の裏面（以下Ｌ面
という）へもれる磁束は少なくなり、フエライト
基板１６の端部１６−１，１６−２に集中する。
ン１２に近づけると、磁束が透磁率の高いフエラ
イト基板１６の方を通る。そして、第６図にて示
すように、フエライト基板１６の裏面（以下Ｌ面
という）へもれる磁束は少なくなり、フエライト
基板１６の端部１６−１，１６−２に集中する。
同様に、第４図の誘電体基板２１のＨ面側に第
５図のフエライト基板１６を重ねると、フエライ
ト基板１６のＬ面に相当する部分のもれ磁束は少
なく、磁束はフエライト基板１６の端部に集中す
る。
５図のフエライト基板１６を重ねると、フエライ
ト基板１６のＬ面に相当する部分のもれ磁束は少
なく、磁束はフエライト基板１６の端部に集中す
る。
そこで、フエライト基板１６が互いに背を向け
るように配置したのが第７図である。
るように配置したのが第７図である。
第７図の２７はフエライト基板１６ａと誘電体
基板１１のコイルとの磁気的結合を調整するため
のスペーサ、２９はフエライト基板１６ｂと誘電
体基板２１のコイルとの磁気的な結合を調整する
ためのスペーサである。２８は、誘電体基板１１
と２１との静電結合を防止するための銅シートで
あり静電シールドである。また、銅シート２８に
鎖交するもれ磁束を吸収する効果もある。この銅
シート２８はアース端子２に接続されている。ま
た必要に応じて回路は、スルーホール１５，２４
及びスルーホール１４，２５にて接続されてい
る。
基板１１のコイルとの磁気的結合を調整するため
のスペーサ、２９はフエライト基板１６ｂと誘電
体基板２１のコイルとの磁気的な結合を調整する
ためのスペーサである。２８は、誘電体基板１１
と２１との静電結合を防止するための銅シートで
あり静電シールドである。また、銅シート２８に
鎖交するもれ磁束を吸収する効果もある。この銅
シート２８はアース端子２に接続されている。ま
た必要に応じて回路は、スルーホール１５，２４
及びスルーホール１４，２５にて接続されてい
る。
以上のような構造であるから、誘電体基板１１
と誘電体基板２１を近設しても、互いのコイルの
磁束は鎖交しないで独立していることになる。し
たがつて、フエライト基板１６ａ、銅シート２
８、フエライト基板１６ｂによつて磁気的シール
ドと静電的シールドの作用がある反面、誘電体基
板１１，２１上のコイル１２，２２は、フエライ
ト基板１６ａ，１６ｂによつてもれ磁束が集めら
れるのでインダクタンスが見かけ上大きくなる効
果がある。すなわち、小形化ができることにな
る。
と誘電体基板２１を近設しても、互いのコイルの
磁束は鎖交しないで独立していることになる。し
たがつて、フエライト基板１６ａ、銅シート２
８、フエライト基板１６ｂによつて磁気的シール
ドと静電的シールドの作用がある反面、誘電体基
板１１，２１上のコイル１２，２２は、フエライ
ト基板１６ａ，１６ｂによつてもれ磁束が集めら
れるのでインダクタンスが見かけ上大きくなる効
果がある。すなわち、小形化ができることにな
る。
第８図は、第７図の銅シート２８のかわりに、
フエライト基板１６ｂの背中３０に、銅もしくは
導伝率の高いものを蒸着もしくはメツキ、印刷等
の手段で被着しても良い。第９図は他の実施例
で、所望する特性に応じて、フエライト基板１６
ａ，１６ｂを一体にした構造である。この場合、
誘電体基板１１のコイルと誘電体基板２１のコイ
ルは差動的に巻くのが望ましい。
フエライト基板１６ｂの背中３０に、銅もしくは
導伝率の高いものを蒸着もしくはメツキ、印刷等
の手段で被着しても良い。第９図は他の実施例
で、所望する特性に応じて、フエライト基板１６
ａ，１６ｂを一体にした構造である。この場合、
誘電体基板１１のコイルと誘電体基板２１のコイ
ルは差動的に巻くのが望ましい。
以上、説明したような構造であるから、
誘電体基板１１のコイルパターン１２と誘電
体基板２１のコイルパターン２２を近設しても
磁気的シールドの作用があり、コイル１２，２
２相互間の干渉がない。
体基板２１のコイルパターン２２を近設しても
磁気的シールドの作用があり、コイル１２，２
２相互間の干渉がない。
コイルのもれ磁束がフエライト基板１６で集
められるために、コイルのインダクタンスが増
加する効果があり、小形化が図れる。
められるために、コイルのインダクタンスが増
加する効果があり、小形化が図れる。
誘電体基板を分割するので、コイルパターン
１２，２２の相互間の浮遊容量が少なくなり、
高周波信号の通り抜けが少なくなる。そこで、
フエライト基板１６ａ，１６ｂ間に静電シール
ド用の銅シート２８を設けると静電結合がなく
なる。また、この銅シート２８に鎖交する磁束
をうず電流として吸収できる利点がある。
１２，２２の相互間の浮遊容量が少なくなり、
高周波信号の通り抜けが少なくなる。そこで、
フエライト基板１６ａ，１６ｂ間に静電シール
ド用の銅シート２８を設けると静電結合がなく
なる。また、この銅シート２８に鎖交する磁束
をうず電流として吸収できる利点がある。
したがつて、本発明は、コイルを有する平面回
路であつても、積層に構成できるので実装密度が
高くでき、厚みも数mm以下の超小型のフイルタが
実現できる。
路であつても、積層に構成できるので実装密度が
高くでき、厚みも数mm以下の超小型のフイルタが
実現できる。
また、スペーサ２７，２９は必要に応じてなく
てもよい。第７図中のフエライト基板１６ａ，１
６ｂおよび誘電体基板１１，２１は、所望特性に
応じて材質、厚み等をそれぞれに変えることがで
きる利点がある。
てもよい。第７図中のフエライト基板１６ａ，１
６ｂおよび誘電体基板１１，２１は、所望特性に
応じて材質、厚み等をそれぞれに変えることがで
きる利点がある。
ここでの説明では、回路は２層であるが、３層
以上の多層であつてもよい。
以上の多層であつてもよい。
誘電体基板については、基板の厚みを薄くして
も、フエライト基板と重合するので、作業中の基
板の欠損がない。また誘電体基板は磁器基板であ
つてもマイカー板等であつてもよい。
も、フエライト基板と重合するので、作業中の基
板の欠損がない。また誘電体基板は磁器基板であ
つてもマイカー板等であつてもよい。
発明の効果
以上説明したように本発明は、回路パターンが
形成された、第１及び第２の誘電体基板にて、２
枚のフエライト基板を挾んでなる複合LCフイル
タであるため、各基板間の磁気的結合や静電結合
を最小にでき、超小型のフイルタを提供すること
ができる。
形成された、第１及び第２の誘電体基板にて、２
枚のフエライト基板を挾んでなる複合LCフイル
タであるため、各基板間の磁気的結合や静電結合
を最小にでき、超小型のフイルタを提供すること
ができる。
第１図は一般的なバンドパスフイルタの回路
図、第２図は従来の複合LCフイルタの具体例を
示す平面図、第３図は本発明の一実施例による複
合LCフイルタの部分的な構成を示す平面図、第
４図は同フイルタの他の部分の構成を示す平面
図、第５図は同フイルタに使用するフエライト基
板の一例を示す平面図、第６図は同フイルタにお
いてフエライト基板と誘電体基板との複合例を示
す側面図、第７図は同フイルタの組立て状態を示
す斜視図、第８図は本発明の他の実施例による複
合LCフイルタの一部を示す斜視図、第９図は本
発明のさらに他の実施例による複合LCフイルタ
の組立て状態を示す斜視図である。 １，３……入出力端子、２……アース端子、１
１，２１……誘電体基板、１３，１４，１５，１
７，１９，２２，２４，２５……スルーホール、
１６……フエライト基板、２７，２９……スペー
サ、２８……銅シート。
図、第２図は従来の複合LCフイルタの具体例を
示す平面図、第３図は本発明の一実施例による複
合LCフイルタの部分的な構成を示す平面図、第
４図は同フイルタの他の部分の構成を示す平面
図、第５図は同フイルタに使用するフエライト基
板の一例を示す平面図、第６図は同フイルタにお
いてフエライト基板と誘電体基板との複合例を示
す側面図、第７図は同フイルタの組立て状態を示
す斜視図、第８図は本発明の他の実施例による複
合LCフイルタの一部を示す斜視図、第９図は本
発明のさらに他の実施例による複合LCフイルタ
の組立て状態を示す斜視図である。 １，３……入出力端子、２……アース端子、１
１，２１……誘電体基板、１３，１４，１５，１
７，１９，２２，２４，２５……スルーホール、
１６……フエライト基板、２７，２９……スペー
サ、２８……銅シート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数のインダクタンスと複数のキヤパシタン
スとからなるフイルタ回路を、夫々の回路が少な
くとも１つのインダクタンスとキヤパシタンスを
有する第１の回路と第２の回路に分割し、第１の
回路は第１の誘電体基板に回路パターンを被着形
成することによつて構成し、第２の回路は第２の
誘電体基板に回路パターンを被着形成することに
よつて構成し、前記第１及び第２の誘電体基板の
間に第１のフエライト基板と第２のフエライト基
板を重合して挿入し、前記第１の回路と前記第２
の回路とを電気的に接続したことを特徴とする複
合LCフイルタ。 ２ 第１の第１のフエライト基板と第２のフエラ
イト基板は一体に形成されてなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の複合LCフイル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098237A JPS59223011A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 複合ｌｃフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098237A JPS59223011A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 複合ｌｃフイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59223011A JPS59223011A (ja) | 1984-12-14 |
| JPH0137003B2 true JPH0137003B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=14214347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58098237A Granted JPS59223011A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 複合ｌｃフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59223011A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2663270B2 (ja) * | 1988-02-15 | 1997-10-15 | 株式会社村田製作所 | 共振器及びその製造方法 |
| JPH0210105U (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-23 | ||
| CN101116243B (zh) * | 2005-02-10 | 2010-06-09 | 双信电机株式会社 | 电子零件 |
| JP4401981B2 (ja) | 2005-02-16 | 2010-01-20 | 双信電機株式会社 | フィルタ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978723U (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-28 | ティーディーケイ株式会社 | Ｌｃフイルタ |
-
1983
- 1983-06-01 JP JP58098237A patent/JPS59223011A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59223011A (ja) | 1984-12-14 |
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