JPH0137330B2 - - Google Patents

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JPH0137330B2
JPH0137330B2 JP1304084A JP1304084A JPH0137330B2 JP H0137330 B2 JPH0137330 B2 JP H0137330B2 JP 1304084 A JP1304084 A JP 1304084A JP 1304084 A JP1304084 A JP 1304084A JP H0137330 B2 JPH0137330 B2 JP H0137330B2
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JP
Japan
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magnesium
powder
water
sio
temperature
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JP1304084A
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JPS60161328A (ja
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Shinichi Matsuda
Takayasu Ikegami
Shinichi Shirasaki
Hiroyuki Kohama
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KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
Original Assignee
KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F5/00Compounds of magnesium
    • C01F5/02Magnesia
    • C01F5/06Magnesia by thermal decomposition of magnesium compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は99.99重量%以上の高純度マグネシア
粉末の製造法に関し、更に詳しくは、特に高温に
おいて低融点フラツクスを形成して熱間強度を低
下させる原因となるCaO及びSiO2を容易に除去
して高純度マグネシア粉末を製造する方法に関す
るものである。
マグネシアは高温において耐塩基性及び電気絶
縁性に優れ、熱膨張係数及び熱伝導度が大きく、
しかも高温において赤外線、可視光線の透過性が
よい特性を有し、且つ安価であるという特長を有
する。そのため、耐熱材料、高温絶縁材料、混温
照明材料等として広く利用され、また最近フアイ
ン・セラミツク材料としても注目されている。
高温材料用のマグネシアは易焼結性、耐侵蝕
性、耐消化性等の特性が要求される。しかるに現
在使用されている高温材料としてのマグネシアは
それに含まれている不純物の低融点酸化物のため
に、マグネシア本来の高温特性を表わしていな
い。
その主な不純物はSiO2,CaO,Al2O3,Fe2O3
B2O3であり、その含有量が熱間における性質を
支配している。その中でもCaO/SiO2が約1の
場合、粒界に低融点(1544℃)のCaO・SiO2
生成し、熱間抗折強度を著しく低下させる。また
CaO/SiO2が約3以上の場合、未結合のCaOが
生成し、耐消化性を悪化させる。SiO2,CaOの
ほかに、Al2O3,Fe2O3が含まれるとその含有量
に比例して粒界生成物の融点が低下し、熱間抗折
強度が悪くなる。またB2O3は珪酸塩のフラツク
スとして作用し、特にCaO/SiO2が約2の場合
の熱間抗折強度を悪くする。従つて、本来の優れ
た特性を備えたマグネシア高温材料を作成するた
めには、不純物酸化物、特にSiO2及びCaOを極
力減少させる必要がある。
最近、水酸化マグネシウムの沈澱反応における
プロセスコントロールによつてFe2O3,Al2O3
びB2O3の含有量をそれぞれ、約0.05重量%以下
までに除去されるようになつた。しかし、従来の
方法ではSiO2が0.1〜0.2重量%、CaOが0.2〜0.4
重量%までしか除去することができない。そのた
め、CaOに関しては水酸化マグネシウムを700〜
900℃で焼成した後、水中に投入撹拌し、溶解度
差を利用することによつてCaOを0.01〜0.02重量
%まで除去することが知られている。しかし、こ
の方法は、再度過・乾燥及び仮焼操作が必要で
あり、生産性が悪く、且つコスト高となる欠点が
ある。SiO2の除去に関しては、SiO2不純物の少
ない原石および水を使用する以外に方法がないの
が現状である。一方、塩基性炭酸マグネシウムの
沈殿反応よるプロセスコントロールでもCaO及び
SiO2の除去に対しては余り有効な方法はない。
このほか、火花放電法、イオン交換法、溶媒抽出
法等も知られているが、いずれ著しくコスト高と
なる欠点がある。
本発明の目的は高純度マグネシア粉末を安価に
製造する方法を提供するにある。
本発明の要旨は、炭安法、ソーダ灰または水マ
グ法によつて得られた正炭酸マグネシウム3水塩
を母液から分離し、新しい水を添加し、この母液
のPHを9.0〜9.8に調節した後、熟成温度30〜40℃
に保つて正炭酸マグネシウム3水塩が塩基性炭酸
マグネシウム5水塩になるまで陰イオン交換反応
させ、得られた沈殿物を液のPHが10.3〜10.6に
なるまで洗浄し、これを乾燥後空気中または酸素
雰囲気中で焼成することを特徴とする方法であ
る。
本発明において用いる正炭酸マグネシウム3水
塩は、(1)塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、
硝酸マグネシウム等のマグネシウム化合物と炭酸
ナトリウム(ソーダ灰法)、炭酸アンモニウム
(炭安法)、重炭酸ナトリウム、重炭酸アンモニウ
ム等の塩基沈殿剤の水溶液反応。(2)水酸化マグネ
シウム懸濁液と炭酸ガス(水マグ法)、または炭
酸塩の反によつて合成し得られる。ただし、非晶
質炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムが混入
しているものは好ましくない。
前記(1)のマグネシウム化合物と塩基沈殿材の水
溶液反応における方法について述べると、両溶液
の濃度は同じでよいが、マグネシウム化合物の濃
度が若干濃い方がアルカリ不純物を低下させる点
で好ましい。これらの溶液の初濃度は0.3〜0.6モ
ル/が好ましい。これより稀薄になると非晶質
炭酸マグネシウムが混入し、0.6モル/より濃
厚になると正炭酸マグネシウム3水塩の結晶性状
が不均一になると共に、熟成時間を長く必要とす
る欠点が生ずる。
両溶液の混合比は、炭酸塩の場合は同容量、重
炭酸塩の場合は、マグネシウム化合物:重炭酸塩
=1:2容量であることが好ましい。マグネシウ
ム化合物が若干多い方が、過性、アルカリ不純
物の低下等の点で更に好ましい。
両溶液の混合は塩基性沈殿剤にマグネシウム化
合物を毎分100ml以下の速度で、15〜47℃の温度
の下で添加することが好ましい。前記より早く添
加すると正炭酸マグネシウム3水塩の結晶性状が
不均一になると共にアルカリ不純物の吸着量が増
加する。また反応温度が15℃より低いと正炭酸マ
グネシウム5水塩が生成し、過性と熟成効果が
悪くなり、47℃を超えると反応直後たゞちに塩基
性炭酸マグネシウムが生成し、不純物(特に
SiO2)の除去効果が悪くなる。
本発明においては、得られた正炭酸マグネシウ
ム3水塩を過、洗浄して、新しい水溶液中に懸
濁させることが必要である。新しい水に代えない
と不純物(特にCaO)が除去されない。この新し
い母液のPHを9.0〜9.8、好ましくは9.5〜9.8に調
節する。この母液のPHが約9.8より高くなると塩
基性炭酸マグネシウム8水塩が生成して熟成沈殿
物の純度が悪くなり(特にNa2O)、しかもその
仮焼物の焼結性が悪くなる。一方PHが9.0より低
いと熟成速度が極端におそくなり、生産コスト的
に高くなる。PHの調整は酸(塩酸、硝酸、硫酸、
炭酸、酢酸など)であればよいが、緩衝作用や収
率の点で炭酸ガスの吹込みがもつとも好ましい。
このようにPHを調整した液を30〜47℃好ましく
は33〜40℃で熟成して陰イオン交換反応を行う。
この温度が30℃より低いと、陰イオン交換反応の
速度が著しくおそくなり、47℃を超えると陰イオ
ン交換反応の速度が著しく速くなり、結晶構造組
換えによるSiO2の除去が不完全となる。
得られた塩基性炭酸マグネシウムの沈殿物を
過した後、液のPH値が10.3〜10.6の一定値にな
るまで洗浄する。これにより残存する炭酸マグネ
シウム3水塩を完全に除去するばかりでなく塩基
性炭酸マグネシウム5水塩の化学組成ならびに結
晶性状が均一なものとなる。
これを乾燥した後(4水塩)、空気中または酸
素雰囲気中で焼成する。この焼成は、300〜400℃
で結晶水を完全に飛ばした後、より高い温度で脱
炭酸ガスを行い、更に800〜1000℃加熱すること
が好ましい。これにより均一な粉体特性を持ち、
且つSiO2及びCaOの少ない99.99重量%以上の高
純度で、しかも添加物なしで1400℃の低温におい
て理論度の約98%まで焼結し得られる粉末となし
得る。
実施例 1 塩化マグネシウム0.4モル/溶液1000mlを炭
酸ナトリウム0.4モル/溶液1000mlに、毎分100
mlの速度で適下し、25℃で30分間反応させて正炭
酸マグネシウム(MgCO3・3H2O)を得た。これ
を過洗浄し、同量のイオン交換水を加え、これ
に炭酸ガスを吹込むことによつてPHを9.7に調節
した。この懸濁液を35℃で24時間熟成させ塩基性
炭酸マグネシウム(4MgCO3・Mg(OH)2
5H2O)を得た。このスラリーを過し、1200ml
のイオン交換水で6回洗浄・過した。このケー
キを110℃で一昼夜乾燥し、更に400℃の乾燥酸素
雰囲気中で露点が一定になるまで脱水した後、毎
分10℃の定速昇温下で熱分解させ、900℃で20時
間仮焼して高純度マグネシウム粉末を得た。この
粉末に含まれる不純物は次の通りであつた。
不純物含素 Si Ca Al Fe Na 含有量(ppm) 24 26 3 2 3 なお、前記の方法において、母液の交換を行わ
ない場合及び熟成温度を変え、他の条件を同一に
して製造したマグネシア粉末中に含まれるCa含
有量を示すと、第1図の通りであつた。
図中●は新しい水と交換した場合、○は新しい
水と交換しない場合を示す。
この図が示すように、(1)母液を新しい水と交換
しないとCaが除外されなくなり、また、熟成温
度30〜40℃が好ましく、温度がそれより低くて
も、また高くてもCa含有量は増加する。(2)マグ
ネシア粉末中のSiO2の含有量を示すと第2図に
示す通りである。○は新しい水と交換した場合を
示すが、SiO2の含有量は母液を新しい水と交換
しなくてもほぼ同じであつた。
図が示すように、熟成温度が40℃より高くなる
とSiO2含有量が多くなる。
(3)塩化マグネシウム及び炭酸ナトリウムの初濃
度を共に変化させて、他の条件を実施例1と同様
にしてマグネシアを製造した。得られたマグネシ
ア粉末中に含まれるSiO2は第3図に示す通りで
あつた。
図が示すように、初濃度が濃くなつても、薄く
なつてもSiO2含有量が多くなり、0.3〜0.6モル/
であることが好ましいことを示している。
実施例 2 実施例1の方法において、塩化マグネシウム及
び炭酸ナトリウムに代えて、それぞれ、硫酸マグ
ネシウム及び炭酸アンモニウムを用いて同様にし
てマグネシア粉末を製造した。この粉末は含まれ
る不純物は次の通りであつた。
不純物元素 Si Ca Al Fe Na 含有量(ppm) 30 29 5 5 12 実施例 3 塩化マグネシウム0.4モル/溶液500ml中に、
28%アンモニア水を添加して水酸化マグネシウム
を沈殿させ、沈殿物を過・洗浄した後、イオン
交換水1500ml加えて水酸化マグネシウム懸濁液を
作つた。この懸濁液中に炭酸ガスを毎分100c.c.の
速度で吹込み正炭酸マグネシウム3水塩を得た。
この正炭酸マグネシウム3水塩を実施例1と同様
にしてマグネシウム粉末を得た。この粉末に含ま
れる不純物は次の通りであつた。
不純物元素 Si Ca Al Fe Na 含有量(ppm) 37 27 7 8 2
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1において、母液の交換を行わ
ない場合及び熟成温度を変え、他の条件を同一に
して製造したマグネシア粉末中に含まれるCa含
有量の比較グラフ、第2図は新しい水と交換した
場合におけるマグネシア粉末中のSiO2の含有量、
第3図は塩化マグネシウム及び炭酸ナトリウムの
初濃度を共に変化させた場合におけるマグネシア
粉末中のSiO2の含有量グラフである。 ●は新しい水と交換した場合、○は新しい水と
交換しない場合。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 炭安法、ソーダ灰法または水マグ法によつて
    得られた正炭酸マグネシウム3水塩を母液から分
    離し、新しい水を添加し、この母液のPHを9.0〜
    9.8に調節した後、30〜40℃に保つて熟成して正
    炭酸マグネシウム3水塩が塩基性炭酸マグネシウ
    ム5水塩になるまで陰イオン交換反応させ、得ら
    れた沈殿物を液のPHが10.3〜10.6になるまで洗
    浄し、これを乾燥後空気中または酸素雰囲気中で
    焼成することを特徴とする高純度マグネシア粉末
    の製造法。
JP1304084A 1984-01-27 1984-01-27 高純度マグネシア粉末の製造法 Granted JPS60161328A (ja)

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