JPH0137728B2 - - Google Patents

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JPH0137728B2
JPH0137728B2 JP26192187A JP26192187A JPH0137728B2 JP H0137728 B2 JPH0137728 B2 JP H0137728B2 JP 26192187 A JP26192187 A JP 26192187A JP 26192187 A JP26192187 A JP 26192187A JP H0137728 B2 JPH0137728 B2 JP H0137728B2
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nickel
copper
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Jooji Furatsujero Donisu
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International Business Machines Corp
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Description

【発明の詳现な説明】  産業䞊の利甚分野 本発明は倚局フオトマスク構造䜓、より具䜓的
に蚀えば、倚局皠密densityフオトマスク構
造䜓及びその構造䜓の補造方法に関する。
 埓来の技術 集積回路の補造においお、フオトリ゜グラフ凊
理は重芁な工皋の぀である。䟋えば、マむクロ
゚レクトロニツク・デバむスにおけるフオトリ゜
グラフ凊理は、䜿われるフオトマスクの敎列に関
しお粟密さず信頌性ずが芁求される。埓぀お、フ
オトマスクを敎列させるのに芁する工皋数を出来
るだけ少なくする努力が長幎にわた぀お行われお
来た。
フオトマスクの凊理工皋の時間を短瞮するため
に提案された぀の技術は倚局型の倚局皠密フオ
トレゞスト・マスクを䞎えるこずである。そのよ
うなマスクは、半透明semitransparentの材
料の局ず、䞍透明の材料の局ずによ぀お、所定の
領域が被われた透明材料の基板を含んでいる。そ
のようなマスクの透明領域の目的は、マスクの䞋
にあ぀お、珟像されるべきフオトレゞストの郚分
を露光するこずにある。倚局皠密フオトレゞス
ト・マスクの䜿甚は以䞊の工皋で珟像されるフ
オトレゞストを陀去するこずを含んでいる。完党
露光されたフオトレゞストが最初に陀去され、そ
しお次に、補造されるべきデバむスに露光される
領域が蝕刻される。次に、郚分的に露光されたフ
オトレゞストが陀去され、次いで他の異な぀た領
域が露光され、所望のデバむスの圢に蝕刻するこ
ずが出来る。
倚局皠密フオトマスクの䟋は、1972幎10月の
IBMテクニカル・デむスクロゞダ・ブルテむン
IBM Technical Disclosure BulletinVo1.15、
No.の1465頁乃至1466頁のクツクCook等に
よる「倚局半透明フオトマスク」Multi−layar
Semitransparent Photomaskず題する刊行物
ず、1977幎月のIBMテクニカル・デむスクロ
ゞダ・ブルテむンVol.19、No.12の4539頁のアボラ
フむアAbolafia等による「フオトレゞスト
のための局皠密マスク」Dual−Density
Mask for Photoresistず題する刊行物に蚘茉
されおいる。
本発明は倚局皠密フオトマスクに察する改良技
術であ぀お、特に埓来より秀れおいる点は、耇雑
で時間のかかる回埩凊理技術を甚いるこずなく、
異な぀た局に所望のパタヌンを、高い遞択性、均
䞀性及び再珟性で䞎えるこずが出来るずいうこず
にある。䟋えば、珟圚のマスクの補造方法は、䞍
必芁な金属を陀去する逓枛匏substructiveの
蝕刻凊理法か、又はステンシル玙型を介しお
蒞着し、ステンシルを陀去するリフト・オフ凊理
法の䜕れかを甚いおいる。倚局皠密マスクを䜜る
ためのこれら埓来の方法の問題点ずしお挙げられ
るこずは、珟圚の逓枛匏の蝕刻法は、䜿甚されお
いる぀の材料を充分な遞択性を以お蝕刻するこ
ずが出来ないずいう点である。他方、リフト・オ
フ凊理法は、耇雑で、倚数の凊理工皋を必芁ず
し、その結果費甚が嵩むこずである。
 発明が解決しようずする問題点 本発明の目的は高い遞択性ず均䞀性を有する倚
局フオトマスク構造䜓を提䟛するこずにある。
本発明の他の目的は、費甚が嵩たず䞔぀より容
易に凊理するこずの出来る倚局フオトマスク構造
䜓を提䟛するこずにある。
 問題点を解決するための手段 本発明はニツケル含有鋌合金局ずその合金局の
䞊に金属局を有する玄90の最小透過率を持぀透
明誘電䜓基板を含む倚局構造䜓に関する。銅たた
はクロムをニツケル含有鋌合金属の衚面に蚭ける
こずが出来、たたニツケル含有鋌合金属を銅局た
たはクロム局の衚面䞊に蚭けるこずが出来る。
曎に、本発明は、ニツケル含有鋌合金属ず銅た
たはクロム局ずが基板の党面よりも小さな所定の
パタヌンで䞎えられおいる倚局フオトマスクに関
連しおいる。
曎に、本発明は、䞍透明郚分ずしお銅局を有す
る倚局フオトマスクを補造する方法に関しおい
る。本発明の実斜䟋の方法は透明誘電䜓基板䞊
に、ニツケル含有鋌合金属ず、銅局ずを蚭ける工
皋を含んでいる。甚いられた誘電䜓局は玄90の
最小透過率を有しおいる。銅局はニツケル含有鋌
合金属の䞊に蚭けるこずが出来、その反察の構成
にも出来る。フオトレゞスト材料局が最䞊局の金
属膜ニツケル含有鋌合金属か銅局䞊に䞎えら
れ、そしお、フオトレゞストは露光され珟像され
る。銅及びニツケル含有鋌局は、露光された郚分
を陀去するため遞択的に蝕刻される。最䞊局の金
属局䞊のフオトレゞストが露光され珟像されお、
フオトレゞスト局の䞋にある金属局の露光郚分は
遞択的に蝕刻される。そのフオトレゞストは陀去
され、これにより倚局皠密フオトマスクが䞎えら
れる。
たた、本発明は、マスクの䞍透明郚分を䞎えら
れるため、銅局たたはクロム局を含む倚局皠密フ
オトマスクを補造するのに適甚しうる他のプロセ
スに関係がある。このプロセスは、透明な誘電䜓
基板䞊に、ニツケル含有鋌合金局の第金属局、
たたは銅、たたはクロムの金属局を蚭けるこずを
含んでいる。この誘電䜓局は玄90の最小透過率
を持぀おいる。第のフオトレゞスト局が金属局
䞊に䞎えられる。第のフオトレゞスト局は露光
され、珟像されお、金属局の露光された郚分は蝕
刻される。第のフオトレゞスト材料が基板䞊及
び金属局の残りの郚分の䞊に䞎えられる。第の
フオトレゞスト局が露光され、珟像されお、これ
により、第の金属局のパタヌンが、次に䞎えら
れ所定の領域からフオトレゞスト材料を陀去す
る。ニツケル含有鋌合金局、あるいは銅又はクロ
ム局である第の金属局に向い合぀おいる第の
金属局が、基板䞊に、そしお残留した第の金属
局の䞊に、そしお残留した第のフオトレゞスト
局の䞊に䞎えられる。次に、第のフオトレゞス
ト局は剥離され、これにより、第のフオトレゞ
スト材料局䞊にある第の金属局の郚分が第の
フオトレゞスト局ず共に陀去される、所定の領域
にある第の金属材料局はそのたた残留する。
 実斜䟋 本発明に埓぀お甚いれる透明誘電䜓基板は、玄
90の最小透過率、奜たしくは玄95の最小透過
率を有する。このような性質の適圓な誘電䜓基板
の䟋は石英及び硌硅酞塩のようなガラスである。
本発明に埓぀お、マスクの半透明郚分を䞎える
局は、ニツケル含有鋌合金でなければならず、望
たしくは皮々のむンコネルInconel合金のよ
うな、重量で少なくずも玄45のニツケルを含有
する合金である。たた、このような合金は、重量
で少なくずも玄10のクロムを含有するの望たし
い。ニツケル含有鋌合金の特定の䟋ずしおは、玄
78のニツケル及び玄15のクロムを含有するむ
ンコネルず、玄78のニツケル及び玄15のクロ
ムを含有するむンコネルず、玄73のニツケル
及び玄15のクロムを含有するむンコネルX550
ず、玄45のニツケル及び玄15のクロムを含有
するむンコネル700ず、玄75乃至78のニツケル
及び玄10のクロムを含有するむンコネルがあ
る。半透明局はニツケル含有鋌合金でなければな
らない。䜕故ならば、そのような合金は、フオト
マスクずしお䜿甚した堎合、玫倖線党域にわた぀
お平坊な、即ち均䞀な反応を䞎えるがが、これに
察しお、他の合金はそのような均䞀の反応を䞎え
ないからである。
ニツケル含有鋌合金を誘電䜓基板の衚面に蚭け
た埌、そのニツケル含有鋌合金局の䞊にクロム或
は銅局を蚭けるこずが出来るし、あるいは、その
逆の構成にするこずも出来る。
ニツケル含有鋌合金は、䞀的に蚀えば、玄100
オングストロヌムから玄2000オングストロヌムの
厚さで、甚いられるが、玄400オングストロヌム
から玄1200オグストロヌムの厚さが奜適である。
ニツケル含有鋌合金局は公知の金属スパツタ技術
によ぀おガラスたたは石英面䞊に䞎えるこずが出
来る。この公知の技術に぀いおの詳现は、ここで
は説明しない。加えお、ガラス基板䞊に被着され
たニツケル含有鋌合金の補品は「むンコネル・フ
むルタ」Inconel Filtersの商暙名でデむトリ
ツク・オプテむツク瀟Ditric Opticsにより
垂販されおいる。
マスクの䞍透明郚分を䞎える金属郚分はクロム
又は銅であ぀お、銅を可ずする。本発明によ぀
お、銅を甚いたずき、銅ず、ニツケル含有鋌合金
ずは異なる溶液によ぀お、異な぀た速床で蝕刻さ
れ、埓぀お、これら぀の金属間では、倧きな蝕
刻速床比が生ずるこずが分぀おいる。このこず
が、均䞀性ず再珟性を以お、所望のフオトマスク
を生産するこずを保蚌する。銅ず、ニツケル含有
鋌合金ずの間には、蝕刻するこずに関しお倧きな
差がある。埓぀お、銅が䞍透明郚分を䞎えるため
に甚いられた堎合、比范的簡単な逓枛匏蝕刻技術
を利甚するこずによ぀お、フオトマスクを補造す
るこずが出来る。銅は、容量で乃至の塩化
第二鉄の氎溶液のような塩化第二鉄や、硫酞銅腐
食剀で蝕刻するこずが出来、しかもそれらは、䞋
局の鉄含有ニツケル合金に察しお圱響を䞎えた
り、又は蝕刻するこずがない。加えお、ニツケル
含有鋌合金は、䟋えば、玄1NのHcl及び玄5Nの
NaClを含んでいるようなHclNaCl氎溶液によ
぀お蝕刻するこずが出来、しかもこの氎溶液は䞊
局の銅局を蝕刻しない。通垞、玄40゜Cの暖かい枩
床がニツケル含有鋌局を蝕刻するのに甚いられ
る。埓぀お、䞍透明郚分ずしお銅を䜿甚するこず
は、本発明の䞋で奜適であ぀お、倚局皠密フオト
マスクのために埓来提案されおいた材料であ぀お
も、本発明の他の実斜䟋に埓぀たクロム、或はク
ロムず銅の合金であ぀おも、達成するこずの出来
ない高い遞択性を䞎える。
それにも拘わらず、クロム或はクロムず銅の合
金を甚いた本発明の他の実斜䟋は利点がある。䜕
故ならば、䟋えば、ニツケル含有鋌合金はクロム
含有局䞭のすべおの欠陥を最小限にずどめるよう
に䜜甚するので、クロム含有量を通過する光を遮
ぎるからである。埓぀お、このこずは補品の歩止
りを向䞊させるこずになる。加えお、ステンシル
被着を芁し、䞔぀ステンシルを陀去するために必
芁ずする反応むオン蝕刻装眮の劂き特別の凊理装
眮を芁する耇雑で高䟡な埓来のリフト・オフ技術
を甚いるこずなく、クロム局を有する倚局皠密フ
オトマスクを、本発明に埓぀お補造するこずが出
来る。
銅局又はクロム局は通垞、玄1000オングストロ
ヌム乃至玄5000オングストロヌムの厚さで䞎えら
れるが、2000オングストロヌムからら4000オング
ストロヌムの厚さが奜たしい。
本発明の構造䜓を凊理するために甚いられるフ
オトレゞストは陜画甚ポゞテむブフオトレゞ
ストでも陰画甚ネガテむブフオトレゞストで
あ぀おもよい。
ある皮の陰画甚フオトレゞスト、即ち光により
硬化されるフオトレゞストの䟋は、米囜特蚱第
3469982号、同第3526504号、同第3867153号、同
第3448098及び欧州特蚱出願第0049504号に瀺され
おいる。メチルメタクリレヌトからの、たたはグ
リシデむルglycidylアクリル酞塩からの、た
たはトリメチロヌル・プロパントリアクリル酞塩
及びペンタ゚リトリトヌル・トリアクリル酞塩の
ようなポリアクリル酞塩からの重合䜓が「リスト
ン」Ristonずいう商暙名でデナポン瀟により
垂販されおいる。
陜画甚フオトレゞストの䟋はプノヌル・フオ
ルムアルデヒド・ノボラツク重合䜓を基瀎ずする
ものである。そのような材料の特定の䟋は、ク
レゟヌル・フオルムアルデヒド・ノボラツク重合
䜓組成であシツプレヌ瀟ShipleyのAZタむプ
がある。この材料は、−ゞアゟ−−ナフトヌ
ル−−ズルフオン酞゚ステルのようなゞアゟ・
ケトンを含んでいる。
本発明を曎に明瞭にするために、透明基板の衚
面に被着されおおり、透明基板ず銅局又はクロム
局ずの間に挟たれたニツケル含有鋌局を有する倚
局皠密フオトマスクの良奜な実斜䟋を以䞋に説明
する。
然しながら、必芁に応じお、銅又はクロム局を
透明基板ずニツケル含有鋌合金局ずの間に配眮す
るこずが出来るのは泚意を払う必芁がある。その
ような堎合、銅又はクロム局を被着するこずず、
ニツケル含有鋌局を被着する順序は逆にされる。
第図乃至第図を参照するず、銅局を有する
本発明のフオトマスクの構造の暡匏図が瀺されお
いる。実斜䟋においお、スパツタ法によ぀お。
箄800オングストロヌムの厚さのむンコネルの
劂きニツケル含有鋌合金局が、玄90ミルの厚さ
の透明ガラス基板の䞊に蚭けられる。次に、玄
0.15乃至0.25ミクロン、代衚䟋では0.2ミクロンの
厚さの銅局がむンコネルの䞊にスパツタ法で
被着される。シツプレヌShipley瀟で垂販さ
れおいる陜画フオトレゞストAZ−のよう
なフオトレゞストがスピニング法によ぀お玄
乃至1.5ミクロンの厚さで銅局の䞊に䞎えられる。
次に、フオトレゞスト局は玄80゜C乃至100゜C、
望たしくは80゜C乃至90゜Cの枩床で玄20分乃至30分
間焌成される。フオトレゞスト局は化孊光線に
露光され、そしお氎酞化カリりム0.2Nの氎溶液
によ぀お珟像される。
次に、第図に瀺されおいように、銅局は、宀
枩においお、塩化第二鉄の容量で玄乃至の
塩化第二鉄氎溶液を甚いお蝕刻される。これらの
氎溶液は䞋局のむンコネル局に圱響を䞎えるこ
ずなく銅局を蝕刻する。
第図に瀺されおいるように、次に、むンコネ
ル局が玄40゜Cの枩床で、玄1NのHcl及び玄5N
のNaClを含むHclNaClの氎溶液で蝕刻され
る。この氎溶液は露出しおいる銅局に圱響を及が
すこずなくむンコネルを蝕刻する。
本発明の良奜な実斜䟋においお、フオトレゞス
トは剥離され、次いで基板は第のフオトレゞ
ストで被われ、次に、そのフオトレゞストは玄
80゜C乃至玄100゜Cの枩床、奜たしくは玄80゜C乃至
箄90゜Cの枩床で、玄20乃至30分間ベヌクされる。
この第のフオトレゞストは玄ミクロンの厚さ
で䞎えられる。
第図で瀺されおいるように、次に、第フオ
トレゞスト局は露光されお、埌の工皋で䞎えら
れる郚分的光透過が予定されおいる領域の銅局を
露出するように珟像される。
露出された銅局は次に、容積で乃至の
塩化第二鉄を含む塩化第二鉄の氎溶液を䜿぀お、
ほが宀枩においお蝕刻される。蝕刻の速床は毎分
箄8000オングストロヌムである第図参照。
むンコネルは塩化第鉄の氎溶液によ぀お圱響
されずに残留する。次に、フオトレゞストは、
䟋えば氎酞化カリりムの0.2N氎溶液を甚いお剥
離され、第図に瀺した構造にされる。
第図乃至第図は、本発明に埓぀お、䞍透明
郚分ずしお銅又はクロムを䜿぀た倚局皠密フオト
マスクの補造を説明するための暡匏図である。む
ンコネルのようなニツケル含有鋌が、スパツ
タ法のような公知の被着技術を甚いるるこずによ
り玄800オングストロヌムの厚さで、石英たたは
ガラスのような透明誘電䜓基板の䞊に被着され
る。付蚀するず、むンコネルを被着した基板はむ
ンコネル・フむルタずいう商暙名でデむトリツ
ク・オプテむクスDitric Optics瀟で垂販さ
れおいる。
フオトレゞスト図瀺せずがむンコネル局
の䞊に被着され、そしお、第図に瀺されたよう
なむンコネルの回路パタヌンを䞎えるよう露光
され、珟像される。次に、むンコネルは蝕刻さ
れ、そしおフオトレゞストは陀去される。
次に、玄ミクロンの盞察的に薄いフオトレゞ
スト被膜が被着され、そしお、玄80゜C乃至玄
100゜Cの枩床で、望たしくは玄80゜C乃至玄90゜Cの
枩床で、基板ずむンコネルのパタヌン党䜓を玄
20乃至30分間、゜フトベヌクがが行われる。
次に、フオトレゞストは露光され、所定の䞍
透明の郚分の領域が第図に瀺されおいるように
陀去されるよう珟像される。次に、クロム又は銅
局が、基板、残りのむンコネル及び残りの
フオトレゞストの䞊に、玄800オングストロヌ
ム乃至玄4000オングストロヌムの厚さ、望たしく
は玄800オングストロヌム乃至2000オングストロ
ヌムの厚さで䞎えられる。銅局又はクロム局はス
パツタ法又は蒞着法により䞎えるこずが出来る。
次に、その構造䜓は残りのフオトレゞストを剥
離する溶液に浞挬し、これによりフオトレゞスト
䞊に残留しおいる銅局又はクロム局を陀去する䞀
方、フオトレゞストの無い領域に銅局又はクロム
局を残す。陜画甚フオトレゞストを甚いた堎合
は、フオトレゞスト剥離剀溶液の補品は、J100及
びがあり、KTFR−ポリむ゜プレンのよ
うな陰画甚フオトレゞストを甚いた堎合は
がある。
 発明の効果 䞊述したように、本発明の倚局フオトマスク構
造䜓は、耇雑で時間のかかる回埩凊理技術を甚い
るこずなく、異な぀た局に所望のパタヌンを、高
い遞択性、均䞀性及び再珟性で䞎えるこずが出来
る。
【図面の簡単な説明】
第図乃至第図は、䞍透明郚分ずしお銅局を
含む良奜なフオトレゞスト・マスクを䞎える本発
明の良奜な方法の実斜䟋を蚭明するための図、第
図乃至第図は本発明の倚局皠密フオトマスク
の補造を説明するための暡匏図である。   透明ガラス基板、  ニツケル含有鋌
合金局、  銅局、  第のフオトレゞス
ト局、  第のフオトレゞスト局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  少くずも玄90の最小透過率をも぀基板ず、
    ニツケル含有鋌局ず、銅、クロム及びそれらの混
    合物の矀から遞択された金属の局ずを具備する倚
    局構造䜓。  䞊蚘基板がガラスたたは石英である特蚱請求
    の範囲第項蚘茉の倚局構造䜓。  䞊蚘ニツケル含有鋌局が、少くずも玄45の
    ニツケルを含む特蚱請求の範囲第項に蚘茉の倚
    局構造䜓。  䞊蚘ニツケル含有鋌局が、少くずも玄10の
    クロムを含む特蚱請求の範囲第項に蚘茉の倚局
    構造䜓。  (a) ニツケル含有鋌局ず、その䞊に付着され
    た銅局ずをも぀少くずも玄90の最小透過率を
    も぀透明基板を甚意し、 (b) 䞊蚘工皋(a)で甚意された構造䞊にフオトレゞ
    ストを被着し、 (c) 䞊蚘フオトレゞストの局を露光及び珟像し、 (d) 銅たたはニツケル含有鋌局の露出された郚分
    を遞択的に゚ツチングし、 (e) 䞊蚘工皋(d)で゚ツチングされなか぀た銅たた
    はニツケル含有鋌局の露出された郚分を遞択的
    に゚ツチングし、 (f) 䞊蚘工皋(d)で゚ツチングされた銅たたはニツ
    ケル含有鋌局䞊でフオトレゞストを被着、露光
    及び珟像し、 (g) 䞊蚘工皋(f)の銅たたはニツケル含有鋌局の露
    出された郚分を遞択的に゚ツチングし、 (h) 䞊蚘フオトレゞストを陀去する工皋を有す
    る、 倚局構造䜓の補造方法。
JP62261921A 1987-01-02 1987-10-19 倚局構造䜓ずその補造方法 Granted JPS63173053A (ja)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69132523D1 (de) * 1990-05-09 2001-03-08 Canon Kk Erzeugung von Mustern und Herstellungsverfahren fÃŒr Halbleiteranordnungen mit diesem Muster
US5213916A (en) * 1990-10-30 1993-05-25 International Business Machines Corporation Method of making a gray level mask
JP2794253B2 (ja) * 1992-08-31 1998-09-03 株匏䌚瀟 写真化孊 露光マスク甚の玠材
JPH06188270A (ja) * 1992-12-15 1994-07-08 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランゞスタの補造方法及びパタヌン転写マスク
US5476738A (en) * 1994-05-12 1995-12-19 International Business Machines Corporation Photolithographic dose determination by diffraction of latent image grating
US5589303A (en) * 1994-12-30 1996-12-31 Lucent Technologies Inc. Self-aligned opaque regions for attenuating phase-shifting masks
US6162589A (en) * 1998-03-02 2000-12-19 Hewlett-Packard Company Direct imaging polymer fluid jet orifice
JPH10275683A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜積局型導電䜓
US6238778B1 (en) 1998-11-04 2001-05-29 Ga-Tek Inc. Component of printed circuit boards
US6379487B1 (en) 2000-05-05 2002-04-30 Ga-Tek Inc. Component of printed circuit board
JP3636098B2 (ja) * 2001-06-06 2005-04-06 東芝䞉菱電機産業システム株匏䌚瀟 電力倉換装眮の制埡回路
JP4700657B2 (ja) * 2007-06-25 2011-06-15 株匏䌚瀟 グレヌトヌンマスク及びその補造方法
JP4878379B2 (ja) * 2009-02-09 2012-02-15 株匏䌚瀟 グレヌトヌンマスクの補造方法
JP4840834B2 (ja) * 2010-11-01 2011-12-21 株匏䌚瀟 グレヌトヌンマスク及びその補造方法
JP7062381B2 (ja) * 2017-06-23 2022-05-16 アルバック成膜株匏䌚瀟 マスクブランクスおよびその補造方法、バむナリマスク

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51105821A (en) * 1975-03-14 1976-09-20 Fuji Photo Film Co Ltd Masukugazono keiseihoho
US4201800A (en) * 1978-04-28 1980-05-06 International Business Machines Corp. Hardened photoresist master image mask process
DE3147644A1 (de) * 1980-12-18 1982-11-18 Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden "verwendung einer chrom, eisen und sauerstoff enthaltenden schicht fuer die herstellung von fotomasken"
US4411972A (en) * 1981-12-30 1983-10-25 International Business Machines Corporation Integrated circuit photomask
US4563400A (en) * 1983-09-09 1986-01-07 Ppg Industries, Inc. Primer for metal films on nonmetallic substrates
US4512863A (en) * 1983-09-09 1985-04-23 Ppg Industries, Inc. Stainless steel primer for sputtered films

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JPS63173053A (ja) 1988-07-16
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US4770947A (en) 1988-09-13

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